JPS60235745A - 多孔質反射防止膜およびその製造方法 - Google Patents
多孔質反射防止膜およびその製造方法Info
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- JPS60235745A JPS60235745A JP59089483A JP8948384A JPS60235745A JP S60235745 A JPS60235745 A JP S60235745A JP 59089483 A JP59089483 A JP 59089483A JP 8948384 A JP8948384 A JP 8948384A JP S60235745 A JPS60235745 A JP S60235745A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antireflection film
- glass
- refractive index
- substrate
- mechanical strength
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249987—With nonvoid component of specified composition
- Y10T428/24999—Inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
水弁明番よレーＩ７’核融合システム内の光学素子、タ
ーゲットチャンバ窓等に使用されるガラス素子の表面に
形成ｌる多孔質反射防止膜およびその製造法に１ｌ１１
する。
ーゲットチャンバ窓等に使用されるガラス素子の表面に
形成ｌる多孔質反射防止膜およびその製造法に１ｌ１１
する。
［従来技術］
人出力レーザシスツムにおいては、レーザ出力を効率よ
く取り出すために、耐レーザ損（ｌｌｆｌ釦の高い反射
膜圧膜を形成させた光学素子が使用される１、このよう
な反射膜１に膜は、通常水溶液中で弱アルカリ性を示す
酸性塩の溶液を用いて処即し製造される。Ｎ ａ １」
Ａ ｓ ｏ ｆ、ｚどの弱アルカリｆ１２ ４ のＰｉ！性塩水塩水溶液るガラス表面の浸食は、ガラス
中のアルノＪリイオンと溶液中の１」 イオンとのイオ
ン交換でやや多孔質のいわゆる青ヤケ層が形成されるリ
ーヂングブ１」セスと、ガラス中の骨格結合ｓ １−ｏ
−ｓ ｒが切断されて仝休が溶解して行くエツヂングブ
ロしスとの相乗作用で説明される。ところが、リーヂン
グブ１１ｔ？スが支配的゛（゛あると、多孔質層は形成
されるものの、その空隙率を充分に大きくできないため
、満足できるほどの低屈折重病を生成させることができ
ない。
く取り出すために、耐レーザ損（ｌｌｆｌ釦の高い反射
膜圧膜を形成させた光学素子が使用される１、このよう
な反射膜１に膜は、通常水溶液中で弱アルカリ性を示す
酸性塩の溶液を用いて処即し製造される。Ｎ ａ １」
Ａ ｓ ｏ ｆ、ｚどの弱アルカリｆ１２ ４ のＰｉ！性塩水塩水溶液るガラス表面の浸食は、ガラス
中のアルノＪリイオンと溶液中の１」 イオンとのイオ
ン交換でやや多孔質のいわゆる青ヤケ層が形成されるリ
ーヂングブ１」セスと、ガラス中の骨格結合ｓ １−ｏ
−ｓ ｒが切断されて仝休が溶解して行くエツヂングブ
ロしスとの相乗作用で説明される。ところが、リーヂン
グブ１１ｔ？スが支配的゛（゛あると、多孔質層は形成
されるものの、その空隙率を充分に大きくできないため
、満足できるほどの低屈折重病を生成させることができ
ない。
一方、エツヂングブ［１セスが支配的である場合は、は
とんど多孔質層が形成されず、ガラスの表面が溶解づる
だ（〕で低屈折率層を−Ｆ成させることができない。と
ころが、この弱アルカリ土類金属水溶液に？ルミ工つム
イオンＡ１３＋を添加するとリー・ｆングブ［１セスと
Ｔツヂングブ［１セスを適当に１ント１１−ル（゛さる
ことが知られている。
とんど多孔質層が形成されず、ガラスの表面が溶解づる
だ（〕で低屈折率層を−Ｆ成させることができない。と
ころが、この弱アルカリ土類金属水溶液に？ルミ工つム
イオンＡ１３＋を添加するとリー・ｆングブ［１セスと
Ｔツヂングブ［１セスを適当に１ント１１−ル（゛さる
ことが知られている。
しかし、レーザシステムにおいて、使用される光学ガラ
スをＡ１３（含右弱アルカリ水溶液で処理してみると、
低屈折率の膜が生成づる（ノれども処理時間、処理１ｉ
１１麿、ＡｌＪ＋温度をいかように変化さＵても、膜厚
がある値で一定となってしまい、Ｎ ｄ ｉｌｌレーザ
の発振波長である１、０６μｍで反射率が最低となるよ
うな厚さまで、膜〃を持ってくることができない。
スをＡ１３（含右弱アルカリ水溶液で処理してみると、
低屈折率の膜が生成づる（ノれども処理時間、処理１ｉ
１１麿、ＡｌＪ＋温度をいかように変化さＵても、膜厚
がある値で一定となってしまい、Ｎ ｄ ｉｌｌレーザ
の発振波長である１、０６μｍで反射率が最低となるよ
うな厚さまで、膜〃を持ってくることができない。
そこで、本発明者等は、特願昭５８−９８０１９号の出
願において、重量％でＳｉＯ？６５−７５アルノＪり台
底酸化物 ５−２０、Ｂ１０：＋ ０−１５、アルカリ
土類金属酸化物０−１５、その他０−５から成る組成の
ガラスを弱アルカリ溶液とＡＮ３＋を含む溶液との混合
溶液に、さらに３ ｉ ４＋を加えた処理液に浸Ｊこと
により、Ｓｉ４＋がガラス表面のエツｆ−ング速度を制
御して任意の光波長に対する反射率を低下し、かつ耐レ
ーザ損傷閾値の高い多孔層の反射防止膜を形成しうろこ
とを開示した。
願において、重量％でＳｉＯ？６５−７５アルノＪり台
底酸化物 ５−２０、Ｂ１０：＋ ０−１５、アルカリ
土類金属酸化物０−１５、その他０−５から成る組成の
ガラスを弱アルカリ溶液とＡＮ３＋を含む溶液との混合
溶液に、さらに３ ｉ ４＋を加えた処理液に浸Ｊこと
により、Ｓｉ４＋がガラス表面のエツｆ−ング速度を制
御して任意の光波長に対する反射率を低下し、かつ耐レ
ーザ損傷閾値の高い多孔層の反射防止膜を形成しうろこ
とを開示した。
しかしこの方法による多孔質反射防止膜（以上単に反射
防止膜という）は表面での気孔率が人さく、指で触れた
だ１１で傷つく程度の機械的強度しかなく、レーザシス
テムの組立や取扱い時に侶しく不便であった。
防止膜という）は表面での気孔率が人さく、指で触れた
だ１１で傷つく程度の機械的強度しかなく、レーザシス
テムの組立や取扱い時に侶しく不便であった。
［発明の目的］
本発明は上記のような欠陥のない、機械的強度の大きい
反射防止膜を施した光学ガラスを提供（ること、並びに
このような及躬防ｊ−’ｒ、 Ｖ）を容易に製）鉋づる
ことを目的とするものである。
反射防止膜を施した光学ガラスを提供（ること、並びに
このような及躬防ｊ−’ｒ、 Ｖ）を容易に製）鉋づる
ことを目的とするものである。
［発明の概略］
本弁明においては、さきの特Ｒ１出願のごとく水溶液中
で弱アルカリ性を示す酸性塩の水溶液に△β３１と３
ｉ ４４とを溶存させた混合溶液にて、ガラスを処理づ
るに当り、添加づるＳｉ ４÷のＳ度をさらに増加させ
たものである。すなわり水溶液中で弱アルカリ性を示す
酸性塩を００１〜１℃ル／ｌの濃度で含有づる水溶液に
、０〜０．０１土ル／ｌのΔ１３＋と８×１０〜ｌ ｘ
１０−３モル／ｌの範４ １川のＳ１′ｉ＋を加え、さらに酸液でｐｌｌを］ント
［ｌ−ルした処理液を使用することにより生成する反射
防止ｙ−表面の屈折率が高くなる一方、ガラス界面では
逆に低くなる屈折率勾配をもつ反（ト）防止膜どなるこ
とを見出し、この知見に暴づいて発明を完成しＩＣもの
である。また膜表面【よ屈折率が高くなるに従って著し
く機械的強度が増大すること、さらにはこの屈折率勾配
が変っても嵯低反則率の値は殆んど変化しないことを確
認し１こ。前者につい工（、（後記実施例中の測定によ
って確認されるのぐ、ここ′Ｃ後名の事実について述べ
ると上記のどＪｊ Ｖ）ｒ：″ある。
で弱アルカリ性を示す酸性塩の水溶液に△β３１と３
ｉ ４４とを溶存させた混合溶液にて、ガラスを処理づ
るに当り、添加づるＳｉ ４÷のＳ度をさらに増加させ
たものである。すなわり水溶液中で弱アルカリ性を示す
酸性塩を００１〜１℃ル／ｌの濃度で含有づる水溶液に
、０〜０．０１土ル／ｌのΔ１３＋と８×１０〜ｌ ｘ
１０−３モル／ｌの範４ １川のＳ１′ｉ＋を加え、さらに酸液でｐｌｌを］ント
［ｌ−ルした処理液を使用することにより生成する反射
防止ｙ−表面の屈折率が高くなる一方、ガラス界面では
逆に低くなる屈折率勾配をもつ反（ト）防止膜どなるこ
とを見出し、この知見に暴づいて発明を完成しＩＣもの
である。また膜表面【よ屈折率が高くなるに従って著し
く機械的強度が増大すること、さらにはこの屈折率勾配
が変っても嵯低反則率の値は殆んど変化しないことを確
認し１こ。前者につい工（、（後記実施例中の測定によ
って確認されるのぐ、ここ′Ｃ後名の事実について述べ
ると上記のどＪｊ Ｖ）ｒ：″ある。
反射防Ｊ１膜の描込は、第１図のような光層折率勾配を
持つ躾モｆルど考えることができる。光が膜へ垂直に人
！８覆ると考えると、反射率Ｒは式印ぐＪｊえられる。
持つ躾モｆルど考えることができる。光が膜へ垂直に人
！８覆ると考えると、反射率Ｒは式印ぐＪｊえられる。
ここで６−２ｙｒ、（Ｎａ−＋−Ｎｇ）ｘｌ、）／λＮ
ニガラスの屈折率 Ｎａ；膜の表面ぐの１１１０ｈ率 Ｎｑ：摸のガラス界面て・のＩｉ−＋ｌ Ｊ＋ｉ串λ
：光の波１に １〕：膜厚 式（１）から反射率の最低値（（ｍｉｎｔよ（ＮａＮ（
Ｊ−Ｎ）’ ］マ ” １ ”” （ＮａＮｑ−＋−Ｎ） ２ （２
）Ｎａ、ＮＯ，Ｈの関係は次式にＪ、っ（ｊ、えれる。
ニガラスの屈折率 Ｎａ；膜の表面ぐの１１１０ｈ率 Ｎｑ：摸のガラス界面て・のＩｉ−＋ｌ Ｊ＋ｉ串λ
：光の波１に １〕：膜厚 式（１）から反射率の最低値（（ｍｉｎｔよ（ＮａＮ（
Ｊ−Ｎ）’ ］マ ” １ ”” （ＮａＮｑ−＋−Ｎ） ２ （２
）Ｎａ、ＮＯ，Ｈの関係は次式にＪ、っ（ｊ、えれる。
ＮａＮｇ＝Ｎｘ（１＋ Ｒｍｉｎ）／（１−Ｒｍｉｎ）
（３１従つ（式（３）から、ＮａとＮ ｃｙの槓か一
定（・あれば、同−組成のガラスぐはＮが一定ぐあるか
ら、最低反射率の値ＬＪ変化しないことどなる。１Ｊな
わら、反則防止膜の別械的強浪を人どりるＩＪめにＮａ
を増大しＣも、Ｎ ａ Ｘ Ｎ ｇのｌ＋ｌ＋が 定て
゛あれば最低反射率も一定であることが判る。ここぐ処
理液中の３ ｉ ４＋濃麿を増加りることぐ形成される
反射防止膜はＮａが高く、Ｎｇが低くなることがらＮａ
ｘＮＱの値が保たれ、つまりは最低反ＯＡ率が変化しな
いのである。なお本発明においてＮＱ−Ｎａの値が０１
５以下であれば、反射率が低く、またＮａが１２以上な
らば充分機械的強度の大きい反射防止膜が得られる。
（３１従つ（式（３）から、ＮａとＮ ｃｙの槓か一
定（・あれば、同−組成のガラスぐはＮが一定ぐあるか
ら、最低反射率の値ＬＪ変化しないことどなる。１Ｊな
わら、反則防止膜の別械的強浪を人どりるＩＪめにＮａ
を増大しＣも、Ｎ ａ Ｘ Ｎ ｇのｌ＋ｌ＋が 定て
゛あれば最低反射率も一定であることが判る。ここぐ処
理液中の３ ｉ ４＋濃麿を増加りることぐ形成される
反射防止膜はＮａが高く、Ｎｇが低くなることがらＮａ
ｘＮＱの値が保たれ、つまりは最低反ＯＡ率が変化しな
いのである。なお本発明においてＮＱ−Ｎａの値が０１
５以下であれば、反射率が低く、またＮａが１２以上な
らば充分機械的強度の大きい反射防止膜が得られる。
本発明に於て、水溶中で弱アルカリ性を示づ酸性塩とし
てｔよ、Ｎ ａ ２ ＨＡ Ｓ Ｏ４、Ｎ ａ ２ Ｈ
Ｃ０３、Ｎａ？＋−ＩＰＯ４、ＮａＣ２１−１３０など
が使用される。処理液中の酸性塩ＩＩＩ痘し従来法のそ
れを採用りることができ、００１〜１モル／ｌの範、囲
ぐ選択される。このＩ！！麿が低づぎると、反（ト）防
１１膜が１成りｆ、高りざると反射防止膜が不均質どな
る。３ ｉ ４＋源としては、Ｋ ｏ−ｓ ｒ ｏ。
てｔよ、Ｎ ａ ２ ＨＡ Ｓ Ｏ４、Ｎ ａ ２ Ｈ
Ｃ０３、Ｎａ？＋−ＩＰＯ４、ＮａＣ２１−１３０など
が使用される。処理液中の酸性塩ＩＩＩ痘し従来法のそ
れを採用りることができ、００１〜１モル／ｌの範、囲
ぐ選択される。このＩ！！麿が低づぎると、反（ト）防
１１膜が１成りｆ、高りざると反射防止膜が不均質どな
る。３ ｉ ４＋源としては、Ｋ ｏ−ｓ ｒ ｏ。
？
の希薄水溶液などが使用ＯＪ能ぐあり、処理液の４
３ ｊ ４＋濃度は８．０Ｘ１０ ・〜ｌ Ｘ １０−
”ｔル／！の範囲で・選ばれる。３ ｉ ４＋濃麿が８
．Ｏｘ １０−’ｔル／β以−トｒあると、所定の屈折
率差が得られず、また１、０Ｘ１０””−’［シフ１以
上であると不拘！１な反！ｌＦ１防庄膜が形成される。
”ｔル／！の範囲で・選ばれる。３ ｉ ４＋濃麿が８
．Ｏｘ １０−’ｔル／β以−トｒあると、所定の屈折
率差が得られず、また１、０Ｘ１０””−’［シフ１以
上であると不拘！１な反！ｌＦ１防庄膜が形成される。
へβ１Ｆ源とし工はΔ１（ＮＯ３）３ぞの他の水溶性ア
ルミニウム塩およびアルミン酸塩が使用可能である。
ルミニウム塩およびアルミン酸塩が使用可能である。
［実施例１
光学ガラス１３に−７（西独、ショツ１−ネ１、凸標ホ
０ シ’）ケートガラス）をＮ ａ ＨＡＳＯ，ＩＯ，
０３モル／１１と△ｆ１３＋を１Ｏ−３ｔル／１１を含
む溶液に１・記のこと（３ｉ ４４を種々の１８ｍで加
え、稀ｆｌ酸により０日を８．０に調整した液を処理液
とし、液温８７５℃で２０時間浸漬した。その結果を表
１に小寸。
０ シ’）ケートガラス）をＮ ａ ＨＡＳＯ，ＩＯ，
０３モル／１１と△ｆ１３＋を１Ｏ−３ｔル／１１を含
む溶液に１・記のこと（３ｉ ４４を種々の１８ｍで加
え、稀ｆｌ酸により０日を８．０に調整した液を処理液
とし、液温８７５℃で２０時間浸漬した。その結果を表
１に小寸。
第２図のように反射防止膜２１−にレンズ拭き用シルボ
ン紙３をのせ、その上に荷手１をのせて、シルボン紙３
を２０ｃｍ ／ Ｓｅｃの速度で移動さｕＩＪときに生
ずる傷の有無による方法を採用した。その測定結果を表
２に承り。
ン紙３をのせ、その上に荷手１をのせて、シルボン紙３
を２０ｃｍ ／ Ｓｅｃの速度で移動さｕＩＪときに生
ずる傷の有無による方法を採用した。その測定結果を表
２に承り。
ん２１、り明らかなように、８１′１＋を含む処理液で
は飛躍的に反射防１１膜の機械的強度が増大することが
わかる３、なお、機械的強度が１１．３２（１／ＣＩ＋
ｉ以Ｊ＋’ｈ ｔ’ｔ、 ｉ、ｃ、レーザ核融合システ
ムの光学系の組込み等の１ｆｉ業て・反射防１１膜の破
損、損傷などを起さない、。
は飛躍的に反射防１１膜の機械的強度が増大することが
わかる３、なお、機械的強度が１１．３２（１／ＣＩ＋
ｉ以Ｊ＋’ｈ ｔ’ｔ、 ｉ、ｃ、レーザ核融合システ
ムの光学系の組込み等の１ｆｉ業て・反射防１１膜の破
損、損傷などを起さない、。
第１図は反射防止膜の構造モデル図、第２図は機械強度
測定方法を実施する装置の要部の断面図である。 １・・・仙重、２・・・反’Ａ ＶＪｉ）膜、３・・・
レンズ拭きシルボン紙、４・・・ガラス 出 願 人 株式公判 保谷硝了 代 理 人 朝 ０ 正 幸
測定方法を実施する装置の要部の断面図である。 １・・・仙重、２・・・反’Ａ ＶＪｉ）膜、３・・・
レンズ拭きシルボン紙、４・・・ガラス 出 願 人 株式公判 保谷硝了 代 理 人 朝 ０ 正 幸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板ガラス界面の屈折率ど反射防止膜表面の屈折率
との差が０．１５以下であることを特徴とする多孔質反
射防止膜。 ２ 弱アルカリ性の酸性塩０．０１〜１モル／！を３右
りる水溶液に、△１３ＩＯ〜０．０１ Ｌル／ｉｔど４ Ｓｔ引８．０・〜・１０・〜・１Ｘ １Ｏ−３Ｔル／Ｉ
Ｉを溶存さμでガラスを処理り−ることにより生成りる
反射膜１１−膜の１１１（折率ｌを制御ψることを特徴
どする多孔賀反（ト）■」圧膜の製造月γ人。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089483A JPS60235745A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 多孔質反射防止膜およびその製造方法 |
| US06/724,319 US4693910A (en) | 1984-05-07 | 1985-04-17 | Process for producing porous antireflective coatings |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089483A JPS60235745A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 多孔質反射防止膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235745A true JPS60235745A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=13971982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59089483A Pending JPS60235745A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 多孔質反射防止膜およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4693910A (ja) |
| JP (1) | JPS60235745A (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5472748A (en) * | 1990-10-15 | 1995-12-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Permanent laser conditioning of thin film optical materials |
| US6436541B1 (en) | 1998-04-07 | 2002-08-20 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Conductive antireflective coatings and methods of producing same |
| US6777829B2 (en) | 2002-03-13 | 2004-08-17 | Celis Semiconductor Corporation | Rectifier utilizing a grounded antenna |
| US7004583B2 (en) * | 2003-01-29 | 2006-02-28 | East Bay Technologies | Eyewear lenses and methods of manufacturing |
| US20040145802A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Robert Miniutti | Infrared filtering optical lenses and methods of manufacturing |
| US20040145701A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Robert Miniutti | Solid color eyewear lenses |
| US7384727B2 (en) * | 2003-06-26 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing patterning methods |
| US7115532B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-10-03 | Micron Technolgoy, Inc. | Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates |
| US6969677B2 (en) * | 2003-10-20 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive metal silicides by reaction of metal with silicon |
| US7026243B2 (en) * | 2003-10-20 | 2006-04-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive material silicides by reaction of metal with silicon |
| US7153769B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a reaction product and methods of forming a conductive metal silicide by reaction of metal with silicon |
| US7119031B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates |
| US7241705B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-07-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive contacts to source/drain regions and methods of forming local interconnects |
| US9366552B2 (en) | 2013-01-25 | 2016-06-14 | Egs Solutions Inc. | Sealed sensor assembly |
| DE112015003283B4 (de) * | 2014-07-16 | 2018-05-03 | Asahi Glass Company, Limited | Abdeckglas |
| CN109081600A (zh) * | 2018-10-25 | 2018-12-25 | 海南中航特玻科技有限公司 | 采用盐类化学试剂刻蚀减反射玻璃的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5869746A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-26 | シヨツト・オプチカル・ガラス・インコ−ポレイテツド | 珪酸塩ガラスの一体非反射性面 |
| JPS58199744A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 反射防止ガラスの製造方法 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP59089483A patent/JPS60235745A/ja active Pending
-
1985
- 1985-04-17 US US06/724,319 patent/US4693910A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| JPS58199744A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 反射防止ガラスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4693910A (en) | 1987-09-15 |
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