JPS6025840B2 - サンプルホ−ルド回路 - Google Patents
サンプルホ−ルド回路Info
- Publication number
- JPS6025840B2 JPS6025840B2 JP53021731A JP2173178A JPS6025840B2 JP S6025840 B2 JPS6025840 B2 JP S6025840B2 JP 53021731 A JP53021731 A JP 53021731A JP 2173178 A JP2173178 A JP 2173178A JP S6025840 B2 JPS6025840 B2 JP S6025840B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode bridge
- sampling
- capacitor
- diodes
- conductive
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 43
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速入力信号の瞬時値を信号蓄積手段に蓄積す
る様にしたサンプルホールド回路に関する。
る様にしたサンプルホールド回路に関する。
従来高周波入力信号を増幅して陰極線管の管面に表示し
たり、アナログ・デジタル変換器(以下AD変換器とい
う)に加えてデジタル信号に変換し、このデジタル信号
を記憶手段に記憶するか又はデジタル電子計算機で演算
処理することが行われている。
たり、アナログ・デジタル変換器(以下AD変換器とい
う)に加えてデジタル信号に変換し、このデジタル信号
を記憶手段に記憶するか又はデジタル電子計算機で演算
処理することが行われている。
その場合には、一般に高周波入力信号の瞬時値を取出し
て(サンプリング)、このサンプル電圧を利用回路が処
理するに要する所定時間保持(ホールド)するためサン
プリングホールド回路を使用している。従来斯るサンプ
ルホールド回路の一例として第1図に示す如きものが提
案されている。
て(サンプリング)、このサンプル電圧を利用回路が処
理するに要する所定時間保持(ホールド)するためサン
プリングホールド回路を使用している。従来斯るサンプ
ルホールド回路の一例として第1図に示す如きものが提
案されている。
即ち第1図に於いては入力端IN‘こ加えた入力信号は
ダイオードD.,○2,D3及びD4より成るダイオー
ドブリッジにより構成したサンプリングゲートBを介し
、このサンプリングゲートがオンの期間中、出力端と基
準電位源(例えば接地)との間に接続した信号蓄積手段
郎ちコンデンサCHを充電し、この充電電位、即ちサン
プル電圧は緩衝増幅器Aを経て出力端子OUTから利用
回路(図示せず)に供給される。このサンプリングゲー
トBのオンオフ制御は電流源lo,lsのオンオフによ
り行う。このサンプリングゲートBをオンとし入力信号
をサンプルするには、電流源loをオン、電流源lsを
オフとする。この期間(サンプル期間)は数ナノ秒(1
0‐竿少)乃至数10ナノ秒であり、この期間に対応す
る入力信号の瞬時電圧にコンデンサCHを充電する。次
に電流源loをオフ、電流源lsをオンとすると電流源
13よりの電流はダイオードD5一○6を流れて、それ
らの両端に夫々約0.6ボルトの電圧降下を生じサンプ
リングゲートBは逆バイアスされてオフとなり、コンデ
ンサCHはサンプル電圧を保持する。なお、ダイオード
は及びD6の共通接続点は緩衝増幅器Aの出力端に接続
されているので、これらダイオードD5及びD6の共通
接続点の電位はコンデンサCHの電位と同じである。よ
って、サンプリングゲートBがオン及びオフに変化して
も、制御端a,及びbの電位は対称に変化するので、サ
ンプリングゲートBが入力信号に与える歪の影響は非常
に4・さし、。次にサンプリングゲートBがオンとなる
と、コンデンサC日はその時点の瞬時電圧に充電され、
以後同様にサンプリング及びホールド動作を繰返す。斯
る第1図に示す如きサンプルホールド回路に於いて入力
端子IN‘こ供給される入力信号電圧がコンデンサCH
両端のサンプル電圧より土0.6ボルト即ちダイオード
Ds,D6の電圧降下以上に変化すると、サンプリング
ゲートBのダイオードD,,D2又はダイオ−ドD3,
D4がオンとなり、サンプル電圧が変化してしまうので
、動作可能な入力信号範囲が制限されていた。
ダイオードD.,○2,D3及びD4より成るダイオー
ドブリッジにより構成したサンプリングゲートBを介し
、このサンプリングゲートがオンの期間中、出力端と基
準電位源(例えば接地)との間に接続した信号蓄積手段
郎ちコンデンサCHを充電し、この充電電位、即ちサン
プル電圧は緩衝増幅器Aを経て出力端子OUTから利用
回路(図示せず)に供給される。このサンプリングゲー
トBのオンオフ制御は電流源lo,lsのオンオフによ
り行う。このサンプリングゲートBをオンとし入力信号
をサンプルするには、電流源loをオン、電流源lsを
オフとする。この期間(サンプル期間)は数ナノ秒(1
0‐竿少)乃至数10ナノ秒であり、この期間に対応す
る入力信号の瞬時電圧にコンデンサCHを充電する。次
に電流源loをオフ、電流源lsをオンとすると電流源
13よりの電流はダイオードD5一○6を流れて、それ
らの両端に夫々約0.6ボルトの電圧降下を生じサンプ
リングゲートBは逆バイアスされてオフとなり、コンデ
ンサCHはサンプル電圧を保持する。なお、ダイオード
は及びD6の共通接続点は緩衝増幅器Aの出力端に接続
されているので、これらダイオードD5及びD6の共通
接続点の電位はコンデンサCHの電位と同じである。よ
って、サンプリングゲートBがオン及びオフに変化して
も、制御端a,及びbの電位は対称に変化するので、サ
ンプリングゲートBが入力信号に与える歪の影響は非常
に4・さし、。次にサンプリングゲートBがオンとなる
と、コンデンサC日はその時点の瞬時電圧に充電され、
以後同様にサンプリング及びホールド動作を繰返す。斯
る第1図に示す如きサンプルホールド回路に於いて入力
端子IN‘こ供給される入力信号電圧がコンデンサCH
両端のサンプル電圧より土0.6ボルト即ちダイオード
Ds,D6の電圧降下以上に変化すると、サンプリング
ゲートBのダイオードD,,D2又はダイオ−ドD3,
D4がオンとなり、サンプル電圧が変化してしまうので
、動作可能な入力信号範囲が制限されていた。
またダイオードD,,D2,D3,D4が完全にオフで
あっても之等ダ・ィオードD1,D2,D3,D4の静
電容量Csにより、サンプリング期間以外の入力信号が
コンデンサC一に漏洩(フィードスルー)してサンプル
電圧が変化する(この漏洩の大きさは容量Csとコンデ
ンサCHの夫々の容量の比で決まり容量Csが大きい程
漏洩が増加する)欠点があった。又入力信号範囲を拡大
するにはダイオードD5,D6に直列に複数のダイオー
ド、ッェナーダィオードまたは抵抗器を接続することが
考えられる。しかしこの場合にはサンプリングゲ−トB
がオフの時のab点間のインピーダンスが増大するため
に信号漏洩が増大する欠点がある。このような欠点を改
善した従来のサンプルホ−ルド回路として第2図に示す
如き回路が提案されている。
あっても之等ダ・ィオードD1,D2,D3,D4の静
電容量Csにより、サンプリング期間以外の入力信号が
コンデンサC一に漏洩(フィードスルー)してサンプル
電圧が変化する(この漏洩の大きさは容量Csとコンデ
ンサCHの夫々の容量の比で決まり容量Csが大きい程
漏洩が増加する)欠点があった。又入力信号範囲を拡大
するにはダイオードD5,D6に直列に複数のダイオー
ド、ッェナーダィオードまたは抵抗器を接続することが
考えられる。しかしこの場合にはサンプリングゲ−トB
がオフの時のab点間のインピーダンスが増大するため
に信号漏洩が増大する欠点がある。このような欠点を改
善した従来のサンプルホ−ルド回路として第2図に示す
如き回路が提案されている。
この第2図に於いては入力端INと信号蓄積手段即ちコ
ンデンサCHとの間に夫々4個のダイオードのブリッジ
より構成した2個のサンプリングゲートS,,S2を直
列接続し、この両サンプリングゲートS,,S2を、制
御手段CONTにより同時にオン・オフ制御する。コン
デンサCHの両端電圧を緩衝増幅器Aを介して出力端O
UTから利用回路(図示せず)に供給する如くする。又
必要に応じて後述の目的で両サンプリングゲートS,,
S2の接続点(c点)と基準電位源(大地)との間に付
加コンデンサC^を設ける。サンプリングゲートS,,
S2をオフとするように制御手段CONTが制御出力を
発生している期間中則ちホールド期間中コンデンサCH
は前回のサンプル期間中のサンプル電圧をホールドして
いる。次のサンプル期間迄のホールド期間中に仮え入力
端INの入力信号が大幅に変化してもサンプリングゲー
トS,がオフであるので、サンプリングゲートS2がオ
ンとなることはない。また信号の漏洩も夫々のサンプリ
ングゲートS,及びS2のダィオ−ド‘こ依る静電容量
Csが直列となり信号路と直列の合成容量成分が減少す
るので、大幅に軽減できる。更に付加コンデンサC^が
あれば、信号漏洩はサンプリングゲ−トS,の容量Cs
とコンデンサC^とにより大幅に減少した後、更にサン
プリングゲートS2の容量C3とコンデンサCHとによ
り減少するので、殆んど零になる。例えばこのコンデン
サCHを3皿F、コンデンサC^をlOPFとする。サ
ンプル期間になると制御手段CONTが両サンプリング
ゲートS,,S2を同時にオンとする制御出力を発生す
るので、コンデンサCH(及びコンデンサC^)をサン
プル時点における入力信号の瞬時値(新しいサンプル電
圧)に充電する。
ンデンサCHとの間に夫々4個のダイオードのブリッジ
より構成した2個のサンプリングゲートS,,S2を直
列接続し、この両サンプリングゲートS,,S2を、制
御手段CONTにより同時にオン・オフ制御する。コン
デンサCHの両端電圧を緩衝増幅器Aを介して出力端O
UTから利用回路(図示せず)に供給する如くする。又
必要に応じて後述の目的で両サンプリングゲートS,,
S2の接続点(c点)と基準電位源(大地)との間に付
加コンデンサC^を設ける。サンプリングゲートS,,
S2をオフとするように制御手段CONTが制御出力を
発生している期間中則ちホールド期間中コンデンサCH
は前回のサンプル期間中のサンプル電圧をホールドして
いる。次のサンプル期間迄のホールド期間中に仮え入力
端INの入力信号が大幅に変化してもサンプリングゲー
トS,がオフであるので、サンプリングゲートS2がオ
ンとなることはない。また信号の漏洩も夫々のサンプリ
ングゲートS,及びS2のダィオ−ド‘こ依る静電容量
Csが直列となり信号路と直列の合成容量成分が減少す
るので、大幅に軽減できる。更に付加コンデンサC^が
あれば、信号漏洩はサンプリングゲ−トS,の容量Cs
とコンデンサC^とにより大幅に減少した後、更にサン
プリングゲートS2の容量C3とコンデンサCHとによ
り減少するので、殆んど零になる。例えばこのコンデン
サCHを3皿F、コンデンサC^をlOPFとする。サ
ンプル期間になると制御手段CONTが両サンプリング
ゲートS,,S2を同時にオンとする制御出力を発生す
るので、コンデンサCH(及びコンデンサC^)をサン
プル時点における入力信号の瞬時値(新しいサンプル電
圧)に充電する。
このオン期間とコンデンサCH(及びコンデンサC^)
の充電回路の時定数は入力信号に応じて適切に選択する
が、この時定数は例えば約2仇Sである。このサンプル
期間中にコンデンサCH(及びコンデンサC^)は充分
に入力信号の瞬時電圧に充電されるよう入力信号源の内
部抵抗は充分低いものとする。このサンプリングゲート
S,,S2をオンとするストローフパルスは例えばスナ
ップオフターーィオード等を含む、或はその他所望の高
速論理回路等の従来回路で発生する。これによりコンデ
ンサC日は新しいサンプルを得て、これをホールドする
。以下この動作を繰返す。しかし、この第2図の回路に
おいて、サンプリングゲートS,及びS2が単なるダイ
オードブリッジの場合、各ダイオードブリッジの制御端
の電位が対称に変化せず、サンプルした鰭圧に歪が生じ
る。
の充電回路の時定数は入力信号に応じて適切に選択する
が、この時定数は例えば約2仇Sである。このサンプル
期間中にコンデンサCH(及びコンデンサC^)は充分
に入力信号の瞬時電圧に充電されるよう入力信号源の内
部抵抗は充分低いものとする。このサンプリングゲート
S,,S2をオンとするストローフパルスは例えばスナ
ップオフターーィオード等を含む、或はその他所望の高
速論理回路等の従来回路で発生する。これによりコンデ
ンサC日は新しいサンプルを得て、これをホールドする
。以下この動作を繰返す。しかし、この第2図の回路に
おいて、サンプリングゲートS,及びS2が単なるダイ
オードブリッジの場合、各ダイオードブリッジの制御端
の電位が対称に変化せず、サンプルした鰭圧に歪が生じ
る。
また、サンプリングゲートS,及びS2を第1図に示す
ダイオードブリッジとした場合、上述の理由でサンプリ
ングゲートS,のオフ状態がまず不確実となり、サンプ
リングゲートS,のオフ状態が大振幅入力信号によりオ
ンに変化するとサンプリングゲートS2を同様にオンに
なってしまう。よって、動作可能な入力信号の範囲が制
御されてしまう。更にダイオードブリッジのオン及びオ
フを制御する電流源の制御方法によっても、各ダイオー
ドブリッジの第1及び第2制御端の電位が対称に変化せ
ず、歪の原因となる。本発明は上述の従来技術の欠点に
鑑み、広い入力信号範囲が得られ、信号漏洩が小さいと
共に、信号歪の少ない新規な高速サンプルホールド回路
を提案せんとするものである。次に第3図を参照して本
発明の好適な一実施例を説明するが、この第3図に於い
て第1及び第2図に対応する部分には同一参照符号を付
し、その詳細説明は省略する。
ダイオードブリッジとした場合、上述の理由でサンプリ
ングゲートS,のオフ状態がまず不確実となり、サンプ
リングゲートS,のオフ状態が大振幅入力信号によりオ
ンに変化するとサンプリングゲートS2を同様にオンに
なってしまう。よって、動作可能な入力信号の範囲が制
御されてしまう。更にダイオードブリッジのオン及びオ
フを制御する電流源の制御方法によっても、各ダイオー
ドブリッジの第1及び第2制御端の電位が対称に変化せ
ず、歪の原因となる。本発明は上述の従来技術の欠点に
鑑み、広い入力信号範囲が得られ、信号漏洩が小さいと
共に、信号歪の少ない新規な高速サンプルホールド回路
を提案せんとするものである。次に第3図を参照して本
発明の好適な一実施例を説明するが、この第3図に於い
て第1及び第2図に対応する部分には同一参照符号を付
し、その詳細説明は省略する。
第3図においては、制御手段CONTは電流源1,.1
2と、これら電流源1,,12の電流路を制御する各4
個の電子スイッチであるpnp形トランジスタQ,,Q
2,Q3,Q4及びnpn形トランジスタ法,Q6,Q
7,Q8を含んでいる。トランジスタQ.,Q2・・・
・・・Qのオンオフ制御則ちサンプリングゲートS,,
S2のサンプル或いはホールド動作は制御端子T,,T
2,L,T4に制御信号を加えることにより行う。ホー
ルド期間中制御端子T,,T3の制御信号は「高一レベ
ルであり、L,Lは「低一レベルである。よってトラン
ジスタQ2,Q4,Q5及びQ7がオンであり、サンプ
リングゲートS,にはバイアス電流が流れないのでこの
サンプリングゲートS,はオフ、また電流源1,,12
よりの電流はトランジスタQ−ダイオードD6−ダイオ
ードD5−トランジスタQ7を流れるので、ダイオード
D6,D5の電圧降下によりサンプリングゲートS2の
各ダイオードをオフとする。一方、サンプル期間中には
制御端子T,,T2,T3,T4には夫々図示のとおり
の制御パルスが加わり各制御端子T,,L,T3,T4
の制御信号レベルは上述のホールド期間中と逆になる。
よってトランジスタQ,,Q3,Q6,Q8がオンとな
り、サンプリングゲートS,の各ダイオードを順バイア
スとしてサンプリングゲートS,をオンとなし、また同
様にサンプリングゲ−トS2もオンとする。そこで上述
したサンプリング動作を行う。尚、各トランジスタQ,
,Q〆…Q8のェミッタには例えば150程度の微小抵
抗器を挿入しているが、これら抵抗器の作用は1,,1
2の電流源の電流を正確な比率で分流するためのもので
あり、夫々等しくても、或は必要に応じて所定比率に選
択してもよい。
2と、これら電流源1,,12の電流路を制御する各4
個の電子スイッチであるpnp形トランジスタQ,,Q
2,Q3,Q4及びnpn形トランジスタ法,Q6,Q
7,Q8を含んでいる。トランジスタQ.,Q2・・・
・・・Qのオンオフ制御則ちサンプリングゲートS,,
S2のサンプル或いはホールド動作は制御端子T,,T
2,L,T4に制御信号を加えることにより行う。ホー
ルド期間中制御端子T,,T3の制御信号は「高一レベ
ルであり、L,Lは「低一レベルである。よってトラン
ジスタQ2,Q4,Q5及びQ7がオンであり、サンプ
リングゲートS,にはバイアス電流が流れないのでこの
サンプリングゲートS,はオフ、また電流源1,,12
よりの電流はトランジスタQ−ダイオードD6−ダイオ
ードD5−トランジスタQ7を流れるので、ダイオード
D6,D5の電圧降下によりサンプリングゲートS2の
各ダイオードをオフとする。一方、サンプル期間中には
制御端子T,,T2,T3,T4には夫々図示のとおり
の制御パルスが加わり各制御端子T,,L,T3,T4
の制御信号レベルは上述のホールド期間中と逆になる。
よってトランジスタQ,,Q3,Q6,Q8がオンとな
り、サンプリングゲートS,の各ダイオードを順バイア
スとしてサンプリングゲートS,をオンとなし、また同
様にサンプリングゲ−トS2もオンとする。そこで上述
したサンプリング動作を行う。尚、各トランジスタQ,
,Q〆…Q8のェミッタには例えば150程度の微小抵
抗器を挿入しているが、これら抵抗器の作用は1,,1
2の電流源の電流を正確な比率で分流するためのもので
あり、夫々等しくても、或は必要に応じて所定比率に選
択してもよい。
またトランジスタQ,,Q2,Q3,Q、トランジスタ
Q,Q6,Q7,Q8を夫々例えばモノリシックICで
形成するか夫々特性の均一なトランジスタを使用する場
合にはェミッタ抵抗を除去し得る。またサンプリングゲ
ートS,及びS2用に夫々別個の電流源(合計4個)を
使用するも可能であるが、第3図の実施例のように構成
するのが経済的である。電流損包,,12は相互に同じ
大きさでなければならず、必要に応じて調整手段を設け
ている。上述の如く本発明によれば次の効果が得られる
。
Q,Q6,Q7,Q8を夫々例えばモノリシックICで
形成するか夫々特性の均一なトランジスタを使用する場
合にはェミッタ抵抗を除去し得る。またサンプリングゲ
ートS,及びS2用に夫々別個の電流源(合計4個)を
使用するも可能であるが、第3図の実施例のように構成
するのが経済的である。電流損包,,12は相互に同じ
大きさでなければならず、必要に応じて調整手段を設け
ている。上述の如く本発明によれば次の効果が得られる
。
‘1} 2個のダイオードブリッジS.及びS2を直列
接続しているので、ダイオードブリッジの各ダイオード
の静電容量による入力信号の漏洩が少ない。
接続しているので、ダイオードブリッジの各ダイオード
の静電容量による入力信号の漏洩が少ない。
【2)各ダイオードブリッジの各制御端と電流源との間
に電子スイッチを挿入してあるので、電流源からの電流
をダイオードブリッジの制御端に供給するかしないかに
関係なく、ダイオードブリッジの制御端は確実にフロー
ティング状態になる。
に電子スイッチを挿入してあるので、電流源からの電流
をダイオードブリッジの制御端に供給するかしないかに
関係なく、ダイオードブリッジの制御端は確実にフロー
ティング状態になる。
よって、ダイオードブリッジによる信号歪が減る。湖
第1ダイオードブリッジS,は単なるダィオードプ1」
ツジなので、オフの際入力信号の振幅に関係なく確実に
オフである。
第1ダイオードブリッジS,は単なるダィオードプ1」
ツジなので、オフの際入力信号の振幅に関係なく確実に
オフである。
よって、入力信号範囲が広がる。‘4} 第2ダイオー
ドブリッジS2の両制御端間には第1及び第2ダイオー
ドの直列回路が接続され、第1及び第2ダイオードの共
通接続点は緩衝増幅器の出力端に接続されているので、
このダイオードブリッジの両制御端の電位が対称に変化
し、信号歪が更に少なくなる。
ドブリッジS2の両制御端間には第1及び第2ダイオー
ドの直列回路が接続され、第1及び第2ダイオードの共
通接続点は緩衝増幅器の出力端に接続されているので、
このダイオードブリッジの両制御端の電位が対称に変化
し、信号歪が更に少なくなる。
なお、第2ダイオードブリッジS2のオフ状態は大振幅
信号によりオンに変化させられるが、第1ダイオードブ
リッジS,のオフが確実なので問題がない。尚上述実施
例に於いてはサンプリングゲートを2個直列接続した例
につき述べたが、このサンプリングゲートを3個以上直
列接続する様にしても上述同様の作用効果があることは
容易に理解できよう。更に、夫々異なる入力信号源に接
続した複数のゲートをS,と並列接続し、任意のものを
手動又は自動選択してS2と同時にオン・オフ制御し、
異なる入力信号をサンプルホールドするも可である。
信号によりオンに変化させられるが、第1ダイオードブ
リッジS,のオフが確実なので問題がない。尚上述実施
例に於いてはサンプリングゲートを2個直列接続した例
につき述べたが、このサンプリングゲートを3個以上直
列接続する様にしても上述同様の作用効果があることは
容易に理解できよう。更に、夫々異なる入力信号源に接
続した複数のゲートをS,と並列接続し、任意のものを
手動又は自動選択してS2と同時にオン・オフ制御し、
異なる入力信号をサンプルホールドするも可である。
第1図は従釆のサンプリングホールド回路の例を示す接
続図、第2図は第1図の回路を改良した従釆のサンプル
ホールド回路を示す構成図、第3図は本発明サンプルホ
ールド回路の一実施例を示す接続図である。 INは入力端、OUTは出力端、S,及びS2は夫々ダ
イオードブリッジ、C^及びCHは夫々コンデンサ、C
ONTは制御手段、1,及び12は電流源である。 第1図 第2図 第3図
続図、第2図は第1図の回路を改良した従釆のサンプル
ホールド回路を示す構成図、第3図は本発明サンプルホ
ールド回路の一実施例を示す接続図である。 INは入力端、OUTは出力端、S,及びS2は夫々ダ
イオードブリッジ、C^及びCHは夫々コンデンサ、C
ONTは制御手段、1,及び12は電流源である。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 1 入力端に入力信号を受ける第1ダイオードブリツジ
と、該第1ダイオードブリツジの出力端に入力端が接続
された第2ダイオードブリツジと、該第2ダイオードブ
リツジの出力端及び基準電位源間に接続されたコンデン
サと、上記第2ダイオードブリツジの出力端に入力端が
接続された緩衝増幅器と、上記第1ダイオードブリツジ
の第1及び第2制御端に夫々接続された第1及び第2電
子スイツチと、上記第2ダイオードブリツジの第1制御
端に接続された第3及び第4電子スイツチと、上記第2
ダイオードブリツジの第2制御端に接続された第5及び
第6電子スイツチと、上記第1、第3及び第5電子スイ
ツチに流れ込む方向の電流を発生する第1電流源と、上
記第2、第4及び第6電子スイツチから流れ出す方向の
電流を発生する第2電流源と、上記第2ダイオードブリ
ツジの第1及び第2制御端間に直列接続された第1及び
第2ダイオードとを具え、該第1及び第2ダイオードの
共通接続点を上記緩衝増幅器の出力端に接続し、上記第
1、第2、第3及び第6電子スイツチを導通又は非導通
に制御したとき上記第4及び第5電子スイツチを非導通
又は導通に制御することを特徴とするサンプルホールド
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53021731A JPS6025840B2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | サンプルホ−ルド回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53021731A JPS6025840B2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | サンプルホ−ルド回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54114154A JPS54114154A (en) | 1979-09-06 |
| JPS6025840B2 true JPS6025840B2 (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=12063213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53021731A Expired JPS6025840B2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | サンプルホ−ルド回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025840B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58101400U (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | ソニー株式会社 | サンプルホ−ルド回路 |
-
1978
- 1978-02-27 JP JP53021731A patent/JPS6025840B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54114154A (en) | 1979-09-06 |
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