JPS602789B2 - GaP単結晶ウェハ−の判別方法 - Google Patents
GaP単結晶ウェハ−の判別方法Info
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- JPS602789B2 JPS602789B2 JP54083337A JP8333779A JPS602789B2 JP S602789 B2 JPS602789 B2 JP S602789B2 JP 54083337 A JP54083337 A JP 54083337A JP 8333779 A JP8333779 A JP 8333779A JP S602789 B2 JPS602789 B2 JP S602789B2
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- single crystal
- bits
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- gap single
- wafer
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
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- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Weting (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はGaP単結晶ゥェハーの判別方法に関するもの
である。
である。
従来からGaP(燐化ガリウム又はガリウム燐)を材料
とした発光ダィオード‘こおいては、発光効率と単結晶
ゥヱハーをエッチング処理した時に出来るエッチビット
との間に相互関係があるとされ、特にジャーナル オブ
アプラィド フィジックス 第46巻6号(Joum
al ofAppliedPhysics;Vo146
M.6;Ju肥1975)の第2629頁から263
7頁にかけてプラ ントレィ等(W.A.Branti
eyet.al)は三角状をなすDビットの存在密度が
高い単結晶ウェハーを用いて発光ダイオードを作ると発
光効率が低くなると主張し、特に発光効率がばらつきや
すい緑色Gap発光ダィオード‘こおいてウェハの良否
判定に採用されてきた。
とした発光ダィオード‘こおいては、発光効率と単結晶
ゥヱハーをエッチング処理した時に出来るエッチビット
との間に相互関係があるとされ、特にジャーナル オブ
アプラィド フィジックス 第46巻6号(Joum
al ofAppliedPhysics;Vo146
M.6;Ju肥1975)の第2629頁から263
7頁にかけてプラ ントレィ等(W.A.Branti
eyet.al)は三角状をなすDビットの存在密度が
高い単結晶ウェハーを用いて発光ダイオードを作ると発
光効率が低くなると主張し、特に発光効率がばらつきや
すい緑色Gap発光ダィオード‘こおいてウェハの良否
判定に採用されてきた。
ところがウェハをエッチング処理するとDビットだけで
なく皿状のSビット等の教種のビットも生起するのでD
ビットのみを正確に判定しウェハの良否を判断するのは
困難な上、このようにして良質ゥェハと判断しても、ェ
ピタキシャル成長させるとDビットが増加しているウェ
ハがある。
なく皿状のSビット等の教種のビットも生起するのでD
ビットのみを正確に判定しウェハの良否を判断するのは
困難な上、このようにして良質ゥェハと判断しても、ェ
ピタキシャル成長させるとDビットが増加しているウェ
ハがある。
このようなウェハでは当然の如く発光効率が低いため、
ェピタキシャル成長前にDビットが増加するウェハを見
つけだす事が歩留まり向上の鍵となる。本発明は上述の
点に鑑みなされたもので、以下本発明は詳細に説明する
。
ェピタキシャル成長前にDビットが増加するウェハを見
つけだす事が歩留まり向上の鍵となる。本発明は上述の
点に鑑みなされたもので、以下本発明は詳細に説明する
。
実験としてまず400り肌にスライスされたGaP単結
晶ウェハの(111)面を鏡面エッチングする。
晶ウェハの(111)面を鏡面エッチングする。
これは表面の凹凸を取り除くのが主な目的で、王水又は
王水系のエッチング液(汎cl‐IHN03,Hcl一
日N03一日夕)とかBr2−H3P04−CH30日
等が適している。この状態ではD−ビットは観測出来な
いので、GaP系のビット観測に適したRCエッチング
液(4mIH20−8hgAgN03−3hIHNQ−
2hIHF又は相当液)を用いてエッチングを行なう。
これらの処理は前述したプラントレイ等の文献にも記載
されているものであり、この時観測される○ビットの密
度の多いものは取り除く。写真1−,および写真2−,
はDビット(写真において黒い三角形状のもの)の比較
的密度の少ないウェハーの拡大写真である。この時Dビ
ット以外にもSビット(写真において白い丸状のもの)
等が縦麓な素地の中に点在している。本発明においては
このDビットを除く素地の状態(即ち縞麓な素地と各種
ビットの現われた部分の素地の面積比)に着目するもの
である。次にこれらのGaP単結晶ウェハをェピタキシ
ヤル成長炉に入れ、ェピタキシャル成長藤液を接触させ
る事なく温度条件のみェピタキシャル成長をさせる時と
同一にし、その後再び鏡面エッチングしてRCエッチン
グすると、前記写真1−,、写真2−,に示したウェハ
はそれぞれ写真1一2、写真2−2 のように観測され
た。
王水系のエッチング液(汎cl‐IHN03,Hcl一
日N03一日夕)とかBr2−H3P04−CH30日
等が適している。この状態ではD−ビットは観測出来な
いので、GaP系のビット観測に適したRCエッチング
液(4mIH20−8hgAgN03−3hIHNQ−
2hIHF又は相当液)を用いてエッチングを行なう。
これらの処理は前述したプラントレイ等の文献にも記載
されているものであり、この時観測される○ビットの密
度の多いものは取り除く。写真1−,および写真2−,
はDビット(写真において黒い三角形状のもの)の比較
的密度の少ないウェハーの拡大写真である。この時Dビ
ット以外にもSビット(写真において白い丸状のもの)
等が縦麓な素地の中に点在している。本発明においては
このDビットを除く素地の状態(即ち縞麓な素地と各種
ビットの現われた部分の素地の面積比)に着目するもの
である。次にこれらのGaP単結晶ウェハをェピタキシ
ヤル成長炉に入れ、ェピタキシャル成長藤液を接触させ
る事なく温度条件のみェピタキシャル成長をさせる時と
同一にし、その後再び鏡面エッチングしてRCエッチン
グすると、前記写真1−,、写真2−,に示したウェハ
はそれぞれ写真1一2、写真2−2 のように観測され
た。
これらの写真において、黒ずんだ三角形状のDビットの
数はいずれも熱処理前とあまり変化がない。しかし素子
の状態は大きく変わり、各種ビットが観測され、まるで
荒野の如くになっている。ただ、この状態は写真1−2
に於てはまだ縦麓な素地の部分が残っているのに対し、
写真2−2 に於ては総魔な素地の部分が残っていない
。次にこれらのウェハを用いてェピタキシャル成長させ
、再び鏡面エッチングとRCエッチングを施こすと、そ
れぞれ写真1一3、写真2−3のようになった。
数はいずれも熱処理前とあまり変化がない。しかし素子
の状態は大きく変わり、各種ビットが観測され、まるで
荒野の如くになっている。ただ、この状態は写真1−2
に於てはまだ縦麓な素地の部分が残っているのに対し、
写真2−2 に於ては総魔な素地の部分が残っていない
。次にこれらのウェハを用いてェピタキシャル成長させ
、再び鏡面エッチングとRCエッチングを施こすと、そ
れぞれ写真1一3、写真2−3のようになった。
縞麗な素地の部分が残っていた写真1−2のウェハにお
いてはェピタキシャル成長後も○ビットは増えていない
が、縞麓な素地の残っていなかった写真2一2のウェハ
ではDビットの増加が顕著であった。さらにこれらのウ
ェハに電極をつけて発光(緑)させた所、多くの文献に
みられる如くDビットの少ないものは高い発光効率を示
し、Dビットの多いものは発光効率が低かった。
いてはェピタキシャル成長後も○ビットは増えていない
が、縞麓な素地の残っていなかった写真2一2のウェハ
ではDビットの増加が顕著であった。さらにこれらのウ
ェハに電極をつけて発光(緑)させた所、多くの文献に
みられる如くDビットの少ないものは高い発光効率を示
し、Dビットの多いものは発光効率が低かった。
以上の実験をもとに種々の実験をくり返したところ、G
ap単結晶ウェハーを800qo以上の温度で数分間加
熱処理したあと、RCエッチング等の選択性エッチング
してその表面を観察すると、上述した素地の様子は表に
まとめたように発光効率と関係があることが明確となっ
た。
ap単結晶ウェハーを800qo以上の温度で数分間加
熱処理したあと、RCエッチング等の選択性エッチング
してその表面を観察すると、上述した素地の様子は表に
まとめたように発光効率と関係があることが明確となっ
た。
表 Gap単結晶ウエハの素地の状態と発光効率(Dビ
ットの密度の単位は他/の)※印(従来)や■EO(本
発明)で判別する。
ットの密度の単位は他/の)※印(従来)や■EO(本
発明)で判別する。
但し表の中、「素地」の項は前記縞麓な素地の部分が拡
大鏡(約10“音)で観察した視野(即ちゥェハ中の任
意視野)の約10%以上あるものを○としそれ以下を×
としたが、×にあたるものは縞麓な素子の部分が全くな
いものが多かった。以上のように本発明は、Gap単結
晶ゥヱハに対し、800qo以上の温度を加えた後に選
択性エッチングし、その表面に現われる素地の状態真を
観測することによって、ェピタキシャル成長の工程前に
Gap単結晶ゥェハの発光素子原材料としての良否を判
別する事を特徴とするものであるから歩留まりが非常に
向上する。
大鏡(約10“音)で観察した視野(即ちゥェハ中の任
意視野)の約10%以上あるものを○としそれ以下を×
としたが、×にあたるものは縞麓な素子の部分が全くな
いものが多かった。以上のように本発明は、Gap単結
晶ゥヱハに対し、800qo以上の温度を加えた後に選
択性エッチングし、その表面に現われる素地の状態真を
観測することによって、ェピタキシャル成長の工程前に
Gap単結晶ゥェハの発光素子原材料としての良否を判
別する事を特徴とするものであるから歩留まりが非常に
向上する。
第1図は発光効率の高いGapウェハ表面の顕微鏡写真
で、写真1−,,2一,‘まスライス後のゥェハ表面の
写真、写真1−2,2−2は熱処理後のウェハ表面の写
真、写真1一3,2−3 はェピタキシャル成長後のゥ
ェハ表面の写真である。 第1図写貴1‐l 写真1−2 写真1‐3 写真2−l 写真2−2 写真2−3
で、写真1−,,2一,‘まスライス後のゥェハ表面の
写真、写真1−2,2−2は熱処理後のウェハ表面の写
真、写真1一3,2−3 はェピタキシャル成長後のゥ
ェハ表面の写真である。 第1図写貴1‐l 写真1−2 写真1‐3 写真2−l 写真2−2 写真2−3
Claims (1)
- 1 GaP単結晶ウエハに対し、800℃以上の温度を
加えた後に選択性エツチングし、その表面に現われる素
地の状態を観測することによって、GaP単結晶ウエハ
の発光素子原材料としての良否を判別する事を特徴とす
るGaP単結晶ウエハーの判別方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54083337A JPS602789B2 (ja) | 1979-06-29 | 1979-06-29 | GaP単結晶ウェハ−の判別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54083337A JPS602789B2 (ja) | 1979-06-29 | 1979-06-29 | GaP単結晶ウェハ−の判別方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS567486A JPS567486A (en) | 1981-01-26 |
JPS602789B2 true JPS602789B2 (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=13799614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54083337A Expired JPS602789B2 (ja) | 1979-06-29 | 1979-06-29 | GaP単結晶ウェハ−の判別方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS602789B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57171016A (en) * | 1981-04-11 | 1982-10-21 | Fuji Heavy Ind Ltd | Controlling device for supplying secondary air in internal combustion engine |
JPS60148137A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | Nec Corp | 単結晶半導体表面の結晶性評価法 |
JPS62174524A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-07-31 | Honda Motor Co Ltd | 車両の排気系への2次空気供給装置 |
JPS62174523A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-07-31 | Honda Motor Co Ltd | 車両の排気系への2次空気供給装置 |
-
1979
- 1979-06-29 JP JP54083337A patent/JPS602789B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS567486A (en) | 1981-01-26 |
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