JPS60245288A - 半導体発光装置およびその組立方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその組立方法Info
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- JPS60245288A JPS60245288A JP59100647A JP10064784A JPS60245288A JP S60245288 A JPS60245288 A JP S60245288A JP 59100647 A JP59100647 A JP 59100647A JP 10064784 A JP10064784 A JP 10064784A JP S60245288 A JPS60245288 A JP S60245288A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体発光装置およびその組立方法に係り、特
に発光素子と受光素子との光結合効率の所要値を再現性
よく得るのに好適な半導体発光装置およびその組立方法
に関する。
に発光素子と受光素子との光結合効率の所要値を再現性
よく得るのに好適な半導体発光装置およびその組立方法
に関する。
従来の半導体発光素子の組立方法すなわち発光素子のパ
ッケージング方法では、例えばチップの光出射面に外部
から光を照射し、その反射光を検知して位置合わせを行
なう方法がとられた（特開昭５７−１０２８６）。しか
し、発光素子からの光出射方向は該発光素子の出射面に
対して必ずしも垂直な方向ではなく素子ごとに微妙にば
らつくのが通常であり、したがって該発光素子の傾きを
最小として取付けても組立後に再度微調整を要し、作業
能率の劣る欠点があった。
ッケージング方法では、例えばチップの光出射面に外部
から光を照射し、その反射光を検知して位置合わせを行
なう方法がとられた（特開昭５７−１０２８６）。しか
し、発光素子からの光出射方向は該発光素子の出射面に
対して必ずしも垂直な方向ではなく素子ごとに微妙にば
らつくのが通常であり、したがって該発光素子の傾きを
最小として取付けても組立後に再度微調整を要し、作業
能率の劣る欠点があった。
これに対し、組立後の微調整を除去するため、発光素子
を発光させながら受光面に対する最適位゛置台わせを行
なう方法も試みられている。例えば光ファイバ軸に対し
て直角な方向あるいは該光フアイバ軸方向に可動する「
ガイドレール」に発光素子を搭載する方法が提案されて
いる（特開昭５３−４９９７６）。しかし、この発明で
は発光素子の調整方向は光ファイバ軸に対して直角方向
および該光フアイバ軸方向にのみ制限されており、かつ
ガイドレールに対する発光素子の位置ずれの問題があり
、本質的に問題が解決されていない。その上、パッケー
ジ内に可動機構を導入するために構造が複雑化し、コス
ト高になるなど実用上の欠点があった・ このように従来、発光出力を受光器で常にモニタしなが
ら発光素子の最適な位置合わせを行ない、その位置に固
定するという組立方法は確立されていなかった。
を発光させながら受光面に対する最適位゛置台わせを行
なう方法も試みられている。例えば光ファイバ軸に対し
て直角な方向あるいは該光フアイバ軸方向に可動する「
ガイドレール」に発光素子を搭載する方法が提案されて
いる（特開昭５３−４９９７６）。しかし、この発明で
は発光素子の調整方向は光ファイバ軸に対して直角方向
および該光フアイバ軸方向にのみ制限されており、かつ
ガイドレールに対する発光素子の位置ずれの問題があり
、本質的に問題が解決されていない。その上、パッケー
ジ内に可動機構を導入するために構造が複雑化し、コス
ト高になるなど実用上の欠点があった・ このように従来、発光出力を受光器で常にモニタしなが
ら発光素子の最適な位置合わせを行ない、その位置に固
定するという組立方法は確立されていなかった。
本発明の目的は、受光面に対して目標とする光結合効率
を得るために半導体発光素子の搬送、位置合わせおよび
固定の一連の工程を容易かつ再現性よ〈実施し得る半導
体発光装置およびその組立方法を提供することにある。
を得るために半導体発光素子の搬送、位置合わせおよび
固定の一連の工程を容易かつ再現性よ〈実施し得る半導
体発光装置およびその組立方法を提供することにある。
この目的を達成するために本発明では、位置合わせ時に
発光素子をパルス動作させるための新規な搬送用ホルダ
および発光素子搭載用マウントの構造改良、ならびに常
温にて高い流動性を有するソルダ材による素子固定技術
によって、従来未確立であった上記組立方法を初めて可
能とするものである。
発光素子をパルス動作させるための新規な搬送用ホルダ
および発光素子搭載用マウントの構造改良、ならびに常
温にて高い流動性を有するソルダ材による素子固定技術
によって、従来未確立であった上記組立方法を初めて可
能とするものである。
要するに、本発明の半導体発光装置は半導体発光素子が
載置されるサブマウントが設けられ、該サブマウントは
電気的に絶縁分離された少なくとも２個所に導電性領域
を有し、該導電性領域は前記サブマウントを外部から搬
送し電源に接続されるホルダに具備された少なくとも１
対の電気接点と電気的接触を得る位置に形成され、かつ
前記サブマウントがソルダによって取付けられているこ
とを特徴とする。
載置されるサブマウントが設けられ、該サブマウントは
電気的に絶縁分離された少なくとも２個所に導電性領域
を有し、該導電性領域は前記サブマウントを外部から搬
送し電源に接続されるホルダに具備された少なくとも１
対の電気接点と電気的接触を得る位置に形成され、かつ
前記サブマウントがソルダによって取付けられているこ
とを特徴とする。
また、本発明の半導体発光装置の組立方法は、半導体発
光素子を搭載したサブマウントを搬送用ホルダで保持し
、パッケージ内に設置された受光面に対向する位置に搬
送して粗調位置合わせを行なう工程、前記ホルダに具備
した少なくとも一対の電気接点から前記サブマウントに
形成した少なくとも一対の電極を経由して前記半導体発
光素子に電流注入を行ない該半導体発光素子を発光させ
る工程、受光器で発光出力を検知し所定値に至るように
前記サブマウントの微調位置合りせを行なう工程、所定
の発光出力を得た後前記サブマウントを前記パッケージ
本体にソルダ付けする工程からなることを特徴とする。
光素子を搭載したサブマウントを搬送用ホルダで保持し
、パッケージ内に設置された受光面に対向する位置に搬
送して粗調位置合わせを行なう工程、前記ホルダに具備
した少なくとも一対の電気接点から前記サブマウントに
形成した少なくとも一対の電極を経由して前記半導体発
光素子に電流注入を行ない該半導体発光素子を発光させ
る工程、受光器で発光出力を検知し所定値に至るように
前記サブマウントの微調位置合りせを行なう工程、所定
の発光出力を得た後前記サブマウントを前記パッケージ
本体にソルダ付けする工程からなることを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は、本発明の半導体発光装置の一実施例を示す図で、
パッケージに内蔵した光ファイバに対して半導体レーザ
チップの搬送、位置合わせ、固定の一連作業を完了した
状態を示す。
図は、本発明の半導体発光装置の一実施例を示す図で、
パッケージに内蔵した光ファイバに対して半導体レーザ
チップの搬送、位置合わせ、固定の一連作業を完了した
状態を示す。
図において、１はパッケージ本体の一部である金属ブロ
ック、２は金属ブロック１に固定された光ファイバ、３
は半導体発光素子例えば半導体レーザチップ、４は高熱
伝導性電気絶縁材料例えばＳｉＣセラミック、Ｂｅｄ、
Ｓｉなどで作られたサブマウント、５．６はサブマウン
ト４にパターン形成され、それぞれ電気絶縁された導電
性領域（電極）すなわち金属領域、７は金属領域６と半
導体レーザチップ３の上面電極３′を電気接続する電気
リード線すなわち金線、８はサブマウント４を載置する
金属ブロック、９は金属ブロック８の上面に設けた凹部
、１０は凹部９に充填され、サブマウント４を取付けた
ソルダ、１１．１２は半導体レーザチップ３と一体とな
ったサブマウント４を保持し、光ファイバ２の受光面と
対向する位置に搬送する一対の搬送用ホルダすなわち金
属ホルダである。金属ホルダ１１．１２は、図示はしな
いが電気絶縁体を介して一体化してあり、外部制御回路
からの電気信号により所定の装置を用いてサブマウント
４の保持機能、ＸＹＺ軸方向の移動機能およびＺ軸を中
心とした回転機能を果す。さらに、金属ホルダ１１．１
２は、図示のようにパルス電流電源１３の出力端子に電
気配線しである。すなわち、金属ホルダ１１．１２は、
サブマウント４の搬送、位置合わせの機能と合わせて、
半導体レーザチップ３にパルス電流を注入するバイアス
端子としての機能を果す。
ック、２は金属ブロック１に固定された光ファイバ、３
は半導体発光素子例えば半導体レーザチップ、４は高熱
伝導性電気絶縁材料例えばＳｉＣセラミック、Ｂｅｄ、
Ｓｉなどで作られたサブマウント、５．６はサブマウン
ト４にパターン形成され、それぞれ電気絶縁された導電
性領域（電極）すなわち金属領域、７は金属領域６と半
導体レーザチップ３の上面電極３′を電気接続する電気
リード線すなわち金線、８はサブマウント４を載置する
金属ブロック、９は金属ブロック８の上面に設けた凹部
、１０は凹部９に充填され、サブマウント４を取付けた
ソルダ、１１．１２は半導体レーザチップ３と一体とな
ったサブマウント４を保持し、光ファイバ２の受光面と
対向する位置に搬送する一対の搬送用ホルダすなわち金
属ホルダである。金属ホルダ１１．１２は、図示はしな
いが電気絶縁体を介して一体化してあり、外部制御回路
からの電気信号により所定の装置を用いてサブマウント
４の保持機能、ＸＹＺ軸方向の移動機能およびＺ軸を中
心とした回転機能を果す。さらに、金属ホルダ１１．１
２は、図示のようにパルス電流電源１３の出力端子に電
気配線しである。すなわち、金属ホルダ１１．１２は、
サブマウント４の搬送、位置合わせの機能と合わせて、
半導体レーザチップ３にパルス電流を注入するバイアス
端子としての機能を果す。
このような構成の半導体発光装置において、具体的な組
立作業手順について以下に説明する。まず、パッケージ
本体の一部である金属ブロック１に光ファイバ２を予め
ソルダあるいは樹脂によって固定しておく。また、半導
体レーザチップ３はサブマウント４の金属領域に予めソ
ルダ付けしておく。さらに、サブマウント４の金属領域
６と半導体レーザチップ３の上面電極３′とを金線７に
よって電気接続しておく。サブマウント４を載置する金
属ブロック８の上面に設けた凹部９には、例えば常温で
高い流動性を有するＰｂ−８ｎ−Ｉｎ系のクリーム状あ
るいは粒子状のソルダ１０を予め充填しておく。以上の
準備がなされた後、以下の組立工程を行なう。
立作業手順について以下に説明する。まず、パッケージ
本体の一部である金属ブロック１に光ファイバ２を予め
ソルダあるいは樹脂によって固定しておく。また、半導
体レーザチップ３はサブマウント４の金属領域に予めソ
ルダ付けしておく。さらに、サブマウント４の金属領域
６と半導体レーザチップ３の上面電極３′とを金線７に
よって電気接続しておく。サブマウント４を載置する金
属ブロック８の上面に設けた凹部９には、例えば常温で
高い流動性を有するＰｂ−８ｎ−Ｉｎ系のクリーム状あ
るいは粒子状のソルダ１０を予め充填しておく。以上の
準備がなされた後、以下の組立工程を行なう。
第１図に示すように、まず半導体レーザチップ３と一体
となるサブマウント４を、一対の金属ホルダ１１．１２
により保持し、光ファイバ２の受光面と対向する位置に
搬送する。サケマウント４の搬送機能と合わせて、半導
体レーザチップ３にパルス電流電源１３からパルス電流
を注入するバイアス端子である金属ホルダ１１．１２に
よって、半導体レーザチップ３をパルス駆動させレーザ
光を出射させながら、光ファイバ２の受光面に対して目
標とする最適な光結合効率を得る位置に位置合わせを行
なう。
となるサブマウント４を、一対の金属ホルダ１１．１２
により保持し、光ファイバ２の受光面と対向する位置に
搬送する。サケマウント４の搬送機能と合わせて、半導
体レーザチップ３にパルス電流電源１３からパルス電流
を注入するバイアス端子である金属ホルダ１１．１２に
よって、半導体レーザチップ３をパルス駆動させレーザ
光を出射させながら、光ファイバ２の受光面に対して目
標とする最適な光結合効率を得る位置に位置合わせを行
なう。
第２図は、最適光結合効率を得るための位置合わせ制御
システムの基本構成図である。半導体レーザチップ３か
ら出射したレーザ光は、光ファイバ２を通過し受光器１
４によって電気信号に変換され電気制御回路部１５にお
いて予め決められた目標設定値と比較される。目標設定
値に至らないときは、サーボ機構部１６を駆動させ、金
属ホルダＩＩ、１２を取付けた可動部１７によってＸＹ
Ｚ軸方向およびＺ軸を中心とした回転方向に金属ホルダ
１１．１２を移動させて微調位置合わせを行なう。この
ようなフィードバック制御方式は、すでに多くの機器、
装置に用いられており技術的にも確立されているので詳
しい説明は省略する。以上の操作を繰返し目標とする最
適な光結合効率を得た時点で、半導体レーザチップ３の
位置合わせ工程を完了する。
システムの基本構成図である。半導体レーザチップ３か
ら出射したレーザ光は、光ファイバ２を通過し受光器１
４によって電気信号に変換され電気制御回路部１５にお
いて予め決められた目標設定値と比較される。目標設定
値に至らないときは、サーボ機構部１６を駆動させ、金
属ホルダＩＩ、１２を取付けた可動部１７によってＸＹ
Ｚ軸方向およびＺ軸を中心とした回転方向に金属ホルダ
１１．１２を移動させて微調位置合わせを行なう。この
ようなフィードバック制御方式は、すでに多くの機器、
装置に用いられており技術的にも確立されているので詳
しい説明は省略する。以上の操作を繰返し目標とする最
適な光結合効率を得た時点で、半導体レーザチップ３の
位置合わせ工程を完了する。
上記位置合わぜを完了した時、第１図に示すように、サ
ブマウント４の下面（あらかじめ金属被覆しである）が
流動性を有するソルダ１０にわずかに浸漬するようにソ
ルダ１０の量を適量にしておくことが肝要である。発明
者の実験によれば、浸漬深さが０．５〜１．０／７Ｉｎ
以上であれば、濡れ性の良好なソルダ付けが可能で、半
導体レーザチップ３の放熱特性を損うことのないことが
確認された。上述の浸漬した状態での金属ホルダ１１．
１２によるサブマウント４の微調位置合わせは、使用し
たソルダ１０が常温で高い流動性を有することからなん
ら支障なく行なえることはいうまでもない。
ブマウント４の下面（あらかじめ金属被覆しである）が
流動性を有するソルダ１０にわずかに浸漬するようにソ
ルダ１０の量を適量にしておくことが肝要である。発明
者の実験によれば、浸漬深さが０．５〜１．０／７Ｉｎ
以上であれば、濡れ性の良好なソルダ付けが可能で、半
導体レーザチップ３の放熱特性を損うことのないことが
確認された。上述の浸漬した状態での金属ホルダ１１．
１２によるサブマウント４の微調位置合わせは、使用し
たソルダ１０が常温で高い流動性を有することからなん
ら支障なく行なえることはいうまでもない。
つぎに、最適な位置合わせを完了したサブマウント４の
ソルダ付は工程について説明する。まず、パッケージ本
体をソルダ１０の融点より約５０℃低い温度まで予熱す
る。例えば、Ｐｂ−８ｎ−Ｉｎ系ソルダでは、予熱温度
は１１０〜１２０℃である。ついで、サブマウント４の
全体を十分カバーする領域に対して、赤外線ランプによ
り熱線を照射しソルダ１０を表面酸化防止のために短時
間のうちに溶融させてソルダ付は工程を完了する。なお
、赤外線ランプによる上昇温度は、加熱部位までの距離
と入力電力を一定に保てば、照射時間のみできまる。発
明者らの実験によれば、ソルダ付は工程は５〜１０秒間
で行なえ、上記方法による作業能率は極めて高いことが
確認された。前述のように、ソルダ１０はクリーム状も
しくは粒子状のものを用いる。前者は、粒子状ソルダを
フラックスに混ぜ合わせたもので、酸化し難く良好な濡
れ性が得られる反面、固定した後にフラックスの洗浄工
程を必要とする場合もある。一方、粒子状ソルダを用い
る場合には、ソルダ付けを還元ガス雰囲気で行なうなど
、酸化防止を計ることが肝要である。発明者の実験によ
れば、水素と窒素との混合ガスをホットジェット方式を
用いてソルダ付は部分に吹き付ける方法が効果的である
ことが確認された。
ソルダ付は工程について説明する。まず、パッケージ本
体をソルダ１０の融点より約５０℃低い温度まで予熱す
る。例えば、Ｐｂ−８ｎ−Ｉｎ系ソルダでは、予熱温度
は１１０〜１２０℃である。ついで、サブマウント４の
全体を十分カバーする領域に対して、赤外線ランプによ
り熱線を照射しソルダ１０を表面酸化防止のために短時
間のうちに溶融させてソルダ付は工程を完了する。なお
、赤外線ランプによる上昇温度は、加熱部位までの距離
と入力電力を一定に保てば、照射時間のみできまる。発
明者らの実験によれば、ソルダ付は工程は５〜１０秒間
で行なえ、上記方法による作業能率は極めて高いことが
確認された。前述のように、ソルダ１０はクリーム状も
しくは粒子状のものを用いる。前者は、粒子状ソルダを
フラックスに混ぜ合わせたもので、酸化し難く良好な濡
れ性が得られる反面、固定した後にフラックスの洗浄工
程を必要とする場合もある。一方、粒子状ソルダを用い
る場合には、ソルダ付けを還元ガス雰囲気で行なうなど
、酸化防止を計ることが肝要である。発明者の実験によ
れば、水素と窒素との混合ガスをホットジェット方式を
用いてソルダ付は部分に吹き付ける方法が効果的である
ことが確認された。
以上のように本発明の一実施例について本発明の詳細な
説明したが、本発明の主要な構成部分であるサブマウン
トおよび搬送用ホルダの構造のいくつかの実施例につい
て述べる。第３〜７図はそれぞれ半導体レーザチップ３
を搭載したサブマウント４と、これを保持し搬送するホ
ルダ１８との組合せ構成例を示す。
説明したが、本発明の主要な構成部分であるサブマウン
トおよび搬送用ホルダの構造のいくつかの実施例につい
て述べる。第３〜７図はそれぞれ半導体レーザチップ３
を搭載したサブマウント４と、これを保持し搬送するホ
ルダ１８との組合せ構成例を示す。
第３図は第１図で示した前述の実施例で用いた構成例で
あり、サブマウント４が図示のように凸形状に形成しで
ある。なお、矢印ａはサブマウント４をつかむための金
属ホルダ１８の力の方向を示す。
あり、サブマウント４が図示のように凸形状に形成しで
ある。なお、矢印ａはサブマウント４をつかむための金
属ホルダ１８の力の方向を示す。
第４図はサブマウント４が凸形状ではなく製造が容易な
ように単に直方体に形成され、金属ホルダ１８の先端を
サブマウント４の上面に形成した金属領域５．６に電気
接触し得るように加工した例である。
ように単に直方体に形成され、金属ホルダ１８の先端を
サブマウント４の上面に形成した金属領域５．６に電気
接触し得るように加工した例である。
第５図は真空吸着コレットをホルダ１８として用いた例
で、半導体レーザチップ３へのバイアス端子として電気
絶縁被覆１９を有する金属触針２０をコレットに設けで
ある。矢印すはサブマウント４の吸引方向を示す。
で、半導体レーザチップ３へのバイアス端子として電気
絶縁被覆１９を有する金属触針２０をコレットに設けで
ある。矢印すはサブマウント４の吸引方向を示す。
第６図は真空吸着コレットを用いたホルダ１８、および
該ホルダ１８に電気絶縁材２１を介して固定した金属触
針２２をそれぞれバイアス端子として用いた例である。
該ホルダ１８に電気絶縁材２１を介して固定した金属触
針２２をそれぞれバイアス端子として用いた例である。
第７図は金属ホルダ１８を大型化して製造を容易にする
ために、金属ブロック２３にサブマウント４を取付けた
例であり、金属ブロック２３とアルミナ層２４を介して
電気絶縁しである金属層２５とがそれぞれバイアス端子
を形成している。上記の第３〜７図の実施例ではサブマ
ウント４に電気絶縁材料を用いている。ただし、この第
７図の実施例では金属層２５とレーザチップ３の上面電
極とを金線ボンディングで直接電気接続すれば、サブマ
ウント４が銅などの導電性材料でも差し支えない。なお
この場合、金線２６は不要となる。
ために、金属ブロック２３にサブマウント４を取付けた
例であり、金属ブロック２３とアルミナ層２４を介して
電気絶縁しである金属層２５とがそれぞれバイアス端子
を形成している。上記の第３〜７図の実施例ではサブマ
ウント４に電気絶縁材料を用いている。ただし、この第
７図の実施例では金属層２５とレーザチップ３の上面電
極とを金線ボンディングで直接電気接続すれば、サブマ
ウント４が銅などの導電性材料でも差し支えない。なお
この場合、金線２６は不要となる。
サブマウントの作製は、基本的には真空蒸着、スパッタ
蒸着、メッキあるいはイオンブレーティング等の方法で
、母材となる基板に金属層を被着し、化学エツチング法
あるいはよく知られているリフト・オフ法等を用いてパ
ターン化し、最後にダイシングによって個々のサブマウ
ントに分割する方法を用いる。また、メタルマスクを用
いて金属層を被着すると同時に所要のパターン化を行な
うことも可能である。サブマウント作製工程の一例を以
下に述べる。
蒸着、メッキあるいはイオンブレーティング等の方法で
、母材となる基板に金属層を被着し、化学エツチング法
あるいはよく知られているリフト・オフ法等を用いてパ
ターン化し、最後にダイシングによって個々のサブマウ
ントに分割する方法を用いる。また、メタルマスクを用
いて金属層を被着すると同時に所要のパターン化を行な
うことも可能である。サブマウント作製工程の一例を以
下に述べる。
第８図は、第１図および第３図に示したサブマウント４
の主要な作製工程を説明する図である。
の主要な作製工程を説明する図である。
まず、サブマウントの母材であるＳｉＣセラミック基板
２７の下面にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ層（三層構造）３１を真
空蒸着により被着する。ついで、該基板２７の上面にＴ
ｉ／Ｐｔ層（二層構造）２８、Ａｕ層２９およびＰｂ−
８ｎ合金層３０を真空蒸着により被着し、第８図（ａ）
にその断面を示すように、化学エツチング法およびリフ
ト・オフ法（Ｐｂ−８ｎ合金層３０のパターン化）によ
って同一形状の繰返しパターンを形成する。つぎに、第
８図（Ｊ、）に示すように、破線部分を所定深さまでダ
イシングすることにより溝部３２を形成する。さらに、
第８図（ｃ）に示すように、溝部３２にＮｉ層３３を選
択メッキ法あるいは選択イオンブレーティング法を用い
て被着する。第８図（ｄ）は破線に沿ってダイシングし
て分割したサブマウントの完成図である。
２７の下面にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ層（三層構造）３１を真
空蒸着により被着する。ついで、該基板２７の上面にＴ
ｉ／Ｐｔ層（二層構造）２８、Ａｕ層２９およびＰｂ−
８ｎ合金層３０を真空蒸着により被着し、第８図（ａ）
にその断面を示すように、化学エツチング法およびリフ
ト・オフ法（Ｐｂ−８ｎ合金層３０のパターン化）によ
って同一形状の繰返しパターンを形成する。つぎに、第
８図（Ｊ、）に示すように、破線部分を所定深さまでダ
イシングすることにより溝部３２を形成する。さらに、
第８図（ｃ）に示すように、溝部３２にＮｉ層３３を選
択メッキ法あるいは選択イオンブレーティング法を用い
て被着する。第８図（ｄ）は破線に沿ってダイシングし
て分割したサブマウントの完成図である。
以上述べたサブマウントの作製においては、大口径基板
を複数枚用いたバッチ処理が可能なため、サブマウント
１個当りの価格を低減でき１本発明による性能向上のメ
リットを経済性の面からも助長するものといえる。
を複数枚用いたバッチ処理が可能なため、サブマウント
１個当りの価格を低減でき１本発明による性能向上のメ
リットを経済性の面からも助長するものといえる。
なお、上記実施例においては、光ファイバ付きパッケー
ジへ半導体レーザチップを組み入れた例を示したが、本
発明の原理からみて、半導体発光素子は該半導体レーザ
に限定されず発光ダイオードなどにも適用でき、またパ
ッケージとしても受光素子やマイクロレンズなどの光学
部品を内蔵したものであってもなんら差し支えなく本発
明を実施し得ることはいうまでもない。
ジへ半導体レーザチップを組み入れた例を示したが、本
発明の原理からみて、半導体発光素子は該半導体レーザ
に限定されず発光ダイオードなどにも適用でき、またパ
ッケージとしても受光素子やマイクロレンズなどの光学
部品を内蔵したものであってもなんら差し支えなく本発
明を実施し得ることはいうまでもない。
本発明の半導体発光装置およびその組立方法によれば、
半導体発光素子からの出射光を受光面で受けモニタしな
がら、最適な光結合効率を得ることができる位置合わせ
およびパッケージ本体への固定という一連の発光半導体
装置の組立工程を自動的に実施し得るため、組立完成品
の性能向上のみならず、作業の容易性、再現性および生
産歩留りの向上という工業的かつ経済的に著しい効果を
上げることができる。
半導体発光素子からの出射光を受光面で受けモニタしな
がら、最適な光結合効率を得ることができる位置合わせ
およびパッケージ本体への固定という一連の発光半導体
装置の組立工程を自動的に実施し得るため、組立完成品
の性能向上のみならず、作業の容易性、再現性および生
産歩留りの向上という工業的かつ経済的に著しい効果を
上げることができる。
第１図は本発明の発光半導体装置およびその組立方法の
一実施例を示す図、第２図は半導体発光素子の位置合わ
せ制御システムを説明する図、第３〜７図はそれぞれ本
発明によるサブマウントと搬送用ホルダとの組合せ構成
の実施例を示す図、第８図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係
るサブマウントの作製工程の一例を示す図である。 １．８・・・金属ブロック ２・・・光ファイバ３・・
・半導体レーザチップ ４・・・サブマウント ５．６・・・導電性領域７・・
・金線 １０・・・ソルダ １１．１２．１８・・・金属ホルダ 代理人弁理士 中村 純之助 第 １１！Ｉ 第２図 第３図 第４図 第５に！１ 第６図 第７図
一実施例を示す図、第２図は半導体発光素子の位置合わ
せ制御システムを説明する図、第３〜７図はそれぞれ本
発明によるサブマウントと搬送用ホルダとの組合せ構成
の実施例を示す図、第８図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係
るサブマウントの作製工程の一例を示す図である。 １．８・・・金属ブロック ２・・・光ファイバ３・・
・半導体レーザチップ ４・・・サブマウント ５．６・・・導電性領域７・・
・金線 １０・・・ソルダ １１．１２．１８・・・金属ホルダ 代理人弁理士 中村 純之助 第 １１！Ｉ 第２図 第３図 第４図 第５に！１ 第６図 第７図
Claims (3)
- （１）半導体発光素子が載置されるサブマウントが設け
られ、該サブマウントは電気的に絶縁分離された少なく
とも２個所に導電性領域を有し、該導電性領域は前記サ
ブマウントを外部から搬送し電源に接続されるホルダに
具備された少なくとも一対の電気接点と電気的接触を得
る位置に形成され、かつ前記サブマウントがソルダによ
って取付けられていることを特徴とする半導体発光装置
。 - （２）半導体発光素子を搭載したサブマウントを搬送用
ホルダで保持し、パッケージ内に設置された受光面に対
向する位置に搬送して粗調位置合わせを行なう工程、前
記ホルダに具備した少なくとも一対の電気接点から前記
サブマウントに形成した少なくとも一対の電極を経由し
て前記半導体発光素子に電流注入を行ない該半導体発光
素子を発光させる工程、受光器で発光出力を検知し所定
値に至るように前記サブマウントの微調位置合わせを行
なう工程、所定の発光出力を得た後前記サブマウントを
前記パッケージ本体にソルダ付けする工程からなる半導
体発光装置の組立方法。 - （３）前記サブマウントをソルダ付けするソルダ材とし
て、常温にて流動性を有するソルダ材を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体発光装置の
組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100647A JPS60245288A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体発光装置およびその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100647A JPS60245288A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体発光装置およびその組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245288A true JPS60245288A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14279614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59100647A Pending JPS60245288A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体発光装置およびその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245288A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0774684A3 (en) * | 1995-11-16 | 1998-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US5960259A (en) * | 1995-11-16 | 1999-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| JP2012060169A (ja) * | 2011-12-16 | 2012-03-22 | Fujikura Ltd | サブマウント、光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
| JP2013205485A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Fujitsu Ltd | 光射出部材の実装方法及び実装装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349976A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emission device |
| JPS56149075A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Copying apparatus |
| JPS56162848A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-15 | Nec Corp | Electrode element for handling device |
| JPS59149075A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-25 | Hitachi Ltd | 光通信装置 |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59100647A patent/JPS60245288A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349976A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emission device |
| JPS56149075A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Copying apparatus |
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| JPS59149075A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-25 | Hitachi Ltd | 光通信装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0774684A3 (en) * | 1995-11-16 | 1998-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US5835650A (en) * | 1995-11-16 | 1998-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US5960259A (en) * | 1995-11-16 | 1999-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6067393A (en) * | 1995-11-16 | 2000-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6069904A (en) * | 1995-11-16 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6298075B1 (en) | 1995-11-16 | 2001-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6590915B1 (en) | 1995-11-16 | 2003-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US7133428B2 (en) | 1995-11-16 | 2006-11-07 | Mmatsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| JP2012060169A (ja) * | 2011-12-16 | 2012-03-22 | Fujikura Ltd | サブマウント、光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
| JP2013205485A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Fujitsu Ltd | 光射出部材の実装方法及び実装装置 |
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