JPS60264377A - 施釉セメント質基材の製造方法 - Google Patents
施釉セメント質基材の製造方法Info
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- JPS60264377A JPS60264377A JP11811184A JP11811184A JPS60264377A JP S60264377 A JPS60264377 A JP S60264377A JP 11811184 A JP11811184 A JP 11811184A JP 11811184 A JP11811184 A JP 11811184A JP S60264377 A JPS60264377 A JP S60264377A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、充分な光沢があり、また充分な密着強度のガ
ラス層を表面に形成した施釉セメント質基材の製法に関
するものである。
ラス層を表面に形成した施釉セメント質基材の製法に関
するものである。
従来技術及び問題点
セメント質基材、例えば、コンクリ−１〜板、ＧＲＣ板
、石綿セメント板、ケイ酸カルシウム板１：にコーテイ
ング膜を形成し、耐候性を向上させるとともに美観を付
与する試みは、有機質、無機質の塗料を塗布する方法、
セメント質基材上に釉薬を施し、焼成して釉面を得る方
法等が試みられている。しかしながら有機質塗料を塗布
する方法はセメント質基材が主として建築物の外壁に利
用される点からその耐候性の面で不充分であり、又、防
火の面からも耐熱性が低く安全とは言い難い。
、石綿セメント板、ケイ酸カルシウム板１：にコーテイ
ング膜を形成し、耐候性を向上させるとともに美観を付
与する試みは、有機質、無機質の塗料を塗布する方法、
セメント質基材上に釉薬を施し、焼成して釉面を得る方
法等が試みられている。しかしながら有機質塗料を塗布
する方法はセメント質基材が主として建築物の外壁に利
用される点からその耐候性の面で不充分であり、又、防
火の面からも耐熱性が低く安全とは言い難い。
次に無機質塗料についても、商品化がされているが、塗
膜の安定性、耐熱性、耐汚染性等の点で解決すべき問題
が数多く建拐の表面仕上げ用として、耐久性のあるもの
は得られていない。
膜の安定性、耐熱性、耐汚染性等の点で解決すべき問題
が数多く建拐の表面仕上げ用として、耐久性のあるもの
は得られていない。
一方、セメント質基材上に釉薬を施し焼成することによ
ってガラス層を形成しようという試みもなさね、耐候性
のある製品が得られているが、セメント質棋材全体を窯
炉で焼成しているので、英犬な熱丁ネルギーを必要とし
、省エネルギー・省コス１への面で好ましくなく、又、
加熱ににっでセメント質基祠材判が劣化覆る。シｔ：た
更に基材が劣化するとガラス層が剥離する。特にガラス
繊維を含むＧＲＣ板、石綿を含む石綿セメン１へ板等熱
劣化の激しい、Ｉｉ ｅｆｔ材料等を含むセメン１〜質
基材には利用できないのが現状である。
ってガラス層を形成しようという試みもなさね、耐候性
のある製品が得られているが、セメント質棋材全体を窯
炉で焼成しているので、英犬な熱丁ネルギーを必要とし
、省エネルギー・省コス１への面で好ましくなく、又、
加熱ににっでセメント質基祠材判が劣化覆る。シｔ：た
更に基材が劣化するとガラス層が剥離する。特にガラス
繊維を含むＧＲＣ板、石綿を含む石綿セメン１へ板等熱
劣化の激しい、Ｉｉ ｅｆｔ材料等を含むセメン１〜質
基材には利用できないのが現状である。
これらを解決するため、熱に敏感な例えば５００℃で熱
劣化するセメント質基材上へガラス層を形成するための
方法として、セメン１〜質基材の表層のみを局部的にガ
スバーナーで加熱し、■該基材自体の表面を熔かづか、
あるいは該基材表面に塗布したガラス原料を熔かして、
ガラス層を得ようとする試み、 ■あるいは該火炎中で、ガラス層を形成Ｊ−る釉薬粒子
を溶融し、それを直接該基材に付着させる試みが行なわ
れてきた。
劣化するセメント質基材上へガラス層を形成するための
方法として、セメン１〜質基材の表層のみを局部的にガ
スバーナーで加熱し、■該基材自体の表面を熔かづか、
あるいは該基材表面に塗布したガラス原料を熔かして、
ガラス層を得ようとする試み、 ■あるいは該火炎中で、ガラス層を形成Ｊ−る釉薬粒子
を溶融し、それを直接該基材に付着させる試みが行なわ
れてきた。
然し乍ら上記■では、該火炎が安定せず火炎の状態のコ
ン１〜ロールが困難であり、膜厚及び色に関して均一な
ガラス層を得ることは難しかった。
ン１〜ロールが困難であり、膜厚及び色に関して均一な
ガラス層を得ることは難しかった。
従って、釉薬の溶融が不均一であるため、ガラス、ｊｌ
：・ ｍ、ｐ″１′″″１”０５”ｕ）°ｔ７．−”５
１０色の調整も、火炎によるすすの付着と火炎内の酸化
条件がガラス層の色をかえてしまうので」しい。
：・ ｍ、ｐ″１′″″１”０５”ｕ）°ｔ７．−”５
１０色の調整も、火炎によるすすの付着と火炎内の酸化
条件がガラス層の色をかえてしまうので」しい。
更に伝熱によって基材表面も熱劣化を受ｔジる。
又、■の場合、火炎中釉薬粒子が高温にさらされるため
に分解したり、又、粒子のブロッキングが起こったりし
て均一なガラス層が得られなかった。更に前記の■と同
様に剥ｍ１ｌｌ及び熱劣化の問題がある。
に分解したり、又、粒子のブロッキングが起こったりし
て均一なガラス層が得られなかった。更に前記の■と同
様に剥ｍ１ｌｌ及び熱劣化の問題がある。
上記の問題点は、主に１）セメン１へ質基材が熱劣化を
受【プ易い性質であり、そして ２）釉薬は一般に高融
点であって、しかも不充分な溶融ではかなりの粘性を有
する性質であることに原因する。
受【プ易い性質であり、そして ２）釉薬は一般に高融
点であって、しかも不充分な溶融ではかなりの粘性を有
する性質であることに原因する。
これらの相反する基材の性質１）及び釉薬の性質２）の
両者を同時に満足させて基材にガラス層を密着すること
は、従来極めて困難であった。
両者を同時に満足させて基材にガラス層を密着すること
は、従来極めて困難であった。
解決手段
本発明によって、セメント質基材上に、釉薬を施し、均
一な釉薬塗膜を形成し、プラズマ炎によって釉薬塗膜の
みを短時間で溶融し、ガラス層をセメント質基材に密着
させる方法を用い−Ｃ前記の問題を解決することに成功
した。なお、上記の均一な釉薬塗膜とは、塗布された釉
薬にムラがなくその該塗膜の厚み及び色が均一なことを
意味する。
一な釉薬塗膜を形成し、プラズマ炎によって釉薬塗膜の
みを短時間で溶融し、ガラス層をセメント質基材に密着
させる方法を用い−Ｃ前記の問題を解決することに成功
した。なお、上記の均一な釉薬塗膜とは、塗布された釉
薬にムラがなくその該塗膜の厚み及び色が均一なことを
意味する。
本発明者は、基材、Ｆの釉薬塗膜にプラズマ炎を相対的
に移動しながら実質的に一定の距離を維持して適用し、
該基材を熱劣化することなく該釉薬塗膜を溶融して該基
材上にガラス層を均一に密着できることを予想外にも見
い出した。
に移動しながら実質的に一定の距離を維持して適用し、
該基材を熱劣化することなく該釉薬塗膜を溶融して該基
材上にガラス層を均一に密着できることを予想外にも見
い出した。
この予想外の作用効果は、例えば、
〈イ）プラズマ炎は非常に高温度であるので、該プラズ
マ炎の相対的移動によって釉薬はほぼ瞬間的に充分に溶
融するため該基材の加熱は実質的に無視できる程麿であ
ること、 （ロ）更に、基材の釉薬塗膜上をプラズマ炎が連続的に
移動して、該釉薬塗膜を均−且つ連続的に充分に溶融す
るので、ガラス層のピンホール、割れ目等の発生が回避
されること、等によるものと思考される。
マ炎の相対的移動によって釉薬はほぼ瞬間的に充分に溶
融するため該基材の加熱は実質的に無視できる程麿であ
ること、 （ロ）更に、基材の釉薬塗膜上をプラズマ炎が連続的に
移動して、該釉薬塗膜を均−且つ連続的に充分に溶融す
るので、ガラス層のピンホール、割れ目等の発生が回避
されること、等によるものと思考される。
発明の概要
本発明の方法は、通常は、実質的に平面状の釉薬塗膜を
有するセメント質基材に有利に適用されるが、急激な形
状変化のない曲面状の釉薬塗膜を５− 有する該基材にも適用できる。即わち、後者の場合、該
釉薬塗膜とプラズマ発生装置（例えばプラズマガン）と
の距離の変化が約５％以内であれば、平面状の釉薬塗膜
の場合と同様に実施可能である。
有するセメント質基材に有利に適用されるが、急激な形
状変化のない曲面状の釉薬塗膜を５− 有する該基材にも適用できる。即わち、後者の場合、該
釉薬塗膜とプラズマ発生装置（例えばプラズマガン）と
の距離の変化が約５％以内であれば、平面状の釉薬塗膜
の場合と同様に実施可能である。
両者の距離が約５％以上に渡って変化する場合には該釉
薬塗膜曲面との距離がほぼ一定となるように、該曲面の
変化にそってプラズマガンの位置を該間隔方向に移動し
てプラズマ炎を適用するのが望ましい。なお、円筒状又
は円柱状等の棒状の基材表面に施釉する場合は、例えば
施釉された棒状の基材を回転させながら移動させて、プ
ラズマ炎を適用することができる。
薬塗膜曲面との距離がほぼ一定となるように、該曲面の
変化にそってプラズマガンの位置を該間隔方向に移動し
てプラズマ炎を適用するのが望ましい。なお、円筒状又
は円柱状等の棒状の基材表面に施釉する場合は、例えば
施釉された棒状の基材を回転させながら移動させて、プ
ラズマ炎を適用することができる。
本発明に使用する装置は、少なくとも、−個のプラズマ
ガン並びに該プラズマガン及び施釉された基材を夫々保
持する支持具から本質的に成り、そして該釉薬塗膜全体
にプラズマ炎を均一に適用するため、該ガンの支持具及
び／又は該基材の支持具を移動させる手段を備えること
を特徴とする。
ガン並びに該プラズマガン及び施釉された基材を夫々保
持する支持具から本質的に成り、そして該釉薬塗膜全体
にプラズマ炎を均一に適用するため、該ガンの支持具及
び／又は該基材の支持具を移動させる手段を備えること
を特徴とする。
例えば、複数個のプラズマガンを所定の間隔に配置して
固定し、該ガンの配列と実質的に垂直方向−〇− に該ガンから一定の距離を維持して、施釉された基材を
移動させる搬送機を備えた構成の装置が例示される。こ
の複数個のガンの代りに一個のプラズマガンを該搬送方
法と垂直方向に往復して移動させる態様も例示される。
固定し、該ガンの配列と実質的に垂直方向−〇− に該ガンから一定の距離を維持して、施釉された基材を
移動させる搬送機を備えた構成の装置が例示される。こ
の複数個のガンの代りに一個のプラズマガンを該搬送方
法と垂直方向に往復して移動させる態様も例示される。
更に上記の曲面状の釉薬塗膜を有する基材の場合は、該
曲面の変化に応じ、プラズマガンの位置を両者の間隔方
向に変化させることができる。なお、上記の各態様にお
ける各移動手段は、エレクトロニクスによって自動的に
制御することが可能である。これらの制御手段は、例え
ば、自動工作機械等の技術常識に基づき成し得るので、
エレクトロニクスによる制御に関する詳しい記述は省略
する。
曲面の変化に応じ、プラズマガンの位置を両者の間隔方
向に変化させることができる。なお、上記の各態様にお
ける各移動手段は、エレクトロニクスによって自動的に
制御することが可能である。これらの制御手段は、例え
ば、自動工作機械等の技術常識に基づき成し得るので、
エレクトロニクスによる制御に関する詳しい記述は省略
する。
作用
本発明は、これらの点を改善すべく、釉薬粒子のサスペ
ンションいわゆる釉泥漿をスプレー又は幕掛（プ等をす
ることによりセメント質基材」：に均１ −な釉薬塗膜
を形成し、その後安定した加熱が可能なプラズマ炎を用
いて該基材表面の該釉薬塗膜の加熱を短時間行なった。
ンションいわゆる釉泥漿をスプレー又は幕掛（プ等をす
ることによりセメント質基材」：に均１ −な釉薬塗膜
を形成し、その後安定した加熱が可能なプラズマ炎を用
いて該基材表面の該釉薬塗膜の加熱を短時間行なった。
プラズマ炎を本発明に用いた理由は、
■プラズマ炎によればガラス層の膜厚及び色のコントロ
ールが、普通の火炎による場合よりも良好であること、 ■セメント質基材の内部まで加熱づ−る必要がなく、該
基材表面にガラス層を形成すればよく短時間のプラズマ
炎加熱で釉薬塗膜が溶融しガラス層を形成すればよいか
らである。
ールが、普通の火炎による場合よりも良好であること、 ■セメント質基材の内部まで加熱づ−る必要がなく、該
基材表面にガラス層を形成すればよく短時間のプラズマ
炎加熱で釉薬塗膜が溶融しガラス層を形成すればよいか
らである。
その結果、今まで得ることが勤しかった均一な厚みで、
Ｈつピンホール、クラックがなく、Ｖｉ着強度に優れた
光沢のあるガラス層を得ることができる。
Ｈつピンホール、クラックがなく、Ｖｉ着強度に優れた
光沢のあるガラス層を得ることができる。
発明の詳しい記述
本発明でのセメント質基材とは、水硬性の無機セメント
月利を必須成分として含む成形物から成る基材を意味し
、該基材は、代表的には、実質的に平面状の施釉ずべき
表面を有するが、該表面は曲面状であってもよい。上記
の無機セメント材料には、例えば、ポルトランドセメン
ト、アルミナセメント、高炉セメント、ジェットセメン
ト、スラグセメント、石膏セメント等が含まれる。
月利を必須成分として含む成形物から成る基材を意味し
、該基材は、代表的には、実質的に平面状の施釉ずべき
表面を有するが、該表面は曲面状であってもよい。上記
の無機セメント材料には、例えば、ポルトランドセメン
ト、アルミナセメント、高炉セメント、ジェットセメン
ト、スラグセメント、石膏セメント等が含まれる。
本発明で使用するプラズマ炎とは、主として、窒素ガス
、アルゴンガス、ネオンガス等の不活性ガスを電離させ
て形成１゛る高温高速のプラズマジェットを意味する。
、アルゴンガス、ネオンガス等の不活性ガスを電離させ
て形成１゛る高温高速のプラズマジェットを意味する。
更に必要に応じて該不活性ガスに加えて水素又は空気等
も使用される。
も使用される。
釉ｉｌｉ塗膜に適用されるプラズマ炎のエネルギー範囲
は、特に限定されないが市販のプラズマガンが全て有利
に適用される。
は、特に限定されないが市販のプラズマガンが全て有利
に適用される。
プラズマ火炎の一瞬間における適用面積は、プラズマの
発生エネルギーによって変化するが、通常約直径１ｃｍ
から１００１１１の円形の面状で適用される。またプラ
ズマガンと釉薬塗膜との距離は、通常的５ＣＩ１１から
３ｑｃｍの間で主に釉薬の溶融温度によって変化する。
発生エネルギーによって変化するが、通常約直径１ｃｍ
から１００１１１の円形の面状で適用される。またプラ
ズマガンと釉薬塗膜との距離は、通常的５ＣＩ１１から
３ｑｃｍの間で主に釉薬の溶融温度によって変化する。
実施例１
釉薬粒子（青色エナメル粉末、商品名プライス社製Ｖ２
８０４）１００重量部、エチルアルコール５０重量部、
水１５０重量部を混合することによってサスペンション
とし、これをエアースプレ９− 一ガンを用いて垂直に保持したＪＩＳ規格の石綿セメン
ト基材（３００Ｘ ３００ ｘ ３ ｍｍ厚）上にスプ
レーした。ｍ軸間は、約９グラムである。気中に５分間
放置した。下記のプラズマガン〈メテコ社製タイプ＝ｅ
ＭＢ）を用いて該基Ｉ表面にプラズマ炎を横方向に４０
ｆｆｌ＋ｌｌ／秒の速疾で走査し、−回の走査毎に３ｃ
ｍずつ縦方向に下降しながら釉薬塗膜だけを溶融した。
８０４）１００重量部、エチルアルコール５０重量部、
水１５０重量部を混合することによってサスペンション
とし、これをエアースプレ９− 一ガンを用いて垂直に保持したＪＩＳ規格の石綿セメン
ト基材（３００Ｘ ３００ ｘ ３ ｍｍ厚）上にスプ
レーした。ｍ軸間は、約９グラムである。気中に５分間
放置した。下記のプラズマガン〈メテコ社製タイプ＝ｅ
ＭＢ）を用いて該基Ｉ表面にプラズマ炎を横方向に４０
ｆｆｌ＋ｌｌ／秒の速疾で走査し、−回の走査毎に３ｃ
ｍずつ縦方向に下降しながら釉薬塗膜だけを溶融した。
適用時間は、約２分を要した。
プラズマの発生条件は、４４０Ａ、７５、Ｎ２流伍：２
．８３ｍ３／時、１−１２流聞：０．５７ｍ３／時であ
り、又、プラズマガンと該基材との距−目１１７ｃｍで
ある。−１二記の一回の操作で約３０μｍの膜厚を有す
るガラス層が１ｑられた。必要に応じて、上記の操作を
同様に繰り返すことによって、所要の厚さの膜厚を有す
るガラス層が得られることを確認した。このガラス層は
光沢があり、ピンホール及びクラックが無く且つ密着性
の良いものであった。しかも該基材は損傷を受（プるこ
とばなかった。
．８３ｍ３／時、１−１２流聞：０．５７ｍ３／時であ
り、又、プラズマガンと該基材との距−目１１７ｃｍで
ある。−１二記の一回の操作で約３０μｍの膜厚を有す
るガラス層が１ｑられた。必要に応じて、上記の操作を
同様に繰り返すことによって、所要の厚さの膜厚を有す
るガラス層が得られることを確認した。このガラス層は
光沢があり、ピンホール及びクラックが無く且つ密着性
の良いものであった。しかも該基材は損傷を受（プるこ
とばなかった。
実施例２
１０−
実施例１の石綿セメント基板の代りにセメントコンクリ
ート基板（３００Ｘ３００Ｘ１０ｍｍ厚）を使用した。
ート基板（３００Ｘ３００Ｘ１０ｍｍ厚）を使用した。
他は実施例１と同様に実施した。
これによって、光沢のある密着性の良いガラス層が得ら
れた。しかもセメントコンクリートＭＵは、破壊するこ
とが無かった。
れた。しかもセメントコンクリートＭＵは、破壊するこ
とが無かった。
効果
■プラズマ炎を用いることにより、均一なガラス層を得
ることができる。その結果、セメント・質基材表面に不
要な応力が発生することなく、ピンホール、クラックが
発生せず、密着強電も向上する。
ることができる。その結果、セメント・質基材表面に不
要な応力が発生することなく、ピンホール、クラックが
発生せず、密着強電も向上する。
■ガラス層が均質になっているため、光沢ムラのないガ
ラス層が得られる。
ラス層が得られる。
■プラズマ炎を用いることにより、セメント質基材表面
の釉薬塗膜のみを溶融することが可能なので、熱に敏感
な基材（例えば耐熱性の低い材料１ｌ１１・ を含むセ
メント製品−ＧＲＣ板、石綿スレート板等）にも施釉が
可能となる。
の釉薬塗膜のみを溶融することが可能なので、熱に敏感
な基材（例えば耐熱性の低い材料１ｌ１１・ を含むセ
メント製品−ＧＲＣ板、石綿スレート板等）にも施釉が
可能となる。
上
■該基材の釉薬塗膜のみの加熱であり、基材全体を加熱
することが無いので省エネルギー効果も大きい。
することが無いので省エネルギー効果も大きい。
特許出願人
伊奈製陶株式会社
特許出願代理人
弁理士 青水 朗
弁理士 函館 和之
弁理士 古賀 性徴
弁理士 山口 昭之
弁理士 画用 雅也
Claims (1)
- １、セメント質基材上に釉薬を施し、該基材及び／又は
プラズマ発生装置を相対的に移動してプラズマ炎によっ
て釉薬ｆｊａ膜のみを溶融し、ガラス層をセメント質基
材に密着させたことを特徴とする施釉セメント質基材の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11811184A JPS60264377A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 施釉セメント質基材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11811184A JPS60264377A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 施釉セメント質基材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264377A true JPS60264377A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0422872B2 JPH0422872B2 (ja) | 1992-04-20 |
Family
ID=14728294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11811184A Granted JPS60264377A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 施釉セメント質基材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60264377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6395179A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-26 | 株式会社イナックス | セメント製品の施釉方法 |
| JPH0333083A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-13 | Inax Corp | セメント質材の照射施釉方法 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP11811184A patent/JPS60264377A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6395179A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-26 | 株式会社イナックス | セメント製品の施釉方法 |
| JPH0333083A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-13 | Inax Corp | セメント質材の照射施釉方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0422872B2 (ja) | 1992-04-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |