JPS60253038A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はレーザー光をガイドするガイドトラック層を有
する光磁気ディスクに関する。

従来技術 レーザー光によって高密度記録及び再生を行なう光磁気
ディスクとしてレーザー光をガイドするためのガイドト
ラック層を有するものが知られている。例えば第１図に
示すように射出成型により作成したガイドトラック１′
付プラスチツク基板２上に希土類金属〜遷移金属非晶質
合金のような垂直磁気異方性を有する磁性層３と８１０
．８１０．等の保護層４とを設けたものや、第２図に示
すようにプラスチック又はガラス基板２上に紫外線硬化
性樹脂（以下、ホトポリマーという）を２Ｐ法により付
着させてガイドトラック層１を設け、更にその上に同様
な磁性層３と保護層４とを設けたものが知られている。

これらの磁気ディスクにおける磁性層の形成法としては
一般に蒸着法や２極ＲＦス／ぞツタリング、反応性スパ
ッタリング法ングパッタリング法が採用されている。こ
うして得られる磁性層への記録、再生は第１〜２図の矢
印で示すように基板側からレーザー光を照射することに
よシ行なわれる。このように基板側からレーザー光を照
射するのは層構成、特に磁性層の配置によるものである
が、従来の光磁気ディスクではこのような層構成のため
、磁性層に用いられる材料の選択ｍｌに限界があった。

これは磁性層の形成時、即ち磁性材料のスパッタリング
時に材料の種類によっては基板を高温に維持する必要が
あるからで、例えば磁性材料としてＢａ−フェライトを
用い念場合には基板温度は５００〜６００Ｃ必要であ夛
、このような高温ではプラスチック基板は勿論、ガラス
基板でもその上に樹脂製のガイドトラック層があるため
、基板等の変質、変形等を起こし、耐えられない。

目　的 本発明の目的は耐熱基板を使用し、且つ層構成を代える
ことにより、磁性層の形成時に高温の基板温度が必要な
磁性材料でも使用可能な光磁気ディスクを提供すること
である。

構　成 本発明の光磁気ディスクは基本的には次の３種類である
。

１）耐熱基板上に、垂直磁気異方性を有する磁性層と、
ガイドトラック層と、透明保護層とを順次設けてなる光
磁気ディスク。

２）耐熱基板上に、垂直磁気異方性を有する磁性層と、
ガイドトラック層と、前記ガイドトラック層を透明保護
層に接合するための中間層と、透明保護層とを順次設け
てなる光磁気ディスク。

３）耐熱基板上に、垂直磁気異方性を有する磁性層と、
前記磁性層を透明保護層に接合するための中間層と、ガ
イドトラック付透明保諦層とを順次設けてなる光磁気デ
ィスク。

以上の３種の光磁気ディスクはガイドトラック層、保護
層及び中間層の使用材料、形成法等によって種々変化し
得るが、従来とは層構成、特に磁性層の配置が異なるの
で、記録、再生時のレーザー光照射はいずれも保護層側
から行なわれる。

以上のような本発明の光磁気ディスクを図面によって説
明すると、まず１）のタイプの光磁気ディスクはガイド
トラック層の材料としてレーザー光によって溶融穿孔す
るか又は変色する（これにより光透過率が変化する）材
料を使用した場合には例えば第３図（図中、７は耐熱基
板、１“は溶融穿孔によって形成されたガイドトラック
層）に示すような構造となる。またガイドトラック層の
材料として従来と同じくホトポリマーを用いた場合には
第４図に示すような構造となる。

次に２）のタイプの光磁気ディスクは中間層の形成、即
ちガイドトラック層と保護層との接合に接着剤を用いた
場合には前述のようなガイドトラック層の使用材料の種
類に応じて第５〜６図（図中、５は中間層）に示すよう
な構造となる。また中間層の形成にスペーサーを用いた
場合には同様にガイドトラック層の使用材料の種類に応
じて第７〜８図（ａ）　（ｂ）　Ｃ図中、６はスペーサ
ー、７は空気又は不活性液体で、（ａ）はディスク全体
の断面図、（ｂ）は（＆）図の八−入部の平面図である
。〕に示すような構造となる。

最後に３）のタイプの光磁気ディスクは中間層の形成に
接着剤を用いた場合にはｗｃ９図（図中、４′はガイド
トラツク１′付透明保護層）に示すような構造となる。

また中間層の形成にスペーサーを用いた場合には第１０
図（ａ）　（ｂ）に示すような構造となる。

更に１）〜３）の各タイプの光磁気ディスクには第１１
〜３５図に示すように耐熱基板７と磁性層３との間に断
熱層８及び／又は反射層９を設けたり、磁性層３とガイ
ドトランク層１．ｆとの間、ガイドトラック層Ｙと中間
層５との間、ガイドトラック層１．Ｙと透明保護層４と
の間、及び／又は磁性層３と中間層５との間に透明誘電
体層１０を設けたり、或いは透明保護層４゜４′と中間
層５との間、ガイドトラック層１と中間層５との間、又
はガイドトラック層１と透明保護層４との間に反射防止
層１１金設けることができる◇なお第１１〜１４図ｆｉ
第３図の光磁気ディスクに対応するものでろり、第１５
〜１８図は第４図の光磁気ディスクに対応するものであ
り、第１９〜２４図は第５図の光磁気ディスクに対応す
るものであり、第２５〜３０図は第６図の光磁気ディス
クに対応するものであ夛、また第３１〜３５図は第９図
の光ディスクに対応するものである。

次に本発明の光磁気ディスクに使用される材料及び層形
成法等について説明する。まず耐熱基板７としてはガラ
ス；シリコンウェハー；Ａｌ、Ｎｉ等の金属；表面研摩
したセラミック等の耐熱材料が使用される。

磁性層３はレーザー光により磁気光学的に記録、再生を
行なうための層で、この層に使用される材料としては垂
直磁気異方性を有する磁性材料であればよく、例えばＴ
ｂＦ・、ＧｄＴｂＦｅ　。

ＴｂＦｅＯｏ　、　ＴｂＤｙＦｅ０ｏ　、　ＧｄＴｂＦ
ｅ０ｏ　、　ＧｄＦｅ。

Ｄｙｋｅ　、　Ｇｄ０ｏ　、　ＧｄＴｂＦｅ　等の稀土
類金属〜遷移金属非晶質合金；　Ｍｎ　Ｂ　１　ｙ　Ｍ
ｎ　Ｏｕ　Ｂ　Ｉ　ＨＢａＦｅ１２０１ｇ　＋一般式Ｍ
＠Ｍｘｘ　Ｍ□、　Ｆｅ１１　（ｘ＋ｙ）　ｏ、。（但
しＭｓはＢａ、Ｓｒ及びｐｂよりなる群の少くとも１種
；ＭｌｉｌｔＧａ、ＡＪ、Ｏｒ又はＭｎ　；　ＭｎはＩ
ｎ、Ｓｃ、Ｚｎ。

ＴＩ、Ｓｎ、Ｂｔ、ＧｄｔＴｂ＋Ｄｙ＋Ｈｏ、Ｌａ、Ｙ
ｔＯｏ＊　８１　。

Ｎｌ及びＧ・よシなる群の少くとも１種；０＜ｘ≦８、
Ｏ＜ｙ≦６で、且つＯ（ｘ　＋　ｙ≦８）で示される金
属酸化物磁性体等の多結晶又はガーネット系の単結晶等
が挙げられる。磁性層の厚さは０．０１〜５μｍ程度が
適当である０ ガイドトラック層１，１“及び透明保護層４′に付属し
たガイドトラック１′は記録、再生時のレーザー光を案
内する目的で設けられる。ガイドトラック層１　、１’
に使用される材料としては前述のようにレーザー光によ
り溶融穿孔するか又は変色して光透過率が変化する材料
とホトポリマーとに大別される。前者の材料のうち溶融
穿孔タイプの材料で作られたガイドトラック層は符号１
′で示されるものであり、また後者の材料で作られたガ
イドトラック層は符号１で示されるものである。ここで
前記光透過率が変化する材料としてはＧｅＯｘ、ＴｅＯ
ｘ、Ｓ＠Ｓｂ、　ＳｅＴ＊　。

ＡｓＳ＊ＳＧ＠、ＧｅＡｓＴＩ、Ｍｏｏｘ、５ｂＯｘ、
８ｎＯｘ、Ｔ＠Ｏｘ＋Ｇ＠Ｓｎ、Ｔ＠Ｇ＠ａｂ８．Ｇｅ
ＡＩＳ＊等のカルコゲナイド系材料（以上は変色するタ
イプ）や、Ｔ会Ｂｉ。

ＴＩ０８ｂＳｓ　ｔ　Ａｓ１８ｅｌ　、　８＠Ｔｅ５ｂ
ｙＧ−ｅＡａＴ＠、ｓ＠Ｔ＊Ａ＠等のＴ・又はＳｓ系合
金又は化合物；フタロシアニン染料、シアニン染料、ニ
グロシン染料等の染料（以上は溶融穿孔するタイプ）が
挙げられる。なおガイドトラック１′又はガイドトラッ
ク層１，１′の溝の深さく又は層厚）は中間層のないも
のではλ／８ｎ（λ：レーザー光の波長、ｎニガイドト
ラック層の屈折率）、中間層のあるものではλ、、”ｓ
　（ｎ−ｎ’）　（ｎ’　：中間層の屈折率）の時に最
も効率よくトラックエラー信号を検出できるので、この
値が最適であるが、それ以外で龜よい。具体的には１０
μｍ以下が適当である。

ガイドトラック１′は以下のような透明保護層の材料か
ら作られる。

透明保護層４，４′は磁性層の劣化防止及びディスク表
面の保護の目的で設けられる。その材料としてはホトポ
リマー；アクリル樹脂、特にＩリメチルメタクリレート
；ポリカー２ネート；ポリウレタン；ポリアミド；ポリ
エーテルサルホン；エポキシ樹脂等の樹脂で、複屈折の
小さいものが使用されるが、第４図及び第１６〜１８図
の光磁気ディスクの場合は下層のガイドトラック層ｌと
は屈折率の異なるものが選択される。厚さは中間層を合
せた厚さで０５〜２Ｗ程度が適当である。

中間層５は単に上層と下層とを接合するための層で、接
着剤からなるか、或いはスペーサー６を介して同様な接
着剤で接着し、内部に空気又はシリコーンオイルのよう
な不活性液体を充填して構成される。接着剤としてはエ
ポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、カナダノ々ルサム、メ
タアクリル樹脂等が使用される。なおスペーサーの材料
としては各種の金属、プラスチック、ガラス等が使用さ
れる。また第９図及び第１０図の光磁気ディスクの場合
、中間層の材料としては上層の透明保護層４′とは屈折
率の異なる材料が選択される。中間層の厚さは１０μｍ
以下、好ましくは２μｍ以下が適当である。

断熱層８は記録、消去時の熱伝導によるレーサーノクワ
ーの損失を低減する目的で設けられるが、磁性層の劣化
を基板側から防止する保護層の役目も兼ね備えている。

断熱層に使用される材料としてはＳ　ｉ　Ｏｘ　ｔ　Ｓ
　１ｍＮ４　ｅｋｌＮ等の誘電体が挙げられる。厚さは
０．０５〜２μｍ程度が適当である。

反射層９は磁性層のファラデー効果を利用して再生を行
なう場合に設けられるが、断熱層及び保護層の役目も兼
ねることもできる。反射層に使用される材料としてはＡ
Ｊ、Ａｇ、Ｏｕ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属や断熱層の材料と
同じ＜　Ｓｌｏｗｓ　８１ｓＮａ　ｒＡ！Ｎ等の誘電体
が挙げられる。厚さは金属膜の場合は特に制限はないが
、００１〜２μｍ程度が適当である。一方、誘電体膜の
場合はＮλ／　２　ｎ（λ：レーザー光の波長、ｎ：誘
電体膜の屈折率、Ｎ：０，１，２．３等の整数）の時に
最も反射率が大きくなるので、この値が最適の厚さであ
るが、それ以外でもよい。

透明誘電体層１０は透明保護層と同様、磁性層を保護す
る目的で設けられるが、その屈折率及ヒ厚さによっては
エンノ・ンスメント効果も利用できる。透明誘電体層の
材料としては断熱層の材料と同じ（Ｓｌｏｗ　ｔ　８１
ｇＮ４１ｋＩＮ等の誘電体が挙げられる。厚さはエンハ
ンスメント効果を目的とする場合は０．０５〜２μｍ程
度が適当であるが、それ以外の場合は特に制限はない０
反射防止層１１は記録、再生時の透明誘電体層４，４′
とガイドトラック層１との界面での反射による光のロス
を防止すると共に磁性層３又は反射層９で反射した光と
の干渉を防ぐ目的で単層又は多層状に設けられる。反射
防止層に使用される材料としては断熱層や透明誘電体層
の材料と同じ＜　８１０．　、８１．Ｎ、　、　ＡＪＮ
等の誘電体が挙げられる。厚さは単層膜の場合、（２Ｎ
＋１）λ／４ｎ（ｎ：反射防止膜の屈折率、λ：レーザ
ー光の波長、Ｎ；０，１，２．３等の整数）の時に反射
率がＯになるので、この値が最適であるが、それ以外で
もよい。

次に本発明の光磁気ディスクの製造法について説明する
。まず第３図及び第４図のよりな１）のタイプの光磁気
ディスクを作るには（１）耐熱基板２′上に磁性層材料
を蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方
法で均一に付着せしめて磁性層３を設け、（２）−ｔの
上にａ）ガイドトラック層材料として前記レーザー光に
より光透過率が変化する材料を用いた場合は蒸着、スピ
ンコード等の方法で均一に付着させた後、得られた膜に
ガイドトラック状にレーザー光全照射して露光部分を溶
融穿孔するか又は変色させることによりガイドトラック
層１′（ここでは溶融穿孔の例）ｔ″設け、またｂ）ガ
イドトラック層材料としてホトポリマーを用いた場合は
例えば第４Ａ図に示すようにこのホトポリマー２０ｉス
ピンコードのような方法で均一に塗布した後〔第４Ａ図
（１）→（ＩＩ）　：）　、これに、予めガイドトラッ
ク状に溝を設けた原盤２１（耐熱基板７が透明の場合は
透明又は不透明の材料が、また耐熱基板２′が不透明な
場合は透明材料が使用される。）を密着させ〔第４Ａ図
（ＩＩ）→（Ｉ）〕、原盤２１及び／又は基板７側から
紫外線を照射してホトポリマー層２１を硬化せしめ〔第
４Ａ図ＯＶ）　）　、ついで原盤２１を剥離してガイド
トラック層１を設け〔第４Ａ図（ト））　、（３）更に
その上に透明保護材料をスピンコードのような方法で均
一に塗布して透明保護層４を設ければよい。なお（２）
工程の＆）と（３）工程とは逆の順序にしてもよい。

第５図及び第６図のような２）のタイプの光ディスクを
作るには前記】）のタイプの光磁気ディスクの製造法に
おいて、透明保護層４を設ける際、透明保護層材料とし
て板状のものを用い、且つこれをガイドトラック層１’
、１上に中間層材料を用いて接合して、中間層５を介し
て透明保護層４ｔｌ−設ければよい。

次に第９図のような３）のタイプの光磁気ディスクを作
るには耐熱基板２′上に前述のようにして磁性層３を設
け、これに、予め片面をガイドトランク状に射出成形し
て作った透明保睡板を中間層材料で接合して、中間層５
を介してガイドトラツク１′付透明保護層４′ヲ設けれ
ばよい。

以上の各タイプの光磁気ディスクにおいて断熱層８、反
射層９、透明誘電体層１ｏ及び反射防止層１１はいずれ
も蒸着、スノ臂ツタリング等の方法で形成できる。

以上のようにして得られる本発明の光磁気ディスクへの
記録、再生は以上の説明及び図面からも判るように、従
来とは異なり透明保護層４゜４′側からレーザー光（各
図の矢印）を照射して行なわれる。

効　果 以上の如く不発明の光磁気ディスクは基板として耐熱性
の本のを用い、且つこの基板上に磁性層を実質的に直接
設けたので、磁性層の形成時に高温の基板温度が必要な
磁性材料でも使用可能となり、従って磁性材料の選択範
囲が広がる結果、例えば金属酸化物磁性体を使用すれば
磁性層の酸化劣化がなくなる等の優れた効果を発揮する
ことができる。

以下に不発明の実施例を示す。

実施例１ 光面を酸化処理したディスク状Ｓｔウエノ・一基板上に
λｇを蒸着して５００Ｘ厚の反射層を設け、更にその上
に８１０ｙ？蒸着して５ｏｏｉ厚の断熱層を設けた後、
その反対面にＢａＱａｌＦ・１゜０１１１の焼結体をタ
ーゲットとして対向ターゲット式スノツタリング法によ
り下記条件下でスノぐツタリングを行なって２０００Ｘ
厚の磁性層を設けた。

ガス圧：　１　ｍＴｏｒｒ　（Ａｒ　：　Ｑ、＝３　’
　１　）基板温度：６００Ｃ 電　カニ　Ｉ）０５００’／−〇、４Ａ次に磁性層上に
Ｔｏを７００Ｘ厚に蒸着した後、この基板を６０００ｒ
ｐｉの速度で回転させながら、フォーカスサー２を有す
る光学系によって約１μｍ径に絞った４　００　ｍＷＬ
ｖＡｒレーザー光を照射し、同時に半径方向に０２鰭／
秒の速度でレーザー光又は基板を相対的に移動させるこ
とにより２μｍのピッチを有するガイドトラック層を形
成し、更にその上にポリメチルメタクリレートをスピン
コーティング法により塗布して約１２−厚の透明保護層
を設けることにより、１）のタイプの光磁気ディスクを
作成した。

次にこの光磁気ディスクに磁性層の磁化方向とは述方向
に３００エルステツドの磁界をかけ、周波数Ｉ　ＭＨｚ
でＭＦＭ変調させたλ＝８３００Ｘの半導体レーザー光
金線速度２ｆｒ＃沙、ディスク面でのレーザーパワー６
ｍＷの条件で照射して情報信号を記録した。再生はこう
して記録されたディスク面にＣＷ発振させた前記波長の
レーザー光を線速度２ｍ／秒、ディスク面でのレーザー
パワー１．５　ｍＷの条件で照射して情報信号を読取る
ことＫよシ行なった。また消去は記録時とは逆方向に６
００エルステツドの磁界をかけ、ＣＷ発振させた前記波
長のレーザー光を線速度２ｍ／秒、ディスク面でのレー
ザーパワー６　ｆｆ１Ｗの条件で照射することにより行
なった。

実施例２ 実施例１で用いたディスク状８１ウェハー基板上に、Ｔ
・の蒸着厚を１０００ｚとした他は実施例１と同じ方法
で、反射層、断熱層、磁性層及びガイドトラック層を設
けた。一方、基板と同じ大きさく同一内径、同一外径）
で厚さが０７簡のディスク状ポリメチルメタクリレート
フィルムの両面にＭｇＦｔ　ｋ　＆着して１５００に厚
の反射防止膜を設け、これと前記基板のガイドトラック
層とをこれらの最内周部及び最外周部に０．５簡厚のポ
リメチルメタクリレート製のスペーサーをはさんで、そ
の！、まエポキシ樹脂系の接着剤で接着して中間層（空
気層）を形成することにより、２）のタイプの光磁気デ
ィスクを作成した。

この光磁気ディスクは実施例１と同様な方法で情報信号
の記録、再生及び消去が可能であった。

実施例３ 実施例１で用いたディスク状つエノ・一基板上に実施例
１と同じ方法で反射層、断熱層及び磁性層を設けた。一
方、ポリメチルメタクリレートを射出成形法により片面
に贋の深さ２０００Ｘのガイドトラックを付けた１、２
簡厚のディスク状に加工し、その両面に実施例２と同様
に反射防止膜を設け、これと前記基板の磁性層とをこれ
ら最内周部端及び最外周部にエイキシ樹脂系接着剤を用
いてそのまま接着して約２μｍ厚の中間層（空気層）′
ｔ−設けることによシ、３）のタイプの光磁気ディスク
を作成した。

この光磁気ディスクも実施例１と同様な方法で情報信号
の記録、再生及び消去が可能であった０

【図面の簡単な説明】

第１〜２図は従来の光磁気ディスクの部分断面図、第３
〜６図及び第９図は本発明の基本的な光磁気ディスクの
一例の部分断面図、第４Ａ図は第４図のような光ディス
クで、ホトポリマーを用いてガイドトラック層を作る場
合の一例の製造工程図、第７図（ａ）（ｂ）　；第８図
（ａ）（ｂ）；及び第１θ図（＆）　（ｂ）は本発明の
基本的な光磁気ディスクの断面図及び第７，８及び１０
図Ａ−Ａ部の平面図、第１１〜３５図は前記基本的光磁
気ディスクの変形例の部分断面図である。 １、Ｉ′・・・ガイドトラック層　１′・・・ガイドト
ラック２・・・プラスチック又はガラス基板 ２′・・・耐熱性基板　３・・・磁性層４・・・透明保
護層 ４′・・・ガイドトラック１′付き透明保護層５・・・
接合用中間層　６・・・ス（−サーフ・・・空気又は不
活性液体　８・・・断熱層９・・・反射層　１ｏ・・・
透明誘電体層１１・・・反射防止層　実線の矢印・・・
レーザー光点線の矢印・・・紫外光　２ｏ・・・ホトポ
リマー塗膜２１・・・ガイドトラック付き原盤 特許出願人　株式会社　ｌｊ−，２− 代理人　弁理士　月　村　、Ａ　外１名第１ア図　市２
１図 準１９図　市２３図 市２５図　市２８凶 壓２６図　箆′２ｃ３閃 も３１図　も３４図 鴨３３図 手続補正書 昭和５９年８月６日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示 昭和５９年　特　許　願第１０７４９７号事件との関係
　特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社　リ　コ　− 代表者　浜　１）　広 ４、代理　人 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、　補正の内容 （１）　明細書第９頁第７〜１４行「なおガイドトラッ
ク１′・・・・・・（中略）・・・・・・適当である。 」を下記字句に訂正する。 ［ガイドトラックの溝の深さく又は層の厚さ）は次の通
りである。 ａ）ガイドトラック１（第４図、第６図、第８図）の場
合、 λ／　８　ｌ　ｎ　−ｎ’　１ （但しλ：レーザー光の波長 ｎ゛ガイドト２フ２層１屈折率 ｎ′：透明保護層４又は接合用中間 層５或いは空気又は不活性液 体７の屈折率） の時に最も効率よくトラックエラー信号を検出できるの
で、この値が最適であるが、それ以外でもよい。 ｂ）ガイドトラック１′（第９図、第１０図）の場合、 λ／　８　ｆ　ｎ　−ｎ’　１ （但しλ：レーザー光の波長 ｎニガイドトラック付き透明保護 層４′の屈折率 ｎ′：接合用中間層５或いは空気又 は不活性液体７の屈折率） の時に最も効率よくトラックエラー信号を検出できるの
で、この値が最適であるが、それ以外でもよい。 Ｃ）ガイドトラックｌ”（第３図、第５図、第７図、第
１１〜１４図、第２０〜２４図）の場合、溶融穿孔する
タイプではガイドトラック層ｌ“で反射する光と磁性層
３又は反射層９で反射した光の位相差が ２Ｎπ＋−（Ｎ＝０．１，２．・・・・・・・・・）の
時に最も効率よくトラックエラー信号を検出できるので
、ガイドトラック層１“の厚さは０．０１〜２μｍ程度
であればよく、また変色するタイプではｏ、ｏｉ〜２μ
ｍ程度であればよいが、いずれもこの範囲に限定される
ものではない。 なお、ａ）　、　ｂ）　、　ｃ）　いずれの場合も最適
値は読出し信号の強度との関係もあるので、この値が必
ずしもトラックエラー信号が最大となる時とは限らない
。」 （２）　同第１０頁下から第２行「が選択される。」を
［が、また第６図及び第８図の光磁気ディスクの場合、
中間層の材料としては下層のガイドトラック層１とは屈
折率の異なる材料が選択される。」に訂正する。 （３）同第１２頁第５〜７行「厚さはエンハンスメント
効果・・・・・・特に制限線ない。」を「厚さは０．０
５〜２μｍ程度が適当である。特にエンハンスメント効
果を利用する場合は反射防止になるような膜厚に設定す
る必要がある。」に訂正する。 （４）同第１２頁下から第３行「０」を「最小」に訂正
する。 以上 手続補正書 昭和６０年５月ｎ日 １、　事件の表示 昭和５９年特許願第１０７４９７号 ２、　発明の名称 光磁気ディスク ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社リコー 代表者　浜　１）　広 ４、代理人 ５、補正の対象 ６、　補正の内容 （１）　明細書第１６頁第４行ＩＦＩ　ｒ反対面」を「
上」に訂正する。 以　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　耐熱基板上に、垂直磁気異方性を有する磁性層と
   、ガイドトラック層と、透明保護層とを順次設けてなる
   光磁気ディスク。 ２、　耐熱基板上に、垂直磁気異方性を有する磁性層と
   、ガイドトラック層と、前記ガイドトラック層を透明保
   護層に接合するための中間層と、透明保護層とを順次設
   けてなる光磁気ディスク。 ３　耐熱基板上に、垂直磁気異方性を有する磁性層と、
   前記磁性層を透明保護層に接合するための中間層と、ガ
   イドトラック付透明保護層とを順次設けてなる光磁気デ
   ィスク。