JPS60264029A - 螢光表示装置 - Google Patents
螢光表示装置Info
- Publication number
- JPS60264029A JPS60264029A JP11905984A JP11905984A JPS60264029A JP S60264029 A JPS60264029 A JP S60264029A JP 11905984 A JP11905984 A JP 11905984A JP 11905984 A JP11905984 A JP 11905984A JP S60264029 A JPS60264029 A JP S60264029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- film transistor
- phosphor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
- H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/15—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は螢光表示管内に薄膜トランジスタを組込んだ螢
光表示装置に関するものである。
光表示装置に関するものである。
近年、半導体製造技術の進歩に伴って表示デバイスの代
表的表ひとつである螢光表示管はドツト表示化、大容量
化が進み、ドツト表示による文字や図形等の画像情報を
表示するものまで作られ、各種電子機器分野に広く使用
きれている。しかし、大容量化が進むにつれ駆動回路が
複雑となシ、部品数も増えるため、最近、螢光表示管内
に薄膜トランジスタを駆動素子として組込むことによシ
、螢光表示管と駆動回路の一部を集積化した螢光表示装
置が研究開発されている。
表的表ひとつである螢光表示管はドツト表示化、大容量
化が進み、ドツト表示による文字や図形等の画像情報を
表示するものまで作られ、各種電子機器分野に広く使用
きれている。しかし、大容量化が進むにつれ駆動回路が
複雑となシ、部品数も増えるため、最近、螢光表示管内
に薄膜トランジスタを駆動素子として組込むことによシ
、螢光表示管と駆動回路の一部を集積化した螢光表示装
置が研究開発されている。
第１図は従来のこの種の螢光表示装置の基本構造を示す
一部切欠き断面図であり、１つのドツト表示を行う場合
を示す。同図において、１は真空容器の一部をなす絶縁
基板としてのガラス基板であシ、このガラス基板１上に
は、Ｃｒ、ｋｌ膜などのゲート電極２が選択的に形成さ
れるとともに、該ゲート電極２を含む全面にＳ ｊｏｇ
＋ Ｉ’Ｊ ｇｏａ 、 Ｓｉ ８Ｎ４膜などから六
るゲート絶縁層３が形成される。ま、ｆｃｌこのゲート
絶縁層３上のゲート電極２と対向する部分にはＣｄＳｅ
、 Ｔｅ 、アモルファス８！、多結晶Ｓ（膜々どの
半導体層４が選択的に形成され、さらに半導体層４上に
は前記ゲート電極２に相当する間隔をおいてＣｒ、Ａｌ
ｊＱなどからなるソースおよびドレイン電極５，６がオ
ーム接触きせて形成されていて、これらゲート電極２．
ゲート絶縁１’ｄ３．半導体層４．ソースおよびドレイ
ン雷、極５．６により薄膜トランジスタ１が構成されて
いる。
一部切欠き断面図であり、１つのドツト表示を行う場合
を示す。同図において、１は真空容器の一部をなす絶縁
基板としてのガラス基板であシ、このガラス基板１上に
は、Ｃｒ、ｋｌ膜などのゲート電極２が選択的に形成さ
れるとともに、該ゲート電極２を含む全面にＳ ｊｏｇ
＋ Ｉ’Ｊ ｇｏａ 、 Ｓｉ ８Ｎ４膜などから六
るゲート絶縁層３が形成される。ま、ｆｃｌこのゲート
絶縁層３上のゲート電極２と対向する部分にはＣｄＳｅ
、 Ｔｅ 、アモルファス８！、多結晶Ｓ（膜々どの
半導体層４が選択的に形成され、さらに半導体層４上に
は前記ゲート電極２に相当する間隔をおいてＣｒ、Ａｌ
ｊＱなどからなるソースおよびドレイン電極５，６がオ
ーム接触きせて形成されていて、これらゲート電極２．
ゲート絶縁１’ｄ３．半導体層４．ソースおよびドレイ
ン雷、極５．６により薄膜トランジスタ１が構成されて
いる。
なお、この薄膜トランジスタ素子は、通常の半導体製造
技術を用いてマトリクス状に配列して形成されており、
前記ソースおよびドレイン電極５゜６のうち一方のドレ
イン電極６は後述する螢光表示素子の陽極層を形成すべ
くパターンを有している。
技術を用いてマトリクス状に配列して形成されており、
前記ソースおよびドレイン電極５゜６のうち一方のドレ
イン電極６は後述する螢光表示素子の陽極層を形成すべ
くパターンを有している。
一方、上記薄膜トランジスタ７が形成されたガラス基板
１上のドレイン電極６の表面には螢光体の塗布が容易で
かつその螢光面よ多発生するガスの少ないＡＪなどの電
極材料からなる陽極層１０がドツト状のパターンを有し
て形成され、この陽極層１０上に螢光体層１１が塗布さ
れている。そして、この螢光体層１１を含むガラス基板
１上の空間には該螢光体層１１と所定の間隔を有してメ
ツシュ状のグリッド電極１２が配置されるとともに１該
グリツド電極１２の上方には市子放出用カソード１３が
図示しないサポートで支持されて張設されていて、これ
ら陽極層１０．螢光体層１１、グリッド電極１２および
カソード１３により螢光表示素子１４が構成されている
。なお、第１図中、１５はガラス基板１上に封着された
外囲器としてのフェイスガラスでアシ、これらガラス基
板１とフェイスガラス１５によって真空容器を形成して
いる。
１上のドレイン電極６の表面には螢光体の塗布が容易で
かつその螢光面よ多発生するガスの少ないＡＪなどの電
極材料からなる陽極層１０がドツト状のパターンを有し
て形成され、この陽極層１０上に螢光体層１１が塗布さ
れている。そして、この螢光体層１１を含むガラス基板
１上の空間には該螢光体層１１と所定の間隔を有してメ
ツシュ状のグリッド電極１２が配置されるとともに１該
グリツド電極１２の上方には市子放出用カソード１３が
図示しないサポートで支持されて張設されていて、これ
ら陽極層１０．螢光体層１１、グリッド電極１２および
カソード１３により螢光表示素子１４が構成されている
。なお、第１図中、１５はガラス基板１上に封着された
外囲器としてのフェイスガラスでアシ、これらガラス基
板１とフェイスガラス１５によって真空容器を形成して
いる。
このように構成された螢光表示装置は、螢光表示素子１
４の陽極層１０上の螢光体層１１を表示すべき画像情報
の単位画素とし、薄膜トランジスタ７をオンすることに
よシ、カソード１３から放出される電子が、グリッド電
極１２で制御されオン時にある薄膜トランジスタ７を経
て所定電位が印加される陽極ｊ−１０に衝突すると、そ
の陽極層１０上に塗布しである螢光体層１１が刺激発光
してドツト怒示を行い、このドソ）９示の縄合わせによ
シ文字１図形などの任意の画像情報の表示を行うことが
できる。
４の陽極層１０上の螢光体層１１を表示すべき画像情報
の単位画素とし、薄膜トランジスタ７をオンすることに
よシ、カソード１３から放出される電子が、グリッド電
極１２で制御されオン時にある薄膜トランジスタ７を経
て所定電位が印加される陽極ｊ−１０に衝突すると、そ
の陽極層１０上に塗布しである螢光体層１１が刺激発光
してドツト怒示を行い、このドソ）９示の縄合わせによ
シ文字１図形などの任意の画像情報の表示を行うことが
できる。
しかしながら、栄、１図に示した従来の螢光表示装置は
、ガラス基板１上に形成された薄膜トランジスタ７が焼
出はれているため、螢光表示素子１４の製造工程におい
て薄膜トランジスタの表面が螢光体塗布時の溶剤やグリ
ッド電極１２．カソード１３などの組立時の空気、窒素
雰囲気中にさらされることになる。そのため、薄膜トラ
ンジスタ７の半導体？、ソースおよびドレイン電極５，
６の変質や酸化等が生じたシ、まだ駆動時にカソード１
３からの電子衝撃によシ半導体層４の特性が劣化するな
どの影響を受けるという問題がめった。
、ガラス基板１上に形成された薄膜トランジスタ７が焼
出はれているため、螢光表示素子１４の製造工程におい
て薄膜トランジスタの表面が螢光体塗布時の溶剤やグリ
ッド電極１２．カソード１３などの組立時の空気、窒素
雰囲気中にさらされることになる。そのため、薄膜トラ
ンジスタ７の半導体？、ソースおよびドレイン電極５，
６の変質や酸化等が生じたシ、まだ駆動時にカソード１
３からの電子衝撃によシ半導体層４の特性が劣化するな
どの影響を受けるという問題がめった。
本発明はこのような欠点を解決すべくなされたもので、
その目的は、真空容器の一部をなア絶縁基板上に形成さ
れる薄膜トランジスタの表面に絶縁物からなるオーバコ
ート層を被覆することによ）、該薄膜トランジスタの半
導体層、電極の螢光表示素子製造工程における変質、酸
化等を防止し、しかも駆動時におけるカソードからの電
子の影響をなくした螢光表示装置を提供することにある
。
その目的は、真空容器の一部をなア絶縁基板上に形成さ
れる薄膜トランジスタの表面に絶縁物からなるオーバコ
ート層を被覆することによ）、該薄膜トランジスタの半
導体層、電極の螢光表示素子製造工程における変質、酸
化等を防止し、しかも駆動時におけるカソードからの電
子の影響をなくした螢光表示装置を提供することにある
。
このような目的を達成するために、本発明は、真空容器
の一部をなす絶縁基板上にゲート電極。
の一部をなす絶縁基板上にゲート電極。
ゲート絶縁層、半導体層を順次積層して形成するととも
に、該半導体層上にソース、ドレイン電極をオーム接触
させて形成し、かつこれら半導体層およびソース、ドレ
イン電極面上に絶縁物からなるオーバコート層を被覆し
て構成された薄膜トランジスタと、前記オーバコート層
上に前記薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極の一
方とスルーホール部を通して電気的に接続される陽極層
を形成し、かつこの陽極層上に螢光体層を塗布して該螢
光体層上の空間にそれぞれグリッド電極および電子放出
用カソードを配設して形成された螢光表示素子とを具備
し、前記薄膜トランジスタのオン時に、前記カソードよ
りの電子をグリッド電極で制御して陽極層面上に衝突さ
せることによ）、該陽極層に塗布しである螢光体層を刺
激発光させて表示を行うようにしたものである。以下、
本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。
に、該半導体層上にソース、ドレイン電極をオーム接触
させて形成し、かつこれら半導体層およびソース、ドレ
イン電極面上に絶縁物からなるオーバコート層を被覆し
て構成された薄膜トランジスタと、前記オーバコート層
上に前記薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極の一
方とスルーホール部を通して電気的に接続される陽極層
を形成し、かつこの陽極層上に螢光体層を塗布して該螢
光体層上の空間にそれぞれグリッド電極および電子放出
用カソードを配設して形成された螢光表示素子とを具備
し、前記薄膜トランジスタのオン時に、前記カソードよ
りの電子をグリッド電極で制御して陽極層面上に衝突さ
せることによ）、該陽極層に塗布しである螢光体層を刺
激発光させて表示を行うようにしたものである。以下、
本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例による螢光表示装置の基本（
ｔ〜造を示す断面図であシ、同図において第１図と同一
または相当部分は同一符号を付しである。この実施例の
螢光表示装置は、ガラス基板１上にゲート電極２．ゲー
ト絶縁層３．半導体層４を順次積層して形成し、この半
導体層４上にソースおよびドレイン電極５，６を形成し
て薄膜トランジスタ７が構成されている点は上記した第
１図の従来のものと同様であるが、前記薄膜トランジス
タ７の半導体層４．ソースおよびドレイン電極５．６上
の表面にこれらを被覆するように、５ｉＯｚ。
ｔ〜造を示す断面図であシ、同図において第１図と同一
または相当部分は同一符号を付しである。この実施例の
螢光表示装置は、ガラス基板１上にゲート電極２．ゲー
ト絶縁層３．半導体層４を順次積層して形成し、この半
導体層４上にソースおよびドレイン電極５，６を形成し
て薄膜トランジスタ７が構成されている点は上記した第
１図の従来のものと同様であるが、前記薄膜トランジス
タ７の半導体層４．ソースおよびドレイン電極５．６上
の表面にこれらを被覆するように、５ｉＯｚ。
ＡＪ！ ２０８ 、 Ｓ ｉ ８Ｎ４およびポリイミド
系の樹脂等の絶縁物からなるオーバコート層８を形成し
、このオーバコート層８上に、前記ドレイン電極６とス
ルーホール部９を通して電気的に接続される陽極層１０
を形成する。そして、該陽極層１０上に従来と同様の螢
光体層１１を塗布し、この螢光体層１１上の空間にそれ
ぞれグリッド電極１２および箪子放出用カソード１３を
配置して螢光表示素子１４が構成されている。
系の樹脂等の絶縁物からなるオーバコート層８を形成し
、このオーバコート層８上に、前記ドレイン電極６とス
ルーホール部９を通して電気的に接続される陽極層１０
を形成する。そして、該陽極層１０上に従来と同様の螢
光体層１１を塗布し、この螢光体層１１上の空間にそれ
ぞれグリッド電極１２および箪子放出用カソード１３を
配置して螢光表示素子１４が構成されている。
このように、薄膜トランジスタ７の半導体層４、ソース
およびドレイン電極５，６上に絶縁物からなるオーバコ
ート層８を形成することにより、螢光表示素子１４の製
造工程にて前記半導体層４、ソースおよびドレイン電極
５．６が螢光体塗布時の溶剤やグリッド電極１２．カソ
ード電極１３などの組立時の空気、窒素雰囲気中にさら
されることなく、また、螢光表示素子１４の駆動時にカ
ソード１３からの電子衝撃の影響がなくなるため、薄氷
ごトランジスタ７の特性劣化がなくなシ、シたがって、
良好な薄膜トランジスタ特性を有する螢光表示装置の製
造が可能になる。
およびドレイン電極５，６上に絶縁物からなるオーバコ
ート層８を形成することにより、螢光表示素子１４の製
造工程にて前記半導体層４、ソースおよびドレイン電極
５．６が螢光体塗布時の溶剤やグリッド電極１２．カソ
ード電極１３などの組立時の空気、窒素雰囲気中にさら
されることなく、また、螢光表示素子１４の駆動時にカ
ソード１３からの電子衝撃の影響がなくなるため、薄氷
ごトランジスタ７の特性劣化がなくなシ、シたがって、
良好な薄膜トランジスタ特性を有する螢光表示装置の製
造が可能になる。
以上説明したように、本発明の螢光表示装置によれば、
薄膜トランジスタの半導体層、電極の螢光表示素子製造
工程における変質や酸化等を防止することがでさるとと
もに、駆動時のカソードからの電子衝撃の影響をなくす
ことができるので、薄膜トランジスタの特性を向上させ
ることができる効果がある。
薄膜トランジスタの半導体層、電極の螢光表示素子製造
工程における変質や酸化等を防止することがでさるとと
もに、駆動時のカソードからの電子衝撃の影響をなくす
ことができるので、薄膜トランジスタの特性を向上させ
ることができる効果がある。
第１図は従来例による螢光表示装置の基本構造を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例による螢光表示装置の
基本構造を示す断面図である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・ゲート絶縁層、３・
・・・ゲート絶縁層、４・・拳・半導体層、５・・・優
ソース電極、６＠・・・ドレイン−極、７−・・・薄膜
トランジスタ、８・・ｅ・オーバコート層、９・・Φ・
スルーホール部、１０１１・−−陽極層、１１・・・・
螢光体層、１２・・・罎グリッド電極、１３・・・・カ
ソード、１４・龜・・螢光表示素子、１５・・・・フェ
イスガラス。 特許出願人 伊勢電子工業株式会社 第１図 １ち 第２図 智
面図、第２図は本発明の一実施例による螢光表示装置の
基本構造を示す断面図である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・ゲート絶縁層、３・
・・・ゲート絶縁層、４・・拳・半導体層、５・・・優
ソース電極、６＠・・・ドレイン−極、７−・・・薄膜
トランジスタ、８・・ｅ・オーバコート層、９・・Φ・
スルーホール部、１０１１・−−陽極層、１１・・・・
螢光体層、１２・・・罎グリッド電極、１３・・・・カ
ソード、１４・龜・・螢光表示素子、１５・・・・フェ
イスガラス。 特許出願人 伊勢電子工業株式会社 第１図 １ち 第２図 智
Claims (1)
- 真空容器の一部をなす絶縁基板上にゲート電極、ゲート
絶縁層、半導体層を順次積層して形成するとともに、該
半導体層上にソース、ドレイン電極をオーム接触きせて
形成し、かつこれら半導体層およびソース、ドレイン電
極面上に絶縁物からなるオーバコート層を被覆して構成
された薄膜トランジスタと、前記オーバコート層上に前
記薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極の一部トス
ルーホール部を通して電気的に接続される陽極層を形成
し、かつこの陽極層上に螢光体層を塗布して該螢光体層
上の空間にそれぞれグリッド電極および電子放出用カソ
ードを配設して形成された螢光表示素子とを具備したこ
とを特徴とする螢光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905984A JPS60264029A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 螢光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905984A JPS60264029A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 螢光表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264029A true JPS60264029A (ja) | 1985-12-27 |
Family
ID=14751883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11905984A Pending JPS60264029A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 螢光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60264029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345250A2 (en) * | 2000-11-24 | 2003-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP11905984A patent/JPS60264029A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345250A2 (en) * | 2000-11-24 | 2003-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display |
| EP1345250A4 (en) * | 2000-11-24 | 2007-07-25 | Toshiba Kk | DISPLAY |
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