JPS6030184A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS6030184A JPS6030184A JP58139202A JP13920283A JPS6030184A JP S6030184 A JPS6030184 A JP S6030184A JP 58139202 A JP58139202 A JP 58139202A JP 13920283 A JP13920283 A JP 13920283A JP S6030184 A JPS6030184 A JP S6030184A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は光」−ネルキを直接電気」−不ルキに変換する
光起電力装置の製造功誌に開−る。
光起電力装置の製造功誌に開−る。
〈口〉 従来技術
この種光起電力装置に於いて、その光感応層に非晶質シ
リコンの如き非晶質゛L心導体2に141本膜として用
いたものは既に知られている。
リコンの如き非晶質゛L心導体2に141本膜として用
いたものは既に知られている。
第1図は、上記非晶質半導体膜を用いた(を来の光起電
力装置を示し、(1〉はガラス・耐熱プ7スチ7り等の
絶縁性且つ透光性を山する。!I(板、(2a )(2
b )(2c L=は基板(1)上に一定間隔【゛被着
された第1電極膜としての透明導電膜、(3a)(3b
H3c)・・は各透明導電膜上に重畳被着さJ′した非
晶ff?導体膜、(4a )(4b )(4c L は
各非1111質半導体膜上にオーミック的に重畳被着さ
れ、かつ各右隣りの透明導電膜(2b )<2c )・
に、411分的に重畳せる第2電極膜としての裏面’
&極膜−C: 、1’)る。
力装置を示し、(1〉はガラス・耐熱プ7スチ7り等の
絶縁性且つ透光性を山する。!I(板、(2a )(2
b )(2c L=は基板(1)上に一定間隔【゛被着
された第1電極膜としての透明導電膜、(3a)(3b
H3c)・・は各透明導電膜上に重畳被着さJ′した非
晶ff?導体膜、(4a )(4b )(4c L は
各非1111質半導体膜上にオーミック的に重畳被着さ
れ、かつ各右隣りの透明導電膜(2b )<2c )・
に、411分的に重畳せる第2電極膜としての裏面’
&極膜−C: 、1’)る。
各非晶質半導体膜(3a )<3b )(3c ) −
は、そQ)内部に例えは膜面に平行なPIN接合をρ?
み、徒って透明基板(1)及び透明導電膜(2a )<
2b )(2c)・・・を順次介しC光入射があると、
光電、(E)jを発生ずる。各非晶質半導体膜(3a
>(3b )(3c )内で発生した光起電力は裏11
1i ′電極膜(4a)(4b )(4c、)での接続
により直列的に相加される。
は、そQ)内部に例えは膜面に平行なPIN接合をρ?
み、徒って透明基板(1)及び透明導電膜(2a )<
2b )(2c)・・・を順次介しC光入射があると、
光電、(E)jを発生ずる。各非晶質半導体膜(3a
>(3b )(3c )内で発生した光起電力は裏11
1i ′電極膜(4a)(4b )(4c、)での接続
により直列的に相加される。
この様な装置におい工・、光利用効率を左右する一つの
要因は、装置全体の受光面積(即ち、基板面積)に対し
、実際に発電に寄与するJl’品質半導体膜(3a )
(3b )(3c )・・の総面積の占める割合いであ
る。然るに、各非晶質半導体膜(3a )(3b )(
3c) ・の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体の
ない領域(図中符号NONで示す領域)は上記面積割合
いを低下させる。
要因は、装置全体の受光面積(即ち、基板面積)に対し
、実際に発電に寄与するJl’品質半導体膜(3a )
(3b )(3c )・・の総面積の占める割合いであ
る。然るに、各非晶質半導体膜(3a )(3b )(
3c) ・の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体の
ない領域(図中符号NONで示す領域)は上記面積割合
いを低下させる。
従って光利用効率を向上するには、まリー透明導電膜(
2a )(2b )(2c )・ の隣接間隔を小さく
し、そして非晶質半導体膜(3a )(3b )(3c
) ・の隣接間隔を小きくせねばぼらない。
2a )(2b )(2c )・ の隣接間隔を小さく
し、そして非晶質半導体膜(3a )(3b )(3c
) ・の隣接間隔を小きくせねばぼらない。
この様な間隔縮小は6膜の加工精度°C決まり、従って
、従来は細密加工性に儂れ1−いるη:真蝕刻技術が用
いられている。この技術による場g、基板(1)上全面
への透明導電膜の被着工程と、ソオトレジスト及び工7
チングによる各個別の透明導電膜(2a )(2b )
(2c ) の分離、即ち、各透明導電膜<2a >(
2b )(2c )・の隣接間隔部分Q、)除去工程と
、これら各透明導電膜上を含む基板(1)」−全面・\
の−J1晶質を導体膜の被着工程と、ノオI−1/ンス
ト及びエンチングによる各個別の非晶質半導体膜(3a
)(3b )(3c ) の分離、即ち、各非晶質半
導体膜(3a )(3b )(3c ) の隣接間隔d
15分の除去工程とを順次繰ることになる。
、従来は細密加工性に儂れ1−いるη:真蝕刻技術が用
いられている。この技術による場g、基板(1)上全面
への透明導電膜の被着工程と、ソオトレジスト及び工7
チングによる各個別の透明導電膜(2a )(2b )
(2c ) の分離、即ち、各透明導電膜<2a >(
2b )(2c )・の隣接間隔部分Q、)除去工程と
、これら各透明導電膜上を含む基板(1)」−全面・\
の−J1晶質を導体膜の被着工程と、ノオI−1/ンス
ト及びエンチングによる各個別の非晶質半導体膜(3a
)(3b )(3c ) の分離、即ち、各非晶質半
導体膜(3a )(3b )(3c ) の隣接間隔d
15分の除去工程とを順次繰ることになる。
しかし乍ら、写真蝕刻技術は細密加工上C優れてはいる
が、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのビンポー
ルや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じさ
せやすい。
が、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのビンポー
ルや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じさ
せやすい。
特開昭57−12568号公報に開示さt′したiイj
1支14ifは、レーザビームの照射による膜の焼き切
りで上記隣接間隔を設けるものであり、写に蝕刻技術で
必要なフλI・レジストを一切使わず細密加工性に忌む
その技法は上記の課題を解決j゛るJニT極めで有効で
ある。
1支14ifは、レーザビームの照射による膜の焼き切
りで上記隣接間隔を設けるものであり、写に蝕刻技術で
必要なフλI・レジストを一切使わず細密加工性に忌む
その技法は上記の課題を解決j゛るJニT極めで有効で
ある。
断る公開公報によれば直列接続される光を変換領域(5
a )(5b )(5c )・の接続形態は第1図に示
4如く、隣接間隔に面接露出しノー透明導’tli I
+ダ巳(2a)(2bX2c) 上にその隣接間隔の長
手方向に亘って左隣りの裏面電極膜(4a )(4b)
(4c )・が延在することにより実現されており、従
−)で、1枚の透明4電膜、半導体膜及び裏面電極膜を
複数の光電変換領域(5a)(5bバ5c) に跨って
各々被着形成後毎にレーザビームの照射を族4−二とに
なる。
a )(5b )(5c )・の接続形態は第1図に示
4如く、隣接間隔に面接露出しノー透明導’tli I
+ダ巳(2a)(2bX2c) 上にその隣接間隔の長
手方向に亘って左隣りの裏面電極膜(4a )(4b)
(4c )・が延在することにより実現されており、従
−)で、1枚の透明4電膜、半導体膜及び裏面電極膜を
複数の光電変換領域(5a)(5bバ5c) に跨って
各々被着形成後毎にレーザビームの照射を族4−二とに
なる。
しかし乍ら、上述の如き方法によれば半導体膜壮裏面電
極膜の被着前にレーザビームの照射により溶断され、各
光電変換変換領域(5a H5b )(5c〉・緑に分
割せしめられるために、分割後に於い−(被着きれる裏
面を極膜との界面に大気中の水分や塵埃及び半導体膜の
溶断破片等の介在かイφか−からも発生し、裏面電極膜
(4aH4b)(4c)・・・の接着力の低ド及び電気
的特性の劣化を招く原因となっていた。
極膜の被着前にレーザビームの照射により溶断され、各
光電変換変換領域(5a H5b )(5c〉・緑に分
割せしめられるために、分割後に於い−(被着きれる裏
面を極膜との界面に大気中の水分や塵埃及び半導体膜の
溶断破片等の介在かイφか−からも発生し、裏面電極膜
(4aH4b)(4c)・・・の接着力の低ド及び電気
的特性の劣化を招く原因となっていた。
(ハ)発明の目的
本発明は斯る点に鑑みて為きれたものであって、その目
的は半導体膜の加工にエネルギビームを使用するにも拘
らず、該半導体膜と裏面電極膜との界面に大気中の水分
や塵埃及び半導体膜の溶断破片等の介在を防止し、光利
用効率を向上せしめることにある。
的は半導体膜の加工にエネルギビームを使用するにも拘
らず、該半導体膜と裏面電極膜との界面に大気中の水分
や塵埃及び半導体膜の溶断破片等の介在を防止し、光利
用効率を向上せしめることにある。
(ニ)発明の構成
本発明光起電力装置の製造方法は、基板の絶縁表面に離
間配置された複数の第1電極騰に跨がる1枚の半導体膜
及び第2電極膜を積層被着した後、上記第2電極膜及び
半導体膜をエネルギビーl、の照射により連続して除去
し第1電極膜の一部を電気的に露出上しめ各光電変換領
域毎に分割すると共に、上記電気的に露出した第1電極
膜に、隣接せる光電変換領域の第2電極膜を上記エネル
ギビー11の照射による溶融により延在上しめ、該第2
電極膜と第1電極膜とを電気結合する、構成にある。
間配置された複数の第1電極騰に跨がる1枚の半導体膜
及び第2電極膜を積層被着した後、上記第2電極膜及び
半導体膜をエネルギビーl、の照射により連続して除去
し第1電極膜の一部を電気的に露出上しめ各光電変換領
域毎に分割すると共に、上記電気的に露出した第1電極
膜に、隣接せる光電変換領域の第2電極膜を上記エネル
ギビー11の照射による溶融により延在上しめ、該第2
電極膜と第1電極膜とを電気結合する、構成にある。
(ホ) 実施例
第2図乃至第8図は本発明実施例方法を工程順に示して
いる。第2図の工程では、厚さ1 mm〜3mmの透明
なカラス基板(10)上全面に、厚さ2000人〜50
00人の酸化錫からなる第1[極膜としての透明導電膜
(11)が被着される。
いる。第2図の工程では、厚さ1 mm〜3mmの透明
なカラス基板(10)上全面に、厚さ2000人〜50
00人の酸化錫からなる第1[極膜としての透明導電膜
(11)が被着される。
第3図の工程では、隣接間隔部(11°)がレーザビー
ムの照射により除去されて、個別の各透明導電膜(11
a )(11b )(11c ) が分離形成される。
ムの照射により除去されて、個別の各透明導電膜(11
a )(11b )(11c ) が分離形成される。
使用されるレーザは波長約1.06um、エネルギ密度
7X 107W / cm2のNd: YAGレーザが
適当であり、隣接間隔部(u’)の幅(Ll)は約10
0.umに設定される。
7X 107W / cm2のNd: YAGレーザが
適当であり、隣接間隔部(u’)の幅(Ll)は約10
0.umに設定される。
第4図の工程では、各透明導電膜<11 a >(11
b >(llc) の表面を含んで基板(10)上全面
に連続的に連なった1枚の厚さ5000人〜7000人
の非晶質シリコン膜(12〉が周知のノラン雰囲気中で
のクロー放電により被着される。斯るシリコン膜(12
)はその内部に膜面と平行なPIN接合を含み、従って
より具体的には先ずP型の非晶質シリコン膜が被着され
、次いで1型(ノンドープ)及びN型の非晶質シリ:1
ン膜が順次積層被着される。更に非晶質シリコン膜(1
2)を分割することなく厚さ2000人〜1μmの連続
した1枚のアルミニウム及びチタン銀との2層構造から
なる第2電極膜と舅又の裏面%を極膜(13)を真空蒸
着により上記ソリコン膜(12)上に積層する。
b >(llc) の表面を含んで基板(10)上全面
に連続的に連なった1枚の厚さ5000人〜7000人
の非晶質シリコン膜(12〉が周知のノラン雰囲気中で
のクロー放電により被着される。斯るシリコン膜(12
)はその内部に膜面と平行なPIN接合を含み、従って
より具体的には先ずP型の非晶質シリコン膜が被着され
、次いで1型(ノンドープ)及びN型の非晶質シリ:1
ン膜が順次積層被着される。更に非晶質シリコン膜(1
2)を分割することなく厚さ2000人〜1μmの連続
した1枚のアルミニウム及びチタン銀との2層構造から
なる第2電極膜と舅又の裏面%を極膜(13)を真空蒸
着により上記ソリコン膜(12)上に積層する。
第5図の工程では、隣接間隔部(14)にレー゛す゛ビ
ームを照射して、複数の透明導電膜(11a )(11
b >(11C)・・・全面に跨がって積層被着された
裏面電極膜(13)及び非晶質膜(12)をその厚み力
面に同時に溶断除去し透明導電膜(11a )(11b
)(11)(11c )の一部を露出せしめる。使用さ
れるレーザは波長約1.06.um、エネルギ密度5X
107W / Cm2のNd:YAGレーザが適当で
あり、非晶質シリコンH#、(12)をレーザ除去時、
一時的に透明導電膜(lla)(11b )(11c
)をレーザビームが直撃するために、走査速度等を適宜
選択し直撃による膜への影響を抑圧する。斯るレーザビ
ームの照射により除去された隣接間隔部(14)の幅(
L2)は約100.umに設定きれる。
ームを照射して、複数の透明導電膜(11a )(11
b >(11C)・・・全面に跨がって積層被着された
裏面電極膜(13)及び非晶質膜(12)をその厚み力
面に同時に溶断除去し透明導電膜(11a )(11b
)(11)(11c )の一部を露出せしめる。使用さ
れるレーザは波長約1.06.um、エネルギ密度5X
107W / Cm2のNd:YAGレーザが適当で
あり、非晶質シリコンH#、(12)をレーザ除去時、
一時的に透明導電膜(lla)(11b )(11c
)をレーザビームが直撃するために、走査速度等を適宜
選択し直撃による膜への影響を抑圧する。斯るレーザビ
ームの照射により除去された隣接間隔部(14)の幅(
L2)は約100.umに設定きれる。
ここで非晶質シリコン膜(12>のパターニングが裏面
電極膜(13)の被着後、細密加工性に富むレーザビー
ムの照射により施されていることに注目すべきである。
電極膜(13)の被着後、細密加工性に富むレーザビー
ムの照射により施されていることに注目すべきである。
即ち、非晶質シリコン膜(12)はグロー放電により被
着形成後、直ちにその表面は真空蒸着工程に移イゴし裏
面電極膜り13)によっ(被われるので、非晶質シリコ
ン膜(12〉と裏面′C極膜(13)との界面は人気中
の水分及び塵埃、史にはレーデビームによる溶断破片の
付着から保護される。
着形成後、直ちにその表面は真空蒸着工程に移イゴし裏
面電極膜り13)によっ(被われるので、非晶質シリコ
ン膜(12〉と裏面′C極膜(13)との界面は人気中
の水分及び塵埃、史にはレーデビームによる溶断破片の
付着から保護される。
更にこのレーザビームによる除去上程に於いて除去され
る・\き裏面電極膜(13)と非晶質・ノリ′−zン膜
(12)との熱伝導が相違することについても注目ずへ
きである。即ち、通常非晶質シリコン膜(12)と接す
る裏面Tli、極膜(13)部分はアルミニウムの如く
オーミンク金属から形成され良熱伝導性を備えでおり、
第6図に第5図に於けるレーザビームの照射により除去
された隣接間隔部<14)t−拡大して示す如く、し・
−ザビームの照射により隣接間隔部(14)に位置して
いた裏面電極膜(13)及び非晶質シリコン膜(12゛
)は除去されるものの、断る除去過程に於いてレーデビ
ームの照射を受けた除去されようとしている裏面電極膜
(13゛)からの主とし−C熱伝導により最終的に残存
する隣接間隔部近傍の裏面電極膜(13a )(13b
X13c )・の内融点の低い主にアルミニウムが溶
融し、該溶融した裏面電極膜(13a )(13b )
(13c )−・は非晶質シリコン膜(12°)(12
’ )の除去に伴なって該非晶質シリ:1ン膜(12a
)(12b )(12c )の側面に沿って露出した
透明導電膜(11b >(11c )・・の露出部(l
lb’ >(IIC’ )にまで延在する。斯る露出部
(llb’>(llc’)にまで至る裏面電極膜(13
a )(13b ) の延在が第7図の如く不十分な場
合、該露出部(llb’)(llc’>に対して左隣り
に隣接する裏面電極膜(13a)(13b )−’のエ
ッヂ部(13a’>(13b’)のみを低出力のレーザ
ビーム例えはI X 10’W /′Cm2で照射し、
該エッヂ部(13a’)(13b’)を溶融せしめて該
裏面電極膜(13a)(13b)の溶融物を露出部(l
lb’>(llc’)”導く。
る・\き裏面電極膜(13)と非晶質・ノリ′−zン膜
(12)との熱伝導が相違することについても注目ずへ
きである。即ち、通常非晶質シリコン膜(12)と接す
る裏面Tli、極膜(13)部分はアルミニウムの如く
オーミンク金属から形成され良熱伝導性を備えでおり、
第6図に第5図に於けるレーザビームの照射により除去
された隣接間隔部<14)t−拡大して示す如く、し・
−ザビームの照射により隣接間隔部(14)に位置して
いた裏面電極膜(13)及び非晶質シリコン膜(12゛
)は除去されるものの、断る除去過程に於いてレーデビ
ームの照射を受けた除去されようとしている裏面電極膜
(13゛)からの主とし−C熱伝導により最終的に残存
する隣接間隔部近傍の裏面電極膜(13a )(13b
X13c )・の内融点の低い主にアルミニウムが溶
融し、該溶融した裏面電極膜(13a )(13b )
(13c )−・は非晶質シリコン膜(12°)(12
’ )の除去に伴なって該非晶質シリ:1ン膜(12a
)(12b )(12c )の側面に沿って露出した
透明導電膜(11b >(11c )・・の露出部(l
lb’ >(IIC’ )にまで延在する。斯る露出部
(llb’>(llc’)にまで至る裏面電極膜(13
a )(13b ) の延在が第7図の如く不十分な場
合、該露出部(llb’)(llc’>に対して左隣り
に隣接する裏面電極膜(13a)(13b )−’のエ
ッヂ部(13a’>(13b’)のみを低出力のレーザ
ビーム例えはI X 10’W /′Cm2で照射し、
該エッヂ部(13a’)(13b’)を溶融せしめて該
裏面電極膜(13a)(13b)の溶融物を露出部(l
lb’>(llc’)”導く。
第8図の工程では」−記透明導電膜(llb)の露出部
(llb’)に延在した裏面電極膜(13a )(13
b )の内、当該充電変換領域(15b)のものか最終
的に残留すると、その光電変換領域(15b)は非晶質
シリコン膜(12b)を挾んで対向する透明導電膜(l
lb)と裏面電極膜(13b)との電気結合により短絡
するので、斯る短絡を防止すべく隣接間隔部近傍の一旦
溶融せしめられた裏面電極膜(13b)のエッヂ部(1
3b”)をエネルギビームの照射により除去する。
(llb’)に延在した裏面電極膜(13a )(13
b )の内、当該充電変換領域(15b)のものか最終
的に残留すると、その光電変換領域(15b)は非晶質
シリコン膜(12b)を挾んで対向する透明導電膜(l
lb)と裏面電極膜(13b)との電気結合により短絡
するので、斯る短絡を防止すべく隣接間隔部近傍の一旦
溶融せしめられた裏面電極膜(13b)のエッヂ部(1
3b”)をエネルギビームの照射により除去する。
この様にして左隣りの光電変換領域(15a)と右隣り
の光′vL変換領域(15b)とは裏面電極膜(13a
)と透明JIA電膜(llb)との結合により電気的に
直列接続される。
の光′vL変換領域(15b)とは裏面電極膜(13a
)と透明JIA電膜(llb)との結合により電気的に
直列接続される。
尚、以上の実施例に於いては隣接間隔部(14)の透明
導電膜(11b Xll c )は非晶質シリコン膜(
12’)のレーザビームの除去により直接露出せしめら
れていたが、この透明導電膜<11 b )(11c
)の露出部(llb’)(llc’)が斯るレーザビー
ムの直撃により損傷を受ける場合、該露出部(llb’
>(llc’)を非晶質シリコ/膜(12)の被着工程
に先立って保護金属膜で被覆せしめ上記レーザビームの
直撃から保護しでも良い。従って、保護金属膜を介在せ
しめた実施例にあ−)では非晶質シリコン膜(12)が
レーザビームの照射により除去されても透明導電1摸(
11b )(11c )は直接露出するに至らないが保
護金属膜が露出することによって、該導電膜(llb)
(llc)は実質的、即ち電気的に露出することになり
、透明導電膜(11b 011 c )と裏面電極膜(
13a)<13b)との電気結合は支障なく行なわれる
。
導電膜(11b Xll c )は非晶質シリコン膜(
12’)のレーザビームの除去により直接露出せしめら
れていたが、この透明導電膜<11 b )(11c
)の露出部(llb’)(llc’)が斯るレーザビー
ムの直撃により損傷を受ける場合、該露出部(llb’
>(llc’)を非晶質シリコ/膜(12)の被着工程
に先立って保護金属膜で被覆せしめ上記レーザビームの
直撃から保護しでも良い。従って、保護金属膜を介在せ
しめた実施例にあ−)では非晶質シリコン膜(12)が
レーザビームの照射により除去されても透明導電1摸(
11b )(11c )は直接露出するに至らないが保
護金属膜が露出することによって、該導電膜(llb)
(llc)は実質的、即ち電気的に露出することになり
、透明導電膜(11b 011 c )と裏面電極膜(
13a)<13b)との電気結合は支障なく行なわれる
。
(へ〉 発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、複数の第1電極
膜に跨がって被着された1枚の半導体膜は、各光電変換
領域毎に分割せしめられるRifに第2電極膜が積層被
着されるの1、該第2電極膜自身か半導体膜との界面を
被い大気中の水分及び塵埃等の(リー着に対し保護膜と
して作用し、半導体膜の加工に細密加工性に富み光利用
効率を向上ゼしめることのできるエネルギビームの使用
を可能ならしめ得る。更に、エネルギビームの照射を受
けた第2電極膜の一部は電気的に露出した第1電極膜に
溶融延在するので、斯るエネルギビームノp=射により
各光電変換領域毎の分割と同時に隣接せる光電変換領域
の第1電極膜と第2電極膜との電気結合を施すことがで
き、製造工程の簡略化が図れる。
膜に跨がって被着された1枚の半導体膜は、各光電変換
領域毎に分割せしめられるRifに第2電極膜が積層被
着されるの1、該第2電極膜自身か半導体膜との界面を
被い大気中の水分及び塵埃等の(リー着に対し保護膜と
して作用し、半導体膜の加工に細密加工性に富み光利用
効率を向上ゼしめることのできるエネルギビームの使用
を可能ならしめ得る。更に、エネルギビームの照射を受
けた第2電極膜の一部は電気的に露出した第1電極膜に
溶融延在するので、斯るエネルギビームノp=射により
各光電変換領域毎の分割と同時に隣接せる光電変換領域
の第1電極膜と第2電極膜との電気結合を施すことがで
き、製造工程の簡略化が図れる。
第1図は従来の光起電力装置を示す断面図、第2図乃至
第8図は本発明実施例方法を一工程別に、j。 す断面図、である。 “ (10)・・基板、(11)(11a )(11b )
(11c )−−透明導電膜、(12)(12a )(
12b )(12c L−非晶質シリコン膜、(13)
(13a )(13b )(13c L裏面電極膜、(
14) −隣接間部部。 1 第2図 1 U 第4図
第8図は本発明実施例方法を一工程別に、j。 す断面図、である。 “ (10)・・基板、(11)(11a )(11b )
(11c )−−透明導電膜、(12)(12a )(
12b )(12c L−非晶質シリコン膜、(13)
(13a )(13b )(13c L裏面電極膜、(
14) −隣接間部部。 1 第2図 1 U 第4図
Claims (1)
- <1)絶縁J而を有する基板の該表面に、上記基板側か
ら積層された第1電極膜、半導体膜及び第2電極膜を少
くとも含む複数の光電変換II域を離間配置セし7めた
光起電力装置の製造方法であって、上記絶縁表面に離間
配置された複数の第1電極膜に跨かる1枚の半導体膜及
び第2電極ノ脅を積層波谷した後、上記第2電極膜及び
半導体膜をエネルギビームの照射によりjUj統し−し
除去し第1電極膜0’) −−aliを電気的に露出せ
しめ各光電変換領域毎に分Wll ’−4ると共に、上
記電気的に露出した第1′電極膜に、1(ル接七る光電
変換領域の第2電極膜を上記エイ、ルキヒ〜)、の照射
による溶融により延在せしめ、該第2電極膜と第1電極
膜とを電気結合せしめたことを特徴と4−る光起電力装
置べの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58139202A JPH0785506B2 (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58139202A JPH0785506B2 (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6030184A true JPS6030184A (ja) | 1985-02-15 |
JPH0785506B2 JPH0785506B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=15239927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58139202A Expired - Lifetime JPH0785506B2 (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0785506B2 (ja) |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58139202A patent/JPH0785506B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0785506B2 (ja) | 1995-09-13 |
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