JPS60257047A - 回転陽極ｘ線発生装置 - Google Patents
回転陽極ｘ線発生装置Info
- Publication number
- JPS60257047A JPS60257047A JP59112855A JP11285584A JPS60257047A JP S60257047 A JPS60257047 A JP S60257047A JP 59112855 A JP59112855 A JP 59112855A JP 11285584 A JP11285584 A JP 11285584A JP S60257047 A JPS60257047 A JP S60257047A
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- Japan
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- electron beam
- groove
- electron
- ray generator
- cathode
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
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- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/064—Details of the emitter, e.g. material or structure
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- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は電子ビーム衝撃型Ｘ線発生装置に係り、特に高
密度集積回路のパターン転写に好適な改良された回転陽
極Ｘ線発生装置に関する。
密度集積回路のパターン転写に好適な改良された回転陽
極Ｘ線発生装置に関する。
（ｂｌ 技術の背景
近年、高密度集積回路の大量生産に伴い、数人〜数十人
の波長の軟ＸｖＡによるパターン転写が高密度集積回路
パターンの大量生産可能な転写方法として注目されてい
る。この転写装置のＸ線源には電子ビーム衝撃型Ｘ線発
生装置が一般に使用されている。強力なＸ線源を得るた
めに種々の検削がなされ、その一方法としてＶ／＃ター
ゲットを有する回転陽極Ｘ線発生装置が提案されている
。しかし、この装置ではターゲットのＶ溝底部に熱負荷
が集中するので熱負荷を低減した装置の開発が要望され
ている。
の波長の軟ＸｖＡによるパターン転写が高密度集積回路
パターンの大量生産可能な転写方法として注目されてい
る。この転写装置のＸ線源には電子ビーム衝撃型Ｘ線発
生装置が一般に使用されている。強力なＸ線源を得るた
めに種々の検削がなされ、その一方法としてＶ／＃ター
ゲットを有する回転陽極Ｘ線発生装置が提案されている
。しかし、この装置ではターゲットのＶ溝底部に熱負荷
が集中するので熱負荷を低減した装置の開発が要望され
ている。
（Ｃ１従来技術と問題点
電子ビーム衝撃型Ｘ線発生装置において、クーゲットの
温度上昇を低減し、より多くの電子ビームを照射するた
めにＶ溝を有する回転陽極型Ｘ線発生装置が提案されて
いる。
温度上昇を低減し、より多くの電子ビームを照射するた
めにＶ溝を有する回転陽極型Ｘ線発生装置が提案されて
いる。
第１図は回転陽極Ｘ線発生装置の断面を示す図である。
電子銃１の陰極１１より放出された電子ヒーム２は該電
子ビーム量を制御する制御グリッド１６およびターゲッ
ト」−で焦点を結ばせるための集束電極１７をｊｍす、
磁界または電界で構成された偏向系３により軌道を曲げ
られ、回転陽極４」二にアルミニウム、シリコン、モリ
ブデン等で形成されたＶ溝ターゲット５に当たりＸ線を
発生する。
子ビーム量を制御する制御グリッド１６およびターゲッ
ト」−で焦点を結ばせるための集束電極１７をｊｍす、
磁界または電界で構成された偏向系３により軌道を曲げ
られ、回転陽極４」二にアルミニウム、シリコン、モリ
ブデン等で形成されたＶ溝ターゲット５に当たりＸ線を
発生する。
回転陽極４は高速で回転しており、そのため電子ビーム
２ば■溝ターゲソｌ−５の円周の異なる個所を順次照射
するので■溝ターゲット５の温度は余り上デせず、高密
度の電子ビームが照射できる。
２ば■溝ターゲソｌ−５の円周の異なる個所を順次照射
するので■溝ターゲット５の温度は余り上デせず、高密
度の電子ビームが照射できる。
また■溝を有しない従来のターゲットでは照射された電
子ビームの一部は散乱してＸ線の発生に６才寄与しない
が、■溝ターゲットでは■溝側面５Ｂに入１・１シた電
子ビームの一部は同様に散乱するが、この散乱ビームは
もう一方のＶ溝側面５Ｃに再び当たり、そこでＸ線を発
生ずるため照射された電子ビームが効率良く利用され、
高出力のＸ線発生装置が提供される。
子ビームの一部は散乱してＸ線の発生に６才寄与しない
が、■溝ターゲットでは■溝側面５Ｂに入１・１シた電
子ビームの一部は同様に散乱するが、この散乱ビームは
もう一方のＶ溝側面５Ｃに再び当たり、そこでＸ線を発
生ずるため照射された電子ビームが効率良く利用され、
高出力のＸ線発生装置が提供される。
しかし、このＶ溝ターゲット５を備えたＸ線発生装置で
は電子ビームがＶ溝の側面５８．５Ｃを照射したときは
好都合であるが、■溝の底部５八にも同様に電子ビーム
が照射されため、該Ｖ溝の底部５Ａでは単位面積当たり
の負荷が■溝の側面５Ｂ、 ５（：に比べて大きくなり
、温度が著しく上昇するといった欠点があった。
は電子ビームがＶ溝の側面５８．５Ｃを照射したときは
好都合であるが、■溝の底部５八にも同様に電子ビーム
が照射されため、該Ｖ溝の底部５Ａでは単位面積当たり
の負荷が■溝の側面５Ｂ、 ５（：に比べて大きくなり
、温度が著しく上昇するといった欠点があった。
ｆｄ＋ 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、■溝ターゲソＩ・の底
部が電子ビームに照射されないようにした高出力のＸ線
発生装置の提供を目的とする。
部が電子ビームに照射されないようにした高出力のＸ線
発生装置の提供を目的とする。
（ｅｌ 発明の構成
本発明の目的は、■溝の両側面がそれぞれ個別の電子ビ
ームで照射されるよう２つの電子ビーム源が設置されて
成る本発明の回転陽極Ｘ線発生装置を提供することによ
り達成される。また、■溝の両側面が該■溝ターゲット
に入射する電子ビームを偏向して時系列に照射されるよ
う第２の偏向系が設置されて成る本発明の回転陽極Ｘ線
発生装置を提供することによっても同様に達成される。
ームで照射されるよう２つの電子ビーム源が設置されて
成る本発明の回転陽極Ｘ線発生装置を提供することによ
り達成される。また、■溝の両側面が該■溝ターゲット
に入射する電子ビームを偏向して時系列に照射されるよ
う第２の偏向系が設置されて成る本発明の回転陽極Ｘ線
発生装置を提供することによっても同様に達成される。
すなわち本発明においては、■溝の両側面にのみ電子ビ
ームが照射され、■溝の底部にはほとんど電子ビームが
照射されないのでＶ溝の底部の温度が上昇せず、大出力
で効率の良いＸ線発生装置が供給できる。
ームが照射され、■溝の底部にはほとんど電子ビームが
照射されないのでＶ溝の底部の温度が上昇せず、大出力
で効率の良いＸ線発生装置が供給できる。
（ｆｌ 発明の実施例
本発明の実施例について図を参照して詳細に説明する。
なお、全図を３ｍし同一符号は同一対象物を示す。
第２図および第３図は本発明の一実施例である回転陽極
型Ｘ線発生装置の陰極構造と該陰極を使用した装置の断
面を示す図である。本発明の陰極１２は従来の円形陰極
１１と異なり、その直径部に切り欠き部１２Ａが設けら
れ、その両側に対称な２つに分割された陰極１２１．１
２Ｃで構成さている。
型Ｘ線発生装置の陰極構造と該陰極を使用した装置の断
面を示す図である。本発明の陰極１２は従来の円形陰極
１１と異なり、その直径部に切り欠き部１２Ａが設けら
れ、その両側に対称な２つに分割された陰極１２１．１
２Ｃで構成さている。
また、１つの電子銃内の２つに分割された陰極１２Ｂ、
１２Ｇに対応して、２つの電子ビーム２２Ｂ、 ２２
Ｃが放出されていることを除けば第１図で説明した従来
のＸ線発生装置と概略同じ構造である。陰極１２Ｂから
出た電子ビーム２２ＢはＶ溝の側面５Ｂに当たり、一方
陰極１２Ｇから出た電子ビーム２２Ｇは■溝の他の側面
５Ｃに当たってそれぞれＸｖＡを発生するが、切り欠き
部１２八からは電子ビームが放出されないので、そこに
対応する■溝の底部肺には電子ビームは当たらず温度は
上昇しない。
１２Ｇに対応して、２つの電子ビーム２２Ｂ、 ２２
Ｃが放出されていることを除けば第１図で説明した従来
のＸ線発生装置と概略同じ構造である。陰極１２Ｂから
出た電子ビーム２２ＢはＶ溝の側面５Ｂに当たり、一方
陰極１２Ｇから出た電子ビーム２２Ｇは■溝の他の側面
５Ｃに当たってそれぞれＸｖＡを発生するが、切り欠き
部１２八からは電子ビームが放出されないので、そこに
対応する■溝の底部肺には電子ビームは当たらず温度は
上昇しない。
ここでは１つの電子銃内に配設された２つに分割された
陰極について説明したが、第４図のように１つの陰極１
３の中央部表面に部分的に高仕事関数の領域１３Ａを形
成して、その部分からの電子ビームの放出を抑止し、そ
の両側の陰極１３８．１３Ｃからのめ電子ビームが放出
される構造のものも同様に適用できる。
陰極について説明したが、第４図のように１つの陰極１
３の中央部表面に部分的に高仕事関数の領域１３Ａを形
成して、その部分からの電子ビームの放出を抑止し、そ
の両側の陰極１３８．１３Ｃからのめ電子ビームが放出
される構造のものも同様に適用できる。
さらに 第５図および第６図は陰極が直径部分で２つに
分割されたリング陰極１４Ｂ、 １４Ｃで構成された例
である。それぞれの分割されたリング陰極１４１ＬＩ４
Ｃの内壁から２つの電子ビーム２４Ｂ、２４ｃが放出さ
れ、共通のリング状グリッド１８．１９により電子ビー
ムが制御、集束され、偏向系３により曲げられてＶＡＮ
ターゲットの両側面５Ｂ、 ５Ｇに当たりＸ線を発生ず
る。
分割されたリング陰極１４Ｂ、 １４Ｃで構成された例
である。それぞれの分割されたリング陰極１４１ＬＩ４
Ｃの内壁から２つの電子ビーム２４Ｂ、２４ｃが放出さ
れ、共通のリング状グリッド１８．１９により電子ビー
ムが制御、集束され、偏向系３により曲げられてＶＡＮ
ターゲットの両側面５Ｂ、 ５Ｇに当たりＸ線を発生ず
る。
第７図は別の例で２つの電子銃６，７を対称に配設して
、それぞれの電子銃から放出された電子ビーム６１．７
１が個別に■溝の両側面５Ｂ、５Ｃに当たる構造である
。 以上の記述はいずれも２つの電子ビームを使用して
■溝の両側面を個別に照射する方法であるが、１つの電
子ビームを時間的にずらせてＶ溝の両側面に交互に当て
ることによっても達成できる。第８図は高速偏向器８を
使用して電子ビームを移動させる原理を説明するだめの
図である。
、それぞれの電子銃から放出された電子ビーム６１．７
１が個別に■溝の両側面５Ｂ、５Ｃに当たる構造である
。 以上の記述はいずれも２つの電子ビームを使用して
■溝の両側面を個別に照射する方法であるが、１つの電
子ビームを時間的にずらせてＶ溝の両側面に交互に当て
ることによっても達成できる。第８図は高速偏向器８を
使用して電子ビームを移動させる原理を説明するだめの
図である。
回転陽極４はｌｏｏｏｏｒｐｍで回転させられ、高速偏
向器８で第９図のごとき波形の偏向を行うと、時系列に
電子ビームが２５８と２５Ｇに切り替わりＶ溝の両側面
に交互に当たる。Ｂの状態では電子ビームはＶ溝ターゲ
ットの側面５Ｂを照射し、Ｃの状態では同様に電子ビー
ムはＶ溝ターゲットの側面５Ｃを照射している。
向器８で第９図のごとき波形の偏向を行うと、時系列に
電子ビームが２５８と２５Ｇに切り替わりＶ溝の両側面
に交互に当たる。Ｂの状態では電子ビームはＶ溝ターゲ
ットの側面５Ｂを照射し、Ｃの状態では同様に電子ビー
ムはＶ溝ターゲットの側面５Ｃを照射している。
しかし、電子ビームが一方の■溝側面から他方の■溝側
面へ移動するＡの状態ではＶ溝の底部肺にも電子ビーム
が当たるが、このへの状態の時間は非常に短く２μｓ以
下で切り換えできるのでＡの状態の時間はＢ、Ｃの状態
の時間の約０．１％で■溝の底部５への温度−１二昇を
来たさない。高速偏向する理由は電子ビームが一方のＶ
溝側面を連続して照射することによりターゲットの温度
が上昇するのを防止するためである。
面へ移動するＡの状態ではＶ溝の底部肺にも電子ビーム
が当たるが、このへの状態の時間は非常に短く２μｓ以
下で切り換えできるのでＡの状態の時間はＢ、Ｃの状態
の時間の約０．１％で■溝の底部５への温度−１二昇を
来たさない。高速偏向する理由は電子ビームが一方のＶ
溝側面を連続して照射することによりターゲットの温度
が上昇するのを防止するためである。
ｆｇｌ 発明の効果
以−ト詳細に説明したように、本発明の回転陽極Ｘ線発
生装置によれば電子ビームは■溝の底部には殆ど照射さ
れず、■溝の両側面にのみ照射されるので、■溝の底部
の温度上昇が防止できて安定した高出力のＸ線発生装置
が得られる。
生装置によれば電子ビームは■溝の底部には殆ど照射さ
れず、■溝の両側面にのみ照射されるので、■溝の底部
の温度上昇が防止できて安定した高出力のＸ線発生装置
が得られる。
第１図は回転陽極ＸｖＡ発生装置を説明するための断面
図、 第２図、第３図は本発明の一実施例である回転陽
極Ｘ線発生装置の陰極構造と装置の断面を示す図、第４
図は陰極の表面に高仕事関数の領域を有する陰極構造を
示す図、第５図、第６図は分割されたリング状陰極とそ
れを使用した装置の断面図、第７図は２つの電子銃が配
設されたＸ線発生装置の断面図、第８図、第９図は高速
偏量器を使用した本発明の装置の動作原理を説明するだ
めの図である。 図において、］、６．７は電子銃、２．２２．２４゜６
］、 ７１は電子ビーム、３ば偏向系、４ば回転陽極、
５はＶ溝ターゲット、８は高速偏向器、１６．１１０；
を制御グリッド１７．１９は集束電極、１１．１２．１
３．１４は陰極である。 ０ 第１図 １ 第２図 第４図 第６図 第３１！１ 第７図
図、 第２図、第３図は本発明の一実施例である回転陽
極Ｘ線発生装置の陰極構造と装置の断面を示す図、第４
図は陰極の表面に高仕事関数の領域を有する陰極構造を
示す図、第５図、第６図は分割されたリング状陰極とそ
れを使用した装置の断面図、第７図は２つの電子銃が配
設されたＸ線発生装置の断面図、第８図、第９図は高速
偏量器を使用した本発明の装置の動作原理を説明するだ
めの図である。 図において、］、６．７は電子銃、２．２２．２４゜６
］、 ７１は電子ビーム、３ば偏向系、４ば回転陽極、
５はＶ溝ターゲット、８は高速偏向器、１６．１１０；
を制御グリッド１７．１９は集束電極、１１．１２．１
３．１４は陰極である。 ０ 第１図 １ 第２図 第４図 第６図 第３１！１ 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１電子ビームを発生する電子銃と該電子銃からの電
子ビームを偏向および集束する電子光学系と前記電子ビ
ームの照射によりＸ線を発生ずる円盤の側面にＶ溝が形
成された■溝ターゲットと該■溝ターゲットを回転させ
る機構とを備えた回転陽極Ｘ線発生装置において、前記
■溝ターゲットの両側面をそれぞれ個別の電子ビームで
照射するための２つの電子ビーム源を具備したことを特
徴とする回転陽極ｘｌｆＡ発生装置。 （２）前記電子ビーム源において、１つの電子銃の陰極
が対称な２つの陰極に分割されて成ることを特徴とする
特許請求の範囲第＋１１項に記載の回転陽極Ｘ線発生装
置。 （３）前記電子ビーム源において、１つの電子銃の陰極
が部分的に不活性化され、該不活性化された陰極部分で
の電子ビームの放出が抑止されて成ることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項に記載の回転陽極Ｘ線発生装
置。 （４）前記電子ビーム源において、２つの電子銃で構成
されて成ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
に記載の回転陽極Ｘ線発生装置。 （５）電子ビームを発生ずる電子銃と該電子銃からの電
子ビームを偏向および集束する電子光学系と前記電子ビ
ームの照射によりＸ線を発生ずる円盤の側面に■溝が形
成されて■溝ターゲットと該Ｖ溝り−ゲットを回転させ
る機構とを備えた回転陽極Ｘ線発生装置において、電子
ビーＪ、が前記Ｖ ／／４ターゲットの両側面を時系列
に交互に照射し、かつ電子ビームがＶ溝ターゲットの底
部を通過する時間が■溝側面に電子ビームが滞留してい
る時間より短くなるよう電子ビームを偏向する第２の偏
向系を具備したことを特徴とする回転陽極Ｘ線発生装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112855A JPS60257047A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 回転陽極ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112855A JPS60257047A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 回転陽極ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257047A true JPS60257047A (ja) | 1985-12-18 |
Family
ID=14597216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59112855A Pending JPS60257047A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 回転陽極ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257047A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7012989B2 (en) * | 2002-09-03 | 2006-03-14 | Parker Medical, Inc. | Multiple grooved x-ray generator |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59112855A patent/JPS60257047A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7012989B2 (en) * | 2002-09-03 | 2006-03-14 | Parker Medical, Inc. | Multiple grooved x-ray generator |
| US7397898B2 (en) | 2002-09-03 | 2008-07-08 | Parker Medical, Inc. | X-ray generator and method |
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