JPS6031257A - 半導体整流装置 - Google Patents

半導体整流装置

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JPS6031257A
JPS6031257A JP58139444A JP13944483A JPS6031257A JP S6031257 A JPS6031257 A JP S6031257A JP 58139444 A JP58139444 A JP 58139444A JP 13944483 A JP13944483 A JP 13944483A JP S6031257 A JPS6031257 A JP S6031257A
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JP
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conductor
fixed
conductors
diode
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JP58139444A
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Fumio Goto
後藤　文雄
Michihiro Misawa
三沢　通宏
Shigeru Aoki
茂 青木
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は絶縁板上に導体を固定し、更にダイレードペレ
ットを固定し、所定の結線を施して全社整流回路を構成
せしめたモジュール構造の半導体整流装置に関するもの
である。
〔発明の背景〕
モジュール構造の半導体整流装置はダイオードペレット
がケースに収納された所謂ディスクリート構造のダイオ
ードを所定の回路結線をすることにより半導体整流回路
を得ているものに較べて、実装が簡単であること、小型
軽量であること等の利点を有しているため、最近脚光ｆ
ニアびている。
しかしながら、従来のモジュール構造の半導体整流装置
は製作時の作業性、部品点数等を考慮して絶縁板上での
導体やダイオードペレットの配置が決められるだけで、
ダイオードペレットの耐圧を考慮に入れたものではなか
った。即ち、ｐｉｎ型のダイオードペレットは導体上に
鑞材で固定されるが、ｐｎ接合が導体に近付いた配置を
採っているものがあって、しかも鑞材がダイオードペレ
ットの周囲で盛上ることがあると、逆バイアスが加えら
れた時に、ダイオードペレットと鑞材の間で放電を生じ
易く、信頼性の点で問題があった。
〔発明の目的〕
従って本発明の目的は単純構成で放電の恐れがなく信頼
性の高いモジュール構造の半導体整流装置を提供するこ
とにある。
〔発明の概要〕
本発明半導体整流装置の特徴とするところは、交流相数
分の第１群の導体と直流出力分の第２群の導体が絶縁板
上に固定され、ｐｉｎ型のダイオードペレットがその整
流方向を同じくして第１群の各導体には１ｌｌｉｉｌづ
つ、そして第２群の一方の導体には残シの全てのものが
固定され、第１群の導体上のダイオードペレットはその
導体に固定されない側が第２群の他方の導体と接続され
、第２群の一方の導体上の各ダイオードペレットはその
導体に固定されない側が第１群の各導体と個別に接続さ
れ、各導体、各ダイオードペレットおよびダイオードペ
レットと導体間の接続のだめの導体によシ全波整流回路
を構成していることにある。
〔発明の実施例〕
以下、実施例に基いて本発明を説明する。
第１図、第２図において、１はＡｔ、Ｃｕ等の放熱板で
ＡＡｚＯｓ等の絶縁板３を鑞材２によυ固定している。
絶縁板３上には鑞材４により第１群の導体５ａ〜５Ｃ，
第２群の導体６ａ、６ｂが固定されている。導体５ａ〜
５ＣＫはそれぞれ、又、導体６ｂには３個のダイオード
ベレツ）７ａ〜７ｆが鑞材８によシ固定されている。い
づれのダイオードペレツ）７ａ〜７ｆも第３図にダイオ
ードペレット７Ｃを代表して示すようにｐｎｎ”（ｐｉ
ｎ）型でｐｎ接合Ｊが導体５Ｃから離れた側に位置され
ている。即ち、カソード側が導体□５Ｃ側とされている
。ダイオードペレット７ａ〜７Ｃのアノード側と導体６
ａは接続線９ａ、鑞材１０によ多接続されている。導体
５ａとダイオードペレット７ｄ、同様に５ｂと７ｅ、５
ｃと７ｆは個別に接続線９ｂ〜９ｄ、鑞材によ多接続さ
れている。
放熱板１上に樹脂製ケース１１が固定され、導体５ａ〜
５ｃ、６ａ、６ｂに直立された引出導体１２ａ〜１２Ｃ
，１３ａ、１３ｂが導出されている。絶縁板３の鑞材２
，４が設けられる部分や、ダイオードベレン）７ａ〜７
ｆの上下鑞着面には鑞付性を良くするため蒸着膜が設け
られているが図示されていない。又、絶縁板３上には表
面安定化ノタメシリコーンゴム等を注型することが多い
が、これも図示されていない。絶縁板３上の鑞材は個々
に引出線を付して説明すべきであるが、煩雑さを避ける
ため代表のみを示している。
以上のモジュール構成で引出導体１２ａ〜１２Ｃは３相
交流各相の入力端子となシ、引出導体１３ａ。
１３ｂは直流十出力端子、及び、−出力端子となってい
る。
この実施例によれば全てのダイオードペレット７８〜７
ｆが同一整流方向となっておシ、第３図に示すように鑞
材８が盛上ったとしてもｐ　Ｉｔ接合Ｊから離れている
ので、逆バイアスが加わっても放電を起し難い。全ダイ
オードベレン）７ａ〜７ｆは同一構造のもので良いから
、単純構成で、組立ての時に整流方向を逆にする恐れも
なく、製作が容易である。
従って、モジュール構成の半導体整流装置としての実装
の簡単さ、小型軽量の利点を発揮させることができるっ 第３図のダイオードペレットの導′成型を逆転させたｐ
”ｐｎ”（ｐ　ｉ　１１　）ｆｊｌのダイオードペレッ
トを用い、アノード側を導体５Ｃ側、カソード側を接続
線９ａ側にしたものでも同様の効果が得られる。
この場合、引出導体１２ａ〜１２Ｃは交流入力端子とし
て変らないが、引出導体１３ａは直流−出力端子、引出
導体１３ｂは直流十出力端子となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、単純構成で放電の
恐れがなく信頼性の高いモジュール構成の半導体整流装
置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例になる３相全波整流用半導体
整流装置の上面図、第２図は第１図の■−■切断線に沿
う断面図、８３図は第１図、第２図に示した半導体整流
装置に用いたダイオードペレットの断面図である。 １・・・放熱板、２，４，８．１０・・・鑞材、３・・
・絶縁板、５　ａ　〜５　Ｃ，６ａ、　６　ｂ−・・導
体、７ａ〜７ｆ・・・ダイオードベレット、９８〜９ｄ
・・・接続線、１１−＋−ｘ、１２ａ　〜１２Ｃ，１３
ａ、１３ｂ第　Ｚ　図 拓　３　図 ／／−一 □□□□□□□□Ａ Ｗへｌｌｌ ／

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、交流相数分の第１群の導体と直流出力分の第２群の
    導体が絶縁板上に固定され、ｐｉｎ型の夕。 イオードペレットがその整流方向を同じくして第１群の
    各導体には１個づつそして第２群の一方の導体には残シ
    の全てのものが固定され、第１群の導体上のダイオード
    ペレットはその導体に固定されない側が第２群の他方の
    導体と接続され、第２群の一方の導体上の各ダイオード
    ペレットはその導体に固定されない側が第１群の各導体
    と個別に接続線（より接続され、各導体、各ダイオード
    ペレットおよびり゛イオードペレゾトと導体間の各俤続
    線によｐ全波整流回路を構成していることをｌＫ徴とす
    る半導体整流装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61157340U (ja) * 1985-03-20 1986-09-30
EP1032114B1 (fr) * 1999-02-26 2011-10-26 Valeo Equipements Electriques Moteur Module électrique pour alternateur de véhicule, notamment automobile, et assemblage comportant un tel alternateur et un tel module
CN103182598A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种大功率车用整流桥的焊接方法及其接线片

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5531824U (ja) * 1978-08-18 1980-02-29

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5531824U (ja) * 1978-08-18 1980-02-29

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61157340U (ja) * 1985-03-20 1986-09-30
EP1032114B1 (fr) * 1999-02-26 2011-10-26 Valeo Equipements Electriques Moteur Module électrique pour alternateur de véhicule, notamment automobile, et assemblage comportant un tel alternateur et un tel module
CN103182598A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种大功率车用整流桥的焊接方法及其接线片
CN103182598B (zh) * 2011-12-28 2016-05-04 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种大功率车用整流桥的焊接方法及其接线片

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