JPS60253138A - イオン・ビ−ム装置 - Google Patents

イオン・ビ−ム装置

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Publication number
JPS60253138A
JPS60253138A JP10771484A JP10771484A JPS60253138A JP S60253138 A JPS60253138 A JP S60253138A JP 10771484 A JP10771484 A JP 10771484A JP 10771484 A JP10771484 A JP 10771484A JP S60253138 A JPS60253138 A JP S60253138A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
ion beam
beams
sources
machining
Prior art date
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Pending
Application number
JP10771484A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS60253138A publication Critical patent/JPS60253138A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3007—Electron or ion-optical systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はイオン・ビームによる微細加工装置のイオン・
ビーム源構成に関する。
〔従来技術〕
従来、イオン・ビームによる加工装置は、単一イオン源
からのイオン・ビームによる加工が行なわれていた。
しかし、上記従来技術によると、イオン・ビーム加工の
スルー・プツト（能率）が悪いことや、加工材料が限定
されるという欠点があった。
〔目　的〕
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、高スルー・
プツトあるいは加工材料の限定のより少いイオン・ビー
ム加工装置を提供することを目的とする。
〔概　要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、イ
オン・ビーム装置において、 （１）２つ以上のイオン源がらのイオン・ビームを同−
試料上に照射する多重ビームイオン源を具備することを
特徴とすること、 及び （２）２種以上のイオン源からのイオン・ビームを同−
試料土に照射する多重ビーム・イオン源を具備すること
を特徴とすること、 等である。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すイオン・ビーム露光装
置の要部の構成を示す模式図である。
いま、Ｗフィラメント１及び２の尖端にはＧａ液体金属
６，４がつけられ、偏向コイル５，６及び加速板１０に
よりＧａイオンが加速ビームになり・Ｘ、Ｙ方向に走査
されて、それぞれ試料Ｚ上のビーム８，９として走査さ
れるものである。
第２図は、本発明の他の実施例を示すイオン・ビーム打
込み装置の要部の構成を示す模式図である。いま、Ｗフ
ィラメント１１の尖端にはＧａ液体金属１２と、アルミ
ナノズル１５には７レオン・ガス１４が導入され、高周
波コイル１５により７レオン・ガスがプラズマ化され、
ビーム状にノズル端から放出され、ＧａイオンをＦイオ
ンが各々のソースから偏向コイル＋６．１７及び加速板
２１により加速・偏向され、試料１８表面のビーム１９
及び２０として走査・加工される。
〔効　果〕
上記の如く、２つ以上のイオン源あるいは２１Ｎ以上の
イオン源からのイオン・ビームによる加工により、イオ
ン・ビーム加工が高能率化出来ると共に、同時に２種以
上のイオン・ビームの加工が出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の実施例を示すイオン・ビー
ム加工装置の要部の構成を示す模式図である。 １．２．１１・・・・・Ｗフィラメント３．４．１２・
・・・Ｇａ液体金属 １６・　−ノズル １５・・・高周波フィル １４・・・ガス ５．６，１６．４７　偏向フィル １０．２１　・・・加速板 ７．１８・・・試料 ８．９．．１９．２０・・・　イオン・ビーム第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）２つ以上のイオン源からのイオン・ビームを同−
    試料上に照射する多重ビームイオン源を具備することを
    特徴とするイオン・ビーム装置。 （２１２１９以上のイオン源からのイオン・ビームを同
    −試料上に照射する多重ビームイオン源を具備すること
    を特徴とするイオン・ビーム装置。
JP10771484A 1984-05-28 1984-05-28 イオン・ビ−ム装置 Pending JPS60253138A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009152127A3 (en) * 2008-06-11 2010-03-18 Varian Semiconductor Equipment Associates Techniques for providing a multimode ion source

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009152127A3 (en) * 2008-06-11 2010-03-18 Varian Semiconductor Equipment Associates Techniques for providing a multimode ion source
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