JPS60246583A - Ｐｔｃ装置 - Google Patents
Ｐｔｃ装置Info
- Publication number
- JPS60246583A JPS60246583A JP10308684A JP10308684A JPS60246583A JP S60246583 A JPS60246583 A JP S60246583A JP 10308684 A JP10308684 A JP 10308684A JP 10308684 A JP10308684 A JP 10308684A JP S60246583 A JPS60246583 A JP S60246583A
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- JP
- Japan
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- ptc
- ptc device
- electrode
- resistance
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はＰＴＣ装置、特にハイブリッドＩＣやプリント
基板等への組み込み容易なＰＴＣ装置に関する。
基板等への組み込み容易なＰＴＣ装置に関する。
（ロ）従来技術
多くの導電性物質の固有抵抗は温度に従って変化するこ
とはよく仰られており、特定の温度範囲以上において固
有抵抗が急激に増大するような導電物質は通な、正性の
温度係数（以下ＰＴＣと称す）物質として称されている
。ＰＴＣ装置はこの正の温度抵抗係数を有するＰＴＣ物
質を含み、ある温度を超えると高抵抗状ｒｐ、ＱＶＣ変
換されるシ気機器である。
とはよく仰られており、特定の温度範囲以上において固
有抵抗が急激に増大するような導電物質は通な、正性の
温度係数（以下ＰＴＣと称す）物質として称されている
。ＰＴＣ装置はこの正の温度抵抗係数を有するＰＴＣ物
質を含み、ある温度を超えると高抵抗状ｒｐ、ＱＶＣ変
換されるシ気機器である。
ＰＴＣｅｌ質の例として、チタン酸バリウムのよう（ド
ープされたセラミンク材とか、導電性のポリマー材たと
えば特殊な導屯註？有するフィラーを散在させて成るポ
リマー材等があろう近来利用されているＰＴＣセラミッ
ク材は、非瀘に安定した電気的特性を有する。他方、比
較的高い電界たとえば２ボルト■）／ｍｉｌにおいては
、これらのＰＴＣセラミック材の固有抵抗は不都合にも
最高値に達した後に急激に低下する頑向がある。ここで
、さらに重要なことは２５℃での最小固有抵抗は比較的
太き（、−５に４０オーム・α以上もあり、このため低
抵抗値の抵抗体としては使用することができない。更に
これらＰ ’ｆ Ｃセラミック材１１もろくかつ成形し
にくいものである。導電性のＰＴＣポリマー材は、一般
に比較的可碗註ケ有しかつ成形容易であり、ＷＪ埋およ
び電気の分野での有用性が認められていた。
ープされたセラミンク材とか、導電性のポリマー材たと
えば特殊な導屯註？有するフィラーを散在させて成るポ
リマー材等があろう近来利用されているＰＴＣセラミッ
ク材は、非瀘に安定した電気的特性を有する。他方、比
較的高い電界たとえば２ボルト■）／ｍｉｌにおいては
、これらのＰＴＣセラミック材の固有抵抗は不都合にも
最高値に達した後に急激に低下する頑向がある。ここで
、さらに重要なことは２５℃での最小固有抵抗は比較的
太き（、−５に４０オーム・α以上もあり、このため低
抵抗値の抵抗体としては使用することができない。更に
これらＰ ’ｆ Ｃセラミック材１１もろくかつ成形し
にくいものである。導電性のＰＴＣポリマー材は、一般
に比較的可碗註ケ有しかつ成形容易であり、ＷＪ埋およ
び電気の分野での有用性が認められていた。
この糧の装置の参考例としては、たとえば米し４特許第
３．８５８．１４４、ドイツ国特許公開公報Ｐ２．５４
３．３１４．１、Ｐ２．７５５．０７７．２、Ｐ２．７
５５，０７６．１、Ｐ２．８２１．７９９．４、および
Ｐ２．９０３．４２２．２等がある。
３．８５８．１４４、ドイツ国特許公開公報Ｐ２．５４
３．３１４．１、Ｐ２．７５５．０７７．２、Ｐ２．７
５５，０７６．１、Ｐ２．８２１．７９９．４、および
Ｐ２．９０３．４２２．２等がある。
ＰＴＣ装置は第１図に示す如く、円板状のＰＴＣ素子ｆ
ｌ）を有しており、このＰＴＣＪＥ子（１）の対向する
両側面（は丸形の銅箔より成る電極（２）＋２）が取り
付けられている。リード（３）は電極（２）＋２）と接
続されている。モールド樹脂層（４）はＰＴＣ素子（１
）および電極＋２）（２）を被覆し、耐湿性を確保して
いる。
ｌ）を有しており、このＰＴＣＪＥ子（１）の対向する
両側面（は丸形の銅箔より成る電極（２）＋２）が取り
付けられている。リード（３）は電極（２）＋２）と接
続されている。モールド樹脂層（４）はＰＴＣ素子（１
）および電極＋２）（２）を被覆し、耐湿性を確保して
いる。
貼止したＰＴＣ装置は個別部品としてプリント基板に組
み込む場合、リード（３）を用いれば良い。
み込む場合、リード（３）を用いれば良い。
しかしチップ部品としてハイブリッドＩＣやプリント基
板罠組み込む場合、極めて組み込みが困難である。この
理由は電極（２）＋２１がＰＴＣ素子（１）の両主面に
あるため、一方の電極（２）は半田付けできるが、他方
の電極（２）はボンディングワイヤ等で接続しな（ては
ならず、更にはＰＴＣ′Ａ子（１）が軟質のために良好
なボンディングを行なえないためであ（ハ）発明の目的 本発明は断点に鑑みてなされ、従来の欠点を完全に除去
するＰＴＣ装置を実現することを目的とする。
板罠組み込む場合、極めて組み込みが困難である。この
理由は電極（２）＋２１がＰＴＣ素子（１）の両主面に
あるため、一方の電極（２）は半田付けできるが、他方
の電極（２）はボンディングワイヤ等で接続しな（ては
ならず、更にはＰＴＣ′Ａ子（１）が軟質のために良好
なボンディングを行なえないためであ（ハ）発明の目的 本発明は断点に鑑みてなされ、従来の欠点を完全に除去
するＰＴＣ装置を実現することを目的とする。
（に）発明の構成
本発明に依れば、正の温度係数を有するＰＴＣ物質より
戎るＰＴＣ素子と、該ＰＴＣ素子の一主面全体に設けた
接続・４極と、前記ＰＴＣＪ子の反対主面に離間して設
置寸だ傾数の取付電極とを具備して構成されている。
戎るＰＴＣ素子と、該ＰＴＣ素子の一主面全体に設けた
接続・４極と、前記ＰＴＣＪ子の反対主面に離間して設
置寸だ傾数の取付電極とを具備して構成されている。
（ホ）実施例
第２図および第３図に本発明に依るＰＴＣ装置の断面図
および上面図を示す。
および上面図を示す。
ＰＴＣ素子ｕＩ）は高密度のポリエチレンとエチレン／
アクリル喰コーボリマとの混合体にカーボンブラックを
分散させて成るものである。このＰＴＣ装置の抵抗は、
低抵抗体のときには０１オームであり、高抵抗体のとき
には約１０′オームであろう 接続電極Ｑ２１はＰＴＣ素子Ｑｌ）の−主面全面に設け
られ、通常鋼箔を用いている。
アクリル喰コーボリマとの混合体にカーボンブラックを
分散させて成るものである。このＰＴＣ装置の抵抗は、
低抵抗体のときには０１オームであり、高抵抗体のとき
には約１０′オームであろう 接続電極Ｑ２１はＰＴＣ素子Ｑｌ）の−主面全面に設け
られ、通常鋼箔を用いている。
取付電極Ｑ３１（１３１は本発明の最も特徴とする点で
あり、ＰＴＣ素子αυの接続電極ａ７Ｊを設けた反対主
面に配置され、複数個離間して設ける。取付電極（１３
峙も全面に銅箔を貼り付けた後エツチングして形成する
。
あり、ＰＴＣ素子αυの接続電極ａ７Ｊを設けた反対主
面に配置され、複数個離間して設ける。取付電極（１３
峙も全面に銅箔を貼り付けた後エツチングして形成する
。
貼止した構造（於いて、取付電極Ｑ３（１３）は一方の
主面に形成されるので、フェースダウン方式によりチッ
プ部品として容易に組入込むことができろう即ちＭ４図
に示す如（、混成集積回路基板（イ）上に取付電極０３
（１３Ｋ対応して導電路Ｑυを設け、ＰＴＣ装置をフェ
ースダウン方式により導電路Ｑυと取付電極０利りを半
田四で接続するのである。
主面に形成されるので、フェースダウン方式によりチッ
プ部品として容易に組入込むことができろう即ちＭ４図
に示す如（、混成集積回路基板（イ）上に取付電極０３
（１３Ｋ対応して導電路Ｑυを設け、ＰＴＣ装置をフェ
ースダウン方式により導電路Ｑυと取付電極０利りを半
田四で接続するのである。
本発明に依るＰＴＣ装置は第２図に示す如く、−万の取
付電極（ＩＪからＰＴＣ素子住υを通り、接続電極０２
を介して再びＰＴＣ素子０υを通って他方の取付電極Ｑ
３に矢印の如く電流が流れる。従って本発明のＰＴＣ装
置の抵抗Ｒは、同一サイズの従来のＰＴＣ装置の抵抗を
Ｒｏ、接続電極０２）の面積をＳ、取付電極αＪの面積
をＳとすれば、Ｒ二Ｒ１Ｘ２ｓ／。
付電極（ＩＪからＰＴＣ素子住υを通り、接続電極０２
を介して再びＰＴＣ素子０υを通って他方の取付電極Ｑ
３に矢印の如く電流が流れる。従って本発明のＰＴＣ装
置の抵抗Ｒは、同一サイズの従来のＰＴＣ装置の抵抗を
Ｒｏ、接続電極０２）の面積をＳ、取付電極αＪの面積
をＳとすれば、Ｒ二Ｒ１Ｘ２ｓ／。
で与えられる。よって第３図の上面図から明らかな様罠
取付電極Ｑ３）ｕ３）の面積Ｓを選択すれば任意の抵抗
値にできる。
取付電極Ｑ３）ｕ３）の面積Ｓを選択すれば任意の抵抗
値にできる。
次に第５図Ａ乃至Ｃを４照して本発明のＰＴＣ装置の製
造方法を説明する。
造方法を説明する。
第５図Ａに於いては、高密度のポリエチレンとグラファ
イトあるいは１ノーポンプラツクを加熱して混練してペ
ースト状になし、押し出し成形してシート状にする。そ
の後電子線照射して放射線架橋をさせてＰＴＣ素子０１
）を形成する。
イトあるいは１ノーポンプラツクを加熱して混練してペ
ースト状になし、押し出し成形してシート状にする。そ
の後電子線照射して放射線架橋をさせてＰＴＣ素子０１
）を形成する。
第５図ＢＫ於いては、ＰＴＣ素子０１）の両面ＶＣ銅箔
Ｑ４）＋１４）を熱圧着するう 第５図Ｃに於いては一方の銅箔αａ全全面よび他方の鋼
箔α４一部にエラチンブレジス）ｕ５１を塗布した後、
エツチングして所望の接続電極０２と取付電極（１ｌ３
を形成している。
Ｑ４）＋１４）を熱圧着するう 第５図Ｃに於いては一方の銅箔αａ全全面よび他方の鋼
箔α４一部にエラチンブレジス）ｕ５１を塗布した後、
エツチングして所望の接続電極０２と取付電極（１ｌ３
を形成している。
（へ）発明の効果
本発明に依ればＰＴＣ装置の取付電極ｕ３０３１を−主
面に形成できるので、チップ部品としてハイブリッドＩ
Ｃあるいはプリント基板等へ容易ＫＩＩＩＡ込み０工能
となった。この結果パワーアンプの負荷シ璽−ト保護回
路等への応用ができ、保護回路もＩＣ化できる様（なっ
た。
面に形成できるので、チップ部品としてハイブリッドＩ
Ｃあるいはプリント基板等へ容易ＫＩＩＩＡ込み０工能
となった。この結果パワーアンプの負荷シ璽−ト保護回
路等への応用ができ、保護回路もＩＣ化できる様（なっ
た。
第１図は従来のＰＴＣ装置を説明する断面図、第２図及
び第３図は本発明のＰＴＣ装置を説明する断面図及び上
面図、第４図は本発明のＰＴＣ装置のハイブリッドＩＣ
への組み込みを説明する断面図、第５図Ａ乃至第５図Ｃ
は本発明のＰＴＣ装置の製造方法を説明する断面図であ
る。 主な図番の説明 ａυはＰＴＣ素子、 ｕ２は接続電極、 ０鼾ま取付電
極である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 靜 夫 第１ 図 第２図 ２ ／ 第３図 第５１！ＩＡ 第５図Ｂ １乙 ］４ 第５図Ｃ ５
び第３図は本発明のＰＴＣ装置を説明する断面図及び上
面図、第４図は本発明のＰＴＣ装置のハイブリッドＩＣ
への組み込みを説明する断面図、第５図Ａ乃至第５図Ｃ
は本発明のＰＴＣ装置の製造方法を説明する断面図であ
る。 主な図番の説明 ａυはＰＴＣ素子、 ｕ２は接続電極、 ０鼾ま取付電
極である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 靜 夫 第１ 図 第２図 ２ ／ 第３図 第５１！ＩＡ 第５図Ｂ １乙 ］４ 第５図Ｃ ５
Claims (1)
- （１）正の温度係数を有するＰＴＣ物質より成るＰＴＣ
素子と、該ＰＴＣ素子の一生面全体に設けた接続電極と
、前記ＰＴＣ素子の反対主面に離間して設けた複数の取
付電極とを具備することを特徴とするＰＴＣ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308684A JPS60246583A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | Ｐｔｃ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308684A JPS60246583A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | Ｐｔｃ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246583A true JPS60246583A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14344820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308684A Pending JPS60246583A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | Ｐｔｃ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246583A (ja) |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP10308684A patent/JPS60246583A/ja active Pending
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