JPS6031106B2 - 高抵抗集積回路素子 - Google Patents
高抵抗集積回路素子Info
- Publication number
- JPS6031106B2 JPS6031106B2 JP13406976A JP13406976A JPS6031106B2 JP S6031106 B2 JPS6031106 B2 JP S6031106B2 JP 13406976 A JP13406976 A JP 13406976A JP 13406976 A JP13406976 A JP 13406976A JP S6031106 B2 JPS6031106 B2 JP S6031106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- high resistance
- polycrystalline silicon
- circuit elements
- polycrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路における高低抗素子の特性改良に関す
る。
る。
Ｓｉ半導体集積回路（ＩＣ）においては、高抵抗の素子
をＳ三基板上につくりつけることが非常にむずかしい。
をＳ三基板上につくりつけることが非常にむずかしい。
これは、通常抵抗素子として不純物をＳｉ又は多結晶Ｓ
ｉ中に拡散したものを用いるためで、このような配線で
は単位長当りのシート抵抗を約ｌｏｏＱ／口以上になる
ことはむずかしい。したがって大きな抵抗をつくるため
には非常に大きな面積を要する。本発明は、高抵抗の素
子を非常に小さな面積で実現することを目的とする。第
１図は本発明の実施例を示すもので、良導亀物質１の上
にリソ（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等の不純物をドーブした多
結晶Ｓｉ２が堆積され、多結晶Ｓｉの〜部分の表面を酸
化して形成した酸化膜４の上に再び良導電物質５が堆積
されていることを特徴とする。
ｉ中に拡散したものを用いるためで、このような配線で
は単位長当りのシート抵抗を約ｌｏｏＱ／口以上になる
ことはむずかしい。したがって大きな抵抗をつくるため
には非常に大きな面積を要する。本発明は、高抵抗の素
子を非常に小さな面積で実現することを目的とする。第
１図は本発明の実施例を示すもので、良導亀物質１の上
にリソ（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等の不純物をドーブした多
結晶Ｓｉ２が堆積され、多結晶Ｓｉの〜部分の表面を酸
化して形成した酸化膜４の上に再び良導電物質５が堆積
されていることを特徴とする。
第２図は第１図の構造において多結晶シリコンの酸化膜
４を５００ム形成した場合、良導電物質５と多結晶Ｓｉ
２の間に流れる電流１を測定した結果で３×３仏〆の穴
を流れる電流は端子問題圧Ｖか５Ｖのときに１０１１〜
１０‐１０Ａとなる。
４を５００ム形成した場合、良導電物質５と多結晶Ｓｉ
２の間に流れる電流１を測定した結果で３×３仏〆の穴
を流れる電流は端子問題圧Ｖか５Ｖのときに１０１１〜
１０‐１０Ａとなる。
すなわち、このような３×３〃〆の小さな面積で１ぴ〜
１ぴ００の抵抗を形成することができる。また多結晶Ｓ
ｉの酸化膜塵を２００Ａから７５０Ａまで変化させるこ
とにより上記３×３ム〆の穴において流れる電流値は端
子間電圧５Ｖのときに１ぴ〜１０１６０の抵抗体をつく
ることができるとともに、集積回路技術で最も安定で再
現性のある酸化工程を使用して形成するので再現性は非
常に良い。第３図は他の実施例を示すもので、酸化膜を
良導電物質１と多結晶Ｓｉ２の界面にまで形成し、良導
電物質５と多結晶Ｓｉ２および良導電物質５と多結晶Ｓ
ｉ２′とを葛抵抗で連結した回路構成となる。
１ぴ００の抵抗を形成することができる。また多結晶Ｓ
ｉの酸化膜塵を２００Ａから７５０Ａまで変化させるこ
とにより上記３×３ム〆の穴において流れる電流値は端
子間電圧５Ｖのときに１ぴ〜１０１６０の抵抗体をつく
ることができるとともに、集積回路技術で最も安定で再
現性のある酸化工程を使用して形成するので再現性は非
常に良い。第３図は他の実施例を示すもので、酸化膜を
良導電物質１と多結晶Ｓｉ２の界面にまで形成し、良導
電物質５と多結晶Ｓｉ２および良導電物質５と多結晶Ｓ
ｉ２′とを葛抵抗で連結した回路構成となる。
また第４図は第３図において良導電層５を取り除いたも
ので、この構造においては、多結晶Ｓｉ２，２′間に高
抵抗をつくりつけた構成となる。第５図は本発明をフリ
ップ・フロップ回路に適用した応用例を示す。第５図の
抵抗６，６′に本発明を蓬用した場合の平面構造パター
ンで示したものを第６図に示す。図中７はゲ一ト領域お
よび拡散層領域を示し、９，９′，９＾は多結晶Ｓｉ，
１１，１１′は良導電物質を示す。また８，８′は多結
晶Ｓｉと拡散層とを接続するための穴を示し、１０，１
０′，１ ０＾はコンタクトのための穴＼を示す。こ
こで、１０′，１０ｒに本発明の構造である第３図を実
施すれば第５図のフリップ・ァ。ップ回路が構成できる
わけである。ここで第５図の抵抗６，６′はコンタクト
・ホール１０′，１０＾の面鏡のみで構成することがで
きるために集積回略の面積を小さくできる利点がある。
以上述べたように本発明によって小さい面積で高抵抗素
子が実現でき、集積回路の集積度を大きく改善しうろこ
とが分る。
ので、この構造においては、多結晶Ｓｉ２，２′間に高
抵抗をつくりつけた構成となる。第５図は本発明をフリ
ップ・フロップ回路に適用した応用例を示す。第５図の
抵抗６，６′に本発明を蓬用した場合の平面構造パター
ンで示したものを第６図に示す。図中７はゲ一ト領域お
よび拡散層領域を示し、９，９′，９＾は多結晶Ｓｉ，
１１，１１′は良導電物質を示す。また８，８′は多結
晶Ｓｉと拡散層とを接続するための穴を示し、１０，１
０′，１ ０＾はコンタクトのための穴＼を示す。こ
こで、１０′，１０ｒに本発明の構造である第３図を実
施すれば第５図のフリップ・ァ。ップ回路が構成できる
わけである。ここで第５図の抵抗６，６′はコンタクト
・ホール１０′，１０＾の面鏡のみで構成することがで
きるために集積回略の面積を小さくできる利点がある。
以上述べたように本発明によって小さい面積で高抵抗素
子が実現でき、集積回路の集積度を大きく改善しうろこ
とが分る。
第１図、第３図、第４図は本発明の実施例を示す図、第
２図は本発明の効果を説明するための図、第５図、第６
図は本発明をフリップ・フロップ回路に実施した例を示
す図である。 第７図 多〆図 努ヂ図 多づ図 多Ｚ図 多ク図
２図は本発明の効果を説明するための図、第５図、第６
図は本発明をフリップ・フロップ回路に実施した例を示
す図である。 第７図 多〆図 努ヂ図 多づ図 多Ｚ図 多ク図
Claims (1)
- １ 基板上に設けられた不純物を含む多結晶シリコンと
、該多結晶シリコンの上部に設けられた少なくとも一ケ
所にコンタクトホールを有する絶縁膜と、上記コンタク
トホールを介して上記多結晶シリコンと電気的に接続さ
れる導体層とを有する回路素子において、上記導体層と
、上記多結晶シリコンとの境界には、上記多結晶シリコ
ンを酸化して設けた酸化膜を介在させてなることを特徴
とする高抵抗集積回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13406976A JPS6031106B2 (ja) | 1976-11-10 | 1976-11-10 | 高抵抗集積回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13406976A JPS6031106B2 (ja) | 1976-11-10 | 1976-11-10 | 高抵抗集積回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5360187A JPS5360187A (en) | 1978-05-30 |
| JPS6031106B2 true JPS6031106B2 (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=15119640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13406976A Expired JPS6031106B2 (ja) | 1976-11-10 | 1976-11-10 | 高抵抗集積回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031106B2 (ja) |
-
1976
- 1976-11-10 JP JP13406976A patent/JPS6031106B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5360187A (en) | 1978-05-30 |
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