JPS60165749A - Ｌｓｉモジユ−ル用接続ピン - Google Patents
Ｌｓｉモジユ−ル用接続ピンInfo
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- JPS60165749A JPS60165749A JP2116784A JP2116784A JPS60165749A JP S60165749 A JPS60165749 A JP S60165749A JP 2116784 A JP2116784 A JP 2116784A JP 2116784 A JP2116784 A JP 2116784A JP S60165749 A JPS60165749 A JP S60165749A
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- connecting pin
- low melting
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明はＬＳＩモジュール用接続ピンの構成とその表面
処理方法に関する。
処理方法に関する。
（ｂ）技術の背景
電算機の処理能力を向上する方法としてＬ Ｓ Ｉなど
の半導体装置はこれを構成する単位素子の小型化と大容
量化が進められているが同時に実装方法も改良されつつ
ある。
の半導体装置はこれを構成する単位素子の小型化と大容
量化が進められているが同時に実装方法も改良されつつ
ある。
すなわち今まで１．、 Ｓ Ｉなどの半導体装置番９［
多層配線が施されているセラミック基板へチップ毎に装
着してハーメチックシールを施すパッケージ構造がとら
れており、かかる半導体装置をｕ’Ｆ接にプリント配線
基板のスルーホール孔に装着する実装方法がとられてい
た。
多層配線が施されているセラミック基板へチップ毎に装
着してハーメチックシールを施すパッケージ構造がとら
れており、かかる半導体装置をｕ’Ｆ接にプリント配線
基板のスルーホール孔に装着する実装方法がとられてい
た。
然し近年、新しい実装形態として多数のＬＳＩを一括し
てセラミックなどのｉ４熱材料からなる多層配線基板に
搭載してＬＳＩモジュールを作り、これを取替え単位と
し接続装置を介してプリント配線基板に装着する実装方
法がとられようとしている。
てセラミックなどのｉ４熱材料からなる多層配線基板に
搭載してＬＳＩモジュールを作り、これを取替え単位と
し接続装置を介してプリント配線基板に装着する実装方
法がとられようとしている。
この場合接続装置はプリント配線基板に半田付すなどの
方法で固定されると共に、ｒ−ｓｒモジュールは接続ピ
ンを備えて接続装置に挿抜可能な形態をとる。
方法で固定されると共に、ｒ−ｓｒモジュールは接続ピ
ンを備えて接続装置に挿抜可能な形態をとる。
本発明はＬＳＩモジュールに使用される接続ビンに関す
るものである。
るものである。
＜ｃ＞従来技術と問題点
第１図はＬＳＩモジュール１と接続装置２とプリント配
線基板３との関係を示す断面図であって、接続装置２は
上面にＬＳＩモジュール１の接続ピンが挿抜されるガイ
ド孔５が設けられており、このガイド孔５の底には接続
ピン６が埋め込み成型されている。またガイド孔５の中
には低融点金属７が充填されている。
線基板３との関係を示す断面図であって、接続装置２は
上面にＬＳＩモジュール１の接続ピンが挿抜されるガイ
ド孔５が設けられており、このガイド孔５の底には接続
ピン６が埋め込み成型されている。またガイド孔５の中
には低融点金属７が充填されている。
そしてＬＳＩモジュールの接続ピン４の挿抜は接続装置
２の中に埋め込み形成されているヒータ８に通電してガ
イド孔５の中に充填されている低融点金属７を溶融した
状態で行われている。
２の中に埋め込み形成されているヒータ８に通電してガ
イド孔５の中に充填されている低融点金属７を溶融した
状態で行われている。
第２図は低融点金属が充填されているガイド孔５に挿入
する接続ピン４の拡大図である。
する接続ピン４の拡大図である。
ここで本発明に係る低融点金属７の溶融凝固により接続
を行うコネクタにあっては接続ピン４の表面が溶融状態
の低融点金属７と良好な濡れ性をもっていることが必要
である。
を行うコネクタにあっては接続ピン４の表面が溶融状態
の低融点金属７と良好な濡れ性をもっていることが必要
である。
そこで従来は第３図に断面を示すように接続ピン４のベ
ース材を銅合金９で形成すると共に低融点金属７への挿
入部分の表面上に順次ニッケル（Ｎ１）メッキ層１０．
金（Ａ蒐１）メッキＦｉｌｌを施し−ζ濡れ性と耐蝕性
を改善していた。
ース材を銅合金９で形成すると共に低融点金属７への挿
入部分の表面上に順次ニッケル（Ｎ１）メッキ層１０．
金（Ａ蒐１）メッキＦｉｌｌを施し−ζ濡れ性と耐蝕性
を改善していた。
ここでＡｌｌメッキ層１１は濡れ性と耐蝕性とを改善す
るためのものであり、Ｎｉ メッキＭｌＯは銅合金とＡ
ｕとの相互拡散を阻止するバリアとして働いている。す
なわちこのバリアが存在しない場合は高温状態では容易
に合金が生じてしまう。
るためのものであり、Ｎｉ メッキＭｌＯは銅合金とＡ
ｕとの相互拡散を阻止するバリアとして働いている。す
なわちこのバリアが存在しない場合は高温状態では容易
に合金が生じてしまう。
然しなから、このように厚めにＡｕメッキ層１１が設け
られている場合は低融点金属７と反応し、その中に溶り
込んで低融点金属の組成を変えてしまうと云う問題があ
る。
られている場合は低融点金属７と反応し、その中に溶り
込んで低融点金属の組成を変えてしまうと云う問題があ
る。
例えば低融点金属としてインジューム・錫（Ｉｎ−４８
％Ｓｎ）合金を用いる場合はＡｕメッキ層１１はその中
に溶は込むと共に表面に脆い性質をもつＡｕ−３ｎ合金
を生じてしまう。
％Ｓｎ）合金を用いる場合はＡｕメッキ層１１はその中
に溶は込むと共に表面に脆い性質をもつＡｕ−３ｎ合金
を生じてしまう。
それゆえにＡｕ層１１は出来るだ＆Ｊ薄く形成すること
が必要である。然し薄く形成するとピンホールが生じて
下のＮｉ層ｌＯが露出し易く、ビン或いはる ｒ、ｓｒモジールの保管時の耐蝕性が問題とξ（そのた
め濡れ性が良く且つ融液への溶は込みが少ない表面処理
機構の開発が望まれていた。
が必要である。然し薄く形成するとピンホールが生じて
下のＮｉ層ｌＯが露出し易く、ビン或いはる ｒ、ｓｒモジールの保管時の耐蝕性が問題とξ（そのた
め濡れ性が良く且つ融液への溶は込みが少ない表面処理
機構の開発が望まれていた。
（ｄ）発明の目的
本発明は低融点金属からなる融液の組成変動の原因とな
る接続ピンのＡｕメッキ層の厚さを極力押さえ、且つ保
管時に於いても耐蝕性の優れた接続ピンの組成を提供す
ると共に多数回の繰り返し接続が可能な表面処理方法を
提供することを目的とする。
る接続ピンのＡｕメッキ層の厚さを極力押さえ、且つ保
管時に於いても耐蝕性の優れた接続ピンの組成を提供す
ると共に多数回の繰り返し接続が可能な表面処理方法を
提供することを目的とする。
（Ｃ）発明の構成
本発明の目的は低融点金属の溶融と凝固を利用して低い
挿抜力と良好な接触抵抗とを実現するコネクタにおいて
、雄コンタクトとして働＜ＬＳＩモジュールの接続ピン
が銅合金をベース材として用いると共に、この上に順次
ニッケルメッキ、パラジウムメッキおよび金のフラッシ
ュメッキを施して構成されており、該接続ピンを雌コン
タクトとして働く溶融中の低融点金属中に挿入する際、
該接続ピンの表面に予め挿入時に表面へ（・１着する量
と等偏量の低融点金属を予備被覆して使用することを特
徴とするＬＳＩモデュール用接続ピンにより達成するこ
とができる。
挿抜力と良好な接触抵抗とを実現するコネクタにおいて
、雄コンタクトとして働＜ＬＳＩモジュールの接続ピン
が銅合金をベース材として用いると共に、この上に順次
ニッケルメッキ、パラジウムメッキおよび金のフラッシ
ュメッキを施して構成されており、該接続ピンを雌コン
タクトとして働く溶融中の低融点金属中に挿入する際、
該接続ピンの表面に予め挿入時に表面へ（・１着する量
と等偏量の低融点金属を予備被覆して使用することを特
徴とするＬＳＩモデュール用接続ピンにより達成するこ
とができる。
（ｆ）発明の実施例
本発明はＡｕメッキ層１１とＮｉメッキ層１０との間に
パラジューム（Ｐｄ ）メッキ層１２を設けることによ
り上記の問題を解決するものである。
パラジューム（Ｐｄ ）メッキ層１２を設けることによ
り上記の問題を解決するものである。
すなわちベース材であるＣＵ合金９の上に従来と同様に
ＮｉメッキＮ１０を設けると共に、その上にＰｄメッキ
層１２を設け、Ａｕ層１１はフラッシュメッキ程度の厚
さに留める。
ＮｉメッキＮ１０を設けると共に、その上にＰｄメッキ
層１２を設け、Ａｕ層１１はフラッシュメッキ程度の厚
さに留める。
本発明はＰｄの優れた耐蝕性、低融点金属に対する拡散
防止効果および優れた濡れ性を利用するもので、これに
よりＡｕ１ｉｌｌの厚さを最小限度まで減らすものであ
って、これにより接続ピン４の表面にＡｕ−３ｎ合金の
形成やＡｕメッキ層１１の熔解を最小限に抑制すること
ができる。
防止効果および優れた濡れ性を利用するもので、これに
よりＡｕ１ｉｌｌの厚さを最小限度まで減らすものであ
って、これにより接続ピン４の表面にＡｕ−３ｎ合金の
形成やＡｕメッキ層１１の熔解を最小限に抑制すること
ができる。
以後実施例について説明する。
接続ピン４のベース材としては燐青銅９を用い、この」
−に順次２μｍの厚さのＮ１メッキ層１０． ２μｍの
厚さのＰｄメッキ層１２．０．０５μｍの厚さのＡｕフ
ラッシュメッキ層１１と形成し、一方接続ビン４が挿入
されるガイド孔５の中の低融点金属７としてｃ：ｒ、融
）ｊλが１１７℃のＩｎ−４８％Ｓｎ合金を使用した。
−に順次２μｍの厚さのＮ１メッキ層１０． ２μｍの
厚さのＰｄメッキ層１２．０．０５μｍの厚さのＡｕフ
ラッシュメッキ層１１と形成し、一方接続ビン４が挿入
されるガイド孔５の中の低融点金属７としてｃ：ｒ、融
）ｊλが１１７℃のＩｎ−４８％Ｓｎ合金を使用した。
そして端子電極１３を通じてヒータ８に通電して低融点
金属７を溶融し、この中に接続ピン４の挿抜を繰り返し
た。そして挿抜の都度接続が接触抵抗が１Ω以下と云う
良好な状態で安定して行われているのを確認すると共に
、Ｉｎ −３ｎ合金が接続ピン６の表面との濡れ性が良
いことが確認できた。
金属７を溶融し、この中に接続ピン４の挿抜を繰り返し
た。そして挿抜の都度接続が接触抵抗が１Ω以下と云う
良好な状態で安定して行われているのを確認すると共に
、Ｉｎ −３ｎ合金が接続ピン６の表面との濡れ性が良
いことが確認できた。
また接続ピン６を相対湿度９０％で硫化水素と亜硫酸ガ
スを含む腐食雰囲気中に室温で１０００時間に互って放
置しても、ピンの腐食や濡れ性の低下の現象は認められ
ず、このことから本発明の効果を確かめることができた
。
スを含む腐食雰囲気中に室温で１０００時間に互って放
置しても、ピンの腐食や濡れ性の低下の現象は認められ
ず、このことから本発明の効果を確かめることができた
。
次に第１図に示すように接続ピン４を低融点金属中に挿
入してコネクタ接続を行う構成では、コネクタ接続が常
に同一の組合せで行われる場合は問題がないが、接続ピ
ン４が変わる場合には融液が接続ピン４に付着して持ち
出され、次第に減少すると云う問題がある。
入してコネクタ接続を行う構成では、コネクタ接続が常
に同一の組合せで行われる場合は問題がないが、接続ピ
ン４が変わる場合には融液が接続ピン４に付着して持ち
出され、次第に減少すると云う問題がある。
例えばＬＳＩモジュルに搭載されているｒ、ｓｒ素子が
故障してモジュールごと交換する場合がこれにあたる。
故障してモジュールごと交換する場合がこれにあたる。
この解決法として本発明においては接続ピン４の融液へ
の挿入部分に予め持ち出し量に等しい低融点金属７を予
備被覆しておけばよい。
の挿入部分に予め持ち出し量に等しい低融点金属７を予
備被覆しておけばよい。
第２図はこの実施例を示すもので、接続ピン４の挿入領
域に低融点金属からなる予備被覆層１４を設けた状態を
しめしている。
域に低融点金属からなる予備被覆層１４を設けた状態を
しめしている。
かかる処理を施すことにより、仮令接続ピン４が更新さ
れる場合であっても、ガイド孔５の中の低融点金属の量
を常に一定に保つことができる。
れる場合であっても、ガイド孔５の中の低融点金属の量
を常に一定に保つことができる。
第５図は予備被覆層の有無の場合の影響を示すもので、
Ｉｎ−４８％Ｓｎからなる低融点金属７に接続ピン４の
挿抜を繰り返し行い、その際のピンの重Ｍ変化量を調べ
たものである。
Ｉｎ−４８％Ｓｎからなる低融点金属７に接続ピン４の
挿抜を繰り返し行い、その際のピンの重Ｍ変化量を調べ
たものである。
ここで融液の温度は１３０℃に保持し２０回に互って挿
抜が行われている。
抜が行われている。
なお接続ピン４の浸漬時間は２分であり、また浸／ｉＩ
ｉ長は２１Ｉｍである。
ｉ長は２１Ｉｍである。
図において破線１５は予備被覆ｆｆｔ１４がない場合で
第１回の挿抜により９０ＸＩＯｇの低融点金属が接続ピ
ン４に付着し、２回以後は略一定の重量変化を示してい
る。一方丈線１６は予め約１１００Ｘ１０の予備被覆層
１４を設けた場合で当初より略一定の変化量を示してい
る。
第１回の挿抜により９０ＸＩＯｇの低融点金属が接続ピ
ン４に付着し、２回以後は略一定の重量変化を示してい
る。一方丈線１６は予め約１１００Ｘ１０の予備被覆層
１４を設けた場合で当初より略一定の変化量を示してい
る。
このことから本発明を実施することにより、接続ピン４
に付着して汲み出されることによる低融点金属の減少が
なくなり、接続装置２の寿命を大幅に延長することがで
きる。
に付着して汲み出されることによる低融点金属の減少が
なくなり、接続装置２の寿命を大幅に延長することがで
きる。
（ｇ）発明の効果
本発明は接続ピンの表面に被覆されているＡｕ屑の融液
への熔解による低融点金属の劣化防止と濡れ性の確保お
よび低融点金属の汲み出しによる減少を防ぐことを目的
としてなされたもので、本発明の実施により、これらの
問題が解決でき、接続装置の信頼性を向上することがで
きた。
への熔解による低融点金属の劣化防止と濡れ性の確保お
よび低融点金属の汲み出しによる減少を防ぐことを目的
としてなされたもので、本発明の実施により、これらの
問題が解決でき、接続装置の信頼性を向上することがで
きた。
第１図は接続装置の構成を説明する断面図、第２の効果
を示す説明図である。 図において ２は接続装置、４，６は接続ピン、５はガイド孔、７は
低融点金属、９は銅合金、１０はニッケルメッキ層、１
１は金メッキ層、１２はバラジュムメソキ層、１４は予
備被覆層である。 】０
を示す説明図である。 図において ２は接続装置、４，６は接続ピン、５はガイド孔、７は
低融点金属、９は銅合金、１０はニッケルメッキ層、１
１は金メッキ層、１２はバラジュムメソキ層、１４は予
備被覆層である。 】０
Claims (1)
- 低融点金属の溶融と凝固を利用して低い挿抜力と良好な
接触抵抗とを実現するコネクタにおいて、雄コンタクト
として慟＜ＬＳＩモジュールの接続ピンが銅合金をベー
ス材として用いると共に、この上に順次ニッケルメッキ
、パラジウムメッキおよび金のフラッシュメッキを施し
て構成されており、該接続ピンを雌コンタクトとじて働
く溶融中の低融点金属中に挿入する際、該接続ピンの表
面に予め挿入時に表面へ付着する量と等偏量の低融点金
属を予備ｖＩＩ覆して使用することを特徴とするＬＳＩ
モジュール用接続ピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116784A JPS60165749A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | Ｌｓｉモジユ−ル用接続ピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116784A JPS60165749A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | Ｌｓｉモジユ−ル用接続ピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165749A true JPS60165749A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH0442826B2 JPH0442826B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=12047352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2116784A Granted JPS60165749A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | Ｌｓｉモジユ−ル用接続ピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165749A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0342594A2 (en) * | 1988-05-16 | 1989-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | An optical semiconductor device |
| JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| JP2008002713A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Max Co Ltd | 熱交換型換気装置 |
| JP2010180427A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Alps Electric Co Ltd | 電気接点の製造方法 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP2116784A patent/JPS60165749A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0342594A2 (en) * | 1988-05-16 | 1989-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | An optical semiconductor device |
| JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| JP2008002713A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Max Co Ltd | 熱交換型換気装置 |
| JP2010180427A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Alps Electric Co Ltd | 電気接点の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442826B2 (ja) | 1992-07-14 |
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