JPS60245158A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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- JPS60245158A JPS60245158A JP59101014A JP10101484A JPS60245158A JP S60245158 A JPS60245158 A JP S60245158A JP 59101014 A JP59101014 A JP 59101014A JP 10101484 A JP10101484 A JP 10101484A JP S60245158 A JPS60245158 A JP S60245158A
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- JP
- Japan
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- electrode layer
- bending
- substrate
- bent
- layer
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は可撓性を有する絶縁基板上にメタル等のマスク
によるパターニングあるいはレーザ加工方式によるパタ
ーニングを用いないで、基板を折り曲げることによって
直列接続された薄膜太陽電池に関するものである。
によるパターニングあるいはレーザ加工方式によるパタ
ーニングを用いないで、基板を折り曲げることによって
直列接続された薄膜太陽電池に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、非晶質シリコン太陽電池は電卓、腕時計等の民生
機器の電源として広く普及しつつある。
機器の電源として広く普及しつつある。
しかし、それらの機器の駆動電圧は一般に高く、１個の
非晶質シリコン太陽電池から得られる１ｖ以下の電圧で
は不十分であるため、複数個の非晶質シリコン太陽電池
を直列接続して用いる必要がある。この直列接続を行な
うためには、金属電極層、非晶質シリコン光起電力発生
層、透明電極層を適当な形状にパターニングする必要が
あり、そのパターニングの方法としては、フォトエツチ
ング、メタルマスク等によるマスキング、レーザ光によ
る加工等が、従来より用いられてきた。しかしこれらの
方法では工程の複雑さ、設備の大型化 。
非晶質シリコン太陽電池から得られる１ｖ以下の電圧で
は不十分であるため、複数個の非晶質シリコン太陽電池
を直列接続して用いる必要がある。この直列接続を行な
うためには、金属電極層、非晶質シリコン光起電力発生
層、透明電極層を適当な形状にパターニングする必要が
あり、そのパターニングの方法としては、フォトエツチ
ング、メタルマスク等によるマスキング、レーザ光によ
る加工等が、従来より用いられてきた。しかしこれらの
方法では工程の複雑さ、設備の大型化 。
等の問題点があった。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、可撓性の絶縁基板を折
り曲げるという極めて容易な方法で直列接続のパターニ
ングを可能とすることを目的としている。
り曲げるという極めて容易な方法で直列接続のパターニ
ングを可能とすることを目的としている。
発明の構成
本発明の薄膜太陽電池は、可撓性の絶縁基板を適当な形
状に折り曲げ金属電極を堆積した後、さらに適当な形状
に折り曲げ、非晶質シリコンを堆積する。さらに適当な
形状に折り曲げて透明電極を堆積することにより直列接
続された薄膜太陽電池を提供することを特徴とする。
状に折り曲げ金属電極を堆積した後、さらに適当な形状
に折り曲げ、非晶質シリコンを堆積する。さらに適当な
形状に折り曲げて透明電極を堆積することにより直列接
続された薄膜太陽電池を提供することを特徴とする。
実施例の説明
以下、本発明の薄膜太陽電池の一実施例について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第１図は本発明によって構成された薄膜太陽電池の可撓
性絶縁基板１の折り曲げ線を示す全体図である。実？ｆ
ｊｊａ１．ａ２．ａ！１．ＩＬ４ は金属電極層形成時
に用いる折り曲げ線であり、破線ｂ＋ ＋ ｂｚ ＋ｂ
ｓ 、 ｂａ 、 ｂｓは非晶質シリコン光起電力発生
層形成時に用いる折り曲げ線であり、また一点鎖線０１
、０２ 、 Ｏ５、０４は透明電極層形成時に用いる折
り曲げ線を示している。またｔＲとｔＬはそれぞれ可撓
性の絶縁基板の右端、左端を表わしている０ 第２図は金属電極層形成を示しており、第２図人は基板
１の折り曲げの様子を側面から示したものであり、ａ＋
、 ａ２ 、 ａ！ｌ 、 ａ４ を折り目としてＡ
のように折り曲げた後、上面に金属膜を蒸着、スパッタ
リング等の方法によって堆積する０第２図Ｂは金属電極
層２の形成後の展開平面図である。
性絶縁基板１の折り曲げ線を示す全体図である。実？ｆ
ｊｊａ１．ａ２．ａ！１．ＩＬ４ は金属電極層形成時
に用いる折り曲げ線であり、破線ｂ＋ ＋ ｂｚ ＋ｂ
ｓ 、 ｂａ 、 ｂｓは非晶質シリコン光起電力発生
層形成時に用いる折り曲げ線であり、また一点鎖線０１
、０２ 、 Ｏ５、０４は透明電極層形成時に用いる折
り曲げ線を示している。またｔＲとｔＬはそれぞれ可撓
性の絶縁基板の右端、左端を表わしている０ 第２図は金属電極層形成を示しており、第２図人は基板
１の折り曲げの様子を側面から示したものであり、ａ＋
、 ａ２ 、 ａ！ｌ 、 ａ４ を折り目としてＡ
のように折り曲げた後、上面に金属膜を蒸着、スパッタ
リング等の方法によって堆積する０第２図Ｂは金属電極
層２の形成後の展開平面図である。
面ａ１−ａ２．面ａ４ ｔＬに金属電極層２が形成され
る。第２図Ｃは金属電極層２形成後の基板１の断面図を
示している０ 第３図は非晶質シリコン光起電力発生層３の形成を示し
ており、第３図人のようにｂｌ、 ｂｚ 、 ｂｓ。
る。第２図Ｃは金属電極層２形成後の基板１の断面図を
示している０ 第３図は非晶質シリコン光起電力発生層３の形成を示し
ており、第３図人のようにｂｌ、 ｂｚ 、 ｂｓ。
ｂａ 、 ｂｓを折り目として折り曲げた後、上面にｐ
層、ｉ層、ｎ層の３層より成る非晶質シリコン光起電力
発生層を堆積する。第３図Ｂは非晶質シリコン元起電力
発生層形成後の展開平面図である。
層、ｉ層、ｎ層の３層より成る非晶質シリコン光起電力
発生層を堆積する。第３図Ｂは非晶質シリコン元起電力
発生層形成後の展開平面図である。
面ｂ１− ｂ２＋面ｂａ−ｂｓに非晶質シリコン光起電
力発生層が形成される。第３図Ｃは基板１の断面図を示
している。
力発生層が形成される。第３図Ｃは基板１の断面図を示
している。
第４図は透明電極層４の形成を示しており、第４図人は
基板１の折り曲げの様子を側面から示したものであり、
０１．０２ 、 Ｏ５、０４を折り目として、折り曲げ
た後、上面にＩＴＯ，５ｎ０２等の透明電極を蒸着、ス
パッタリング法等によって堆積する。
基板１の折り曲げの様子を側面から示したものであり、
０１．０２ 、 Ｏ５、０４を折り目として、折り曲げ
た後、上面にＩＴＯ，５ｎ０２等の透明電極を蒸着、ス
パッタリング法等によって堆積する。
第４図Ｂは、透明電極層４形成後の展開平面図である。
面ｔＲ−０１．面０！ｌ −０４に透明電極層が形成さ
れる。第４図Ｃはその断面図を示している。
れる。第４図Ｃはその断面図を示している。
この状態で２素子が直列接続され、本実施例では可撓性
の絶縁基板を折り曲げることにより２素子の直列接続を
示したが、複数箇所でこの折り曲げを行なうことによっ
て２素子以上の直列接続も可能である。また金属電極層
、非晶質シリコン光起電力発生層、透明電極層のうち、
いずれかの単層あるいは２層を形成する際にも、本発明
を適用することが可能である０ 発明の効果 以上のように本発明では可撓性の絶縁基板を折シ曲げる
ことで、薄膜太陽電池素子の直列接続のパターンを達成
できるものである０
の絶縁基板を折り曲げることにより２素子の直列接続を
示したが、複数箇所でこの折り曲げを行なうことによっ
て２素子以上の直列接続も可能である。また金属電極層
、非晶質シリコン光起電力発生層、透明電極層のうち、
いずれかの単層あるいは２層を形成する際にも、本発明
を適用することが可能である０ 発明の効果 以上のように本発明では可撓性の絶縁基板を折シ曲げる
ことで、薄膜太陽電池素子の直列接続のパターンを達成
できるものである０
第１図は本発明における可撓性の絶縁基板に設ける折り
曲げ線の全体を示す図、第２図Ａ、Ｂ。 Ｃは金属電極層形成時の基板の折り曲げの様子を示す側
面図、電極層形成後の展開平面図、および断面図、第３
図ム、Ｂ、Ｃは非晶質シリコン光起電力層形成時の基板
の折り曲げの様子を示す側面図、光起電力層形成後の展
開平面図、および断面図、第４図人、Ｂ、Ｃは透明電極
層形成時の基板の折り曲げの様子を示す側面図、電極層
形成後の展開平面図および断面図を示す。 １・・・・・・可撓性を有する絶縁基板、２・・・・・
・金属電極層、３・・・・・・非晶質シリコン光起電力
発生層、４・・・・・・透明電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７１
区 ” ”ｃ 法 法 ＣＱ ｕ 第３図 ３ ｂｓ ｂ＊ ｂ９ｂ２ｂｌ 第４図
曲げ線の全体を示す図、第２図Ａ、Ｂ。 Ｃは金属電極層形成時の基板の折り曲げの様子を示す側
面図、電極層形成後の展開平面図、および断面図、第３
図ム、Ｂ、Ｃは非晶質シリコン光起電力層形成時の基板
の折り曲げの様子を示す側面図、光起電力層形成後の展
開平面図、および断面図、第４図人、Ｂ、Ｃは透明電極
層形成時の基板の折り曲げの様子を示す側面図、電極層
形成後の展開平面図および断面図を示す。 １・・・・・・可撓性を有する絶縁基板、２・・・・・
・金属電極層、３・・・・・・非晶質シリコン光起電力
発生層、４・・・・・・透明電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７１
区 ” ”ｃ 法 法 ＣＱ ｕ 第３図 ３ ｂｓ ｂ＊ ｂ９ｂ２ｂｌ 第４図
Claims (2)
- （１）可撓性の絶縁基板を適当な形状に折り曲げて金属
電極層を堆積し、さらに基板を適当な形状に折り曲げて
非晶質シリコン光起電力発生層を堆積し、さらに基板を
適当な形状に折り曲げて透明電極層を堆積した薄膜太陽
電池。 - （２）金属電極層、非晶質シリコン光起電力発生層およ
び透明電極層のうち、いずれかの単層または２層を折り
曲げた絶縁基板上に堆積した特許請求の範囲第１項記載
の薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101014A JPS60245158A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101014A JPS60245158A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245158A true JPS60245158A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14289359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101014A Pending JPS60245158A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009010052A2 (de) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Modul und verfahren zu seiner herstellung |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59101014A patent/JPS60245158A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009010052A2 (de) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Modul und verfahren zu seiner herstellung |
| WO2009010052A3 (de) * | 2007-07-19 | 2009-04-23 | Fraunhofer Ges Forschung | Modul und verfahren zu seiner herstellung |
| US8212264B2 (en) | 2007-07-19 | 2012-07-03 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | FK module and method for the production thereof |
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