JPS6027126A - ガス排出装置 - Google Patents
ガス排出装置Info
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- JPS6027126A JPS6027126A JP13540683A JP13540683A JPS6027126A JP S6027126 A JPS6027126 A JP S6027126A JP 13540683 A JP13540683 A JP 13540683A JP 13540683 A JP13540683 A JP 13540683A JP S6027126 A JPS6027126 A JP S6027126A
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- JP
- Japan
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- gas
- inert gas
- supply pipe
- pipe
- control valve
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ガス排出装置に関する。
従来、高濃度の７２ン〃ス等を使用する半導体製造装置
に異常が発生すると、装置内若しくはガス配管ライン内
に高濃度のシランガスが残留する。しかしながら、この
ような有害なシランガスが残留した場合とれを安全に排
出する装置がなかった。
に異常が発生すると、装置内若しくはガス配管ライン内
に高濃度のシランガスが残留する。しかしながら、この
ような有害なシランガスが残留した場合とれを安全に排
出する装置がなかった。
このため、装置内やガス配管内に１％濃度シランガスが
残留した半導体製造装置を正常に復帰させるためＫは、
系内に残留したシランガスを安全に排出しなければなら
ない。而して、系の一部をスローリー？させてそのリー
ク部でシランガスをゆっくシ燃焼して排出していた。こ
のような高濃度のガスを排出するものでは、排出処理に
長時間を要すると共に、リーク速度の制御がほぼ不可能
な７ため、排出作業が匝めて危険である問題があった。
残留した半導体製造装置を正常に復帰させるためＫは、
系内に残留したシランガスを安全に排出しなければなら
ない。而して、系の一部をスローリー？させてそのリー
ク部でシランガスをゆっくシ燃焼して排出していた。こ
のような高濃度のガスを排出するものでは、排出処理に
長時間を要すると共に、リーク速度の制御がほぼ不可能
な７ため、排出作業が匝めて危険である問題があった。
本発明は、残留ガスを安全かつ迅速に排出するガス排出
装置を提供することをその目的とするものである。
装置を提供することをその目的とするものである。
本発明は、残留した有毒ガスを安全な濃度に希釈すると
共に流量制御しながら排出する機構を設けて、残留ガス
を安全かつ迅速に排出することができる排出装置である
。
共に流量制御しながら排出する機構を設けて、残留ガス
を安全かつ迅速に排出することができる排出装置である
。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
図は、本発明の概略構成を示す説明図である。
図中１は、燃焼筒である。燃焼筒１には、空気供給管２
を介して空気供給源３が接続されている。空気供給管２
には、流量制御バルブ４．流量計５が数句けられている
。燃焼筒１の側部には、不活性ガス供給管６を介して不
活性ガス供給源７が接続されている。不活性ガス供給管
６には、不活性ガス供給源７側から所定間隔を設けて流
量制御パルプ８．流景流量計ロータリポンプからなる排
気機構１０．が所定間隔を設けて順次取付けられている
。不活性ガス供給管６の流量計ａと排気機構１０との間
には、ガス引込管１１の一端部が接続されている。ガス
引込管１１の他端部にはガス抜口１２が形成されている
。ガス抜口１２は図示しない半導体製造装置管の被処理
体に接続されるようになっている。
を介して空気供給源３が接続されている。空気供給管２
には、流量制御バルブ４．流量計５が数句けられている
。燃焼筒１の側部には、不活性ガス供給管６を介して不
活性ガス供給源７が接続されている。不活性ガス供給管
６には、不活性ガス供給源７側から所定間隔を設けて流
量制御パルプ８．流景流量計ロータリポンプからなる排
気機構１０．が所定間隔を設けて順次取付けられている
。不活性ガス供給管６の流量計ａと排気機構１０との間
には、ガス引込管１１の一端部が接続されている。ガス
引込管１１の他端部にはガス抜口１２が形成されている
。ガス抜口１２は図示しない半導体製造装置管の被処理
体に接続されるようになっている。
ガス引込管１１には、ガス抜口１２側から流量制御バル
ブ１３．流量計１４が所定間隔を設けて取付けられてい
る。
ブ１３．流量計１４が所定間隔を設けて取付けられてい
る。
このように構成されたガス排出装ｊｆｌ、ｘｓによれば
、ガス抜口１２を例えばシランガスの洩れが発生した半
導体製造装置に接続する。次いで、排出機構１θのロー
タリーポンプを作動し、ガス引込管１１及び不活性ガス
供給管６の真空引きを行う。このように真空引きを行う
のは、半導体製造装置から排出された例えば１００％Ｓ
ｉＨ２ガスがガス引込管１１及び不活性ガス供給管６内
の残留空気と反応するのを防止するだめである。次いで
、流量制御バルブ８を調節し、流量ｉｉ９を見ながら例
えばＮ２ガスで構成された不活性ガスの流量を１０ Ａ
！／ｍｉｎに調整する。次いで、空気供給管２の流量制
御バルブ４を調ｎ１ｊし、流量計５を見ながら燃焼筒１
に供帖する不活性ガスの流量を例えば４１７ｍ１ ｎ
Ｉｃ Ｗｍ整する。
、ガス抜口１２を例えばシランガスの洩れが発生した半
導体製造装置に接続する。次いで、排出機構１θのロー
タリーポンプを作動し、ガス引込管１１及び不活性ガス
供給管６の真空引きを行う。このように真空引きを行う
のは、半導体製造装置から排出された例えば１００％Ｓ
ｉＨ２ガスがガス引込管１１及び不活性ガス供給管６内
の残留空気と反応するのを防止するだめである。次いで
、流量制御バルブ８を調節し、流量ｉｉ９を見ながら例
えばＮ２ガスで構成された不活性ガスの流量を１０ Ａ
！／ｍｉｎに調整する。次いで、空気供給管２の流量制
御バルブ４を調ｎ１ｊし、流量計５を見ながら燃焼筒１
に供帖する不活性ガスの流量を例えば４１７ｍ１ ｎ
Ｉｃ Ｗｍ整する。
然る後、ガス抜口１２を開き流量制御バルブ１３を調節
し、流量計１４を見ながらガス引込管１ノ中の１００
％ ５ＩＨ４ガスの流量を例えば１００ｃｃ／ｍｉｎに
設定する。而して、不活性ガス供給管６から不活性ガス
によって所定濃度に希釈されたシランガスが燃焼筒１に
供給され、空気供給管２から供給された空気と反応して
排気される。
し、流量計１４を見ながらガス引込管１ノ中の１００
％ ５ＩＨ４ガスの流量を例えば１００ｃｃ／ｍｉｎに
設定する。而して、不活性ガス供給管６から不活性ガス
によって所定濃度に希釈されたシランガスが燃焼筒１に
供給され、空気供給管２から供給された空気と反応して
排気される。
燃焼筒１内での反応は、ガス引込管１１内が完全に真空
状態になって半導体製造装置内の洩れガスがなくなるま
で行う。洩れガスが完全に除去されたところで、空気供
給源３及び不活性ガス供給源７を止めて、各々のガスの
供給を停止し、ガスの排出処理を完了する。
状態になって半導体製造装置内の洩れガスがなくなるま
で行う。洩れガスが完全に除去されたところで、空気供
給源３及び不活性ガス供給源７を止めて、各々のガスの
供給を停止し、ガスの排出処理を完了する。
このようにしてこのガス排出装置±１では、不活性ガス
の流量及び空気の流量を！ｉｉ制御して例えばシランガ
スを自然発火限界濃度（３係）以下の安全な温度にして
排出することができる。
の流量及び空気の流量を！ｉｉ制御して例えばシランガ
スを自然発火限界濃度（３係）以下の安全な温度にして
排出することができる。
また、不活性ガスの流量及び空気の流量を調節すること
によって、洩れガスの排出流量を制御して有毒なガスを
安全な状態にして排出することができる。その結果、残
留ガスを安全かつ迅速に排出することができる。
によって、洩れガスの排出流量を制御して有毒なガスを
安全な状態にして排出することができる。その結果、残
留ガスを安全かつ迅速に排出することができる。
このような効果を確認するため、このガス排出装置」を
プラズマＣＶＤ装置内の残留ガス（２０％ｐ ＳｉＨ４
’／４ｉｎｃｈ Ｘ ２ｍ）の排低に適用したところ、
約２分間で完全に排出することができた。寸だ、燃、魂
匍１の温度を約４２℃と低温に６′区持して安全に残留
ガスを排気できることが判った。
プラズマＣＶＤ装置内の残留ガス（２０％ｐ ＳｉＨ４
’／４ｉｎｃｈ Ｘ ２ｍ）の排低に適用したところ、
約２分間で完全に排出することができた。寸だ、燃、魂
匍１の温度を約４２℃と低温に６′区持して安全に残留
ガスを排気できることが判った。
以上説明した如く、本発明に係るガス排出装置によれば
、残留ガスを安全かつ迅速に排出することができるもの
である。
、残留ガスを安全かつ迅速に排出することができるもの
である。
図は、本発明の４１１テ略構成を示す説明図である。
１・・・燃焼筒、２・・・空気供給管、３・・・空気供
給源、４・・・流量制御・ぐルブ、５・・・流量計、６
・・・不活性ガス供給管、７・・・不活性力゛ス供給源
、８・・・流量制御バルブ、９・・・流量計、１０・・
・排気機１１な、１１・・・ガス引込管、１２・・・ガ
ス抜口、１３・・・流量制御バルブ、１４・・・流量馴
、１５・・・ｌｆス排出装置。
給源、４・・・流量制御・ぐルブ、５・・・流量計、６
・・・不活性ガス供給管、７・・・不活性力゛ス供給源
、８・・・流量制御バルブ、９・・・流量計、１０・・
・排気機１１な、１１・・・ガス引込管、１２・・・ガ
ス抜口、１３・・・流量制御バルブ、１４・・・流量馴
、１５・・・ｌｆス排出装置。
Claims (1)
- 不活性ガス供給源と燃焼筒とを流量計及び排気機構を順
次弁して連絡する不活性ガス供給管と、一端部に〃ス抜
口を有し、他端部を前記流量計と前記排気機構間の前記
不活性ガス供給管に接続したガス引込管と、該ガス引込
管に取付けられたガス流量計と、前記燃焼筒に空気供給
管を介して接続された空気供給源とを具備することを特
徴とするガス排出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13540683A JPS6027126A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | ガス排出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13540683A JPS6027126A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | ガス排出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027126A true JPS6027126A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15150976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13540683A Pending JPS6027126A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | ガス排出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648039U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-17 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP13540683A patent/JPS6027126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648039U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-17 |
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