JPS6028047A - ホトレジスト塗布装置 - Google Patents
ホトレジスト塗布装置Info
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- JPS6028047A JPS6028047A JP13585183A JP13585183A JPS6028047A JP S6028047 A JPS6028047 A JP S6028047A JP 13585183 A JP13585183 A JP 13585183A JP 13585183 A JP13585183 A JP 13585183A JP S6028047 A JPS6028047 A JP S6028047A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0064—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material
- G11B23/0085—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material intermediate mediums using a photosensitive material, e.g. photo-resist
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は，ビデオディスク作成のためのガラス原盤作成
工程におけるホトレジスト膜形成方法に係り，特に膜厚
分布が良好で，膜欠陥の少ないホトレジスト塗布装置に
関する。
工程におけるホトレジスト膜形成方法に係り，特に膜厚
分布が良好で，膜欠陥の少ないホトレジスト塗布装置に
関する。
ビデオディスクには現在各種の方式があり，方式によっ
てその作成方法も異なるが，ここでは光学読み取シ方式
（以下，光方式と略す）のビデオディスク作成技術につ
いて述べる。光方式のビデオディスク作成には，まずガ
ラス基板上にホトレジスト膜を形成し，これをビデオ信
号で変調されたレーザ光でら施状に露光し，現像するこ
とによってビデオ信号全記録したガラス原盤を作成する
。次に，このガラス原盤に電気めっき法で厚さ０．３ｕ
程度のＮｉ膜を形成し．これをガラス原盤からはく離し
てビデオディスクの成形型と々るスタンパーに加工する
。次にこのスタンバーを用−て射出成形法などにより，
多数のプラスチックレプリカを作成し，このレプリカの
信号面にＡｔ反射膜を形成し，２枚のレプリカを信号面
を内側にして貼り合せることによシビデオディスクが完
成する、 光方式ビデオディスクでは．ビデオ信号は一定の深さの
ピット（四部）列としてレプリカ表面に記録され，その
深さは信号再生に用いられるレーザ光の波長の１／４で
ある。例えば，Ｈａ−Ｎｔレーザ（波長６３２８Ａ”）
ｔ−再生元に用員る場合には，プラスチック板の屈折率
ヲｔ５とするとビット深さは１ｏｓｏ，；である。この
ピット深さは．先に述べたガラス原盤作成工程における
ホトレジスト膜の厚さに対応している。通常，良好なビ
デオディスクを作成するためには，ガラス原盤作成工程
におけるホトレジスト膜厚分布全±５％以内にしなけれ
ばならない．また．ホトレジスト膜の凹凸は全てレプリ
カに転写されるために．完成ディスクにおけるビット欠
落等の欠陥の原因となるホトレジスト膜の欠陥も極カ少
なくしなければならない． 従来のホトレジスト塗布方法は，第１図に示すごとくホ
トレジスト塗布装置を用いるのが一般的であった。即ち
，円筒形のチャンバー５内でモータ６により回転するタ
ーンテーブル２の上にビデオディスク用ガラス基板（直
径５６０藺，厚さ５〜１０ｍ）１を置き，ガラス基板１
を低速回転させながら，ディスベンサ−４によりホトレ
ジストヲ基板上に滴下し，次いで所望の膜厚が得られる
ように高速回転させる。この時，第１図に示すごとく，
ガラス基板１上に滴下されたホトレジストのほとんどが
基板外に飛散し．チャンバーｓｅｖｅｒｓ突して、霧状
のホトレジスト飛沫が発生する．この飛沫がガラス基板
１０表面に付着するとホトレジスト膜欠陥となる為．従
来装置では，第１図に示すごとく，飛沫のはね返り防止
板６をチャンバー壁の前面に設置し．更に，チャンバー
内を排気して飛沫を除去している．しかし．第２図に示
すごとく．チャンバー内の排気量を多くすると．ホトレ
ジスト膜の欠陥は大幅に低減できるが．ホトレジスト膜
の乾燥が早くなり膜厚分布が増大し、ビデオディスクを
作成した時にビット深さがぱらつき，良好表再生画像を
得ることができなー。一方，排気量を少なくして良好な
膜分布を得ようとすれば．ホトレジスト膜の欠陥が増大
し，信号ビットの欠落を発生させ，ディスク再生時の画
質を著しく低下させる． 以上のごとく，従来装置は，膜厚分布が良好で、かつ、
低欠陥のホトレジスト膜全形成することが出来ないとい
う欠点があった６ 〔発明の目的〕 本発明の目的は．上述のごとき従来装置の欠点を改良し
．膜厚分布が良好で，かつ，低欠陥のホトレジスト膜を
形成できるホトレジスト塗布装置を提供することにある
。
てその作成方法も異なるが，ここでは光学読み取シ方式
（以下，光方式と略す）のビデオディスク作成技術につ
いて述べる。光方式のビデオディスク作成には，まずガ
ラス基板上にホトレジスト膜を形成し，これをビデオ信
号で変調されたレーザ光でら施状に露光し，現像するこ
とによってビデオ信号全記録したガラス原盤を作成する
。次に，このガラス原盤に電気めっき法で厚さ０．３ｕ
程度のＮｉ膜を形成し．これをガラス原盤からはく離し
てビデオディスクの成形型と々るスタンパーに加工する
。次にこのスタンバーを用−て射出成形法などにより，
多数のプラスチックレプリカを作成し，このレプリカの
信号面にＡｔ反射膜を形成し，２枚のレプリカを信号面
を内側にして貼り合せることによシビデオディスクが完
成する、 光方式ビデオディスクでは．ビデオ信号は一定の深さの
ピット（四部）列としてレプリカ表面に記録され，その
深さは信号再生に用いられるレーザ光の波長の１／４で
ある。例えば，Ｈａ−Ｎｔレーザ（波長６３２８Ａ”）
ｔ−再生元に用員る場合には，プラスチック板の屈折率
ヲｔ５とするとビット深さは１ｏｓｏ，；である。この
ピット深さは．先に述べたガラス原盤作成工程における
ホトレジスト膜の厚さに対応している。通常，良好なビ
デオディスクを作成するためには，ガラス原盤作成工程
におけるホトレジスト膜厚分布全±５％以内にしなけれ
ばならない．また．ホトレジスト膜の凹凸は全てレプリ
カに転写されるために．完成ディスクにおけるビット欠
落等の欠陥の原因となるホトレジスト膜の欠陥も極カ少
なくしなければならない． 従来のホトレジスト塗布方法は，第１図に示すごとくホ
トレジスト塗布装置を用いるのが一般的であった。即ち
，円筒形のチャンバー５内でモータ６により回転するタ
ーンテーブル２の上にビデオディスク用ガラス基板（直
径５６０藺，厚さ５〜１０ｍ）１を置き，ガラス基板１
を低速回転させながら，ディスベンサ−４によりホトレ
ジストヲ基板上に滴下し，次いで所望の膜厚が得られる
ように高速回転させる。この時，第１図に示すごとく，
ガラス基板１上に滴下されたホトレジストのほとんどが
基板外に飛散し．チャンバーｓｅｖｅｒｓ突して、霧状
のホトレジスト飛沫が発生する．この飛沫がガラス基板
１０表面に付着するとホトレジスト膜欠陥となる為．従
来装置では，第１図に示すごとく，飛沫のはね返り防止
板６をチャンバー壁の前面に設置し．更に，チャンバー
内を排気して飛沫を除去している．しかし．第２図に示
すごとく．チャンバー内の排気量を多くすると．ホトレ
ジスト膜の欠陥は大幅に低減できるが．ホトレジスト膜
の乾燥が早くなり膜厚分布が増大し、ビデオディスクを
作成した時にビット深さがぱらつき，良好表再生画像を
得ることができなー。一方，排気量を少なくして良好な
膜分布を得ようとすれば．ホトレジスト膜の欠陥が増大
し，信号ビットの欠落を発生させ，ディスク再生時の画
質を著しく低下させる． 以上のごとく，従来装置は，膜厚分布が良好で、かつ、
低欠陥のホトレジスト膜全形成することが出来ないとい
う欠点があった６ 〔発明の目的〕 本発明の目的は．上述のごとき従来装置の欠点を改良し
．膜厚分布が良好で，かつ，低欠陥のホトレジスト膜を
形成できるホトレジスト塗布装置を提供することにある
。
本発明は，ホトレジスト塗布チャンバー内ヲ．ガラス基
板表面を含む塗布空間と余分なホトレジストが飛散する
飛散空間に分割し，飛散空間内のホトレジスト飛沫が塗
布空間へ侵入しないようにしたことを特徴とする．この
様にチャンバー内を塗布空間と飛散空間とに分割するこ
とによわ，飛沫による欠陥を低減すれば塗布窒間を強力
に排気する必要がなくなる。従って．塗布空間内にある
ガラス基板表面のホトレジスト膜はゆっくりと乾燥され
る為．良好々膜厚分布が得られ．しかも低欠陥である． 〔発明の実施例〕 以下．本発明の一実施例を第３図により説明する．塗布
チャンバー５の内にモータ３により回転するターンテー
ブル２を設置し，その上にガラス基板１（直径３６０ｍ
，厚さ１０ｕ）を置く。
板表面を含む塗布空間と余分なホトレジストが飛散する
飛散空間に分割し，飛散空間内のホトレジスト飛沫が塗
布空間へ侵入しないようにしたことを特徴とする．この
様にチャンバー内を塗布空間と飛散空間とに分割するこ
とによわ，飛沫による欠陥を低減すれば塗布窒間を強力
に排気する必要がなくなる。従って．塗布空間内にある
ガラス基板表面のホトレジスト膜はゆっくりと乾燥され
る為．良好々膜厚分布が得られ．しかも低欠陥である． 〔発明の実施例〕 以下．本発明の一実施例を第３図により説明する．塗布
チャンバー５の内にモータ３により回転するターンテー
ブル２を設置し，その上にガラス基板１（直径３６０ｍ
，厚さ１０ｕ）を置く。
この基板表面とほほ同一の高さに仕切り板１０を設置し
て、チャンバー内金、上部カハー１１，仕切板１０．チ
ャンバー５の側壁，及びガラス基板１で形成する塗布空
間２０と，チャンバー底部，仕切り板１０，及びガラス
基板１で形成するホトレジストの飛散空間３０とに分割
する。仕切り板１０とガラス基板１の外周部との間隔は
３〜ｉＱ．とじ，飛散空間３０に排気口９を設置して．
わずかに排気することにより，ホトレジスト飛沫の塗布
空間２０への侵入を完全に防止した。また，本発明では
排気量を少なくできるので，第３図のごとく、チャンバ
ー上部にカバー１１全設置して，塗布作業中に外部よシ
侵入する異物の除去も行なった。本装置を用いて，ガラ
ス基板を２０ｏｒｐｍで回転させボジ型ホトレジス｝Ａ
Ｚ−１３５０’ｉ滴下し，次いで１０００ｒＰｍで乾燥
させて厚さ１０５０ノのホトレジスト膜を形成した結果
，直径１１０〜２９０ｕの範囲で膜厚分布±３％，２μ
ｍ以上の欠陥２００個以下のホトレジスト膜を得た。以
上のごとく．本実施例によれば，ビデオディスク用ガラ
ス原盤のホトレジスト膜の膜厚分布を小さくシ，欠陥を
極めて少なくすることが出来，ビデオディスクの品質を
向上させると共に，ガラス原盤の歩留り向上に多大の効
果がある。
て、チャンバー内金、上部カハー１１，仕切板１０．チ
ャンバー５の側壁，及びガラス基板１で形成する塗布空
間２０と，チャンバー底部，仕切り板１０，及びガラス
基板１で形成するホトレジストの飛散空間３０とに分割
する。仕切り板１０とガラス基板１の外周部との間隔は
３〜ｉＱ．とじ，飛散空間３０に排気口９を設置して．
わずかに排気することにより，ホトレジスト飛沫の塗布
空間２０への侵入を完全に防止した。また，本発明では
排気量を少なくできるので，第３図のごとく、チャンバ
ー上部にカバー１１全設置して，塗布作業中に外部よシ
侵入する異物の除去も行なった。本装置を用いて，ガラ
ス基板を２０ｏｒｐｍで回転させボジ型ホトレジス｝Ａ
Ｚ−１３５０’ｉ滴下し，次いで１０００ｒＰｍで乾燥
させて厚さ１０５０ノのホトレジスト膜を形成した結果
，直径１１０〜２９０ｕの範囲で膜厚分布±３％，２μ
ｍ以上の欠陥２００個以下のホトレジスト膜を得た。以
上のごとく．本実施例によれば，ビデオディスク用ガラ
ス原盤のホトレジスト膜の膜厚分布を小さくシ，欠陥を
極めて少なくすることが出来，ビデオディスクの品質を
向上させると共に，ガラス原盤の歩留り向上に多大の効
果がある。
上記のごとく，第１の実施例では仕切シ板１０によって
チャンバー内を塗布空間と飛散空間に分割したが，第２
の実施例では，第４図に示すごとく，ガラス基板１の外
周に沿った中空リング１２により飛散空間を設置した．
この中空リング１２がガラス基板１の外周と最も接近す
る部分を切り欠き，ここからガラス基板表面より飛散し
たオートレジストヲリング内に取り込む。中空リング１
２の中空部の直径は１００ｍｍ，開口幅は５〜１０Ｍ，
ガラス基板１との距離は３〜１０ｍであシ．排気口９よ
りわずかに排気をして，ホトレジスト飛沫が塗布空間２
０に出て行くことを防いだ。この場合も，チャンバーに
上部カバー１１をすることによって異物の侵入を防止し
た。第２の実施例を用いてホトレジスト膜を形成した場
合も．第１の実施例と同様の結果が得られた。
チャンバー内を塗布空間と飛散空間に分割したが，第２
の実施例では，第４図に示すごとく，ガラス基板１の外
周に沿った中空リング１２により飛散空間を設置した．
この中空リング１２がガラス基板１の外周と最も接近す
る部分を切り欠き，ここからガラス基板表面より飛散し
たオートレジストヲリング内に取り込む。中空リング１
２の中空部の直径は１００ｍｍ，開口幅は５〜１０Ｍ，
ガラス基板１との距離は３〜１０ｍであシ．排気口９よ
りわずかに排気をして，ホトレジスト飛沫が塗布空間２
０に出て行くことを防いだ。この場合も，チャンバーに
上部カバー１１をすることによって異物の侵入を防止し
た。第２の実施例を用いてホトレジスト膜を形成した場
合も．第１の実施例と同様の結果が得られた。
以上の実施例では，光方式ビデオディスク用ガラス原盤
のホトレジスト塗布装置として説明したが，光方式以外
のビデオディスク（例えば，ＶＨＤ方式等）やオーディ
オ用コンパクトティスク等においても本発明は多大の効
果を有することは明らかであろう． 更に．最近の半導体プロセスにおける基板の大型化にお
いても，低膜厚分布，低欠陥は重要な課題であり，この
分野においても本発明が適用でき，多大の効果を発揮す
ることは明白であろう． また，本発明の原理をガラス原盤のスピン現像装置に適
用することにより，スピン現像における欠陥発生を大幅
に低減することができる．即ち，スピン現像装置は，ビ
デオディスクまたは半導体プロセス等において，所望の
露光を終えたガラス原盤または半導体基板を現像するた
めの装置であり，装置の構成は．本発明で述べたレジス
ト塗布装置と全く同じであシ、異なる点け，レジストの
かわシに現像液および洗浄水を用いることだけである。
のホトレジスト塗布装置として説明したが，光方式以外
のビデオディスク（例えば，ＶＨＤ方式等）やオーディ
オ用コンパクトティスク等においても本発明は多大の効
果を有することは明らかであろう． 更に．最近の半導体プロセスにおける基板の大型化にお
いても，低膜厚分布，低欠陥は重要な課題であり，この
分野においても本発明が適用でき，多大の効果を発揮す
ることは明白であろう． また，本発明の原理をガラス原盤のスピン現像装置に適
用することにより，スピン現像における欠陥発生を大幅
に低減することができる．即ち，スピン現像装置は，ビ
デオディスクまたは半導体プロセス等において，所望の
露光を終えたガラス原盤または半導体基板を現像するた
めの装置であり，装置の構成は．本発明で述べたレジス
ト塗布装置と全く同じであシ、異なる点け，レジストの
かわシに現像液および洗浄水を用いることだけである。
従って，スピン現像装置においても．レジスト塗布装置
と同様，スピン現像中に基板上から回転により除去され
た現像液が現像チャンバーの側壁に衝突して飛散し，そ
の一部が基板表面に付着して重大な欠陥となっていた。
と同様，スピン現像中に基板上から回転により除去され
た現像液が現像チャンバーの側壁に衝突して飛散し，そ
の一部が基板表面に付着して重大な欠陥となっていた。
しかし，本発明をこのスピン現像装置に適用することに
より．レジスト塗布装置同様，スピン現像中の欠陥発生
をほほ零にすることが出来た。
より．レジスト塗布装置同様，スピン現像中の欠陥発生
をほほ零にすることが出来た。
以上のごとく，本発明は．レジスト塗布装置のみならず
，スピン現像装置にも適用でき、ビデオディスク等の欠
陥低減に多大の効果を有することは明らかであろう． 〔発明の効果〕 以上に述べたごとく，本発明によれば，ビデオディスク
用ガラス原盤のホトレジスト膜の膜厚分布を低減し，か
つ，欠陥を低減できるので，ビデオディスクの再生画質
を向上させるのに多大の効果があり，また，ガラス原盤
の歩留りも向上できるので，ビデオディスクのコスト低
減にも絶大々る効果を有する。
，スピン現像装置にも適用でき、ビデオディスク等の欠
陥低減に多大の効果を有することは明らかであろう． 〔発明の効果〕 以上に述べたごとく，本発明によれば，ビデオディスク
用ガラス原盤のホトレジスト膜の膜厚分布を低減し，か
つ，欠陥を低減できるので，ビデオディスクの再生画質
を向上させるのに多大の効果があり，また，ガラス原盤
の歩留りも向上できるので，ビデオディスクのコスト低
減にも絶大々る効果を有する。
第１図は従来のホトレジスト塗布装置の断面図．第２図
は排気量とホトレジスト膜の欠陥数及び膜厚分布の関係
を示すグラフ，第３図は本発明の第１の実施例を示す断
面図，第４図は本発明の第２の実施例を示す断面図であ
る。 １・・・ガラス基板２・・・ターンテーブル４・・・デ
ィスベンサ−５・・・チャンバー６・・・はね返シ防止
板１０・・・仕切シ板１１・・・チャンバーカバー１２
・・・中空リング−２９８−
は排気量とホトレジスト膜の欠陥数及び膜厚分布の関係
を示すグラフ，第３図は本発明の第１の実施例を示す断
面図，第４図は本発明の第２の実施例を示す断面図であ
る。 １・・・ガラス基板２・・・ターンテーブル４・・・デ
ィスベンサ−５・・・チャンバー６・・・はね返シ防止
板１０・・・仕切シ板１１・・・チャンバーカバー１２
・・・中空リング−２９８−
Claims (1)
- １）基板上にホトレジストを滴下し，該基板を回転させ
ることにより所望の膜厚全有するホ、トレジスト膜を前
記基板上に形成するようにしたホトレジスト塗布装置に
お込て，前記基板の位置する塗布チャンバー内を，基板
表面を含む塗布空間と，回転により基板表面から除去さ
れて飛散するレジストを受け入れる飛散空間に社切り，
飛散空間内のホトレジスト飛沫が塗布空間へ侵入しない
ように該飛散空間内に負圧會加えたことを特徴とするホ
トレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13585183A JPS6028047A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | ホトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13585183A JPS6028047A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | ホトレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028047A true JPS6028047A (ja) | 1985-02-13 |
Family
ID=15161248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13585183A Pending JPS6028047A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | ホトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028047A (ja) |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP13585183A patent/JPS6028047A/ja active Pending
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