JPS60243713A - 安定化電源回路 - Google Patents

安定化電源回路

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Publication number
JPS60243713A
JPS60243713A JP9990584A JP9990584A JPS60243713A JP S60243713 A JPS60243713 A JP S60243713A JP 9990584 A JP9990584 A JP 9990584A JP 9990584 A JP9990584 A JP 9990584A JP S60243713 A JPS60243713 A JP S60243713A
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JP
Japan
Prior art keywords
zener
voltage
zener diode
power supply
highest
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Pending
Application number
JP9990584A
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English (en)
Inventor
Hidetane Miki
三木 秀胤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS60243713A publication Critical patent/JPS60243713A/ja
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/18Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using Zener diodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はツェナーダイオードを用いた安定化電源回路に
関するものであシ、特に半導体集積回路化に適した安定
化電源回路に関するものである。
(従来技術) 従来、半導体集積回路装置に内蔵されるツェナーダイオ
ードを用いた安定化電源回路として第1図に示すような
回路が広:ぐ使われている。第1図においては、電源端
3から接地電位間に抵抗1とツェナーダイオード2を直
列に接続し、かかる抵抗1とツェナーダイオード2の接
続点をトランジスタ4のベースと接続して、かかるトラ
ンジスタ4のコレクタは電源端3に接続し、エミッタを
安定化出力端5として用いるものである。
第2図は第1図の安定化電源回路に用いるツェナーダイ
オード2の電圧対電流特性を示す図である。いま仮に第
1図に示した回路の電源端3に電源電圧を印加し、抵抗
1を介してツェナーダイオード2に流れる電流を工1と
すると、第2図よりかかる状態のツェナーダイオード2
の電圧はVlとなシ、安定化出力端5の出力電圧■。は
以下のように示される。
■。= V、 −v□ ここで■18はトランジスタ4のペース・エミッタ間の
電圧である。
次に電源端3に印加した電源電圧が上昇し、ツェナーダ
イオード2に流れる電流が■2まで増えた場合には、第
2図よシツエナーダイオード2の電圧は■2まで変化す
る。ここで、ツェナーダイオードの性質として降伏時の
電圧対電流特性すなわち動作抵抗が極めて小さいため、
V2 とvIの差は非常に小さく、そのため、安定化出
力端5の出力電圧Voもほとんど変化しない。このため
、ツェナー電圧を基準電圧として用い、第1図の回路は
安定化電源回路として動作していることになるO しかしながら、半導体集積回路装置化されたツェナーダ
イオードでは半導体拡散層の結晶欠陥のため、電圧対電
流特性にリーク電流が生じる場合がある・第3図はリー
ク電流のあるツェナーダイオードの電圧対電流特性であ
る。このような特性のツエナードを第1図の回路に使用
した場合には、前述した説明と同様に電源端3に印加さ
れた電源電圧が上昇してツェナーダイオード2に7流れ
る電流が11からI!まで変化した場合にはツェナーダ
イオードの電圧はV、/からV2′まで変化する。
第3図の特性で明らかなようにV、/とVl/の差は極
めて大きく、従りて、安定化出力端5の出力電圧も大き
く変化してしまって所望の安定化特性が得られず、この
様な半導体集積回路装置は不良と判断される。
M述したツェナーダイオードのリーク電流は結晶欠陥に
起因するものでちゃ、半導体集積回路装置の製造工程に
おいて特定の割合で発生し、すなわち製造歩留を下げる
原因となっていた。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明の目的は前述したツェナーダイオードのリーク電
流が特定の確率で発生しても製造歩留を向上できる半導
体集積回路化に適した安定化電源回路を提供するもので
ある。
(問題点を解決するための手段) 本発明によれは、ツェナーダイオードと抵抗との直列接
続を複数有し、各ツェナーダイオードと抵抗との接続点
にそれぞれトランジスタのベースを接続し、各トランジ
スタのエミッタを共通に出力端に接続した安定化電源回
路を得る。すなわち、リーク電流を生じたツェナーダイ
オードは正常なツェナーダイオードに対し同じ程度の動
作電流においてはツェナー電圧が必らず低下することに
着目し、複数個のツェナーダイオードのうち最もツェナ
ー電圧の高いツェナーダイオードを正常とみなして基準
電圧として選択し、他の不良のツェナーダイオードを利
用しないようにするものである。
(実施例) 次に、図面を参照して、本発明をよシ詳細に説明する。
第4図は本発明の一実施例を説明するための図である。
図において、抵抗11とツェナーダイオード14.抵抗
12とツェナーダイオード15゜抵抗13とツェナーダ
イオード16のそれぞれの組によシ3つのツェナー電圧
を得て、各ツェナー電圧をそれぞれトランジスタ17,
18.19のベースに接続し、各トランジスタ17,1
8.19のエミッタを共通に出力端20に接続している
すなわち、かかる3つのツェナー電圧のうち最高のツェ
ナー電圧を基準電圧としてトランジスタ17.18.1
9による最高電圧選択回路を用いて選択して出力端20
に出力電圧を得るものである。
本発明は、以上説明したような構成になっているために
、ツェナーダイオード14,15.16のうち最も高い
ツェナー電圧を基準電圧とした安定化電源回路の出力電
圧が出力端20よシ出力されることになる。例えば、ツ
ェナーダイオード14と16にリーク電流が生じてその
結果ツェナーダイオード15のツェナー電圧が最高とな
った場合には、第4図の回路の出力端20に出力される
出力電圧■o′は Vo’ ” Vs、s Vents ・・ ・・・(2
)となる。ここでvztsはツェナーダイオード15の
ツェナー電圧、■□Igはトランジスタ18のベース・
エミッタ間電圧である。トランジスタ17,18゜19
のエミッタは共通接続されておシ、Vats > V□
4 ・・ ・・・・(3)■8□> Vats ・・・
・・−(4)(ここでV3Si * Vmxsはそれぞ
れツェナーダイオード14.16のツェナー電圧)の関
係から、Vest@> Vllll? = V3Si 
VO’ ・−−・・(5)Vms > Vmmt* =
 V九ss Vo’ −°−°(61(ここでV、、、
 、 V工1.はそれぞれトランジスタ17.19のベ
ース・エミッタ間電圧である)の関係が成立し、すなわ
ちトランジスタ1Bはオンし、トランジスタ17,19
は充分なベース・エミッタ間電圧が確保できないためオ
フし、最も高いツェナー電圧を有する正常なツェナーダ
イオード15のツェナー電圧が選択されて基準電圧とな
り、トランジスタ18のエミッタから出力電圧が出力さ
れたことになる。
以上の説明では、仮にツェナータイオード15を正常な
ツェナーダイオードとしたが、これはどのツェナーダイ
オードでも良いことは明らかである。また、ツェナーダ
イオードは3つ使用したが、これ社2つ以上の複数であ
れば同様に作用することも明らかである。
本発明は、複数のツェナーダイオードのうちどれか1つ
でも正常であれば安定化電源回路として正常に動作する
ものであシ、本発明の効果が得られないのは複数のツェ
ナーダイオードのうち全部が不良であった場合のみであ
る。1つの半導体集積回路装置内のツェナーダイオード
にリーク電流が生じる確率をfとすると、本発明を適用
しても不良とたる確率はf”であり、ここでnはツェナ
ーダイオードの数である。一般的に確率:fの値は0.
01〜0.1(1%〜10%)程度であシ、仮に0.0
5(5%)とした場合には、第1図に示した従来の安定
化電源回路の不良率は5%であり、第4図に示した本発
明の構成例(この場合n=3)の不良率は1.25X1
0−’ (0,0125%)となり不良率の低減に極め
て効果がある。
本発明は最高のツェナー電圧を選択する回路としてトラ
ンジスタのエミッタを共通接続する手段を用いたが、こ
れは、複数の電圧のうち最高の電圧を選択するための他
の回路手段に置き撲えても良い。また、第4図において
は、ツェナーダイオードのバイアス手段として単に抵抗
を用いたが、本発明においては雛にツェナーダイオード
のツェナー電圧のみを利用しているために他の公知のバ
イアス手段を用いた場合でも本発明の効果に何ら制限を
与えるものではない。
(発明の効果) 以上説明したようK、本発明によれはツェナーダイオー
ドを複数個用い、複数個のツェナータイオードのツェナ
ー電圧のうち最高のツェナー電圧を選択して基準電圧と
してなる安定化電源回路が得られ、かかる複数のツェナ
ーダイオードのどれかにリーク電流が生じても、どれか
1つのツェナーダイオードが正常であれに、所望の特性
が得られる安定化電源回路が実現でき、半導体集積回路
装置の製造歩留の大幅な向上ができるものである。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の安定化電源回路の例を示す回路図、第2
図および第3図はツェナーダイオードの特性を説明する
ためのグラフ、第4図は本発明の一実施例を説明するた
めの回路図である。 1.11,12.13・・・抵抗、2,14.15.1
6・ツェナーダイオード、3.lO・・電源端、4,1
7゜懺0.1→ソ・′ンス麿−ぢ−90出力株。 革 4 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ツェナーダイオードを複数個用い、該複数個のツェナー
    ダイオードのツェナー電圧のうち最高のツェナー電圧を
    選択して基準電圧としてなる安定化電源回路。
JP9990584A 1984-05-18 1984-05-18 安定化電源回路 Pending JPS60243713A (ja)

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JP9990584A JPS60243713A (ja) 1984-05-18 1984-05-18 安定化電源回路

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JP9990584A JPS60243713A (ja) 1984-05-18 1984-05-18 安定化電源回路

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JPS60243713A true JPS60243713A (ja) 1985-12-03

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ID=14259788

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JP9990584A Pending JPS60243713A (ja) 1984-05-18 1984-05-18 安定化電源回路

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