JPS60214528A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
- Publication number
- JPS60214528A JPS60214528A JP59070746A JP7074684A JPS60214528A JP S60214528 A JPS60214528 A JP S60214528A JP 59070746 A JP59070746 A JP 59070746A JP 7074684 A JP7074684 A JP 7074684A JP S60214528 A JPS60214528 A JP S60214528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- cathode
- ray
- electron
- emitted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明はＸ線発生装置、特に軟Ｘ線輝度の高いＸ線発生
装置に関する。
装置に関する。
（発明の背量）
従来の一般のＸ線発生装置では、陰極より放出された電
子が対陰極−１−の焦点（被照射範囲）に衝突する際発
生するＸ線（以下を焦点Ｘ線と称する）を利用していた
。しかし実際にはその焦点から焦点Ｘ線の発生とともに
反射電子および２次電子も放出されこれらの反射電子お
よび２次電子が陰極と対陰極間の電界によって再び対陰
極に衝突して焦点外でもＸ線が発生する。この焦点外で
発生するＸ線（以下焦点外Ｘ線と称する）は焦点Ｘ線の
数１０％位のＸｌ６１ｆｉであり、焦点Ｘ線に比べ、軟
Ｘ線成分が多いことが知られている。これは、反則電子
および２次電子は電子エネルギーが小さいためである。
子が対陰極−１−の焦点（被照射範囲）に衝突する際発
生するＸ線（以下を焦点Ｘ線と称する）を利用していた
。しかし実際にはその焦点から焦点Ｘ線の発生とともに
反射電子および２次電子も放出されこれらの反射電子お
よび２次電子が陰極と対陰極間の電界によって再び対陰
極に衝突して焦点外でもＸ線が発生する。この焦点外で
発生するＸ線（以下焦点外Ｘ線と称する）は焦点Ｘ線の
数１０％位のＸｌ６１ｆｉであり、焦点Ｘ線に比べ、軟
Ｘ線成分が多いことが知られている。これは、反則電子
および２次電子は電子エネルギーが小さいためである。
一方、半導体ｌｌｌ造工程でウェハ上に塗イ０したレジ
ストを露光するＸ線露光用のＸ線発生装置は、Ｘ線輝度
が高く、かつ軟Ｘ線成分を多く含むことが望ましい。と
ころで、従来のＸ線露光装置として波線、あるいは線状
、あるいは細長い帯状の焦点を有するＸ線発生装置を用
いたものや、さらに発生したＸ線の平行化手段を有する
もの等が種々提案されている（例えば、特開昭５２−１
５０９７５号）。
ストを露光するＸ線露光用のＸ線発生装置は、Ｘ線輝度
が高く、かつ軟Ｘ線成分を多く含むことが望ましい。と
ころで、従来のＸ線露光装置として波線、あるいは線状
、あるいは細長い帯状の焦点を有するＸ線発生装置を用
いたものや、さらに発生したＸ線の平行化手段を有する
もの等が種々提案されている（例えば、特開昭５２−１
５０９７５号）。
しかしこれらの提案にお【プるＸ線発生装置は、焦点面
積を大きくした分、全体め×線量を増加させただ（Ｊの
ものでＸ線輝度および軟Ｘ線成分の割合は従来のままで
あり回答改良されていなかった。
積を大きくした分、全体め×線量を増加させただ（Ｊの
ものでＸ線輝度および軟Ｘ線成分の割合は従来のままで
あり回答改良されていなかった。
また、従来のＸ線発生装置で発生する焦点外Ｘ線はＸ線
写真において写真像に一様なかぶりを与えてしまい、像
のコントラストを低下させるという不都合があった。
写真において写真像に一様なかぶりを与えてしまい、像
のコントラストを低下させるという不都合があった。
（発明の目的）
本発明は、−１ニ記事情に鑑みてなされたもので、焦点
外Ｘ線をみかけ上焦点より発生するようにした、Ｘ線輝
度の高い、特に軟Ｘ線成分を多く含むＸ線発生装置を提
供することを目的とする。
外Ｘ線をみかけ上焦点より発生するようにした、Ｘ線輝
度の高い、特に軟Ｘ線成分を多く含むＸ線発生装置を提
供することを目的とする。
（発明の構成）
上記目的を達成するため本発明では、陰極から放出され
る電子ビームを対陰極に衝突させて該対陰極よりＸ線を
発生させるＸ線発生装閘において、上記対陰極上の焦点
位置に四部を設【プ、上記陰極から放出された電ｒを該
凹部の壁ｉｒｉ口こ！ｉ突さＩ！ることを特徴とする１
゜ （実施例の説明） 以下本発明を実Ｍ！！例により説明Ｃ１６，３第１図は
本弁明の１実施例に係るＸ線量と１−装（べの対陰極の
断面を承り。同図において、陰極１より放出された電子
２【；Ｌ陰極１と対陰極３の間の電位差により加速され
、λｊ陰極３に設（プられた凹溝壁面６上に衝突する。
る電子ビームを対陰極に衝突させて該対陰極よりＸ線を
発生させるＸ線発生装閘において、上記対陰極上の焦点
位置に四部を設【プ、上記陰極から放出された電ｒを該
凹部の壁ｉｒｉ口こ！ｉ突さＩ！ることを特徴とする１
゜ （実施例の説明） 以下本発明を実Ｍ！！例により説明Ｃ１６，３第１図は
本弁明の１実施例に係るＸ線量と１−装（べの対陰極の
断面を承り。同図において、陰極１より放出された電子
２【；Ｌ陰極１と対陰極３の間の電位差により加速され
、λｊ陰極３に設（プられた凹溝壁面６上に衝突する。
衝突面Ｊ／にわ１５焦点で（，１、焦点Ｘ線５が発生す
るとともｔこ反則電子おｊ、び２次電子４が放出される
。放出された反射電子ｉ１５ Ｊ、び２次電子４は陰極
１と対陰極３間の電位差の為大部分が再び凹溝壁面６上
に衝突する。その際軟Ｘ線成分を多く含む焦点外Ｘ線５
′が発イトηる。
るとともｔこ反則電子おｊ、び２次電子４が放出される
。放出された反射電子ｉ１５ Ｊ、び２次電子４は陰極
１と対陰極３間の電位差の為大部分が再び凹溝壁面６上
に衝突する。その際軟Ｘ線成分を多く含む焦点外Ｘ線５
′が発イトηる。
溝くぼみ壁面６士に発≧トした焦点Ｘ線５および焦点外
Ｘ線５′は、幅Ｗ、長ざＬの凹溝用［’ｌ ７ Ｊ：り
放射する。すなわち幅Ｗ、長ざ１の凹溝用ロアがみかけ
上の焦点となり、ここから焦点外Ｘ線５′を含んだＸ線
輝度が高く、軟Ｘ線成分の多いＸ線が発生する。
Ｘ線５′は、幅Ｗ、長ざＬの凹溝用［’ｌ ７ Ｊ：り
放射する。すなわち幅Ｗ、長ざ１の凹溝用ロアがみかけ
上の焦点となり、ここから焦点外Ｘ線５′を含んだＸ線
輝度が高く、軟Ｘ線成分の多いＸ線が発生する。
３−
更に焦点に衝突させることができる電子の数は、焦点の
大きさで決定されるが、本実施例によれば、焦点（ｇ′
ｉ突面）を大きくしても幅Ｗ、長さしの凹ｆＭ出ロアの
寸法が変わらなければみかけの焦点面積は変化せず」、
り多く電子を衝突させることができる。すなわち従来の
同じ大きさの焦点に比べ、ｉｂ出力のＸ線を発生させる
ことができる。
大きさで決定されるが、本実施例によれば、焦点（ｇ′
ｉ突面）を大きくしても幅Ｗ、長さしの凹ｆＭ出ロアの
寸法が変わらなければみかけの焦点面積は変化せず」、
り多く電子を衝突させることができる。すなわち従来の
同じ大きさの焦点に比べ、ｉｂ出力のＸ線を発生させる
ことができる。
第２図８ ”−ｆは本発明による凹溝断面形状の変形例
である。同図に示ずｊ：うに凹溝形状は第１図のような
丸ｉＮである必要は゛なく第２図ａ−ｆの例示を含み種
々の形状のものを使用することができる。但し、Ｘ線出
力を大ぎくするためには上述のＪ：うに焦点衝突面すな
わち凹溝壁面６は大きく、か−）高輝度とするためには
みかけとの焦点面積すなわち凹溝用ロアの面積は小さい
方が好ましい。
である。同図に示ずｊ：うに凹溝形状は第１図のような
丸ｉＮである必要は゛なく第２図ａ−ｆの例示を含み種
々の形状のものを使用することができる。但し、Ｘ線出
力を大ぎくするためには上述のＪ：うに焦点衝突面すな
わち凹溝壁面６は大きく、か−）高輝度とするためには
みかけとの焦点面積すなわち凹溝用ロアの面積は小さい
方が好ましい。
また陰極１は一つである必要はなく複数個並べたり第３
図のように相対する方向に位置させ、同時に電子を凹溝
壁面６１に衝突させてもよい。
図のように相対する方向に位置させ、同時に電子を凹溝
壁面６１に衝突させてもよい。
さらに、上述においては対陰極の線状焦点上に陰極から
帯状の電子ビームを照射する構造のＸ線４− 発生装置を例示したため、対ｙｘ ４４ｉ土の四部用１
］形状を細長く溝状に形成しているが、この四部出口形
状は焦点形状に合わ口て形成１−ればｊ；い。例えば電
子ビームを点焦点十に照射スる＋Ｍ ’ｒ告のものの場
合はこの点焦点を含む円、楕円、また【、１多角形状に
形成ずればよい。
帯状の電子ビームを照射する構造のＸ線４− 発生装置を例示したため、対ｙｘ ４４ｉ土の四部用１
］形状を細長く溝状に形成しているが、この四部出口形
状は焦点形状に合わ口て形成１−ればｊ；い。例えば電
子ビームを点焦点十に照射スる＋Ｍ ’ｒ告のものの場
合はこの点焦点を含む円、楕円、また【、１多角形状に
形成ずればよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明にｊ、れば、軟Ｘ線輝度の
高いＸ線を発生ざ「ることが川面となる。
高いＸ線を発生ざ「ることが川面となる。
さらに従来と同−面積の焦点（Ｘ線源）に比べＪζり高
出力のＸ線を発生さＩＪ：ることがぐぎる。
出力のＸ線を発生さＩＪ：ることがぐぎる。
第１図は本発明の１実施例に係るＸ線発生装置の対陰極
の断面図、 第２図は第１図の対陰極の変形例を示す断面図、第３図
は本発明の他の実施例に係るＸ線発生装置の陰極配置を
示づ図である。 １・・・陰極、 ２・・・陰極より放出された電子、３
・・・対陰極、４・・・反則電子および２次電子、５・
・・焦点Ｘ線、５′・・・焦点外Ｘ線、６・・・凹溝壁
面、７・・・凹溝出口。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 ７− 第１図
の断面図、 第２図は第１図の対陰極の変形例を示す断面図、第３図
は本発明の他の実施例に係るＸ線発生装置の陰極配置を
示づ図である。 １・・・陰極、 ２・・・陰極より放出された電子、３
・・・対陰極、４・・・反則電子および２次電子、５・
・・焦点Ｘ線、５′・・・焦点外Ｘ線、６・・・凹溝壁
面、７・・・凹溝出口。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 ７− 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、陰極から放出される電子ビームを対陰極に衝突させ
て該対陰極よりＸ線を発生させるＸ線発生装置において
、 上記対陰極上の焦点位置に凹部を設け、上記陰極から放
出された電子を該凹部の壁面に衝突させることを特徴と
するＸ線発生装置。 ２、前記陰極が複数設けられている特許請求の範囲第１
項記載のＸ線発生装置。 ３、前記凹部がその壁面に前記陰極からの電子ビームを
線状に照射される凹溝からなる特許請求の範囲第１また
は２項記載のＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070746A JPS60214528A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070746A JPS60214528A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214528A true JPS60214528A (ja) | 1985-10-26 |
Family
ID=13440384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59070746A Pending JPS60214528A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214528A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179048A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-08-11 | ハンプシヤ− インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド | Ｘ線発生装置 |
| JP2012204156A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Sii Nanotechnology Inc | Ｘ線管及びｘ線分析装置 |
| JP2013051156A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 透過型ｘ線発生装置及びそれを用いたｘ線撮影装置 |
| JP2019008943A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 固定陽極型ｘ線管 |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59070746A patent/JPS60214528A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179048A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-08-11 | ハンプシヤ− インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド | Ｘ線発生装置 |
| JPH0429179B2 (ja) * | 1984-11-08 | 1992-05-18 | ||
| JP2012204156A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Sii Nanotechnology Inc | Ｘ線管及びｘ線分析装置 |
| JP2013051156A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 透過型ｘ線発生装置及びそれを用いたｘ線撮影装置 |
| JP2019008943A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 固定陽極型ｘ線管 |
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