JPS602829U - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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Publication number
JPS602829U
JPS602829U JP9462283U JP9462283U JPS602829U JP S602829 U JPS602829 U JP S602829U JP 9462283 U JP9462283 U JP 9462283U JP 9462283 U JP9462283 U JP 9462283U JP S602829 U JPS602829 U JP S602829U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film forming
substrate
quartz
spacer made
Prior art date
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Pending
Application number
JP9462283U
Other languages
English (en)
Inventor
洋明 北原
平田 継明
及川 秀男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP9462283U priority Critical patent/JPS602829U/ja
Publication of JPS602829U publication Critical patent/JPS602829U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の一実施例のターゲット、ウェハー及
びウェハー保持治具の配置を示す断面図、第2図はウェ
ハー保持治具の構造の平面図、第3図はウェハ・−保持
構造の断面図、第4図はウェハー保持治具及び加熱ラン
プの配置を示す断面図である。 図中、1・・・・・・ウェハー保持台、2・・・・・・
石英スペーサー、3・・・・・・押えピン、4・・・・
・・ウェハー、6・・・・・・石英スペーサー取めネジ
、7・・・・・・石英スリーブ、8・・・・・・赤外線
ランプである。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)低圧下の真空容器内で保持治具に固定された基板
    に薄膜を作製するる装置において、基板を保持する治具
    の基板に直接液する部分に、石英等の不純物濃度の低い
    材質で作られた押えスペーサーを設けたことを特徴とす
    る薄膜形成装置。
  2. (2)前記石英等からなる押え及びスペーサーは容易に
    交換でき、単体で洗浄が可能な構成であることを特徴と
    する実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の薄膜形成
    装置。
  3. (3)前記石英等からなる押え及びスペーサーを基板保
    持治具を、真空容器内に取り付けた後真空内で効果的に
    加熱洗浄ができるようランプヒーターを配置したことを
    特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の薄
    膜形成装置。
JP9462283U 1983-06-20 1983-06-20 薄膜形成装置 Pending JPS602829U (ja)

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JPS602829U true JPS602829U (ja) 1985-01-10

Family

ID=30226404

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