JP2004335419A - X線発生装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】小形で放射角度の小さいX線発生装置および前記装置を用いたX線治療装置を提供する。
【解決手段】本発明によるX線発生装置は、真空容器1と前記容器に配置され高エネルギー電子線を発生する電子源2と、前記容器1に配置され前記電子源2からの電子線に衝突され、裏面にX線を発生するX線ターゲット3と、および多数の均一な孔をもち前記X線ターゲット3の背面に配置され、前記孔に入射したX線を全反射により他面に導くX線ガイド4を備えている。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療の診断、治療の分野等で利用できる小形で細いX線ビームを発生するX線発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のX線発生装置であるX線管は、電子源に真空放電を用いるガスX線管(冷陰極X線管)と熱電子X線管(クーリッジ管)のいずれかを用いている。
熱陰極から出た電子線はウェーネルト電極で集束されて、陽極面に焦点を結び、X線を発生させる。陽極物質は、連続X線の場合タングステン、特性X線の場合、特にKα線を得たい場合、鉄、銅、モリブデン、銀が多く用いられる。制動放射で生ずるX線は、陰極物質に関係なく、連続スペクトルをもつ。制動放射とは、電子が物質中を通るときに、物質の原子核によりその進行方向を曲げられるために放射する(制動放射)X線であり連続X線の性質を示す。またこの連続X線の放射角度は、大きくなる。X線治療にはX線が細いほど照射領域に対して精度よく照射できるので、X線を適度にコリメータによって絞り込む必要がある。このためにX線がコリメータにより吸収されて形成される細いX線の出力は著しく低下させられる。しかも従来のX線発生装置は大きい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、極めて狭い角度のX線ビームを効率良く発生することができ、小形なX線発生装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、治療用のX線源または診断用のX線源と用途に応じて極めて狭い角度のX線ビームを効率良く発生することができ、小形なX線発生装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明による請求項1のX線発生装置は、真空容器と、前記容器に配置され高速電子ビームを発生する電子源と、
前記容器に配置され前記電子源からの電子ビームに衝突され、裏面にX線を発生するX線ターゲットと、および
多数の均一な孔をもち前記X線ターゲットの背面に配置され、前記孔に入射したX線を全反射により他面に導くX線ガイドと、
から構成されている。
【0005】
本発明による請求項2記載のX線発生装置は、請求項1記載のX線発生装置において、前記X線ターゲットとX線ガイドとの組立と同様な組立を前記孔が対応するように2以上縦列に配置し構成されている。
本発明による請求項3記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、X線ガイドを通過したX線を透過し電子を吸収する吸収電極を設けられている。
本発明による請求項4記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、前記ターゲットの材料はAu,W,Mo,Pt,Re金属から選択された1または2以上の金属の組み合わせである。
【0006】
本発明による請求項5記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが1Mevから10Mevの場合は、前記ターゲットの厚さは0.7〜1.4mm好ましくは略1.0mmである。
前記ターゲットの厚さが下限を越えると透過する電子の量が大きくなり、上限を越えるとX線の裏面への放出が減少する。
本発明による請求項6記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが1Mevから10Mevの場合は、X線ガイドのハネカム状のチャンネルの孔の内径dは0.1〜0.4mm、より好ましくは約0.2mm、X線ガイドの直径Dは2〜4mm、より好ましくは約2.8mm、X線ガイドの長さLは7〜14mm、より好ましくは約10mmである。
前記X線ガイドの長さ下限を越えると透過する電子の量が大きくなり、上限を越えるとX線に必要を越える全反射をさせることになる。
【0007】
本発明による請求項7記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが10Kevから100Kevの場合に、前記ターゲットの厚さは0.07〜0.14mm好ましくは略0.1mmである。
前記ターゲットの厚さが下限を越えると透過する電子の量が大きくなり、上限を越えるとX線の裏面への放出が減少する。
本発明による請求項8記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが10Kevから100Kevと低い場合に、
X線ガイドのハネカム状のチャンネルの孔の内径dは0.1〜0.4mm、より好ましくは約0.2mm、X線ガイドの直径Dは2〜4mm、より好ましくは約2.8mm、X線ガイドの長さLは0.7〜1.4mm、より好ましくは約1mmである。
前記X線ガイドの長さ下限を越えると透過する電子の量が大きくなり、上限を越えるとX線に必要を越える全反射をさせることになる。
【0008】
本発明による請求項9記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、前記X線ガイドの材料はAlであり多数の孔は機械加工により製造されたものである。
本発明による請求項10記載のX線発生装置は、請求項1または2記載のX線発生装置において、X線ガイドは、多数の金属パイプを結束して形成したものである。
【0009】
前記目的を達成するために、本発明による請求項11記載X線発生装置は、
真空容器と、
前記容器に配置され高速電子ビームを発生する電子源と、
前記容器に配置され前記電子源からの電子ビームに衝突され、裏面にX線を発生するX線ターゲットと、および
複数の均一な孔をもち、複数の前記X線ターゲットの背面から放射されるX線を受ける入力開口が出力開口より大きい円錐状の孔をもち、前記孔は前記X線ターゲットの背面に配置され、前記孔に入射したX線を全反射により他面に導くX線ガイドと、から構成されている。
本発明による請求項12記載X線発生装置は、
請求項11記載のX線発生装置において、前記X線ターゲットとX線ガイドとの組立と同様な組立を前記孔が対応するように2以上縦列に配置した構成となっている。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下図面等を参照して本発明による装置の実施の形態を説明する。
まず、電子ビームのエネルギーが1Mevから10Mevの高い場合について説明をする。図1は本発明によるX線発生装置の基本構成を示す略図である。
真空容器1内に高速電子ビームを発生する電子源2が設けられている。この電子源2は、本発明者が提案したカーボンナノチューブを用いた超小形冷陰極で構成されている。前記超小形冷陰極とターゲット3間にマイクロ波源7から高圧電圧のマイクロ波が加えられている。マイクロ波に励起された電子ビームは前記ターゲット3に高速で衝突する。この電子ビームの衝突により、ターゲット3の背面からX線が発生する。発生するX線は、X線ガイド4の内壁で全反射を繰り返して、電子捕捉電極5を透過して、外部に放出する。前記電子捕捉電極5は、ターゲット3に衝突した電子ビームの一部が前記ターゲット3を透過して、進行して、電子捕捉電極5に到達したときに、この電子を捕獲する。一方電子捕捉電極5は、前記のX線を透過する機能がある。その材質としてはベリリウム金属が適している。
【0011】
図1に示した前記X線ガイド4は、図2に示す通り、金属の部材にハネカム状の多数の孔を形成する。これは放電加工により行われる。なお針状の金属を押し込むことによっても、表面が平滑な孔を形成することができる。このように金属バルクを機械加工する以外に金属管を結束して形成することも可能である。
前記X線ガイド4は、前記X線ターゲット3の背面に配置され、前記のX線ガイド4の内部の任意の孔4iに入射したX線をこの孔4iの内壁で全反射する。図4は、この反射状態を一つ任意の孔4iについて拡大して示してある。X線は、入射角が大きいとき、つまり金属表面とのX線の角度が小さいときには全反射をする。
【0012】
次に図3に示す薄い金属膜のターゲットに高速電子ビーム31が衝突した場合のX線33の発生状態を説明する。電子源から供給される高速電子ビーム31がターゲット32に衝突するとターゲット32の裏面にX線を発生する。
厚さ0.1mm程度の薄い金属膜のターゲット32に約10MeVの高速電子ビームが衝突すると、前記金属膜のターゲットの裏面にX線33が発生する。
金属膜のターゲット32の厚さが薄くなれば、裏面方向に強くX線が放射され、その放射角度は小さくなる。一方、一部の高速電子ビームは、前記薄い金属膜のターゲット32を通過してしまう。
【0013】
ターゲット33の材料は原子量が大きく、さらに高融点、化学的に安定性、または熱放射性に優れた金属であるAu,W,Mo,Pt,Reから選ばれる。
同様にハネカム状のX線ガイドの材料もAl、Au,W,Mo,Pt,Reから選ばれる。なお、特にハネカム状のX線ガイドの孔が数百ミクロン以下になるので、放電加工で加工しやすいAlなども利用できる。この際、Alの金属の放熱特性を上げた構造にするために、ハネカム状のX線ガイドに密着した放熱機構を使用する。図4に示す電子捕捉電極5は極めて薄い金属板で、X線を透過し、電子を補足する機能をもち、ベリリウムなどの金属を用いる。
【0014】
前述したX線発生装置において、前記X線ターゲットとX線ガイドとの組立と同様な組立を前記孔が対応するように2以上縦列に配置して多数段のX線発生装置を構成することができる。ターゲットとX線ガイドを3段組にして構成するX線発生装置の実施例を図5を参照して説明する。真空容器の内部には、前記容器に配置され高エネルギー電子ビーム51を発生する電子源が設けられていることは前述の実施例と異ならない。前記容器に配置され前記電子源(図示を省略)からの高速電子ビーム51は第1ターゲット板52に衝突する。
X線を発生する第1ターゲット板52の裏面に多数の均一な孔をもつハネカム状の第1X線ガイド板53が配置されている。
さらに前記ハネカム状の第1X線ガイド板53の裏面にX線を発生する第2ターゲット板54が配置されている。前記第2ターゲット板54の裏面に多数の均一な孔をもつハネカム状の第2X線ガイド板55が配置されている。
続いて前記ハネカム状の第2X線ガイド板55の裏面に第3ターゲット板56が配置されている。前記第3ターゲット板56の裏面に多数の均一な孔をもつハネカム状の第3X線ガイド板57が配置されている。このようにターゲットとX線ガイドが3段に組立てられている。最後にX線を透過するが、電子線を収集する電極58が配置された構造になっている。
【0015】
真空容器の内部には、前記容器に配置され高エネルギー電子線を発生する電子源があり、前記容器に配置され前記電子源からの高速電子ビーム51が第1ターゲット52に衝突する。前記薄い金属膜の第1ターゲット板52の裏面にX線が発生する。この発生したX線11は、第1ターゲット板52の裏面に多数の均一な孔をもつハネカム状の第1X線ガイド板53の壁面で全反射され、図において下方に進行する。そしてX線11は第2ターゲット板54を透過する。この透過したX線12はハネカム状の第2X線ガイド板55の壁面を全反射する。X線12は第3ターゲット板56を透過する。透過したX線13は第3X線ガイド板57の壁面を全反射して、最後に電極を通過し、外部に取り出される。
【0016】
図3で説明したように、高エネルギーの電子ビームの一部は、前記第1ターゲット板52をそのまま通過する。この通過電子9は、次の第2ターゲット板54に衝突する。この衝突により、X線が発生する。このX線は、ハネカム状の第2X線ガイド板55の壁面で全反射し、第3ターゲット板56を透過したのち、外部に放射される。しかし、第2ターゲット板54に衝突した高速電子線の一部が、第2ターゲット板54を通過し(電子ビーム10)、第3ターゲット板56に衝突して、X線を発生する。
【0017】
このX線はハネカム状の第3X線ガイド板57の壁面を全反射し、外部に放射する。高速電子ビームは、第1ターゲット板52、第2ターゲット板54、第3ターゲット板56と順次に衝突すれば、ほとんどX線に変換される。ここでターゲットの膜の厚さを適切に選択することにより、X線の発生効率の向上とX線の放射角度の狭いX線の改善が得られる。
【0018】
以下図6を参照して、本発明の第3の実施例を説明する。この実施例でハネカムを構成する孔は円錐面を持つものである。
真空容器の内部には、前記容器に配置され高エネルギー電子線を発生する電子源があり、中空のドーナツ状の高速電子ビーム(61は中心軸を示す)がターゲット62に衝突する。前記薄い金属膜のターゲット62の裏面にX線が発生する。X線ガイドの孔は、X線を受け入れる入力側開口部とX線を放出する出力開口部とで構成されている。X線ガイドの中心部は銅などで構成する金属部64にタングステンをコーティングしたX線ガイド壁63の構造になっている。特にこのX線ガイドの構造は、入力開口が出力開口より大きいテーパーの付いた管を形成する。この発生したX線65は、ターゲット62の裏面にX線ガイド壁面で全反射される。そして反射したX線66は再びX線ガイド壁面で全反射する。この全反射したX線67はX線ガイドの外に取り出される。
【0019】
X線を受け入れる入力側開口の内径は0.2から0.4mm程度で、代表値として0.2mmを選択する。またX線を放出す出力側開口の内径0.05mm程度を選択する。電子ビームのエネルギーレベルが1Mevから10Mevの場合は、X線ガイドの長さを略10mmにしてある。
【0020】
高速電子ビームの一部は、ターゲット62を通過し、突き進む場合もある。この場合、X線ガイドの出力開口部の背面に第2のターゲットを設けて、X線ガイドを多段に構成することもできる。ここでターゲットの膜の厚さを前述した寸法に選択することにより、X線の発生効率を向上させ、X線の放射角度の狭いX線を得ることができる。孔の形状が異なる他は前述の第2の実施例と同様であるから、説明を省略する。
【0021】
以上、電子ビームのエネルギーが1Mevから10Mevの高い場合で放射線治療に用いるものであるが、電子ビームのエネルギーレベルが10Kevから100Kevと低くして、測定用に用いることができる。
X線ガイドのハネカム状のチャンネルの孔の内径dは0.1〜0.4mm、より好ましくは約0.2mm、X線ガイドの直径Dは2〜4mm、より好ましくは約2.8mm、X線ガイドの長さLは0.7〜1.4mm、より好ましくは約1mmとする。
ターゲットの厚さは0.01mm以下、そして電子ビ−ムの加速は高圧パルスまたはマイクロ波電界で実施し、電子源はフィールドエミッタなどを用いて実行できる。用途して診断や検査などに利用される。
【0022】
此れに対して電子ビームのエネルギーが1Mevから10Mevの高い場合では、ターゲットの厚さは0.1mm以下、そして電子ビ−ムの加速はマイクロ波電界で実施し、電子源は熱電子銃またはカーボンナノチューブを用いて実行できる。用途としてX線治療に利用される。
【0023】
【発明の効果】
本発明によるX線発生装置は超小形で平行度の高い小径のX線ビームを発生することができる。
本発明によるX線発生装置は3次元的に作り出す照射方法である強度変調放射線治療IMRT(Intensity Modulated Radiation Therapy)のX線源、やCTのX線源に利用できる。
【0024】
以上、詳しく説明した実施例について、本発明の範囲内で種々の変形を施すことができる。高エネルギー電子源2の発生する電子の密度分布を変えることにより、得られるX線の分布を変えることができる。また多数の貫通孔を選択的に利用するような電子ビームを発生することもできる。多数の貫通孔を意図的に傾斜させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるX線発生装置の第1の実施例の構成を示す略図である。
【図2】本発明によるX線発生装置で使用するX線ガイドの斜視図である。
【図3】薄い膜厚のターゲットに高速電子ビームが衝突したときのX線発生状態を示す略図である。
【図4】X線ガイドの一部を拡大して示した断面図である。
【図5】本発明によるX線発生装置の第2の実施例の構成を示す略図である。
【図6】本発明によるX線発生装置の第3の実施例の構成を示す略図である。
【符号の説明】
1 真空容器
2 高エネルギー電子源
3 ターゲット
4 X線ガイド
5 電子捕捉電極
7 マイクロ波源
9,10 高速電子ビーム
11,12,13,14 X線
51 高速電子ビーム
52 第1ターゲット板
53 第1X線ガイド板
54 第2ターゲット板
55 第2X線ガイド板
56 第3ターゲット板
57 第3X線ガイド板
58 電極
61 ターゲット
62 高速電子ビーム
63 タングステンのX線ガイド壁
64 銅で形成するX線ガイドの中心部
65 66 67 68 69 X線
70 ターゲットを透過した高速電子ビーム

Claims (12)

  1. 真空容器と、
    前記容器に配置され高速電子ビームを発生する電子源と、
    前記容器に配置され前記電子源からの電子ビームに衝突され、裏面にX線を発生するX線ターゲットと、および
    多数の均一な孔をもち前記X線ターゲットの背面に配置され、前記孔に入射したX線を全反射により他面に導くX線ガイドと、
    から構成したX線発生装置。
  2. 請求項1記載のX線発生装置において、前記X線ターゲットとX線ガイドとの組立と同様な組立を前記孔が対応するように2以上縦列に配置して構成したX線発生装置。
  3. 請求項1または2記載のX線発生装置において、X線ガイドを通過したX線を透過し電子を吸収する吸収電極を設けたX線発生装置。
  4. 請求項1または2記載のX線発生装置において、ターゲットの材料はAu,W,Mo,Pt,Re金属から選択された1または2以上の金属の組み合わせであるX線発生装置。
  5. 請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが1Mevから10Mevの場合は、前記ターゲットの厚さは0.7〜1.4mm好ましくは略1.0mmであるX線発生装置。
  6. 請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが1Mevから10Mevの場合は、X線ガイドのハネカム状のチャンネルの孔の内径dは0.1〜0.4mm、より好ましくは約0.2mm、X線ガイドの直径Dは2〜4mm、より好ましくは約2.8mm、X線ガイドの長さLは7〜14mm、より好ましくは約10mmであるX線発生装置。
  7. 請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが10Kevから100Kevの場合に、前記ターゲットの厚さは0.07〜0.14mm好ましくは略0.1mmであるX線発生装置。
  8. 請求項1または2記載のX線発生装置において、電子ビームのエネルギーレベルが10Kevから100Kevと低い場合に、
    X線ガイドのハネカム状のチャンネルの孔の内径dは0.1〜0.4mm、より好ましくは約0.2mm、X線ガイドの直径Dは2〜4mm、より好ましくは約2.8mm、X線ガイドの長さLは0.7〜1.4mm、より好ましくは約1mmであるX線発生装置。
  9. 請求項1または2記載のX線発生装置において、前記X線ガイドの材料はAlであり多数の孔は機械加工により製造されたものであるX線発生装置。
  10. 請求項1または2記載のX線発生装置において、X線ガイドは、多数の金属パイプを結束して形成したものであるX線発生装置。
  11. 真空容器と、
    前記容器に配置され高速電子ビームを発生する電子源と、
    前記容器に配置され前記電子源からの電子ビームに衝突され、裏面にX線を発生するX線ターゲットと、および
    複数の均一な孔をもち、複数の前記X線ターゲットの背面から放射されるX線を受ける入力開口が出力開口より大きい円錐状の孔をもち、前記孔は前記X線ターゲットの背面に配置され、前記孔に入射したX線を全反射により他面に導くX線ガイドと、
    から構成したX線発生装置。
  12. 請求項11記載のX線発生装置において、前記X線ターゲットとX線ガイドとの組立と同様な組立を前記孔が対応するように2以上縦列に配置して構成したX線発生装置。
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