JPS6030015B2 - 光ビ−ム位置制御装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光ビーム位置制御装置、特に光学的に情報を読
み出す装置に用いて好適な光ビーム位置制御装置に関す
る。

レーザ光線等を記録媒体（以下ディスクと称す）に照射
しディスク表面上に記録された情報を読み取る場合、照
射光の焦点を常にディスク表面上に正しく結ばせるため
の焦点制御と、照射光を移動するディスク上の情報トラ
ックに追従させるためのトラツキング制御が要求される
。

従来から焦点制御あるいはトラッキング制御を自動的に
行う方法はいるいる提案されている。

その１つにウオプリング方法がある。ウオブリング方法
とは、ディスク表面に光ビームを一定周波数で微小振動
させながら照射し、ディスク表面からの反射光あるいは
透過光を光検知器で受光し、その出力の強弱から光ビー
ムの位置ずれを検知し、これが零となるように制御系を
動作ごせもって光ビームの位置を制御する方法である。
以下、ウオブリング方法を図面を参照して説明する。

第１図はウオプリング方法を用いた従来の自動焦点制御
装置の構成を示す説明図である。レーザー光源１３１か
ら送出されたレーザー光は第１レンズ１３２、半透明鏡
１３３を通り反射鏡１３４で反射され、対物レンズ１４
２で絞られ、移動物体であるビデオディスク１３６の表
面上に焦点を結ぶ。このレーザー光はビデオディスク１
３６の表面で反射されてもとの光路をもどり、半透明鏡
１３３で反射され、ピンホールをもつ絞り１３７を通り
、光検知器１３８で受光される。なお光検知器１３８の
受光面がきわめて小さいときは、絞り１３７は必ずしも
必要ではない。かくしてビデオディスク１３６に記録さ
れた光学情報が光検知器からの出力信号となり、情報源
端子１３９に加わる。次に、光検知器３８の焦点位置に
対する特性を第２図に示す。

同図において、横軸×は対物レンズとビデオディスク表
面との距離、縦軸Ｅは光検知器の出力である。前記第１
図において、対物レンズ１４２から投射されたレーザー
光がビデオディスク１３６の表面に焦点を結んだとき、
光検知器１３８の出力が最大となるように絞り１３７の
位置を定めてある。

この場合の対物レンズ１４２とビデオディスク１３６の
表面との距離を神とすると、第２図において、ｘ＝為の
場合、Ｅ‘ま最大値Ｅｏとなって焦点がビデオディスク
の表面に完全に一致したことを示し、横軸のｘ＞ｘｏの
部分は焦点がビデオディスク表面より対物レンズ側にあ
ることを示している。またｘを変化させた場合の光検知
器の出力は、ｘｏを中心にその前後でほとんど対称であ
る。投射レーザ光の焦点位置がビデオディスクより対物
レンズ側にあるとき、すなわちｘｏよりも大きいｘ＾点
で対物レンズを光軸方向に振動させると、光検知器の出
力は対物レンズの振動の位相に比べ、１８０ｏ位相の異
なる振動波形が現われる。

反対に、ｘＡがｘｏよりも小さい場合は、振動の位相と
一致する位相の振動波形が現われる。さらに光検知器か
らの出力は、ｘ＾がｘｏから遠くなるほど大きい。さら
に、これらの現象から、ｘ＾−ｘｏすなわち焦点のずれ
量と方向とを検知するため、光検知器の出力に対物レン
ズの振動波形に対応する数値を掛け合せることにより同
期整流するという手段を用いる。

これを第１図によって説明する。まず発振器１４０より
正弦波出力を送出し、それを電流増幅器１４８で増幅し
たのちボイスコイル１４１に加え、対物レンズ１４２を
光敵方向に微小振動させる。

この振動によって第２図に示したように、光検知器１３
８には強弱の出力が発生する。光検知器１３８の出力に
は対物レンズ１４２の振動周波数以外の成分、たとえば
ビデオディスク１３６上のビデオ信号などが重畳してい
るため、帯域炉波器１４４で対物レンズの振動周波数付
近の信号のみを通過させる。

対物レンズ１４２は発振器１４０からの正弦波信号によ
って駆動されるが、その動作は発振器からの正弦波に比
べ、いくぶん位相が遅れる。よって、光検知器１３８の
出力に掛け合わされる正弦波信号を位相調整器１４３を
通して位相を合せたのち、掛け算器１４５で光検知器１
３８の出力と掛け合わせる。光検知器１３８の出力は、
特性曲線の頂上付近では二次式で近似できる。

よって、焦点ずれ量（ｘ＾−ｘ。）に対し、戊ｉｎのｔ
なる振動を対物レンズに与えると、光検知器１３８から
の出力Ｅは、Ｅ＝Ｅ。

−ａ（ｘ＾十戊ｉｎｗｔ−ｘ。）２である。この出力Ｅ
に、振動の正弦波としてｃｓｉｎ■ｔを掛けると、その
積ｅはｅニ｛Ｅ。

‐ａ（ｘ＾＋広ｉｎｗｔ−ｘｏ）２ ｝ｃｓｉｎのｔ＝
｛Ｅ。

‐Ｃ−地（Ｘ＾−Ｘ。）２−葦ａげＣ｝Ｓｉｎのｔ十学
（Ｘ＾−Ｘ。

）ＣＯＳ２のｔ十竿ｉｎ３のｔ‐ａｂＣ（Ｘ＾‐ＸＯ） となる。

この場合、ボイスコイル１４１により．焦点ずれ量に対
応して対物レンズとビデオディスクとの距離を変化し焦
点合せを行なうのであるが、振動周波数のとしては、焦
点ずれ量（ｘ＾−ｘｏ）の変動周波数より十分高い周波
数を選べばよい。

この積を低域炉波器１４６を通すと、ｓｉｎのｔ，ｃｏ
ｓ２のｔ，ｓｉｎ３のｔの項は消滅してｅ２一ａｂ（ｘ
＾−ｘ。

）となり、低域炉波器の出力には−（ｘ＾−ｘ。

）、すなわち焦点ずれの方向と量が現われている。次い
で低域炉波器１４６の出力に基づいて制御回路１４７か
ら制御信号を送出し、電流増幅器１４８で増幅したのち
ボイスコイル１４１に加え、ｘ＾‐ｘｏが零、すなわち
焦点が常にビデオディスクの表面に一致するように制御
する。上述の説明の如くウオブリング方法の場合には光
源からの光ビームを一定周波数（以下ウオブリング周波
数と称す）で光軸方向に微小振動させながらディスク表
面に照射し、ディスク表面からの反射光あるいは透過光
を光検知器で受光し、光検知器の出力の強弱から焦点ず
れの大きさ、方向を検知し、これにより焦点制御を行な
っている。

この場合、．焦点ずれ信号としては光検知器の出力から
ゥオブリング周波数成分のみを検出している。しかし光
検波器の出力にはウオブリング周波数以外の成分、たと
えばディスク上の情報信号などが重畳しているため、光
検知器の出力からウオブリング周波数成分のみを効率よ
く検出することは焦点制御の安定性に大きな影響を与え
る。一般にウオブリング周波数（例えば数１０ＫＨＺ程
度）は情報信号帯城（例えば数１０皿ＨＺ〜１■ＭＨＺ
程度）より・１桁ぐらい低いので、従来は帯城炉波器で
ウオプリング周波数付近の信号のみを分離して取り出し
ている。しかし、帯域炉波器で取り出す場合は分離の効
率が悪いので、ずれ検出信号として充分なウオブリング
周波数成分を取り出すためには、ウオブリングの振幅を
大きくしなければならない欠点がある。しかるに、ウオ
ブリングの振幅を大きくすると、ずれが無い状態でも、
情報信号がゥオブリングで変調された状態になる。この
結果、実用上ゥオブリングによる変位量を無視すること
ができなくなり、安定に制御が行えないこととなる。上
述の説明では焦点制御の場合のみ述べたが、トラツキン
グ制御の場合も同様の欠点がある。

かかる点に鑑み、本発明は極くわずかな振幅でウオブリ
ングしてもウオブリング周波数成分を効率よく検出し、
安定に制御できる光ビーム位置制御装置を提供すること
を目的とする。以下、本発明の原理を半導体レーザの自
己結合効果による光出力の変化を検出する場合を用いて
説明する。

ここに、自己結合効果とは半導体レーザからの光出力が
ディスク表面に照射され、ディスク表面からの反射光が
半導体レーザに帰還されると、その反射光量の変化に伴
なつて半導体レーザからの光出力が変化することである
。したがって、光検知器を半導体レーザのディスク側の
端面と反対側の端面に設け、この光検知器で半導体レー
ザからの光出力を受光すれば、この光出力の変化に伴な
つて光検知器の出力も変化するので、ディスク表面から
の反射光の強弱を検知できる。まず、焦点制御の場合に
ついて説明すれば、第３図は自己結合効果を用いた場合
の光検知器の焦点位置に対する出力特性を示す図で、横
軸×は焦点のずれ量、縦軸Ｅは光検知器の出力である。
実線ｌａは情報ビットがない場合つまり無変調時の出力
特性である。すなわち、焦点がディスク表面に正しく結
像したときに自己結合効果が最も大きく、焦点がディス
ク表面からずれるにしたがって自己結合効果が減少する
ことを示している。また破線２ａは情報ビットがある場
合つまり変調時の出力特性である。この場合には情報ビ
ットによって光のもどり率が減少するので自己結合効果
は減少し、光検知器の出力も減少する。情報信号は美線
ｌａと破線２ａとの間の振幅で表わされ、焦点がディス
ク表面に完全に一致するとき情報信号が最も大きく取り
出せる。次に光ビームを光軸方向に周波数ｆ，、振幅Ａ
でゥオプリングした場合の光検知器の出力を第４図に示
す。

図において横軸ｔは時間、縦軸Ｅは光検知器の出力であ
る。上側（無変調側）のェンベロープｌｂと下側（変調
側）のェンベロープ２ｂは光検知器の出力３がウオブリ
ング周波数ｆ，により変調されていることを示す。この
場合重要なことは、上側（無変調側）のェンベロープｌ
ｂの方が下側（変調側）のェンベロープ２ｂより振幅が
大きい。すなわちウオブリングによる変調を受けやすい
ということである。したがって焦点ずれ信号を検出する
ためには、光検知器の出力のウオブリング周波数成分を
すべて取り出す必要はなく、むしろ光検知器の出力の上
側（無変調側）のヱンベロープｌｂのみを取り出す方が
良い。すなわち焦点制御の場合は焦点ずれ信号としては
光検知器の出力３の無変調側のヱンベロープｌｂを検波
すればよいということである。次にトラッキング制御の
場合について説明する。

第５図は情報トラックの変位に対する光検知器の出力特
性を示す図で、機軸ｙは情報トラックのずれ量、縦軸Ｅ
は光検知器の出力である。図において実線４ａは情報ビ
ットがない場合つまり無変調時の出力特性、破線５ａは
情報ビットがある場合つまり変調時の出力特性である。
情報ビットがある場合には、光ビームが情報ビットで変
調されるため光のもどり率が減少し、自己結合効果も減
少する。情報ビットによる変調は情報トラックの中心で
最も大きく、中心からずれるにしたがって小さくなるの
で、自己結合効果は情報トラックの中心で最も小さく、
中心からずれるにしたがって大きくなる。したがって、
光検知器の出力特性は上述の焦点制御の場合とは逆に、
無変調時には平坦で、変調時には下側に凸になる。なお
、実線４ａは第７図に示すように情報ビットＰ，の間隔
Ｄ，が光スポットＳｏおよびＳ，の直径ｄより大きい場
合である。すなわち情報ビット間隔Ｄ，が光スポット直
径ｄより大きい場合には光スポットが情報ビットと情報
ビットとの間にあれば、光スポットの位置に関係なく、
すなわち情報トラックの中心Ｔｒ上にあっても（図にお
いて光スポットＳｏの位置）、中心Ｔｒからずれた位置
（光スポットＳ，の位置）にあっても光スポットＳｏお
よびＳ，は情報ビットＰ，に全くかからないので、光ビ
ームは情報ビットによる変調を全く受けない。したがっ
て光検出器の出力特性は第５図に示す実線４ａの如く平
田になる。しかし第８図に示す如く情報ビットＰ２の間
隔Ｄ２が光スポットＳｏおよびＳ，の直径ｄより小さい
場合には、光スポットの位置によって光検出器の出力が
変化する。すなわち光スポットが情報トラックの中心Ｔ
ｒ上にあるときは（光スポットＳｏの位置にあるとき）
、光スポットが多少情報ビットＰ２にかかり、光スポッ
トが情報トラックの中心Ｔｒからはずれると（光スポッ
トＳ，の位置にあるとき）光スポットは情報ビットＰ２
に全くかからなくなる。したがって光ビームは情報ビッ
トによる変調を多少受け、光検知器の出力特性は第５図
に示す破線６ａの如く下に凸になる。しかしこの場合で
も光検知器の出力特性６ａのたるみは出力特性５ａに比
べて非常に少ない。次に光ビームを情報トラックを横切
る方向に周波数ら、振幅Ｂでゥオブリングした場合の光
検知器の出力を第６図に示す。

図において横軸ｔは時間、縦軸Ｅは光検知器の出力であ
る。光検知器の出力３は変調時にはウオブリング周波数
もで大きく変調され、光検知器の出力３の下側（変調側
）のェンベロープは破線５ｂで示す如く現われる。一方
、光検知器の出力３は無変調時には、第７図に示す如く
情報ビット間隔Ｄ，が光スポット直径ｄに比して大きい
ければゥオブリングによる変調を全く受けない。したが
って、光検知器の出力３の上側（無変調側）のヱン・（
ロープは実線４ｂで示す如く現われる。しかし第８図に
示す如く情報ビット間隔■２が光スポット直径ｄより小
さいければ、光検知器の出力３は無変調時にもウオブリ
ング周波数ら‘こより多少変調されるので、光検知器の
出力３の上側（無変調側）のェンベロープは破線６ｂで
示す如く現われる。しかし下側（変調側）のェンベロー
プ５ｂの方が上側（無変調側）のェンベロープよりはる
かに大きくウオブリングによる変調を受けやすい。した
がって卜うツキング制御の場合には、トラックずれ信号
としては光検知器の出力３の変調側のェンベロープ５ｂ
のみを検波すればよい。以上説明した如くウオプリング
方法で焦点制御あるいはトラッキング制御を行う場合、
それぞれの位置ずれ信号すなわち焦点ずれ信号あるいは
トラックずれ信号として最適な信号がある。

本発明はこの点に着目したものである。すなわち、所定
情報が記録されたディスクの表面上に光源からの光ビー
ムを照射して、その反射光あるいは透過光の強弱を検知
し、その検知した信号の片側のェンベロープを検波する
ことにより、光ビームの位置ずれ信号を検出し、この信
号に応じて光ビームの位置を制御することを特徴とする
光ビーム位置制御装置である。以下、本発明を実施例に
より説明する。

第９図は焦点制御とトラッキング制御との両方を同一の
ウオプリング周波数で行う場合の本発明の一実施例の構
成を示す図である。

半導体レーザ１２から送出されたレーザ光はしンズ１１
により絞り込まれ、回転しているディスク１０の表面上
に照射される。このレーザ光はディスク１０の表面で反
射されてもとの光路をもどり、上記半導体レーザー２に
帰還される。このとき、上記半導体レーザ１２の光世力
はディスク１０の表面からの反射光量の変化に伴なつて
変化する。この光出力は上記半導体レーザ１２のディス
ク側の端面と反対の端面におかれた光検知器１３で受光
される。かくしてディスク１０‘こ記録された光学情報
が光検知器１３からの出力信号となり、この出力信号は
増幅器１７で増幅され情報源端子１８から取り出される
。なお、本実施例においては、レンズ１１、半導体レー
ザ１２、光検知器１３を一体化してコンパクトなピック
アップ１４を構成し、これをアクチュェータ１５でディ
スクー川こ対して上下方向（図の矢印１５′で示す）に
微づ・振動させ、かつアクチュヱータ１６でディスクー
０‘こ対して水平方向（図の矢印１６′で示す）に微小
振動させる。

ここでアクチュェータ１５は、発振器２５からの正弦波
出力（周波数ｆ。）を位相可変器３２で位相７だけずら
したのち増幅器３３で増幅した信号によって駆動される
。一方アクチュェータ１６は、上記発振器２５からの正
弦波出力を増幅器２３で増幅した信号によって駆動され
る。したがって、光学ヘッド１４は同一周波数らで上下
方向及び水平方向にウオブリングされるが、これらゥオ
ブリングは位相が丁だけずれている。これらウオブリン
グによって第１０図に示すように、光検知器１３には強
弱の出力３が発生する。図において、横軸ｔは時間、縦
軸Ｅ‘ま光検知器の出力を示す。無変調時の出力は光学
ヘッドの上下方向のウオブリングによって変調され、上
側のェンベロープ７に現われる。一方、変調時の出力は
ピックアップの水平方向のゥオブリングによって変調さ
れ、下側のェンベロープ８もこ現われる。なお上側ェン
ベロ−フ。７は下側ェンベロープに比べ位相が７だけず
れている。

本実施例では、第１０図に示した光検知器の出力３から
焦点制御用誤差信号としては無変調側のェンベロープ７
を、トラッキング制御用誤差信号としては変調側のェン
べ。−フ。８を検出する。

これを第９図によって説明する。まずトラッキング制御
系から説明する。

光検知器１３の出力を増幅器１７で増幅したのち、片側
ェンベロープ検波器１９で上記光検知器の出力の変調側
のェンベロープ（第１０図の破線８で示す）を検波する
。上記片側ェンベロープ検波器１９の出力にはウオブリ
ング周波数以外の成分、たとえばディスク１０の表面か
らの反射むらなどが重畳しているため、帯城炉波器２０
でウオブリング周波数付近の成分のみを通過させる。上
記帯城炉波器２０の出力は同期検波器２１に供給され、
発振器２５からの正弦波信号によって同期検波される。
この時発振器２５の正弦波信号は位相調整器２４を通し
て光学ヘッドの水平方向のウオブリングと位相を一致さ
せる必要がある。これは、ピックアップ１４は発振器２
５からの正弦波信号によって駆動されるが、その動作は
発振器２５からの正弦波に比べ、いくぶん位相が遅れる
ためである。次いで同期検波器２１の出力を制御回路２
２でトラッキング制御信号とし、増幅器２３で増幅した
のちアクチュェータ１６に加え、この制御信号に応じて
ピックアップ１４を水平方向に移動させる。

次に焦点制御系を説明する。

焦点制御の場合には、トラッキング制御の場合とは逆に
光検知器１３の出力の無変調側のェンベロープ（第１０
図の実線７で示す）を検出するため、光検知器１３の出
力をィンバータ２６で反転させたのち、片側ェンベロー
プ検波器２７で検波する。他の構成はトラツキングｌ
「の と同一である。すなわち、片側ェンベロープ検波
器２７の出力は帯城炉波器２８に供給され、ウオブリン
グ周波数付近の成分のみが取り出される。帯城炉波器２
８の出力は、発振器２５からの正弦波信号を位相調整器
２９を通してピックアップ１４の上下方向のウオプリン
グと位相を一致させた信号によって、同期検波器３０で
同期検波される。次いで、同期検波器３０の出力を制御
回路３１で焦点制御信号とし、増幅器３３で増幅したの
ちァクチュェータ１５に加え、この制御信号に応じてピ
ックアップ１４を上下方向に移動させる。以上の説明の
如く本発明はウオブリング方法で焦点制御あるいはトラ
ッキング制御を行なう場合、それぞれの位置ずれ信号と
して最適な信号すなわち、焦点ずれ信号としては光検知
器の出力の無変調側のェンベロープ、トラックずれ信号
としては光検知器の出力の変調側のヱンベロープのみを
検出する。

よって本発明によれば帯城炉波器で光検知器の出力のゥ
オブリング周波数成分すべてを検出するのに比べて、ず
れ信号検出の効率を約２倍向上させることができる。ま
た、本発明は片側のェンベロープのみを検出するため、
他方のェンベロープの影響は全く受けない。よって、位
置ずれ信号検出のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
さらに、フオカシング制御とトラッキング制御の両方を
ウオブリングで行う場合には、それぞれ検出すべきェン
ベロープは異なるので、それぞれの位置ずれ信号がお互
に混入するのを防止することができる等の効果があり、
安定に光ビーム位置制御を行うことが可能である。尚、
第９図の実施例では、ディスク表面からの反射光の強弱
を検知する方法として、半導体レーザの自己結合効果に
よる光出力の変化を光検知器で検知する場合を説明した
が、光路中に半透明鏡等を設けることによって、ディス
ク表面からの反射光を光検知器に導き、光検知器で記録
媒体からの反射光の強弱を直接検知してもよいことは当
然である。

さらに、光検知器をディスクに対して光源と反対側に配
置しディスクからの透過光の強弱を検知してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の自動焦点合せ装置の構成を示す説明図、
第２図は第１図の装置の原理を説明するための特性図、
第３図〜第６図は本発明の原理を説明するための特性図
、第７図および第８図は光スポットと情報ビットの位置
関係を説明するための図、第９図は本発明の一実施例の
構成を示す図、第１０図は第９図の実施例の原理を説明
するための特性図である。 努ー図 弟Ｚ図 寿３図 秦４図 秦５図 弟占図 第７図 努８図 系？図 弟 ／ｏ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光ビームが照射されその光強度を減少させる形態で
   回転方向に沿つて記録された情報ピツトの列を有する回
   転する記録媒体上に光ビームを集束させて照射する照射
   手段と、上記記録媒体上に照射された上記光ビームを上
   記情報ピツトの列を横切る方向に周期的に振動させる第
   １の振動手段と、上記光ビームをその光軸方向に周期的
   に振動させる第２の振動手段と、上記情報ピツトの有無
   により変調された上記光ビームの強度変化を検知する光
   検知手段と、上記光検知手段からの出力中の、上記情報
   ピツトのある場合に生ずる信号レベルのエンベロープを
   検波する第１のエンベロープ検波手段と、上記光検知手
   段からの出力中の、上記情報ピツトのない場合に生ずる
   信号レベルのエンベロープを検波する第２のエンベロー
   プ検波手段と、上記第１のエンベロープ検波手段により
   検波されたエンベロープを、上記第１の振動手段による
   上記光ビームの振動と同じ周波数でかつ同じ位相の信号
   を用いて同期検波する第１の同期検波手段と、上記第２
   のエンベロープ検波手段により検波されたエンベロープ
   を、上記第２の振動手段による上記光ビームの振動と同
   じ周波数でかつ同じ位相の信号を用いて同期検波する第
   ２の同期検波手段と、上記第１の同期検波手段の出力が
   印加され、上記光ビームが上記情報ピツトの列を追従す
   るよう制御するトラツキング手段と、上記第２の同期検
   波手段の出力が印加され、上記光ビームが上記記録媒体
   上に焦点を結ぶよう制御するフオーカシング手段とを有
   することを特徴とする光ビーム位置制御装置。 ２ 上記第１及び第２の振動手段が所定周波数の信号を
   発生する同一の発振器を含み、一方の振動手段は、上記
   発振器の出力信号に応じて上記光ビームを振動させると
   共に、他方の振動手段は、上記発振器の出力信号の位相
   をずらせる位相可変手段からの出力信号に応じて上記光
   ビームを振動させることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の光ビーム位置制御装置。 ３ 上記第１のエンベロープ検波手段と上記第１の同期
   検波手段との間に、上記第１の振動手段による上記横切
   る方向の振動と同じ周波数付近の信号成分のみを通過さ
   せる第１の帯域ろ波器を有することを特徴とする特許請
   求の範囲第１項又は第２項記載の光ビーム位置制御装置
   。 ４ 上記第２のエンベロープ検波手段と上記第２の同期
   検波手段との間に、上記第２の振動手段による上記光軸
   方向の振動と同じ周波数付近の信号成分のみを通過させ
   る第２の帯域ろ波器を有することを特徴とする特許請求
   の範囲第１項、第２項又は第３項記載の光ビーム位置制
   御装置。 ５ 上記第１の同期検波手段が、上記発振器からの出力
   信号の位相を調整する位相調整器と、該位相調整器から
   の出力信号を用いて、上記第１のエンベロープ検波手段
   によつて検波されたエンベロープを同期検波する同期検
   波器とからなることを特徴とする特許請求の範囲第２項
   記載の光ビーム位置制御装置。 ６ 上記第２の同期検波手段が、上記発振器からの出力
   信号の位相を調整する位相調整器と、該位相調整器から
   の出力信号を用いて、上記第２のエンベロープ検波手段
   によつて検波されたエンベロープを同期検波する同期検
   波器とからなることを特徴とする特許請求の範囲第２項
   記載の光ビーム位置制御装置。 ７ 上記照射手段が、半導体レーザと、該半導体レーザ
   の一方の端面から出た光ビームを上記記録媒体上に集束
   させる光学系とからなり、上記光ビームを上記記録媒体
   で反射させて上記半導体レーザの上記端面に上記光学系
   を介して戻すと共に、上記光検知手段が上記半導体レー
   ザの他方の端面から出射される光ビームを受光する光検
   出器からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
   至第６項のいずれかに記載の光ビーム位置制御装置。 ８ 上記照射手段が、半導体レーザと、該半導体レーザ
   からの光ビームを上記記録媒体上に集束させる光学系と
   からなり、上記光検知手段が上記記録媒体からの反射光
   を受光する光検出器からなることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項乃至第６項のいずれかに記載の光ビーム位
   置制御装置。 ９ 上記第１の振動手段及び上記トラツキング手段が、
   上記半導体レーザ、上記光学系及び上記光検知器からな
   る光学ヘツドを上記情報ピツトの列を横切る方向に移動
   させる同じアクチユエータを含むことを特徴とする特許
   請求の範囲第８項又は第９項に記載の光ビーム位置制御
   装置。 １０ 上記第２の振動手段及び上記フオーカシング手段
   が、上記半導体レーザ、上記光学系及び上記光検出器か
   らなる光学ヘツドを上記光学系の光軸方向に移動させる
   同じアクチユエータを含むことを特徴とする特許請求の
   範囲第８項又は第９項に記載の光ビーム位置制御装置。