JPH04267385A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH04267385A JPH04267385A JP2848491A JP2848491A JPH04267385A JP H04267385 A JPH04267385 A JP H04267385A JP 2848491 A JP2848491 A JP 2848491A JP 2848491 A JP2848491 A JP 2848491A JP H04267385 A JPH04267385 A JP H04267385A
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- JP
- Japan
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- lead
- electrode
- semiconductor laser
- chip
- case
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザダイオード
（以下ＬＤと略す）モジュールに関するものである。
（以下ＬＤと略す）モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、幹線系のＬＤモジュールでは高ビ
ットレートの性能が要求され、ＬＤチップと外部リード
端子との接続距離が短いバタフライパッケージでのＬＤ
モジュール化がなされている。
ットレートの性能が要求され、ＬＤチップと外部リード
端子との接続距離が短いバタフライパッケージでのＬＤ
モジュール化がなされている。
【０００３】従来この種のＬＤモジュールでの内部リー
ド端子接続構造は、図３に示すように、ヒートシンク２
３上面にマウントされたＬＤチップ２５をボンディング
パッド２６が上面に固定されたチップ搭載キャリア２７
にマウントし、前記ＬＤチップと前記ボンディングパッ
ト間をボンディングワイヤ２４で接続された前記チップ
搭載キャリアをモジュールケースに半田固定した後、ケ
ース側壁２８に設けられた外部配線リード２９と前記チ
ップ搭載キャリア上面のボンディングパット間をワイヤ
ボンディング２４で接続した構造がとられていた。
ド端子接続構造は、図３に示すように、ヒートシンク２
３上面にマウントされたＬＤチップ２５をボンディング
パッド２６が上面に固定されたチップ搭載キャリア２７
にマウントし、前記ＬＤチップと前記ボンディングパッ
ト間をボンディングワイヤ２４で接続された前記チップ
搭載キャリアをモジュールケースに半田固定した後、ケ
ース側壁２８に設けられた外部配線リード２９と前記チ
ップ搭載キャリア上面のボンディングパット間をワイヤ
ボンディング２４で接続した構造がとられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザモジュールでの内部リード端子接続構造ではＬＤ
エープ搭載キャリア２７上のボンディングパッド２６と
外部配線リード２９との間がモジュール組立における容
易性から５ｍｍ程度あり、結線用のボンディングワイヤ
２４は通常太さが〜５０μｍ中のものを用いているので
、ワイヤ自身のインダクタンスは５ｎＨ程度である。 その為、このインダクタンス成分で２〜３ＧＨｚ程度に
帯域が制限されてしまう欠点がある。
レーザモジュールでの内部リード端子接続構造ではＬＤ
エープ搭載キャリア２７上のボンディングパッド２６と
外部配線リード２９との間がモジュール組立における容
易性から５ｍｍ程度あり、結線用のボンディングワイヤ
２４は通常太さが〜５０μｍ中のものを用いているので
、ワイヤ自身のインダクタンスは５ｎＨ程度である。 その為、このインダクタンス成分で２〜３ＧＨｚ程度に
帯域が制限されてしまう欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、ＬＤチップ搭載キャリアに設けられている
ボンディングパット部に板状のインダクタンスの小さい
リードを接着し、そのリードと端と、ケース側壁に設け
られた外部配線リードとをＹＡＧレーザ照射により半田
を溶融して接続・固定したものである。
ジュールは、ＬＤチップ搭載キャリアに設けられている
ボンディングパット部に板状のインダクタンスの小さい
リードを接着し、そのリードと端と、ケース側壁に設け
られた外部配線リードとをＹＡＧレーザ照射により半田
を溶融して接続・固定したものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）は本発明の一実施例の平面図であり、（
ｂ）は正面図である。半導体レーザチップ１は、ヒート
シンク２を介してＤチップ搭載キャリア３にマウントさ
れ、ＬＤチップ搭載キャリア３上に固定された電極パッ
ト４との間をボンディングワイヤ５によりボンディング
される。電極パット４は、図１（ｂ）に示すように、チ
ップ搭載キャリア３上に絶縁体例えばセラミック板を介
して形成されており、電極パット面上に電極リード６が
ロー付け固定されている。
る。図１（ａ）は本発明の一実施例の平面図であり、（
ｂ）は正面図である。半導体レーザチップ１は、ヒート
シンク２を介してＤチップ搭載キャリア３にマウントさ
れ、ＬＤチップ搭載キャリア３上に固定された電極パッ
ト４との間をボンディングワイヤ５によりボンディング
される。電極パット４は、図１（ｂ）に示すように、チ
ップ搭載キャリア３上に絶縁体例えばセラミック板を介
して形成されており、電極パット面上に電極リード６が
ロー付け固定されている。
【０００７】この電極リード６は、ケース側壁７に取り
付けられかつ例えばＰｂＳｎで予備半田された外部配線
用リード８と重ね合わせ、上面方向からＹＡＧレーザを
ポイント９に照射し半田２１を溶融させ、結線する。
付けられかつ例えばＰｂＳｎで予備半田された外部配線
用リード８と重ね合わせ、上面方向からＹＡＧレーザを
ポイント９に照射し半田２１を溶融させ、結線する。
【０００８】ＹＡＧレーザスポット溶接においては電極
リード６の板厚は０．２５ｍｍ〜２０．ｍｍ程度のもの
が適しており、電極リード６のＹＡＧレーザ照射部９の
金メッキは取り除いておく必要がある。
リード６の板厚は０．２５ｍｍ〜２０．ｍｍ程度のもの
が適しており、電極リード６のＹＡＧレーザ照射部９の
金メッキは取り除いておく必要がある。
【０００９】図２は本発明の実施例２でＬＤドライバー
回路内臓半導体レーザモジュールの場合である。ＬＤ駆
動用回路搭載基板１６のパターンにはＹＡＧレーザによ
るスポット溶接のための結線用パット１５を有し、この
結線用パット部でＬＤチップ搭載キャリア１９の電極リ
ード１２とケース側壁１３に取り付けられた配線用リー
ド１４がＹＡＧ溶接ポイント１０で溶接結線される。こ
の場合のＹＡＧレーザ溶接方法は結線用パット１５およ
び電極リード１０Ｌ配線用リード１４の接合面に例えば
ＰｂＳｎの予備半田を施し、ＹＡＧレーザをＹＡＧ溶接
ポイント１０に照射することにより局所加熱を行ない、
電極リード１２または配線用リード１４と、接続パット
１５との結線を行なう。この実施例では、接続部に予備
半田を施すことにより、他の部分の半田固定部分熱の影
響を与えることはなく歩留りよく行なうことが可能で、
かつ、生産性に優れるという利点がある。
回路内臓半導体レーザモジュールの場合である。ＬＤ駆
動用回路搭載基板１６のパターンにはＹＡＧレーザによ
るスポット溶接のための結線用パット１５を有し、この
結線用パット部でＬＤチップ搭載キャリア１９の電極リ
ード１２とケース側壁１３に取り付けられた配線用リー
ド１４がＹＡＧ溶接ポイント１０で溶接結線される。こ
の場合のＹＡＧレーザ溶接方法は結線用パット１５およ
び電極リード１０Ｌ配線用リード１４の接合面に例えば
ＰｂＳｎの予備半田を施し、ＹＡＧレーザをＹＡＧ溶接
ポイント１０に照射することにより局所加熱を行ない、
電極リード１２または配線用リード１４と、接続パット
１５との結線を行なう。この実施例では、接続部に予備
半田を施すことにより、他の部分の半田固定部分熱の影
響を与えることはなく歩留りよく行なうことが可能で、
かつ、生産性に優れるという利点がある。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＬＤチッ
プ搭載キャリアの電極リードと、ケースの外部配線用の
リードの接続にＹＡＧレーザで半田を溶融固定すること
により、モジュールの特性上、高周波域で問題となるイ
ンダクタンスの大きなワイヤを除くことが可能で広帯域
化できる。また局所加熱のため他の半田固定部への熱影
響を与えないすなわち、組立が容易でかつ信頼に優れた
半導体レーザモジュールができるという効果がある。
プ搭載キャリアの電極リードと、ケースの外部配線用の
リードの接続にＹＡＧレーザで半田を溶融固定すること
により、モジュールの特性上、高周波域で問題となるイ
ンダクタンスの大きなワイヤを除くことが可能で広帯域
化できる。また局所加熱のため他の半田固定部への熱影
響を与えないすなわち、組立が容易でかつ信頼に優れた
半導体レーザモジュールができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図及び正面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図で、ＬＤ駆動回
路を内蔵したＬＤモジュールの平面図。
路を内蔵したＬＤモジュールの平面図。
【図３】従来例の平面図。
１，１７，２５ 半導体レーザチップ２，１８，
２３ ヒートシンク ３，１９，２７ チップキャリア４，２６
電極パット ５，２２ ボンディングワイヤ ６，１２ チップキャリア電極リード７，１３，
２８ ケース側壁 ８，１４，２９ 外部配線用リード９，１０
ＹＡＧ溶接ポイント １１ ＬＤ駆動回路 １５ 接続パット １６ 回路基板 ２１ 半田
２３ ヒートシンク ３，１９，２７ チップキャリア４，２６
電極パット ５，２２ ボンディングワイヤ ６，１２ チップキャリア電極リード７，１３，
２８ ケース側壁 ８，１４，２９ 外部配線用リード９，１０
ＹＡＧ溶接ポイント １１ ＬＤ駆動回路 １５ 接続パット １６ 回路基板 ２１ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザチップと、前記半導体レ
ーザチップを搭載するブロックであって、前記半導体レ
ーザチップの第１の電極を金属細線にて接続し他の電気
回路へ導く前記ブロックと絶縁された金属部を有するチ
ップ搭載キャリアと、外部配線リード端子が取付けられ
て前記チップ搭載キャリアを収納するケースとから構成
される半導体レーザモジュールにおいて、前記金属部上
にロー付けされた板状の電極板を設け、前記電極板と前
記ケースの外部リード端子をＹＡＧレーザ照射により半
田を溶融させて接続・固定したことを特徴とする半導体
レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2848491A JPH04267385A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2848491A JPH04267385A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267385A true JPH04267385A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12249941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2848491A Pending JPH04267385A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04267385A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008053380A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ装置 |
| JP2015177115A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール、光モジュールの製造方法 |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP2848491A patent/JPH04267385A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008053380A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ装置 |
| JP2015177115A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール、光モジュールの製造方法 |
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