JPS6027152A - 複合線よりなるジユメツト線及びその製造方法 - Google Patents
複合線よりなるジユメツト線及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6027152A JPS6027152A JP58134264A JP13426483A JPS6027152A JP S6027152 A JPS6027152 A JP S6027152A JP 58134264 A JP58134264 A JP 58134264A JP 13426483 A JP13426483 A JP 13426483A JP S6027152 A JPS6027152 A JP S6027152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- layer
- glass
- nickel
- dumet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野］一
本発明は複合線よシなるジュメット線、例えばＤＨＤ型
ガラス封止ダイオード用の複合線よ）なるジュメット線
及びその製造法に関し、特に大電流容量整流子ダイオー
ドとして使用される１、 ５ ｍφ以上の太径の複合線
よシなるジュメット線及びその製造方法に関する。
ガラス封止ダイオード用の複合線よ）なるジュメット線
及びその製造法に関し、特に大電流容量整流子ダイオー
ドとして使用される１、 ５ ｍφ以上の太径の複合線
よシなるジュメット線及びその製造方法に関する。
一般にＩ）ＨＤ型ガラス封止整流子ダイオードは第１図
のようにタングステン、モリブデン（又はジュメット線
）スタッド部１と銅線又はＯＦ線からなるリード線２の
各一端部を溶接してなるスラグリードＡ間にシリコン（
Ｓｌ）などの半導体ベレット３ｆｉｃ固着したのち、半
導体ベレット３の保護のために上記ジュメット線などか
らなるスタッド部１を封止ガラス４で密封して形成され
る。
のようにタングステン、モリブデン（又はジュメット線
）スタッド部１と銅線又はＯＦ線からなるリード線２の
各一端部を溶接してなるスラグリードＡ間にシリコン（
Ｓｌ）などの半導体ベレット３ｆｉｃ固着したのち、半
導体ベレット３の保護のために上記ジュメット線などか
らなるスタッド部１を封止ガラス４で密封して形成され
る。
最近ではこの大電流容量スタッドとして安価、１
なジュメット線、しかも１．５瓢φ〜２．０ｍ＋φと太
径なものが、タングステン（モリブデン）に代わって使
用されるようになってきた。
径なものが、タングステン（モリブデン）に代わって使
用されるようになってきた。
この整流子用ダイオード製造にあたっては、上記スラグ
リードＡと封止ガラス４、ベレット３をカーボン冶其内
に組立て、との冶具を通電加熱することでガラス密封が
完成されるが、この工程でまずスタッド部１を加熱して
、ガラス封止を行なわせた后、冷却される過程において
リード線２の銅またはｃｐ線を伝播してスタッド部１の
熱が逃げ、ガラス４とスタッド部１とに温度差を生じる
結果、ガラスとスタッドとの膨張保１２のアンバランス
でヒートショックヲ起こしガラスクラックを生じたル、
クランクにいたらなくても残留歪がガラス中に残少、次
工程のハンダメッキ時の再加熱でクラックに結びついた
シ、また外部との衝撃で破壊するなどの問題があった。
リードＡと封止ガラス４、ベレット３をカーボン冶其内
に組立て、との冶具を通電加熱することでガラス密封が
完成されるが、この工程でまずスタッド部１を加熱して
、ガラス封止を行なわせた后、冷却される過程において
リード線２の銅またはｃｐ線を伝播してスタッド部１の
熱が逃げ、ガラス４とスタッド部１とに温度差を生じる
結果、ガラスとスタッドとの膨張保１２のアンバランス
でヒートショックヲ起こしガラスクラックを生じたル、
クランクにいたらなくても残留歪がガラス中に残少、次
工程のハンダメッキ時の再加熱でクラックに結びついた
シ、また外部との衝撃で破壊するなどの問題があった。
これに加え完成したダイオードはリード線２を設定寸法
に切断し、さらに９０度折シ曲げるフォーミング処理を
経たのちプリント基板に固定されるためジュメット線ス
タッド部１とリード線２の溶接部の折シ曲げ強度の強い
ことも要求され、今までのもののスラグリードではもう
１つでらった。
に切断し、さらに９０度折シ曲げるフォーミング処理を
経たのちプリント基板に固定されるためジュメット線ス
タッド部１とリード線２の溶接部の折シ曲げ強度の強い
ことも要求され、今までのもののスラグリードではもう
１つでらった。
〔本発明の目的〕
本発明は上記要求をみたすジュメット線及びその製造法
を提供することを目的とするもので強いガラス封止ダイ
オード用のジュメット線及びその製造法を提供する１Ｉ
ｉｃする。
を提供することを目的とするもので強いガラス封止ダイ
オード用のジュメット線及びその製造法を提供する１Ｉ
ｉｃする。
そして、本発明は上記目的を達成するために、鉄ニツケ
ル合金からなる芯線上にニッケルメッキ層を設け、さら
に該メッキ層上に銅または銅合金の被覆層を設けたジュ
メット線及びその製ツキ層上に銅または銅合金の被覆層
を設けたことを特徴とする複合線よシなるジュメット線 （２） 鉄ニツケル合金からなる。芯線の上、に重量比
で６％以下のニッケル層をメッキし、次いで銅または銅
合金を被覆した後、伸線ダイスで減面率７０％以上に伸
線加工し、次いで水素を含む還元雰囲気中で６００〜９
００℃の温度で３０分間以上焼鈍することを特徴とする
複合線よシなるジュメット線の製造方法である。
ル合金からなる芯線上にニッケルメッキ層を設け、さら
に該メッキ層上に銅または銅合金の被覆層を設けたジュ
メット線及びその製ツキ層上に銅または銅合金の被覆層
を設けたことを特徴とする複合線よシなるジュメット線 （２） 鉄ニツケル合金からなる。芯線の上、に重量比
で６％以下のニッケル層をメッキし、次いで銅または銅
合金を被覆した後、伸線ダイスで減面率７０％以上に伸
線加工し、次いで水素を含む還元雰囲気中で６００〜９
００℃の温度で３０分間以上焼鈍することを特徴とする
複合線よシなるジュメット線の製造方法である。
本発明は、鉄ニツケル合金からなる芯線上に重量比で３
チ以下のニッケル層をメッキしたのち、銅または銅合金
を被覆したジュメット線を作シ、封止工程で加えられた
熱が銅または銅合金層から鉄ニツケル芯線を伝わってリ
ード線へ逃げる過程で芯線上のニッケルメッキ層および
ジュメット線形成過程の焼鈍工程で生じた銅とニッケル
の相互拡散層によシ遮断され、熱の伝導性を低下させて
ガラスとスタッド部の温度差が生ぜずに冷却が進み、上
記冷却過程で生じるガラスクラックを防止するとともに
、スラグリード形成時に切断端面の銅のタレ込み部に残
るニッケル層が溶接時にスタッド部およびリード線両方
に拡散してニッケル合金層を形成して溶接強度をさらに
向上させることができるものである。
チ以下のニッケル層をメッキしたのち、銅または銅合金
を被覆したジュメット線を作シ、封止工程で加えられた
熱が銅または銅合金層から鉄ニツケル芯線を伝わってリ
ード線へ逃げる過程で芯線上のニッケルメッキ層および
ジュメット線形成過程の焼鈍工程で生じた銅とニッケル
の相互拡散層によシ遮断され、熱の伝導性を低下させて
ガラスとスタッド部の温度差が生ぜずに冷却が進み、上
記冷却過程で生じるガラスクラックを防止するとともに
、スラグリード形成時に切断端面の銅のタレ込み部に残
るニッケル層が溶接時にスタッド部およびリード線両方
に拡散してニッケル合金層を形成して溶接強度をさらに
向上させることができるものである。
本発明では、上記したように、鉄ニツケル合金からなる
芯線上に３重量％以下のニッケルメッキ層を設けるもの
であるが、ここで３重量％以下と限定した理由は、３重
量％以上、特に５重量％以上にすると、ジュメット線の
膨張係数がガラスのそれよシも大きくなり、クラックの
要因となるからである。
芯線上に３重量％以下のニッケルメッキ層を設けるもの
であるが、ここで３重量％以下と限定した理由は、３重
量％以上、特に５重量％以上にすると、ジュメット線の
膨張係数がガラスのそれよシも大きくなり、クラックの
要因となるからである。
また、本発明のジュメット線の製造法において、減面率
を７０係以上に伸線加工し、次いで水素を含む還元雰囲
気中で６００〜９００℃の温度で３０分間以上焼鈍する
ものであるが、ここで減面率を７０チ以上としたのは７
０チ以下特に５０チ以下では被覆鋼と芯線の密着度が悪
く次工程の焼鈍で両者の膨張係数の差により剥離（界面
のすき間）が生じ１． ＯＸ １０−７０−７ａｔ／ｓ
ｅ ｃ 以上のリーク量と持つ信頼性の悪い複合材と
なるためである。また焼鈍に水素を含む還元雰囲気を用
いたのは銅と芯線の密着度を低下させる酸化物の還元お
よび酸素の侵入を防止するためでチシ、また、複合線表
面の清浄度マツプにもなるからである。また焼鈍時間を
３０分間以上としたのはこの時間以下では銅とニッケル
原子の相互拡散が不充分で密着度が落ちるためと、最終
的に本発明の中心点である熱伝導度を低下させる適度な
合金層が形成されないからである。また焼鈍温度を９０
０℃以上で１０００℃を超えると表面銅層の脆化が発生
するので上限は９００℃とした。また、焼鈍回数は１〜
３回が好ましく、％に２回までが最適である。
を７０係以上に伸線加工し、次いで水素を含む還元雰囲
気中で６００〜９００℃の温度で３０分間以上焼鈍する
ものであるが、ここで減面率を７０チ以上としたのは７
０チ以下特に５０チ以下では被覆鋼と芯線の密着度が悪
く次工程の焼鈍で両者の膨張係数の差により剥離（界面
のすき間）が生じ１． ＯＸ １０−７０−７ａｔ／ｓ
ｅ ｃ 以上のリーク量と持つ信頼性の悪い複合材と
なるためである。また焼鈍に水素を含む還元雰囲気を用
いたのは銅と芯線の密着度を低下させる酸化物の還元お
よび酸素の侵入を防止するためでチシ、また、複合線表
面の清浄度マツプにもなるからである。また焼鈍時間を
３０分間以上としたのはこの時間以下では銅とニッケル
原子の相互拡散が不充分で密着度が落ちるためと、最終
的に本発明の中心点である熱伝導度を低下させる適度な
合金層が形成されないからである。また焼鈍温度を９０
０℃以上で１０００℃を超えると表面銅層の脆化が発生
するので上限は９００℃とした。また、焼鈍回数は１〜
３回が好ましく、％に２回までが最適である。
以上、本発明の詳細な説明したが、第２図及び第３図に
基づいて本発明をよシ詳細に説明する。第２図は本発明
の実施例であるジュメット線の断面図であ勺、芯線５と
なる鉄ニツケル合金には一般的に４２〜４７重景パーセ
ントニッケルー鉄合金を使用するがまずこの芯線を５〜
７１Ｅｌｌφの連続長にしたものを用意し連続的にニッ
ケルの電気メッキを行う。ニッケルの電気メッキには一
般的にワット浴が使用されその代表的化学組成はＮｉＳ
Ｏ４・７Ｈ，Ｏ−２４０ｔ／ｌ。
基づいて本発明をよシ詳細に説明する。第２図は本発明
の実施例であるジュメット線の断面図であ勺、芯線５と
なる鉄ニツケル合金には一般的に４２〜４７重景パーセ
ントニッケルー鉄合金を使用するがまずこの芯線を５〜
７１Ｅｌｌφの連続長にしたものを用意し連続的にニッ
ケルの電気メッキを行う。ニッケルの電気メッキには一
般的にワット浴が使用されその代表的化学組成はＮｉＳ
Ｏ４・７Ｈ，Ｏ−２４０ｔ／ｌ。
Ｎ１ａｚ、６Ｈ２ｏ −４５ｙ／ｌ、 Ｈ２ＰＯ４−３
０ｙ／ｌでｐＨ４〜６液温４５〜７０′ｃに保持した上
で電流密度２〜１０Ａ／ａｍ” で管理することで芯線
上に重量比３チまでのニッケル６を連続的にかつ均一に
メッキすることが可能になる。
０ｙ／ｌでｐＨ４〜６液温４５〜７０′ｃに保持した上
で電流密度２〜１０Ａ／ａｍ” で管理することで芯線
上に重量比３チまでのニッケル６を連続的にかつ均一に
メッキすることが可能になる。
この芯線５上に無酸素鋼管を嵌合してダイス半角２５〜
３０度の特殊ダイスで伸線して、重量比１４〜１９パー
セントの銅層７を有する複合線を形成させる。
３０度の特殊ダイスで伸線して、重量比１４〜１９パー
セントの銅層７を有する複合線を形成させる。
こうして得られた連続複合線を次に減面率７０％以上伸
線ダイス（半角６〜６度）を用いて伸線加工をしたのち
、６００℃〜９００℃の水素を含む還元炉で３０分以上
保持することでリーク量１． ＯＸ １０−” ａｔｍ
ｃｃ／ｓｅｅ 以下の非常に気密度の高い複合線を得る
ことができる。
線ダイス（半角６〜６度）を用いて伸線加工をしたのち
、６００℃〜９００℃の水素を含む還元炉で３０分以上
保持することでリーク量１． ＯＸ １０−” ａｔｍ
ｃｃ／ｓｅｅ 以下の非常に気密度の高い複合線を得る
ことができる。
こう］２て目的サイズ１．５■φまで伸線することで気
密度の高い複合線を得ることが出来、こうして得られた
複合線上に亜酸化銅（Ｃ！ｕ、０）禎膜８を形成してジ
ュメット線（第２図）となる。これにα８ｍφのＣＰ線
と溶接してスラグリードとなるわけである。
密度の高い複合線を得ることが出来、こうして得られた
複合線上に亜酸化銅（Ｃ！ｕ、０）禎膜８を形成してジ
ュメット線（第２図）となる。これにα８ｍφのＣＰ線
と溶接してスラグリードとなるわけである。
こうして得られたジュメット線からなるスラグリードを
ガラス封止したのちガラスクラックの発生度を調べるた
めに２００℃のノ・ンダデイブ槽と水槽（常温２５℃）
との間を数度出し入れをくり返してクラックの有無を見
たところ第１表のように従来２．３係程度発生したもの
が０．０５係までになることが確認された。ここで１，
２゜３は上記ジュメット線を得るまでに行った焼鈍回数
１，２，３回での比較であるが焼鈍回数が５回以上だと
銅とニッケルの合金層厚が厚くなシかえって膨張係数の
大きなギャップが発生してガラスクラックが逆に発生し
やすくなる傾向があるので焼鈍回数も２回までが望まし
い。また焼鈍時間は１時間としたが、６時間以上の長時
間で若干クランクの発生しやすい傾向も得られたことと
、コスト的にも１〜３時間が望ましい。
ガラス封止したのちガラスクラックの発生度を調べるた
めに２００℃のノ・ンダデイブ槽と水槽（常温２５℃）
との間を数度出し入れをくり返してクラックの有無を見
たところ第１表のように従来２．３係程度発生したもの
が０．０５係までになることが確認された。ここで１，
２゜３は上記ジュメット線を得るまでに行った焼鈍回数
１，２，３回での比較であるが焼鈍回数が５回以上だと
銅とニッケルの合金層厚が厚くなシかえって膨張係数の
大きなギャップが発生してガラスクラックが逆に発生し
やすくなる傾向があるので焼鈍回数も２回までが望まし
い。また焼鈍時間は１時間としたが、６時間以上の長時
間で若干クランクの発生しやすい傾向も得られたことと
、コスト的にも１〜３時間が望ましい。
第 １ 表
次に本発明によるジュメット線を用いたスラグリードの
溶接強度を調べるために９０度折り−曲げ繰シ返しテス
トを行った結果を第６図ＡおよびＢの結果を得た（破断
までの回数）。
溶接強度を調べるために９０度折り−曲げ繰シ返しテス
トを行った結果を第６図ＡおよびＢの結果を得た（破断
までの回数）。
第３図Ａは本発明のジュメット線を用いたスラグリード
の結果であり、Ｂが従来のものである。
の結果であり、Ｂが従来のものである。
これらの図ニジ本発明のジュメット線を用いることで約
１０％の溶接強度が向上することが認められた。
１０％の溶接強度が向上することが認められた。
このように本発明によるジュメット線は大径化に伴って
発生頻度の高くなったガラスクラックの防止とともにス
ラグリードとしての溶接強度を高めたものであることが
実証された。
発生頻度の高くなったガラスクラックの防止とともにス
ラグリードとしての溶接強度を高めたものであることが
実証された。
本発明は、以上詳記したように、鉄ニツケル合金からな
る芯線上にニッケル層を、さらに該ニッケル層上に銅ま
たは銅合金層を形成させた複合線からなるジュメット線
であるから、封止工程で加えられた熱が、鉄ニツケル合
金からなる芯線上に形成されているニッケルメッキ層に
より遮断され、熱の伝導性が低下し、その結果、ガラス
とスタット部との過度差が生ぜずに冷却が進み、との冷
却過程で生ずるガラスクラックを防止できる効果が生ず
ると共に、スラグリード形成時に切断端面の銅のダレ込
み部に残るニッケル層が容接時にスタッド部およびリー
ド線両方に拡散してニッケル合金層を形成し、この結果
、溶接強度をさらに向上させることができる効果も生ず
るものである。
る芯線上にニッケル層を、さらに該ニッケル層上に銅ま
たは銅合金層を形成させた複合線からなるジュメット線
であるから、封止工程で加えられた熱が、鉄ニツケル合
金からなる芯線上に形成されているニッケルメッキ層に
より遮断され、熱の伝導性が低下し、その結果、ガラス
とスタット部との過度差が生ぜずに冷却が進み、との冷
却過程で生ずるガラスクラックを防止できる効果が生ず
ると共に、スラグリード形成時に切断端面の銅のダレ込
み部に残るニッケル層が容接時にスタッド部およびリー
ド線両方に拡散してニッケル合金層を形成し、この結果
、溶接強度をさらに向上させることができる効果も生ず
るものである。
第１図はＤＨＤ型ガラス封止整流子ダイオードを説明す
るための図であり、第２図は本発明の実施例であるジュ
メット線の断面図である。 第３図Ａは本発明によるジュメット線を用いたスラグリ
ードの溶接強度を調べるために９０度折夛曲げ繰勺返し
テストを行った結果であり、第３図Ｂは従来の同結果で
おる。 １・・・スタッド部 ２ ・ ・ ・ リード線 ３・・・半導体ベレット ４・・・封止ガラス ５・・・芯線 ６・・・ニッケル ７・・・銅層 代理人 内 １） 明 代理人 萩 原 亮 −
るための図であり、第２図は本発明の実施例であるジュ
メット線の断面図である。 第３図Ａは本発明によるジュメット線を用いたスラグリ
ードの溶接強度を調べるために９０度折夛曲げ繰勺返し
テストを行った結果であり、第３図Ｂは従来の同結果で
おる。 １・・・スタッド部 ２ ・ ・ ・ リード線 ３・・・半導体ベレット ４・・・封止ガラス ５・・・芯線 ６・・・ニッケル ７・・・銅層 代理人 内 １） 明 代理人 萩 原 亮 −
Claims (2)
- （１） ｉＦ：ニッケル合金からなる芯線の上に重量比
で３係以下のニッケルメッキ層を設け、該メッキ層上に
銅または銅合金の被覆層を設けたことを特徴とする複合
線よυなるジュメット線。 - （２）鉄ニツケル合金からなる芯線の上に重量比で３チ
以下のニッケル層をメッキし、次いで銅または銅合金を
被覆した後、伸線ダイスで減面率７０係以上に伸線加工
し、次いで水素を含む還元雰囲気中で６００〜９００℃
の温度で３０分間以上焼鈍することを特徴とする複合線
よ）なるジュメット線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134264A JPS6027152A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 複合線よりなるジユメツト線及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134264A JPS6027152A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 複合線よりなるジユメツト線及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027152A true JPS6027152A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15124229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134264A Pending JPS6027152A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 複合線よりなるジユメツト線及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027152A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121051A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-05-18 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 管球封着用リード線、それを用いた複合リード線およびそれらを用いた管球 |
| CN100445022C (zh) * | 2005-07-12 | 2008-12-24 | 成都佳路电子材料有限公司 | 三元结构覆合杜美丝线材生产工艺 |
| JP2017084634A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 気密端子 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58134264A patent/JPS6027152A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121051A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-05-18 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 管球封着用リード線、それを用いた複合リード線およびそれらを用いた管球 |
| CN100445022C (zh) * | 2005-07-12 | 2008-12-24 | 成都佳路电子材料有限公司 | 三元结构覆合杜美丝线材生产工艺 |
| JP2017084634A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 気密端子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3364064A (en) | Method of improving the solderability of a nickel surface | |
| JPS586143A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20110135855A (ko) | 열전 장치의 제조방법 | |
| US3999955A (en) | Strip for lead frames | |
| US3209450A (en) | Method of fabricating semiconductor contacts | |
| JPH0213814B2 (ja) | ||
| JPS6027152A (ja) | 複合線よりなるジユメツト線及びその製造方法 | |
| US4375008A (en) | Method for encapsulating components with cases and an encapsulation provided by the method | |
| KR20200090909A (ko) | 기밀 단자 | |
| KR101997428B1 (ko) | 이차 전지의 부극 집전체용 박 및 그 제조 방법 | |
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| US3665589A (en) | Lead attachment to high temperature devices | |
| US2873510A (en) | Method of manufacturing seals for electric discharge tubes | |
| US4765528A (en) | Plating process for an electronic part | |
| US2683835A (en) | Electron tube structure | |
| JPH0466695A (ja) | 耐熱銀被覆銅線とその製造方法 | |
| JPH05109947A (ja) | 熱伝導材料とその製造方法 | |
| US3702787A (en) | Method of forming ohmic contact for semiconducting devices | |
| JPS60118343A (ja) | 複合線の製造法 | |
| JPS6047682B2 (ja) | ジユメット線 | |
| JPS6041860B2 (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JPS6012738A (ja) | 半導体用銅−炭素繊維複合材 | |
| JPS60165749A (ja) | Ｌｓｉモジユ−ル用接続ピン | |
| JPS5827334B2 (ja) | ジユメツト線 | |
| JPH10501375A (ja) | スラグと連結導体の間に銀−銅結合層を含む、ガラス中に封止された型の半導体装置 |