JPS60254076A - Ｎｍｒ像形成用シミユレ−タ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分桁 本発明は、核磁気共鳴（ＮＭＲ）像形成装置に関する。

従来の技術 このような装置の性能を評価するには、通常いわゆるシ
ミュレータが使用される。すなわちこのシミュレータは
、像を表示するのに使用される装置によシ発生されたデ
ータの定量的解析および／又は装置によシ発生された物
体の像の眼による検査によって装置の評価を容易にでき
るよう構成された物体である。一般にこのようなデータ
は、装置によシ発生される像の各画素の輝度であシ、こ
Ｑ画素の輝度は画素に対応して像形成されている物体の
部分から生じる装置によシ検出される全ＮＭＲ信号の関
数となっている。

公知のＮＭＲシミュレータは、装置によυ像形成される
ときほぼゼロのＮＭＲレスポンスを発生する材料から成
る密閉体から成り、密閉体内には、同じまたゼロＮＭＲ
レスポンスの材料から成る種々の適当に成形された部材
が配置でき、密閉体の内部の残部のほとんどは、既知の
ＮＭＲレスポンスの材料によシ満されておシ、装置の使
用に際し、励起して共鳴させる種類のプロトンを高度に
均一に分布させるには既知のＮＭＲレスポンスの材料が
必要である。通例のように励起すべきプロトンが水素プ
ロトンであれば、ＮＭＲシミュレータで使用される既知
のＮＭＲレスポンスの材料としては、硫酸銅溶液、又は
塩化マンガン溶液又は遊離水素イオンを含む他の溶液が
適当である。

ＮＭＲ像形成装置は、通常物体の平らなスライスの像形
成すなわちスライス平面にある物体の横断面図を与える
のに使用されるので、物体の３次元容積の像形成が必要
であれは、複数の平行に隔置された平らなスライスを容
積内に配置する。ＮＭＲ像形成用シミュレータは、一般
に管状の密閉体を有し、このシミュレータはテスト下の
装置が密閉体の平らな端部に平行に延長するシミュレー
タの１つ以上の平らなスライスの像をティスゲレイする
ように配置されて使用される。

シミュレータの成形部材は、使用するとじたら、像の各
種パラメータの評価ができるよう設計される。例えば、
像の空間分解能を評価するには、この成形部材は密閉体
の軸に平行に延長する異なる径の多数の離間したロンド
および／または密閉体の軸に平行な平面内に配置された
一連の異なる厚さと異なる間隔のプレートから成る０ コントラストの異なる条件下で像を評価するには、シミ
ュレータ密閉体の異なる領域は、異なる内部長さを有し
、すなわち、異なる深さの既知のＮＭＲレスポンスの材
料を含むことができる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら現在のところ、像形成中の物体のスライス
の厚み有効に定量的に評価できるＮＭＲ像形成用シミュ
レータは存在していない。

又現在のところ、像内のコントラストの異なる条件下で
、例えば像形成中のプロトン密度の異なる条件下で空間
分解能を有効に定量的に評価できるＮＭＲ像形成用シミ
ュレータは存在していない。

更にＮＭＲ像形成装置の性能を評価する際に生じる問題
は、異なるモードで作動するときの装置の性能を比較す
る有効な方法がないことである。

本発明の目的はＮＭＲ像形成用シミュレータおよびこれ
ら設備を与えるシミュレータを使う方法を提供するにあ
る。

問題点を解決するだめの手段 本発明の第１態様によれば、第１の既知のＮＭＲレスポ
ンスを有する第１材料から成る部材を含む密閉体を含み
、スライスの幅方向への寸法が該材料の長さ方向に沿っ
てほぼ０からスライスの厚さに等しい値まで直線、的に
変化するような所定長さの前記材料が前記部材と交差す
る平面内に構成されるよう前記部材は成形され、密閉体
はスライスの厚み方向に少なくとも前記長さにわたって
第２の既知のＮＭＲレスポンスを有する第２材料によシ
満されていることを特徴とするＮＭＲ像形成用シミュレ
ータが提供される。

前記第１の既知のレスポンスは好ましくは実質的にゼロ
ｃ３．．＞　Ｎ　Ｍ　Ｒレスポンス値である。

前記部材は、くさび状ブロックの少なくとも一部である
ことが好ましい。

本発明は更に平らな像形成されたスライスの厚みを測定
するだめの本発明に係るシミュレータを使う方法を提供
する。

従って、本発明の第２の態様によれば、本発明の第１態
様のシミュレータをＮＭＲ装置の検査チャンバ内に配置
し、前記と交差するシミュレータの平らなスライスの像
が前記部材と交差する前記スライスに平行となりかつこ
の中に入るようシミュレータを位置決めして装置を作動
し、前記第１材料の前記長さ方向に沿って像形成された
スライスのエツジレスポンス関数を引出し、前記エツジ
レスポンス関数を微分して像形成された厚みプロフィル
を得ることから成るＮＭＲ像形成装置により像形成され
る物体のスライスの厚みを評価する方法が提供される。

本発明の第６の特徴によれば、複数の密閉体を含み、こ
の各々の密閉体は異なる既知のＮＭＲレスポンスの材料
を含み、密閉体は密閉体と交差する平面内で幅が連続的
に減少する所定長さの前記材料を構成するよう成形され
たＮＭＲ像形成用シミュレータが提供される。

好ましくは各密閉体は幅が直線的にゼロまで減少する所
定長さの材料を構成するよう成形される。

これら密閉体は、同一形状であることが好ましい。

本発明は更に本発明の第３の態様のシミュレータを使っ
てコントラストの異なる条件下でＮＭＲ像形成装置の空
間分解能を評価する方法をも提供する。

従って、本発明の第５態様によれば、本発明の第５態様
のシミュレータをＮＭＲ装置の検査チーヤンパ内に配置
し、前記密閉体と交差する前記平面に対して平行な前記
シミュレータの平らなスライスの像が得られるようシミ
ュレータの位置決めをし、装置を作動し、密閉体の広い
端部から密閉体の像が消える位置までの距離を各密閉体
ごとに測定することから成るコントラストの異なる条件
下でＮＭＲ像形成装置の空間分解能を評価する方法が提
供される。

本発明は更に異なるモードで作動するときの装置の性能
の比較を容易とするＮＭＲ像形成装置の性能を評価する
方法を提供する。

従って、本発明の第５態様によれば、ＮＭＲ像形成装置
の性能を評価する方法は、所定パラメータの２つの異な
る値に対する装置によって発生される像のコントラスト
の比の大きさを得て、前記所定パラメータの前記異なる
値で発生された像の輝度の標準偏差値の大きさを得て、
前記コントラストの比と前記標準偏差値の比の大きさを
得ることから成る。

前記所定パラメータは一般には像形成されている物体の
材料のスピン対スピン又はスピン対格子緩和時間定数で
ある。

本発明に係る２つのＮＭＲシミュレータおよび方法につ
いて、添附図面を参照して例示しながら説明する。

実　施　例 第１図〜第４図を参照すると、模擬体すなわちシミュレ
ータは、透明のプラスチック材料から成る短い管状ハウ
ジングを有し、このノーウジングはコツプ状の本体部分
１とふた６から成シ、ふた６はプラスチック材料のネジ
５によって本体部分に固定され、０リング６によシ本体
部分にシールされている。

ハウジングの内部には、プラスチック材料から成る２つ
の直角を肴するくさ゛び状ブロック７および９が配置さ
れ、これらブロック７および９は、長さ、高さおよびく
さび角が同一であるが、ブロック９の幅は、他方のブロ
ック７の幅の半分になっている。広いほうのブロック７
は、ハウジングの一方の側面にある本体部分１のベース
に固定され、ブロック７のベースは本体部分１のベース
に接触している。狭いほうのブロック９は、ハウジング
の本体部分１にふた３を固定したときブロック９の傾斜
面が広いほうのブロック７の傾斜面の内側の半分と平行
に離間するようハウジングのふた６に固定されている０
ハウジングは異なる径のグラスチック材料から成る多数
のロッド１１をも含み、ロッド１１はふた３をハウジン
グの本体部分１に固定したとき、ブロック７および９の
１つの側に平行に離間し、ロッドの軸はハウジングの軸
に対して平行となるようふた５に固定される。

ブロック７および９の他方の側でぶた５に対してグレー
トの４組１３，１５．１７および１９が固定され、これ
らプレートの各組はプラスチックから構成された３つの
平行に離間するプレートから成シ、各組のプレートは異
なる厚みを有し、その間隔は厚みに等しくなっている。

ブロック７および９と反対側のハウジングで、本体部分
１のベースにプラスチック材料から成る別の＋１は長方
形のブロック２１が固定されている。このブロック２１
には、３つの孔２３゜２５および２７が形成され、一つ
の孔２３はハウジングの軸と平行な方向にブロック２１
の中央を貫通し、他の２つの孔２５および２７は、中心
孔２３と別の側面にて本体部分１のベースに対し、同一
角度、一般的に約２０°となるようブロック２１を貫通
するが、これら２つの孔は逆方向に向いている。

孔２５および２７が形成されたブロック２１０面は、こ
れら孔の軸と垂直になるよう面取シされている。

ブロック２１とブロック７および９との間にはプラスチ
ック材料から成る一組の薄いくさび状プレート２９が設
けられ、これらプレートは扇形に配列されるよう本体部
分１のベースに固定され、これらプレートの狭くなった
端部はブロック２１に隣接するハウジング軸に平行に延
長するラインに合致している。

ブロック７および９の各端部およびブロック２１の各端
部にはそれぞれ一つ、計４つの同一形状のプラスチック
材料の管状インサート５０が配置されておシ、これらイ
ンサート３０には、インサートごとにＮＭＲレスポンス
が異なる材料が満されている。これらインサート３０は
、これらの軸がハウジングの軸に平行となるようにふた
３内の孔に固定されており、これらインサートには、イ
ンサート内の材料を交換できるように取外自在プラグ５
０Ａが嵌合されている。

プラスチック材料の部材によシ満されていないハウジン
グ内の空間全体はＮＭＲレスポンスが公知の材料、例え
ば脱イオン水の硫酸銅又は塩化マンガン溶液によシ満さ
れている。この溶液には、液液のＮＭ几レスポンスが人
体のＮＭＲレスポンスにより近似してシミュレートする
よう塩化ナトリウムでドープしてもよい。この塩化ナト
リウムは、溶液中のＮＭＲ応答性遊離水素イオンを分布
させるよう働く。

ハウジング？溶液で満すことができるようにハウジング
の本体１のわん曲した壁には孔が設けられ、この孔はプ
ラスチック材料のねじ６１で栓がされている。

プラスチック材料は、ハウジングを満すのに使用された
溶液と比較してＮＭＲレスポンスが実質的にゼロとなる
ようなものが選択される。

使用時には本シミュレータは、テストされるＮＭＲ装置
の検査チャツノ（に配置され、シミュレータの平らな端
部に平行な方法にシミュレータのハウジングの内部を貫
通する平らなスライスの像形成をするように装置が作動
される。

装置の性能の評価は、ロッド１１、グレート１３．１５
，１７．１９および２９の像を従来の態様で視覚により
半定量的に評価することによシ行われる。これに関連し
てゼロのＮＭＲレスポンスが黒に対応するようなグレイ
スケ〒ルで像がＮＭＲレスポンスを表示すれば、全プラ
スチック体はプライトディスプレイに囲まれた像上で黒
に見えるかどうが評価する０ 幅の狭いブロック９と幅の広いブロック７の対応部は、
シミュレータに対する像形されたスライスの位置を視覚
的に表示する。従って、幅の狭いブロック９およびブロ
ック７の対抗部分に対応する像エリアは、ブロック９の
幅に対して平行に延長ずプライトバーを除き黒となシ、
このプライトバー像スライスがブロック７ト９との間の
ギャップと交差する領域に対応する。

第２図から明らかなように、像スライスが）・ウジング
のベースからふた３に向って移動する際にプライトバー
はブロック７の一端から他端へ向って移動する。

幅の狭いブロック（第１図参照）に対抗していない幅の
広いブロック７の部分は、像スライスの幅の定量的評価
をするのに使用される。

次に第７図を参照すると、像スライスがブロック７の傾
斜面と交差する領域では、ブロック７の材料によって占
められている像スライスの幅の比率は、ブロック７の薄
い端部方向に１から０に変化する。従って、対応する像
はこの領域では黒色から最大輝度まで変化する。

像スライスがブロック７の傾斜面と交差している上記領
域を横断するブロック７の長さ方向に平行なＸ方向に延
長するライン上の像の画素の輝度Ｐを取ることによって
スライス幅を評価する０これら輝度値は、ディスプレイ
された像上でなされる輝度測定でなくて像をディスプレ
イするよう計算されたデータから取ることが好丑しい。

次にこの輝度値は、例えば第５図に示されるようにＸ方
向の画素番号を記入したグラフ上にプロットされる。こ
の結果化じるグラフの傾きｄＰ／ｄＸは、次に第６図に
示されるようにＸ方向の画素番号に対応してプロットさ
れる。

次に第６図のグラフ上の測定値によシスライス幅を定量
的に評価できる。

一般にスライス幅は、ｄＰ／ｄＸの値が最大値の半分に
なる場合測定される。第６図のグラフは、このレベルの
Ｘ方向の寸法Ａを得るのに使用される。次に式Ａｔａｒ
Ｉθからスライス幅Ｗが得られるが、θは第７図に示す
ようにブロック７のくさび角である。

第６図のグラフは、実際に像スライスの厚さのプロフィ
ルを表示することが判る。

測定された画素の輝度の値は、Ｘ方向へのエツジレスポ
ンス関数の射影値であシ、この射影値はスライス厚みの
プロフィルとブロックのくさび角により決定されたラン
プ関数とのたたみ込みであるので、スライスプロフィル
は、エツジレスポンス関数を微分により逆たたみ込みす
るとき得られる。

第６図のグラフでも、所定限界すなわち最大ｄＰ／ｄＸ
レベルの半分の中にあるスライスプロフィルの面積の％
を定量的に評価できるようＫする。

第６図のグラフは、装置内で得られるスライスから外れ
たスプリアスＮＭＲレスポンスノ有効表示値も与えるこ
とに留意されたい。

ＮＭＲ形成装置での評価するだめの従来の方法では、検
出された共鳴信号又はスライス中の共鳴を励起するのに
使用されたＲＦパルスのフーリエ解析によシ評価される
。

本発明に係るシミュレータは、得られる実際の像で測定
がなされるので、スライス幅と直接的なよシ正確な評価
を可能とする。

第１図から第４図に示されたシミュレータは、物体の単
一スライスの像形成をするときのＮＭＲ像形成装置の性
能を評価するのに適している。

物体の容積すなわち複数の平行に隔置されたスライスの
像形成するときの性能を評価するには、長い長さ、例え
ば約９０ｃｍ長のシミュレータが必要である。そのとき
ブロック７および９は、図示すような約３０°のかわシ
に例えば約６０°の大きなくさび角を有することになろ
う。

各スライスの位置およびスライス間の内部間隔はすべて
、上述したように測定できる。

ブロック２１の像は、部分容積効果型ゲージのように従
来の方法で使用できるので、像のコントラスト比を評価
できる。

しかしながら、ブロック１９の像は、次のようにスライ
ス幅の高速表示を得るのにも使用できる。

第８図を参照すると、スライス幅がスライス幅方向への
孔２５および２７の寸法γよシも大きければ、スライス
幅には、式Ｗ＝γ／Ｓで示される。ここでＳは、孔２３
の像の輝度に対する孔２５又は２７（すなわち、像の中
心点）の最大輝度の比である。γはＢ／ｃＩ）！Ｉαで
示され、ここでＢは孔２５および２７の径であり、αは
孔２５および２７のハウジングの本体部分１のベースに
なす角度である。

インサート３０は、像のコントラスト比、すなわち既知
の異なる性質、例えば異なるスピン対格子緩和時間定数
Ｔ１２はスピン対スピン緩和時間定数Ｔ２を有する材料
の像の輝度の差をブロック２１を使うよりもよシ良好に
評価するのに使用される。

この目的のため、インサートを満す材料は＋＋ １［ＯＸ　１０１７Ｍｎ　イオン／ＷＬｌから１００×
１０′ＳＭｎ”イオン／罰の濃度の塩化マンガン溶液が
適当である。実際に使用した態様では、４つの溶液は、 １．０　＞＜１ｏ１７（６，４ＭＨｚでＴ　Ｉ＝　１６
０ｍｓ、　Ｔ２＝３８０ｍｓ）４．２０　Ｘ　１０１６
（Ｔ１＝２２０ｍｓ、　Ｔ２＝３１０ｍｓ　）１．４０
　Ｘ　１０１６（ＴＩ＝４２３ｍｓ、　Ｔ２＝１６０ｍ
５）６．９３Ｘ１０’ＪＴ１＝７００ｍｓ、　Ｔ２＝　
８６ｍ５）の濃度である。

Ｔ１又はＴ２に関し、装置によって発生される像のコン
トラスト比を定量的に評価することここでρ。はインサ
ート３０の材料に対するプロトンの密度、すなわち平均
像輝度であって、装置は像輝度が主に選択された緩和時
間定数Ｔ１又はＴ２に依存しているモードで作動し、添
字「′」および「“」は、Ｔ１又はＴ２の値が当該Ｔ１
又はＴ２のレンジの端にある２つの選択されたインサー
トの各々の一つを表示する。

Ｔ１又はＴ２に関するテスト下の装置の最小感度は、式 ％式％ を使って得ることができる。ここでＬｕＣは、２つの選
択されたインサート３０中の溶液濃度の自然対数の差で
あシ、７７Ｍは、２つの選択されたインサート６０の７
７Ｍの平均値でアシγはインサートの像エリア上の輝度
の標準偏差値で、Ｍはインサートの像エリア上の輝度の
平均値である。

ΔＬｎＣ＝’Ｔ’−Ｔ“であることが理解されよう。

従って、最小感度は、所定時間定数Ｔ１又はＴ２の所定
レンジの％とじて表わされる像のコントラスト比と像輝
度の平均値の％とじて表わされ像輝度の標準偏差の比と
なる。

所定のインサート３００対に対しては、式（１）できる
。ここでＫは定数である。

γΔの項の逆数は、像のＳＮ比の基準となることが理解
されよう。従って、得られる最小感度が高くなればなる
程、得られる像中で異なる緩和時間定数Ｔ１又はＴ２の
材料のエリアを視覚的によシ良好に区別できるようにな
る。

上記の例では、異なるＴ１又はＴ２の値の像のエリアを
区別することによって装置の性能に関する最小感度を得
ていたが、この方法を使用して別のパラメータ、例えば
温度の異なる値を有する像エリアを区別することによシ
装置の性能に関する最小感度を得ることもできる。

次に第９図および第１０図を参照すると、第２シミユレ
ータは、４つの同じ形状、寸法の中空くさび状密閉体３
３，３５．３７および３９から成る。これら密閉体の各
々は、ＮＭＲし′スボンスが実質的にゼロの透明なプラ
スチック材料から構成され、各密閉体には既知のＮＭＲ
レスポンスを有する材料４１，４５．４５又は４７例え
ば容液が満されており、異なる密閉体の材料は、異なる
ＮＭＲレスポンスを有する。

これら密閉体の三角形の端部（第１０図の４９を参照）
は、最小内約３°のほぼ二等辺三角形にすることが好ま
しい。

充填相料は、塩化マンガンの溶液が好ましく、溶液の濃
度は１．　ＯＯＸ　ｊ　０１７　Ｍｎ　イオｙ　／　ｍ
ｌ　〜１．００Ｘ　１０１５Ｍｎ　イオン／−の範囲で
ある。実際に使用した態様では、４つの密封体では濃度
５０２×１０１６、、　１．５６Ｘ　１０１７．２．６
１　Ｘ　１０１７および５．２５×１０”Ｍｎ”イオン
／ｄの濃度の溶液がそれぞれ使用された。

シミュレータの使用に際し、４つの密閉体はテスト下の
ＮＭＲ装置の検査チャンバ内配置され、装置がスライス
の像を形成するときスライスは各密閉体の三角形端部に
平行な方向に各密閉体を通過して延長するように密閉体
が配置される。

これら密閉体は、第９図に示すように隔置さるように適
当に配置され、別のシミュレータの外部、例えば第１図
から第４図のシミュレータのわん曲した壁に固定し、シ
ミュレータの三角形端部がふた３および本体部分１のベ
ースに平行となるようにしてもよい。

装置の空間分解能の定量的評価は４つの密閉体の像から
なされる。各密閉体の幅広の端部から密封体の像が消え
る位置までの距離によシカットオフ分解能が表示される
。従って、カットオフ分解能の値は、コントラスト比の
４つの値の各々で得られ、密閉体の表示された像を観察
するよシも密閉体の長手方向に延長するラインに沿ち画
素の計算された輝度値を検査することによシよシ正確に
カットオフ分解能を評価できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、第１シミユレータの平面図、第２図、第６図
および第４図は第１図のＩ［−１，Ｉ−ｍおよびＩＶ−
ＩＶ線に沿う第１シミユレータの断面図、第５図および
第６図は第１シミユレータを使って像形成されたスライ
スの幅を測定するだめの第１方法を示すグラフ、第７図
は第１方法を示す図、第８図は第１シミユレータを使っ
て像形成されたスライスの幅を測定するための図、第９
図は第２シミユレータの平断面図、第１０図は第９図の
シミュレータを構成する４つの密閉体の一つを示す斜視
図でおる。 １・・・コツプ状本体部分 ３・・・ふた ７、９・・・くさび状ブロック １１・・・ロッド ３０・・・インサート 特許出願人　ピカー　インターナショナル　リミテッド
１面の浄書（内容に変更なＬ９ 手続補正書（方式） 昭和６０年　７月Ｓ日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 ２　発明の名称 ＮＭＲ像形成用シミュレータ ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　ピカー　インターナショナル　リミテッド４代理
人 住所　〒１００東京都千代田区丸の内２丁目４番１号電
話２０１−３４９７．２１４−６８９２５　手続補正指
令の日付　昭和６０年０６月１０日（発送日　昭和６０
年０６月２５日） ６　補正の対象

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）第１の既知のＮＭＲレスポンスを有する第１材料
   の部材（７）を含む密閉体（１，３）を含むＮＭＲ像形
   成用シミュレータにおいて、スライスの幅方向への寸法
   が材料の長さ方向に沿ってほぼ０からスライスの厚さに
   等しい値まで直線的に変化するような所定長さの前記材
   料が前記部材（力と交差する平らなスライス内で得られ
   るよう前記部材（力は成形され、密閉体（１，５）はス
   ライスの厚み方向に少なくとも前記長さ方向に第２の既
   知のＮＭＲレスポンスを有する第２材料によシ満されて
   いることを特徴とするＮＭＲ像形成用シミュレータ。 （２）前記第１の既知のレスポンスはほぼ０のＮＭＲ，
   レスポンス値でらる特許請求の範囲第１（３）前記部材
   （力がプラスチック材料から成る特許請求の範囲第２項
   記載のシミュレータ。 （４）前記部材（力は少、なくともくさび状ブロックの
   一部でおる特許請求の範囲第１〜３項記載のシミュレー
   タ。 （５）前記部材はくさび状ブロック（７）の一部から構
   成され、ブロックの他の部分は、くさび状ブロックの形
   状の前記第１材料から成る別の部材（９）の平面と平行
   に離間した平面を有し、これら平面の間のキャップは、
   前記子らなスライスと鋭角をなして横方向にし横断して
   延長する特許請求の範囲第４項記載のシミュレータ。 （６）前記密閉体は、コツプ状部分（１）とふた部分（
   ３）とから成シ、前記くさび状ブロック（７および９）
   の一つは、ふた（３）に固定され、他方はカップ状部分
   （１）のベースに固定されている特許請求の範囲第５項
   記載のシミュレータ。 （７ン　第１の既知のＮＭＲレスポンスを有する第１材
   料の部材（７）を含む密閉体（１，３）から成るシミュ
   レータをＮＭＲ像形成装置の検査チャンバ内に配！し、
   シミュレータの像を得るよう装置を作動させることから
   成るＮＭＲ像形成装置によυ像形成される物体のスライ
   スの厚みを評価する方法において、 スライスの幅方向への寸法が材料の長さ方向に沿ってほ
   ぼ０からスライスの厚さに等しい値まで直線的に変化す
   るような所定長さの前記材料が前記部材（７）と交差す
   る平らなスライス内で得られるよう前記部材（７）は成
   形され、密閉体（１，３）はスライスの厚み方向に少な
   くとも前記長さにわたって第２の既知のＮＭＲレスポン
   スを有する第２材料で満されておシ、装置を作動したと
   ′き、前記部材（力と交差するシミュレータの平らなス
   ライスの像が前記部材と交差する前記スライスに平行か
   つこの中に入るようシミュレータを装置内に配置し、前
   記第１相料の前記長き方向への像形成されたスライスの
   エツジレスポンス関数をまず引出し、次に前記エツジレ
   スポンス関数を微分して像形成されたスライスの厚みの
   プロフィルを得ることを特徴とする方法。 （８）　シミュレータの像のディスプレイ上で行なわれ
   る測定と別に計算されたデータから前記エツジレスポン
   ス関数を引出す特許請求の範囲第７項記載の方法。 （９）複数の密閉体（３３，ろ５．３７．３９）を含み
   、その各々は異なる既知のＮＭＲレスポンスヲ有する材
   料（４１，４５，４５又は４７）を含み、密閉体は密閉
   体と交差する平面内で幅が連続して減少する所定長さの
   前記材料を構成するよう成形されていることを特徴とす
   るＮＭＲ像形成用シミュレータ。 （１０）前記各密閉体（３３，３５，５７又は６９）は
   、幅が直線的にＯまで減少する所定長さの前記材料を構
   成するよう成形されている特許請求の範囲第９項記載の
   シミュレータ。 （ＬＤ　前記密閉体（３３，３５，３７，’３９ンはく
   さび状である特許請求の範囲ｍ１９項又は第１０項記載
   のシミュレータ。 （ｌ渇　前記密閉体はほぼ同一形状である特許請求の範
   囲第９〜１１項のいずれかに記載のシミュレータ０ （１３ｉ　像内のコントラストの異なる条件下でＮＭＲ
   像形成装置の空間分解能を評価する方法において、各々
   が異なる既知のＮＭＲレスポンス値の材料（４１，４３
   ，４５又は４７）を含む複数の密閉体（３３，３５，３
   ７，３９）’（これら密閉体は、幅が連続的に減少する
   ような所定長さの材料が密閉体と交差する平面内で得ら
   れるよう成形されているンから成るシミュレータをＮＭ
   Ｒ像形成装置の検査チャンバ内に配置し、前記密閉体と
   交差する前記平面に平行な前記シミュレータノ平うなス
   ライスの像が得られるようシミュレータを位置決めしか
   つ装置を作動し、密閉体ごとに、密閉体の像の消える位
   置の密閉体の幅の広い端部からの距離を測定することを
   特徴とする方法。 Ｉ　シミュレータの像のディスプレイの観測とは別に計
   算されたデータを検査することにょシ密閉体の各像の消
   える位置までの距離を測定する特許請求の範囲第１６項
   記載の方法。 （１５１ＮＭＲ像形成装置の性能を評価する方法におい
   て、 所定パラメータの２つの異なる値に対して装置によって
   発生された像のコントラストの比の大きさを得て、前記
   選択されたパラメータの前記異なる値で発生された像の
   輝度の標準偏差値の大きさを得て、前記コントラスト比
   および前記標準偏差値の比の大きさを得ることがら成る
   方法。 叫　コントラストの前記比は、所定パラメータの前記２
   つの異なる値に対して発生された像の輝度の差と前記異
   なる値の−っに対する像の輝度の比である特許請求の範
   囲第１５項記載の方法。 αη　コントラスト比の前記大きさは、前記所定パラメ
   ータの前記２つの値の間の差の分数として表わされるコ
   ントラストの前記比である特許請求の範囲第１５項又は
   第１６項記載の方法。 Ｑ８　標準偏差値の前記大きさは、像の輝度の平均値の
   分数として表わされる前記標準偏差値である特許請求の
   範囲第１５〜第１７項のいずれかに記載の方法。 翰　装置により像形成された物体の第１エリア（このエ
   リアで前記選択された）くラメータは前記２つの値の一
   つを有し）における像の輝度の平均値と標準偏差値の比
   と装置によシ像形成された物体の第２エリア（このエリ
   アで前記選択されたパラメータは前記２つの値の他方を
   有し）における像の輝度の平均値と標準偏差値の比の平
   均値である特許請求の範囲第１２項記載の方法。 （２０前記所定パラメータは、像形成されている物体の
   材料のスピン対スピン緩和時間定数（Ｔ２）又は像形成
   された物体の材料のスピン対格子緩和時間定数（Ｔ１）
   である特許請求の範囲第１５項〜第１９項のいずれかに
   記載の方法。