JPS6027150A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS6027150A JPS6027150A JP13555783A JP13555783A JPS6027150A JP S6027150 A JPS6027150 A JP S6027150A JP 13555783 A JP13555783 A JP 13555783A JP 13555783 A JP13555783 A JP 13555783A JP S6027150 A JPS6027150 A JP S6027150A
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- resin
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- semiconductor device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置の構造に係ｐ１特に樹脂
部分の形状に関するものである。
部分の形状に関するものである。
従来の樹脂封止型半導体装置は、第１図にその断面？示
す様に、樹脂２の封止幅Ｂは外部リード１の折シ曲げ位
ｍＡよシも内側に位置していた。
す様に、樹脂２の封止幅Ｂは外部リード１の折シ曲げ位
ｍＡよシも内側に位置していた。
しかし、近情半導体素子（以下ベレットと呼ぶ）３０集
積度が島まるにつれてベレットの大きさが太きくな９、
従来の半導体装置に搭載できなくなった。またＭ載でき
たとしてもベレットが大きいことにより熱的環境の変化
かあると側側クラックが発生し信頼性が低下する。この
ベレットは、寸法Ａが大きい半導体装直に搭載すること
も可能であるが、同一機Ｆ目品種の製品群が寸ｇＡの異
なる半導体装直に搭載されることにより、半導体装置の
実装上混乱が生じ／こり、牛纒不装置の笑装鴇度が低下
すめ。
積度が島まるにつれてベレットの大きさが太きくな９、
従来の半導体装置に搭載できなくなった。またＭ載でき
たとしてもベレットが大きいことにより熱的環境の変化
かあると側側クラックが発生し信頼性が低下する。この
ベレットは、寸法Ａが大きい半導体装直に搭載すること
も可能であるが、同一機Ｆ目品種の製品群が寸ｇＡの異
なる半導体装直に搭載されることにより、半導体装置の
実装上混乱が生じ／こり、牛纒不装置の笑装鴇度が低下
すめ。
そこで、より大きなペレソ）２問−の寸ｆｆ１Ａの半導
体装置に搭載する局に、牛→俸装庫の輌カ旨耐止幅を外
部リード折シ曲げ位１！１１．まで伝火することを提案
できる。
体装置に搭載する局に、牛→俸装庫の輌カ旨耐止幅を外
部リード折シ曲げ位１！１１．まで伝火することを提案
できる。
しかしながら、この方法では罰述の半導体装置では問題
にならなかった〃ｆ／ζな欠点が生じる。すなわちリー
ドを功足の幅に折シ曲げる際、従来の半導体装置では、
第３図に示す様に硲具１１０１にょっ４て外部リード１
を光分保持した後、ローラー１０２によって外部リード
１の折９曲けができる。一方、樹脂封止幅を外部リード
折シ曲り位置まで拡大ししｆＣ，場合には、外相５リー
ドエを珠ゴ寸して折シ曲けをすることが不可能で、第４
図に示す様に治具１０１は樹脂部分２のみを保持するこ
とになる。
にならなかった〃ｆ／ζな欠点が生じる。すなわちリー
ドを功足の幅に折シ曲げる際、従来の半導体装置では、
第３図に示す様に硲具１１０１にょっ４て外部リード１
を光分保持した後、ローラー１０２によって外部リード
１の折９曲けができる。一方、樹脂封止幅を外部リード
折シ曲り位置まで拡大ししｆＣ，場合には、外相５リー
ドエを珠ゴ寸して折シ曲けをすることが不可能で、第４
図に示す様に治具１０１は樹脂部分２のみを保持するこ
とになる。
この方法により外部リードの折シ曲けを行なうと第５図
に示す様に折ｐ曲げの力によってリード１と樹脂２の界
面に隙間５１が生じて耐湿性が劣化しひいては半導体素
子の破壊をまねく。
に示す様に折ｐ曲げの力によってリード１と樹脂２の界
面に隙間５１が生じて耐湿性が劣化しひいては半導体素
子の破壊をまねく。
本発明の目的は、かかる従来の欠点を除去しよｐ大＠ｌ
ペレットヲ同一人寸法の半導体装置に搭載することがで
きる。半導体装置の構造を提供することにある。
ペレットヲ同一人寸法の半導体装置に搭載することがで
きる。半導体装置の構造を提供することにある。
前記目的を達成する為に本発明は、リードよシ上側に位
置する樹脂封止幅を外部リード折り曲げ位置まで拡大し
、リードよシ下側に位置する樹脂封止幅は従来の半導体
装置と同程度でリード上部の樹脂封止幅より小さい構造
を待つことを特徴とする。
置する樹脂封止幅を外部リード折り曲げ位置まで拡大し
、リードよシ下側に位置する樹脂封止幅は従来の半導体
装置と同程度でリード上部の樹脂封止幅より小さい構造
を待つことを特徴とする。
リード上部に位置する樹脂封止幅を外部リード折シ曲げ
位置まで拡大することによシ、半導体素止の尚密度化に
よって大きくなったベレットをこれまでと同一のへ寸法
ｒ付つ半導体装置に搭載することか可能にｌシ、リード
下部に位置する樹脂封止幅を従来の半導体装置と同じに
することによって、リードを充分に保持しながら外部リ
ードのｖＴｐ曲けがｆｉｊ龍になり、リードと樹脂の界
面に隙Ｉ口」を生じ毛せない。したがって耐湿性が優れ
た半褥坏弘、筐に抗体できる。さらに、リード下部に位
置フ−る柾脂勤止幅が従来の半導体装置と同じである為
、４Ｌ’ｌ脂封入金型及びリード折１）ｌり治具の下ｔ
ｈは１疋米の装置ｔその１ま使用フ−５ことが可能でし
り、改造戦用を低く抑えることかできる。新規作成のも
合に）ｊ′；いても設計期ｒＭｊ”Ｌ太物に短縮するこ
とかできる。
位置まで拡大することによシ、半導体素止の尚密度化に
よって大きくなったベレットをこれまでと同一のへ寸法
ｒ付つ半導体装置に搭載することか可能にｌシ、リード
下部に位置する樹脂封止幅を従来の半導体装置と同じに
することによって、リードを充分に保持しながら外部リ
ードのｖＴｐ曲けがｆｉｊ龍になり、リードと樹脂の界
面に隙Ｉ口」を生じ毛せない。したがって耐湿性が優れ
た半褥坏弘、筐に抗体できる。さらに、リード下部に位
置フ−る柾脂勤止幅が従来の半導体装置と同じである為
、４Ｌ’ｌ脂封入金型及びリード折１）ｌり治具の下ｔ
ｈは１疋米の装置ｔその１ま使用フ−５ことが可能でし
り、改造戦用を低く抑えることかできる。新規作成のも
合に）ｊ′；いても設計期ｒＭｊ”Ｌ太物に短縮するこ
とかできる。
以゛丁本発明を図１面によｐ評を用に説明する。
第２図は本発唄」の−実１ｊ占倒の析出ｊ図であつ。リ
ード上部に位置する１例脂到止幅Ｂ′は外部リード折シ
曲げ幅Ａとほぼ同じ位置まで拡大してめシ、より大きな
ベレット２３を搭載することが可能でりシベレット端ｔ
１μ２４．慣１月旨クシツクの発生はなく、信頼性も優
れている。一方リード下部に飲九する樹脂封止幅Ｂ”は
外部リード折り曲は鴨Ａより小さ′、く、従来の半導体
装置と同じであシ、第６図に示す様に折シ曲げ治具１０
１によって外部リード１を充分保狩した上でローラー１
０２によフて外部リードの折シ曲げを行なうことができ
る。した゛がって、第５図に示した様にリード１と樹脂
２の界面に隙間５１０発生はなく、耐湿性が優扛ている
。
ード上部に位置する１例脂到止幅Ｂ′は外部リード折シ
曲げ幅Ａとほぼ同じ位置まで拡大してめシ、より大きな
ベレット２３を搭載することが可能でりシベレット端ｔ
１μ２４．慣１月旨クシツクの発生はなく、信頼性も優
れている。一方リード下部に飲九する樹脂封止幅Ｂ”は
外部リード折り曲は鴨Ａより小さ′、く、従来の半導体
装置と同じであシ、第６図に示す様に折シ曲げ治具１０
１によって外部リード１を充分保狩した上でローラー１
０２によフて外部リードの折シ曲げを行なうことができ
る。した゛がって、第５図に示した様にリード１と樹脂
２の界面に隙間５１０発生はなく、耐湿性が優扛ている
。
以上詳細に説明した様に本発明によればへ寸法が同一で
あってもよｐ大きなベレットを搭載することが可能な半
導体装置を提供することができるさらに、樹脂クラック
の発生もなく、リードと樹脂界面に隙間が発生して劇湿
性を劣化させることのない信頼性に優れた半導体装置を
提供することができる。
あってもよｐ大きなベレットを搭載することが可能な半
導体装置を提供することができるさらに、樹脂クラック
の発生もなく、リードと樹脂界面に隙間が発生して劇湿
性を劣化させることのない信頼性に優れた半導体装置を
提供することができる。
また、本実施例ではＨ／／寸法は従来の半導体装置と同
じあるが外部リードを元分保狩できれば必ずしも従来と
同じ寸法でなくともよいことは明白である。
じあるが外部リードを元分保狩できれば必ずしも従来と
同じ寸法でなくともよいことは明白である。
第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図は本発明の
実施例による半導体装置の断面図、第３図は従来の半導
体装置の外部リード折り曲げ状態を示す断面図、第４図
は樹脂封止幅を外部リード折シ曲げ幅と同じにした場合
の外部リード折り曲げ状態を示す断面図、第５図はリー
ドと樹脂の界面に発生した隙間を示す断面図、第６図は
本発明の実施例による半導体装置の外部リード折り曲げ
状態を示す断面図である。 尚、図において１・・・・・・リード、２，１２，２２
・・・・・−樹脂、３・・・・・・半導体素子、２３・
・・・・・より大きな半導体素子、２４・・・ご・・半
導体素子の端部、２５・・・・・・樹脂の端部、１０１
・・・・・・抑え治具、１０２・・・・・・ロー２−１
Ａ・・・・・・外部リード折り曲げ幅、ＢＦＢ’、 Ｂ
“・・・・・・樹脂封止幅である。 第６図
実施例による半導体装置の断面図、第３図は従来の半導
体装置の外部リード折り曲げ状態を示す断面図、第４図
は樹脂封止幅を外部リード折シ曲げ幅と同じにした場合
の外部リード折り曲げ状態を示す断面図、第５図はリー
ドと樹脂の界面に発生した隙間を示す断面図、第６図は
本発明の実施例による半導体装置の外部リード折り曲げ
状態を示す断面図である。 尚、図において１・・・・・・リード、２，１２，２２
・・・・・−樹脂、３・・・・・・半導体素子、２３・
・・・・・より大きな半導体素子、２４・・・ご・・半
導体素子の端部、２５・・・・・・樹脂の端部、１０１
・・・・・・抑え治具、１０２・・・・・・ロー２−１
Ａ・・・・・・外部リード折り曲げ幅、ＢＦＢ’、 Ｂ
“・・・・・・樹脂封止幅である。 第６図
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置において、リードより下側に位置
する樹脂部分の幅が、前記リードより上側に位置する樹
脂部分の幅より小さいことを％徴とする樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13555783A JPS6027150A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13555783A JPS6027150A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027150A true JPS6027150A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15154587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13555783A Pending JPS6027150A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196543U (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-08 | ||
| US5554823A (en) * | 1991-12-27 | 1996-09-10 | Rohm Co., Ltd. | Packaging device and its manufacturing method |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP13555783A patent/JPS6027150A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196543U (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-08 | ||
| US5554823A (en) * | 1991-12-27 | 1996-09-10 | Rohm Co., Ltd. | Packaging device and its manufacturing method |
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