JPS6023389A - ビニルホスホン酸又はビニルピロホスホン酸の誘導体の製造法 - Google Patents
ビニルホスホン酸又はビニルピロホスホン酸の誘導体の製造法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/3804—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)] not used, see subgroups
- C07F9/3826—Acyclic unsaturated acids
-
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- C07F9/383—Cycloaliphatic acids
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ケトンを三塩化燐と高温度で反応させてビニ
ルホスホン酸又はビニルビロホヌホン酸の誘導体を製造
する方法に関する。
ルホスホン酸又はビニルビロホヌホン酸の誘導体を製造
する方法に関する。
従来の技術
ビニルホスホン酸及びその誘導体は工業上重要である。
それというのもこれらは重合して高分子化合物が得られ
るか又は他の重合性化合物で処理して共重合体が得られ
るからである。
るか又は他の重合性化合物で処理して共重合体が得られ
るからである。
ｆ！ｌばｌ−フェニルビニル−１−ホスホン酸又はその
ホモポリマー又は他のビニル化合物とのコーポリマーは
、ホヌフエート処理の金属表面を後処理するために使用
する（Ｐイッ公開特許第２４−５５６２４号明細書及び
第２６１５４−８９号明細書）。
ホモポリマー又は他のビニル化合物とのコーポリマーは
、ホヌフエート処理の金属表面を後処理するために使用
する（Ｐイッ公開特許第２４−５５６２４号明細書及び
第２６１５４−８９号明細書）。
ｆ置換されているビニルホスホン酸を製造する公知技術
は、ケ！・ンを土塩化燐と酢酸の存在で反応させる方法
である〔ポウベン・ワイヤー（Ｈｏｕｂθｎ−Ｗθｙ１
．）、メト−デン・デア・オルガニランエン−ヘミ−（
、Ｍｅｔｈｏｄ、ｅｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉ、ｓｃｈ
ｅｎＯｈｅｍｉｅ ）、Ｘｌｌ ／コ１巻、３６３〜３
６４−頁（１９６３４１〕ｏこの場合には、塩化アセチ
ル及び塩化水素を脱離して環状ホスホン酸が生じ、その
加水分解によって中間生成物として１−ヒドロキシアル
カン−］−ホンホン酸が生じ、最後に不活性浴剤、１９
１１えば１．、：１．．２．２−テトラクロルエタン中
での加熱によるその脱水によって所望の置換されている
ビニルホスホン酸が得られる（ｌ−′イツ公開時、８′
１第２’０６０２１８壮明細書）。
は、ケ！・ンを土塩化燐と酢酸の存在で反応させる方法
である〔ポウベン・ワイヤー（Ｈｏｕｂθｎ−Ｗθｙ１
．）、メト−デン・デア・オルガニランエン−ヘミ−（
、Ｍｅｔｈｏｄ、ｅｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉ、ｓｃｈ
ｅｎＯｈｅｍｉｅ ）、Ｘｌｌ ／コ１巻、３６３〜３
６４−頁（１９６３４１〕ｏこの場合には、塩化アセチ
ル及び塩化水素を脱離して環状ホスホン酸が生じ、その
加水分解によって中間生成物として１−ヒドロキシアル
カン−］−ホンホン酸が生じ、最後に不活性浴剤、１９
１１えば１．、：１．．２．２−テトラクロルエタン中
での加熱によるその脱水によって所望の置換されている
ビニルホスホン酸が得られる（ｌ−′イツ公開時、８′
１第２’０６０２１８壮明細書）。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、多くの中間工程を経て進行するこの作業
法は、Ｋ〜しく費１１１がかかる。
法は、Ｋ〜しく費１１１がかかる。
問題点を解決するプこめの手段
意外なことにも、前記方法で酢酸を亜燐酸に代えると、
ビニルホスホン酸誘導体は著しく容易に得られることが
判明した。
ビニルホスホン酸誘導体は著しく容易に得られることが
判明した。
新規方法は、ケトンを、亜燐酸及び三塩化燐とモル比２
：１：１で、場合により不活性溶剤中でＩ）１１度２０
〜１５０℃、殊に４０〜１２０℃で反応させることを特
徴とし、その際亜燐酸１モルを、三塩化燐の他のモル及
び水３当ｍに代えることができ、従ってモル比１ ：
１．５のケトンと水との混合物に三塩化燐全部で１モル
を添加する。好ましくはケＩ・ンを亜燐酸と一緒に装入
し、反応温度に加熱し、三塩化燐を緩慢に添加し、その
際塩化水素が漏出する。
：１：１で、場合により不活性溶剤中でＩ）１１度２０
〜１５０℃、殊に４０〜１２０℃で反応させることを特
徴とし、その際亜燐酸１モルを、三塩化燐の他のモル及
び水３当ｍに代えることができ、従ってモル比１ ：
１．５のケトンと水との混合物に三塩化燐全部で１モル
を添加する。好ましくはケＩ・ンを亜燐酸と一緒に装入
し、反応温度に加熱し、三塩化燐を緩慢に添加し、その
際塩化水素が漏出する。
好１しくけ、更に同時に溶剤として使用するか又は最終
生成物中の残りの過剰量の亜燐酸をわずかに糺持するた
めに、ケトンを過剰量で使用してもよい。
生成物中の残りの過剰量の亜燐酸をわずかに糺持するた
めに、ケトンを過剰量で使用してもよい。
本発明方法のもう１つの可能な別法は、ケトンを三塩化
燐と一緒にして、同じ１対１の大きさのモル比で場合に
より不活性溶剤と共に装入し、更に水を添加することで
あり、その場合同じようにして水１，５当量を必要とす
る。もちろん、この場合にも三塩化燐の半分及び水を、
相応する量の亜燐酸に代えることができる。
燐と一緒にして、同じ１対１の大きさのモル比で場合に
より不活性溶剤と共に装入し、更に水を添加することで
あり、その場合同じようにして水１，５当量を必要とす
る。もちろん、この場合にも三塩化燐の半分及び水を、
相応する量の亜燐酸に代えることができる。
反応性ケトン、例えばアセトフェノンの場合ニハ、先づ
ビニルビＴ１ボスボン酸が形成し、これは−所望の場合
には一化学量論的量の水で公知方法で加水分解して相応
するビニルホスホン酸にすることができる。
ビニルビＴ１ボスボン酸が形成し、これは−所望の場合
には一化学量論的量の水で公知方法で加水分解して相応
するビニルホスホン酸にすることができる。
反応性がわずかなケトンの場合には、加水分解の前又は
後に先づ生じる粗製生成物の熱処理が続く。このために
は反応生成物を、反応温度〜２５０℃の温度で１〜６０
分間加熱する。それぞれの最低温度は、使用したケトン
の反応性による。ケトンとしては、次の一般式の化合物
を使用することができる： １ ＲＲＯＨ−０−Ｒ 〔式中Ｒ及びＲ′ｄ、同一か又は異なっていてもよく、
水素又はハロゲン置換か又は非置換の炭素原子１〜１８
個を有するアルキル、アリール、アルカリール又はアル
アルキル基を表ワシ、ＲはＣ原子１〜１８個を有するア
ルキル、アリール、アルカリール又はアルアルキル基を
表わす〕。
後に先づ生じる粗製生成物の熱処理が続く。このために
は反応生成物を、反応温度〜２５０℃の温度で１〜６０
分間加熱する。それぞれの最低温度は、使用したケトン
の反応性による。ケトンとしては、次の一般式の化合物
を使用することができる： １ ＲＲＯＨ−０−Ｒ 〔式中Ｒ及びＲ′ｄ、同一か又は異なっていてもよく、
水素又はハロゲン置換か又は非置換の炭素原子１〜１８
個を有するアルキル、アリール、アルカリール又はアル
アルキル基を表ワシ、ＲはＣ原子１〜１８個を有するア
ルキル、アリール、アルカリール又はアルアルキル基を
表わす〕。
発明の効果
新規方法は当業者には予期することができず、公知技術
に相応する常法に対して、なかんずく助剤、例えば酢酸
を添加することは不必要であり、それ散開産物、例えば
塩化アセチルの余儀ない生成が避けられる利点を有する
。既にビニルホスホン酸又はビニルピロホスホン酸の誘
導体を、ケトンをテトラ燐ヘキソキシｒと接触量のプロ
トン放出物質、例えばＨ６ＰＯ，の存在で反応させて製
造することが提案された（ドイツ公開特許第３１２５３
２９号明細書〕が、この作業法は、工業的規模で実施す
ることができない欠点を有する。・それというのも子ト
ラ燐ヘキソキシドは工業的生成物ではなく、実験室で費
用をかけて製造することができるのに過ぎず、一般に元
素状黄燐で不純化しているからである。
に相応する常法に対して、なかんずく助剤、例えば酢酸
を添加することは不必要であり、それ散開産物、例えば
塩化アセチルの余儀ない生成が避けられる利点を有する
。既にビニルホスホン酸又はビニルピロホスホン酸の誘
導体を、ケトンをテトラ燐ヘキソキシｒと接触量のプロ
トン放出物質、例えばＨ６ＰＯ，の存在で反応させて製
造することが提案された（ドイツ公開特許第３１２５３
２９号明細書〕が、この作業法は、工業的規模で実施す
ることができない欠点を有する。・それというのも子ト
ラ燐ヘキソキシドは工業的生成物ではなく、実験室で費
用をかけて製造することができるのに過ぎず、一般に元
素状黄燐で不純化しているからである。
実施例
例１゜
ｐ−プロｌ＼ア±トフエノン７９．ｅｌ？（０，４−モ
ル）を、ドルオール］、 ＯＯｍｅにとかした亜燐酸１
６．４ｇ（０，２モル）と−緒に、還流冷却器、温度計
、攪拌器及び滴下ロートを有する５００ｍｅの多ｑ（ｉ
’ｉフラヌコに装入し、９０〜１００℃に加熱する。王
塩化燐２７．５ＦＣ０，２モル）を、低い熱の供給下に
３０分間に滴下する。？Ｊｌ＋ Ｉｆｆ温度で１０分間
反応させた後に、水３．６ｇ（０，２モル）を添加して
ピロ化合物を加水分解する。
ル）を、ドルオール］、 ＯＯｍｅにとかした亜燐酸１
６．４ｇ（０，２モル）と−緒に、還流冷却器、温度計
、攪拌器及び滴下ロートを有する５００ｍｅの多ｑ（ｉ
’ｉフラヌコに装入し、９０〜１００℃に加熱する。王
塩化燐２７．５ＦＣ０，２モル）を、低い熱の供給下に
３０分間に滴下する。？Ｊｌ＋ Ｉｆｆ温度で１０分間
反応させた後に、水３．６ｇ（０，２モル）を添加して
ピロ化合物を加水分解する。
再び１０分間反応させた後に、冷却させる。浴する。ホ
スホン酸８７Ｍ（０，３２モル） ヲ、、ｉ（’＋−離
し、これは収率８０８％に相応する。収率は、母液を再
循環させて増大することができる。
スホン酸８７Ｍ（０，３２モル） ヲ、、ｉ（’＋−離
し、これは収率８０８％に相応する。収率は、母液を再
循環させて増大することができる。
例２
例１と同じ装置で、α−テトラロン４−３．２１９（０
，３モル）を＋ｌｌｊ燐＃１２．１ｇ（０，１５モル）
と−緒にドルオール９０ｍ１中に装入し、９０〜１００
℃ニ加熱スル。三塩化燐２０．．：Ｍ（０，１５モル）
を滴下する。次いで反応を、沸騰温度で３０分間行なう
。７０℃に冷却後、水２．７ｇ（０，１５モル〕で加水
分解する。冷却後に、３、 ４ニー）ヒｒロナフタリ〉
−１−ホスホン酸５６、！９（０，２７モル）を単離す
ることができ、これは収率９０％に相応する。母液を再
循環させて、収率を９０％以」−に増大することができ
る例３ 例１と同じ装置にアセトフェノン８０Φｇ（０，６７モ
ル〕を、塩化メチレン１００ ｍｅにとがした亜燐酸２
７．５ｇ（０，３３５モル）と−緒に装入し、加熱して
カ１５騰させる。三塩化燐４６．１、Ｆ（０，３３５モ
ル）を、５０分間に添加する。
，３モル）を＋ｌｌｊ燐＃１２．１ｇ（０，１５モル）
と−緒にドルオール９０ｍ１中に装入し、９０〜１００
℃ニ加熱スル。三塩化燐２０．．：Ｍ（０，１５モル）
を滴下する。次いで反応を、沸騰温度で３０分間行なう
。７０℃に冷却後、水２．７ｇ（０，１５モル〕で加水
分解する。冷却後に、３、 ４ニー）ヒｒロナフタリ〉
−１−ホスホン酸５６、！９（０，２７モル）を単離す
ることができ、これは収率９０％に相応する。母液を再
循環させて、収率を９０％以」−に増大することができ
る例３ 例１と同じ装置にアセトフェノン８０Φｇ（０，６７モ
ル〕を、塩化メチレン１００ ｍｅにとがした亜燐酸２
７．５ｇ（０，３３５モル）と−緒に装入し、加熱して
カ１５騰させる。三塩化燐４６．１、Ｆ（０，３３５モ
ル）を、５０分間に添加する。
水６．２ｇ（０，３４−モル）を添加し、溶剤を溜去し
、残渣を１５０℃に１ｏ分間加熱する。””Ｐ−ＮＭＲ
スペクトルにより１−フェニルビニル−１−ボ、２ホ＞
酸９１．２ 重ｔ％、■−ヒｒロキシー１−フェニル
ビニル−１−ホスホン酸１．９ 重量％、ｉｌｌ？燐酸
５． ］、 ＩＴｊ邦％及び燐酸１．８重量％の組成を
有する′！１１製生成物］、 ２０ 、ｑを単離する。
、残渣を１５０℃に１ｏ分間加熱する。””Ｐ−ＮＭＲ
スペクトルにより１−フェニルビニル−１−ボ、２ホ＞
酸９１．２ 重ｔ％、■−ヒｒロキシー１−フェニル
ビニル−１−ホスホン酸１．９ 重量％、ｉｌｌ？燐酸
５． ］、 ＩＴｊ邦％及び燐酸１．８重量％の組成を
有する′！１１製生成物］、 ２０ 、ｑを単離する。
働手
例１と同じ装置に、ア七ｌ・フェノン１６牛ｇ（］、、
５３モル〕を水４−１．牛ｇ（２３モル）と−緒に装
入し、８０℃に加熱する。三塩化燐２１０．８ｇ（１，
５３モル）を滴下し、その際反応温度は滴下の終りに１
００℃に」−る。生成物を水１３ｇＦ（０，７７モル〕
で加水分解し、１５０１ ℃で５分間加熱する。 Ｐ−ＮＭＴ（スペクトルにより
なかんずく亜燐酸４４％と共に、１−フェニルビニル−
１−ポヌボ〉酸８７％の組成を有する反応生成物２７９
９を４＋離する。
５３モル〕を水４−１．牛ｇ（２３モル）と−緒に装
入し、８０℃に加熱する。三塩化燐２１０．８ｇ（１，
５３モル）を滴下し、その際反応温度は滴下の終りに１
００℃に」−る。生成物を水１３ｇＦ（０，７７モル〕
で加水分解し、１５０１ ℃で５分間加熱する。 Ｐ−ＮＭＴ（スペクトルにより
なかんずく亜燐酸４４％と共に、１−フェニルビニル−
１−ポヌボ〉酸８７％の組成を有する反応生成物２７９
９を４＋離する。
例５
例１と同じ装置に、アセトフェノン１４４ｇ（１，２モ
ル）を三塩化燐１３７．５，９（１モル）と−緒に装入
する。室温で水の添加を始める。
ル）を三塩化燐１３７．５，９（１モル）と−緒に装入
する。室温で水の添加を始める。
水２７ｇ（１，５モル）を３５分間内に添加し、その際
反応温度はわずかな熱の供給で終りに１００℃に達する
。水の放射真空中で１５０℃で過剰昂のケトンを除去す
る。このようにして得られた粗製生成物１＋１９を水８
０ｍ１．で加水分解し、希釈して生成物の水溶液２２１
ｇにす３す る。組成として、Ｐ −ＮＭＲスペクトルによって（無
水最終生成物に対して〕次のものが判明する：なかんず
く燐酸約１８４重量％及び亜燐酸約１、２ ｐ 量％、
！：共に、ｌ−フェニルぎニル−１一ホスホン酸約９５
重量％。
反応温度はわずかな熱の供給で終りに１００℃に達する
。水の放射真空中で１５０℃で過剰昂のケトンを除去す
る。このようにして得られた粗製生成物１＋１９を水８
０ｍ１．で加水分解し、希釈して生成物の水溶液２２１
ｇにす３す る。組成として、Ｐ −ＮＭＲスペクトルによって（無
水最終生成物に対して〕次のものが判明する：なかんず
く燐酸約１８４重量％及び亜燐酸約１、２ ｐ 量％、
！：共に、ｌ−フェニルぎニル−１一ホスホン酸約９５
重量％。
例６
例１と同じ装置にシクロヘキサメン４９ｇ（０５モル）
を、ドルオールｌ ＯＯｍ７！にとかした亜燐酸２０．
５ｇ（０，２５モル〕と一緒に装入し、９０℃に加熱す
る。ドルオール５０ｍ１にとかした三塩化燐３１ｇ（０
，２５モル〕を滴下する。溶剤を溜去し、粗製生成物を
２００℃で２分間加熱する。１００℃に冷却後、水４−
．５．９ （０２５モル〕で加水分解し、粗製生成物を
酢酸に吸収させる。酢酸溶液からシクロヘキセン−１−
ホスホン酸５０．Ｖ（０，３モル〕が晶出し、これに収
率６１．７％に相応する。
を、ドルオールｌ ＯＯｍ７！にとかした亜燐酸２０．
５ｇ（０，２５モル〕と一緒に装入し、９０℃に加熱す
る。ドルオール５０ｍ１にとかした三塩化燐３１ｇ（０
，２５モル〕を滴下する。溶剤を溜去し、粗製生成物を
２００℃で２分間加熱する。１００℃に冷却後、水４−
．５．９ （０２５モル〕で加水分解し、粗製生成物を
酢酸に吸収させる。酢酸溶液からシクロヘキセン−１−
ホスホン酸５０．Ｖ（０，３モル〕が晶出し、これに収
率６１．７％に相応する。
例７
例１と同じ装置に、アセトン３００ ｍｌを水２７ｇ（
１，５モル）と一緒に装入し、加熱して沸騰させる。三
塩化燐］、 ３７．５９ （１モル）を滴下する。ｉ＋
＋＋＋ ＩＩ！温度で１０分間反応後に、水２０ｍ１で
加水分解する：溶剤相から生じた樹脂を分離し、これを
２００℃で２分間加熱する。
１，５モル）と一緒に装入し、加熱して沸騰させる。三
塩化燐］、 ３７．５９ （１モル）を滴下する。ｉ＋
＋＋＋ ＩＩ！温度で１０分間反応後に、水２０ｍ１で
加水分解する：溶剤相から生じた樹脂を分離し、これを
２００℃で２分間加熱する。
１
Ｐ−ＮＭＲ，２ベクトルによって、亜燐酸２５重量％と
共ニ、プロペン−２−ボスポンｆｉｌ ７５ 重ｆｆ。
共ニ、プロペン−２−ボスポンｆｉｌ ７５ 重ｆｆ。
％を有する生成物９２ｇが得られる。
８０４−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ケトンを三塩化燐と高温度で反応させてビニルホス
ホン酸又はビニルビロホヌホン酸の誘導体を製造する方
法において、反応を亜燐酸の存在で、ケトン、亜燐酸及
び三塩化燐をモル比２：１：１で使用することによって
行ない、その際場合により亜燐酸１モルを、三塩化燐の
他のモル及び水３モルに代えることができることを特徴
とする、ビニルホスホン酸又ハビニルビロホヌホン酸の
製造法。 ２、 ケトンを亜燐酸と一緒に装入し、混合物を加熱し
、三塩化燐を特徴する特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ３、反応を不活性溶剤の存在で行なう、特許請求の範囲
第１項又は第２項記載の方法。 ４−１ 溶剤として過剰量のケトンを特徴する特許請求
の範囲第３項記載の方法。 ５、反応を温度２０〜１５０℃で行なう、特許請求の範
囲第１項から第１項までのいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833323392 DE3323392A1 (de) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Verfahren zur herstellung von derivaten der vinylphosphon-, oder vinylpyrophosphonsaeure |
| DE3323392.6 | 1983-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6023389A true JPS6023389A (ja) | 1985-02-05 |
| JPH0421677B2 JPH0421677B2 (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=6202667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59131219A Granted JPS6023389A (ja) | 1983-06-29 | 1984-06-27 | ビニルホスホン酸又はビニルピロホスホン酸の誘導体の製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4529559A (ja) |
| EP (1) | EP0130439B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6023389A (ja) |
| DD (1) | DD220605A5 (ja) |
| DE (2) | DE3323392A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3517970A1 (de) * | 1985-05-18 | 1986-11-20 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Carboxytetralinphosphonsaeuren sowie ein verfahren zu ihrer herstellung |
| US5391816A (en) * | 1993-11-08 | 1995-02-21 | Akzo Nobel N.V. | Formation of 1-phenylvinyl-1-phosphonic acid |
| WO1996024599A1 (en) | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Akzo Nobel N.V. | Synthesis of a hydrocarbylvinyl phosphonic acid hydrocarbyl ester |
| US5783730A (en) * | 1997-05-02 | 1998-07-21 | Akzo Nobel Nv | Formation of styrene phosphonic acid |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2254124A (en) * | 1939-06-05 | 1941-08-26 | Du Pont | Organic compound of quinquevalent phosphorus |
| US2694684A (en) * | 1951-12-11 | 1954-11-16 | Standard Oil Dev Co | Lubricating oil compositions |
| DE2060218C3 (de) * | 1970-12-08 | 1980-06-04 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von 1 -Phenyl-vinyl-1 -phosphonsaure |
| DE2060259C3 (de) * | 1970-12-08 | 1980-01-03 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Phenyl-vinyl-phosphonsäuren, sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| SU899565A1 (ru) * | 1980-03-21 | 1982-01-23 | Ордена Ленина Институт Элементоорганических Соединений Ан Ссср | Способ получени @ -оксифосфиновых кислот |
| DE3125329A1 (de) * | 1981-06-27 | 1983-01-13 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von derivaten der vinylphosphon- oder vinylpyrophosphonsaeure |
| DE3130628A1 (de) * | 1981-08-01 | 1983-02-17 | Röhm GmbH, 6100 Darmstadt | Substituierte 1-phenyl-vinyl-1-phosphonsaeuren und ihre verwendung |
-
1983
- 1983-06-29 DE DE19833323392 patent/DE3323392A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-06-15 DE DE8484106863T patent/DE3463144D1/de not_active Expired
- 1984-06-15 US US06/620,940 patent/US4529559A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-15 EP EP84106863A patent/EP0130439B1/de not_active Expired
- 1984-06-27 DD DD84264589A patent/DD220605A5/de not_active IP Right Cessation
- 1984-06-27 JP JP59131219A patent/JPS6023389A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0421677B2 (ja) | 1992-04-13 |
| EP0130439A1 (de) | 1985-01-09 |
| DD220605A5 (de) | 1985-04-03 |
| US4529559A (en) | 1985-07-16 |
| EP0130439B1 (de) | 1987-04-15 |
| DE3323392A1 (de) | 1985-01-10 |
| DE3463144D1 (en) | 1987-05-21 |
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