JPS60233817A - 光起電力素子の製造方法及び製造装置 - Google Patents
光起電力素子の製造方法及び製造装置Info
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- JPS60233817A JPS60233817A JP59089876A JP8987684A JPS60233817A JP S60233817 A JPS60233817 A JP S60233817A JP 59089876 A JP59089876 A JP 59089876A JP 8987684 A JP8987684 A JP 8987684A JP S60233817 A JPS60233817 A JP S60233817A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ法により多室分離炉を用いて製
造する光起電力素子の製造方法及び製造装置に関し、特
に光起電力素子の光電変換効率を大幅に高め得る光起電
力素子の製造方法及び製造装置に関するものである。
造する光起電力素子の製造方法及び製造装置に関し、特
に光起電力素子の光電変換効率を大幅に高め得る光起電
力素子の製造方法及び製造装置に関するものである。
プラズマＣＶＤ法により、例えば３室分離炉を使用して
光起電力素子を製造する場合には、シャッタによって隔
絶されて連接した３つのガス室に基板を順次収容し、基
板を収容したガス室には所定の半導体薄膜を生成させる
ための極めて純度の高い薄膜生成用ガス（以下生成用ガ
スという）を送給して、対向する放電電極で生成用ガス
を分解させて基板表面に所定の第１層目の薄膜を生成さ
せる。その後ガス室内の生成用ガスを排出させた後、基
板を移動させて隣接のガス室に収容し、このガス室にお
いても前記同様に前記のガスとは成分の異なる生成用ガ
スを送給してグロー放電させることによって基板の第１
層目の薄膜表面に第２層目の薄膜を生成させる。続いて
、このガス室内の生成用ガスを排出させた後、基板を更
に隣接のガス室に移動させて収容し、前記同様に前記ガ
スとは成分の異なる所定の生成用ガスを送給してグロー
放電させることによって基板の第２層目の薄膜表面に第
３層目の薄膜を生成させる。つまり、分離炉にあっては
、夫々のガス室に純度の高い成分の異なる生成用ガスが
単独で送給されるため、成分の異なる生成用ガス同志の
干渉が避けられ、各ガス室内で生成される薄膜の質は生
成用ガスの純度低下による悪影響はない。
光起電力素子を製造する場合には、シャッタによって隔
絶されて連接した３つのガス室に基板を順次収容し、基
板を収容したガス室には所定の半導体薄膜を生成させる
ための極めて純度の高い薄膜生成用ガス（以下生成用ガ
スという）を送給して、対向する放電電極で生成用ガス
を分解させて基板表面に所定の第１層目の薄膜を生成さ
せる。その後ガス室内の生成用ガスを排出させた後、基
板を移動させて隣接のガス室に収容し、このガス室にお
いても前記同様に前記のガスとは成分の異なる生成用ガ
スを送給してグロー放電させることによって基板の第１
層目の薄膜表面に第２層目の薄膜を生成させる。続いて
、このガス室内の生成用ガスを排出させた後、基板を更
に隣接のガス室に移動させて収容し、前記同様に前記ガ
スとは成分の異なる所定の生成用ガスを送給してグロー
放電させることによって基板の第２層目の薄膜表面に第
３層目の薄膜を生成させる。つまり、分離炉にあっては
、夫々のガス室に純度の高い成分の異なる生成用ガスが
単独で送給されるため、成分の異なる生成用ガス同志の
干渉が避けられ、各ガス室内で生成される薄膜の質は生
成用ガスの純度低下による悪影響はない。
しかしながら、ガス室内で生成用カスをグロー放電させ
ると、基板に生成された薄膜と同じ成分からなる残渣が
、夫々の金属製のガス室の内壁面に付着して堆積される
ことになる。また、生成用ガスをグロー放電させて分解
させた場合には、プラスのイオン（以下イオンという）
が発生し、接地されている金属製のガス室内壁面との電
界により、イオンがガス室内壁面に高速度で衝突してガ
ス室の内壁面に付着している残渣を叩たき出し、残渣の
一部の成分をガス室内に浮遊させることになる。つまり
、ガス室内に送給される生成用ガスの湿度は一定値に制
御されているにも拘らず、イオンによって叩たき出され
た残渣の一部の成分が生成用ガスに加って両度が増す結
果となり、薄膜を生成するための生成用ガスの成分比率
が乱されることとなって良質の薄膜を形成できず、光電
変換効率の上昇を妨げる原因となっていることが判明し
た。
ると、基板に生成された薄膜と同じ成分からなる残渣が
、夫々の金属製のガス室の内壁面に付着して堆積される
ことになる。また、生成用ガスをグロー放電させて分解
させた場合には、プラスのイオン（以下イオンという）
が発生し、接地されている金属製のガス室内壁面との電
界により、イオンがガス室内壁面に高速度で衝突してガ
ス室の内壁面に付着している残渣を叩たき出し、残渣の
一部の成分をガス室内に浮遊させることになる。つまり
、ガス室内に送給される生成用ガスの湿度は一定値に制
御されているにも拘らず、イオンによって叩たき出され
た残渣の一部の成分が生成用ガスに加って両度が増す結
果となり、薄膜を生成するための生成用ガスの成分比率
が乱されることとなって良質の薄膜を形成できず、光電
変換効率の上昇を妨げる原因となっていることが判明し
た。
本発明は前述した問題に鑑み、プラズマＣＶＤ法の分離
炉による光起電力素子の薄膜を生成させるに当り、グロ
ー放電で発生するイオンのガス室の内壁面への衝突を抑
制することによって、ガス室内の生成用ガスの成分比率
を一定値に保持して、良質の薄膜を生成させることによ
り、光電変換効率を高め得る光起電力素子の製造方法及
び製造する装置を提案するものである。
炉による光起電力素子の薄膜を生成させるに当り、グロ
ー放電で発生するイオンのガス室の内壁面への衝突を抑
制することによって、ガス室内の生成用ガスの成分比率
を一定値に保持して、良質の薄膜を生成させることによ
り、光電変換効率を高め得る光起電力素子の製造方法及
び製造する装置を提案するものである。
以下図面を参照して本発明の光起電力素子の製造方法及
びその製造装置を詳細に説明する。第１図は光起電力素
子の製造装置を示した概略図であって、１は内部に加熱
装置を設けている予熱室、２はＰ型半導体層を生成させ
るためのガス室、３はＩ型半導体層を生成させるための
ガス室、４はＮ型半導体層を生成させるためのガス室、
５は冷却室であって、これらの各室はいずれもガス放出
が少ない例えばステンレススチールで製作されていて横
並びで一体向に組立てられている。またこれらの予熱室
１、各ガス室２，３．４及び冷却室５は、夫々同一高さ
位置で一側側部に基板搬入口’ ａｒ ２ ａｒ ３
ａ、 ４ ａ及び５ａを、冷却室５には他側側部に基板
搬出口５ａ′を開口させている。
びその製造装置を詳細に説明する。第１図は光起電力素
子の製造装置を示した概略図であって、１は内部に加熱
装置を設けている予熱室、２はＰ型半導体層を生成させ
るためのガス室、３はＩ型半導体層を生成させるための
ガス室、４はＮ型半導体層を生成させるためのガス室、
５は冷却室であって、これらの各室はいずれもガス放出
が少ない例えばステンレススチールで製作されていて横
並びで一体向に組立てられている。またこれらの予熱室
１、各ガス室２，３．４及び冷却室５は、夫々同一高さ
位置で一側側部に基板搬入口’ ａｒ ２ ａｒ ３
ａ、 ４ ａ及び５ａを、冷却室５には他側側部に基板
搬出口５ａ′を開口させている。
夫々の基板搬入口１ａ乃至５ａ及び基板搬出口５ａ′に
は、気密に閉塞でき開閉可能なシャッター１ｂ乃至５ｂ
及び５ｂを設けていて、夫々のシャッター１ｂ乃至５ｂ
及び５ｂ′の閉塞により各ガス室を個々に隔絶した状態
にすることができる。２Ｃ。
は、気密に閉塞でき開閉可能なシャッター１ｂ乃至５ｂ
及び５ｂを設けていて、夫々のシャッター１ｂ乃至５ｂ
及び５ｂ′の閉塞により各ガス室を個々に隔絶した状態
にすることができる。２Ｃ。
３ｃ、４ｃはガス室２．３．４内に連通させてガス室上
部に設けられたガス送給管であって、ガス送給管２Ｃは
Ｐ型半導体を生成させる生成用ガス（ＳｉＨ４が午Ｈ，
＋ Ｂ２Ｈ６−１−Ｈ２）のガス供給源６に、ガス送給
管３Ｃは■型半導体層を生成させる生成用ガス（ＳｉＨ
４）のガス供給源７に、ガス送給管４ＣはＮ型半導体層
を生成させる生成用ガス（ＳｉＨ４−１−ＰＨ３＋ Ｈ
２）のガス供給源８に夫々接続されており、図示しない
バルブを制御して各ガス室２，３゜フｄ ４に生成用ガスを送給するようになっている。−乃至５
ｄは予熱室１、ガス室２，３．４及び冷却室５内に連通
させてガス室下部に設けられたガス排出管であって、各
ガス排出管１ｄ乃至５ｄは図示しないバルブを経て図示
しない真空ポンプに接続されており、予熱室１と各ガス
室２，３，４及び冷却室５内を夫々真空状態にできるよ
うになっている。９．９′、１０．１０’、１１．１１
’はガス室２，３゜４内の上、下部に位置させて対向し
ガス室内壁面等から電気的に絶縁されて配設されている
放電電極であり、これらの放電電極９，９．１０，１０
．１１．１１’は基板搬入口２ａ、３ａ、４ａの開口部
を妨げない位置に設けられている。
部に設けられたガス送給管であって、ガス送給管２Ｃは
Ｐ型半導体を生成させる生成用ガス（ＳｉＨ４が午Ｈ，
＋ Ｂ２Ｈ６−１−Ｈ２）のガス供給源６に、ガス送給
管３Ｃは■型半導体層を生成させる生成用ガス（ＳｉＨ
４）のガス供給源７に、ガス送給管４ＣはＮ型半導体層
を生成させる生成用ガス（ＳｉＨ４−１−ＰＨ３＋ Ｈ
２）のガス供給源８に夫々接続されており、図示しない
バルブを制御して各ガス室２，３゜フｄ ４に生成用ガスを送給するようになっている。−乃至５
ｄは予熱室１、ガス室２，３．４及び冷却室５内に連通
させてガス室下部に設けられたガス排出管であって、各
ガス排出管１ｄ乃至５ｄは図示しないバルブを経て図示
しない真空ポンプに接続されており、予熱室１と各ガス
室２，３，４及び冷却室５内を夫々真空状態にできるよ
うになっている。９．９′、１０．１０’、１１．１１
’はガス室２，３゜４内の上、下部に位置させて対向し
ガス室内壁面等から電気的に絶縁されて配設されている
放電電極であり、これらの放電電極９，９．１０，１０
．１１．１１’は基板搬入口２ａ、３ａ、４ａの開口部
を妨げない位置に設けられている。
前記予熱室１、ガス室２，３．４及び冷却室５の各室内
には、基板搬入口１ａ乃至５ａの範囲内に、高さを揃え
て図示しない例えばコンベヤからなる基板搬送手段が個
々に設けられている。これらの各基板搬送手段はシャッ
タ１ｂ乃至５ｂ及び５ ｂ’を開いた状態では、基板搬
送手段に載置した基板を隣接のガス室２，３．４及び冷
却室５に搬送できるようになっている。またガス室２，
３゜４内には対向させた放電電極９，９′、１０．１０
’、１１゜１１′の夫々の側面と、ガス室２．３．４の
内壁面との間に位置して前記内壁面に沿ったイオン抑制
電極１２．１２’、１２’が内壁面等から電気的に絶縁
されて配設されている。このイオン抑制電極１２゜１２
、１２“は所定寸法の直径からなるステンレススチー
ル、銅、アルミニウム等の導電体１２ａを所定ピッチで
渦巻円筒状に巻回したものからなっていて、その軸長寸
法は上側及び下側放電電極９゜９．１０．１０’、１１
、１１“の対向間距離を若干超えた長い寸法で形成さ
れ、前記基板搬送手段が配設されている高さ位置ではイ
オン抑制電極１２．１２’、１２”夫々のピッチを大き
くして、基板搬送手段で搬送１３ａ、１３ｂ、１３Ｃは
直流又は高周波電源からなる放電用電源であって、夫々
の正電極は各ガス室２．３．４の上側の放電電極９．１
０．１１に接続され、負電極は・下側の放電電極９’、
１０’。
には、基板搬入口１ａ乃至５ａの範囲内に、高さを揃え
て図示しない例えばコンベヤからなる基板搬送手段が個
々に設けられている。これらの各基板搬送手段はシャッ
タ１ｂ乃至５ｂ及び５ ｂ’を開いた状態では、基板搬
送手段に載置した基板を隣接のガス室２，３．４及び冷
却室５に搬送できるようになっている。またガス室２，
３゜４内には対向させた放電電極９，９′、１０．１０
’、１１゜１１′の夫々の側面と、ガス室２．３．４の
内壁面との間に位置して前記内壁面に沿ったイオン抑制
電極１２．１２’、１２’が内壁面等から電気的に絶縁
されて配設されている。このイオン抑制電極１２゜１２
、１２“は所定寸法の直径からなるステンレススチー
ル、銅、アルミニウム等の導電体１２ａを所定ピッチで
渦巻円筒状に巻回したものからなっていて、その軸長寸
法は上側及び下側放電電極９゜９．１０．１０’、１１
、１１“の対向間距離を若干超えた長い寸法で形成さ
れ、前記基板搬送手段が配設されている高さ位置ではイ
オン抑制電極１２．１２’、１２”夫々のピッチを大き
くして、基板搬送手段で搬送１３ａ、１３ｂ、１３Ｃは
直流又は高周波電源からなる放電用電源であって、夫々
の正電極は各ガス室２．３．４の上側の放電電極９．１
０．１１に接続され、負電極は・下側の放電電極９’、
１０’。
１１に接続するとともに接地され、各放電電極間の電圧
は夫々の放電用電源１３ａ 、 １３ｂ 、１３ｃ内に
設けられた図示しない電圧調整部とスイッチとにより、
個々に電圧調整でき個々に課電できるようになっている
。１４ａ 、１４ｂ 、１４Ｃはイオン抑制用電源であ
って、夫々の負電極は前記イオン抑制電極１２ 、１２
’、 １２”に接続されており、その正電極は夫々接地
されている。これらのイオン抑制用電源１４ａ 、１４
ｂ ｌ １４Ｃは、内蔵している図示しない電圧調整部
により、その出力電圧をｏ ’３ｒ ｏボルト程度の範
囲で調整できるようになっており、また図示しないスイ
ッチによりイオン抑制電極１２ 、１２’、 １２“を
個々に課電できるようになっていて、これらにより３室
分離炉からなる光起電力素子の製造装置が構成されてい
る。
は夫々の放電用電源１３ａ 、 １３ｂ 、１３ｃ内に
設けられた図示しない電圧調整部とスイッチとにより、
個々に電圧調整でき個々に課電できるようになっている
。１４ａ 、１４ｂ 、１４Ｃはイオン抑制用電源であ
って、夫々の負電極は前記イオン抑制電極１２ 、１２
’、 １２”に接続されており、その正電極は夫々接地
されている。これらのイオン抑制用電源１４ａ 、１４
ｂ ｌ １４Ｃは、内蔵している図示しない電圧調整部
により、その出力電圧をｏ ’３ｒ ｏボルト程度の範
囲で調整できるようになっており、また図示しないスイ
ッチによりイオン抑制電極１２ 、１２’、 １２“を
個々に課電できるようになっていて、これらにより３室
分離炉からなる光起電力素子の製造装置が構成されてい
る。
次にこのように構成した３室分離炉からなる光起電力素
子の製造装置により光起電力素子を製造する方法を説明
する。図示した状態で、先づ、図示しない真空ポンプを
駆動して予熱室１を除いたガス室２，３．４及び冷却室
５を真空状態にする。
子の製造装置により光起電力素子を製造する方法を説明
する。図示した状態で、先づ、図示しない真空ポンプを
駆動して予熱室１を除いたガス室２，３．４及び冷却室
５を真空状態にする。
その後、シャッタ１ｂのみを開いて予熱室１内の図示し
ない基板搬送手段上に基板Ｐを載置してシャッタ１ｂを
閉じ予熱室１内に設けた図示しない加熱装置により基板
Ｐを加熱するとともに、予熱室１内を真空状態にする。
ない基板搬送手段上に基板Ｐを載置してシャッタ１ｂを
閉じ予熱室１内に設けた図示しない加熱装置により基板
Ｐを加熱するとともに、予熱室１内を真空状態にする。
続いて、基板Ｐが所定温度に達した時点でシャッタ２ｂ
を開くとともに予熱室１及びガス室２内の基板搬送手段
を駆動して基板Ｐをガス室２内に搬送し、シャッタ２ｂ
を閉じる。その後、ガス室２内にガス供給源６からＰ型
半導体層を生成させるための所定成分比率の生成用ガス
を送給し、また放電電極９，９′間に放電用電源１３に
より高電圧を印加するとともに、イオン抑制用電源１４
Ｈによりイオン抑制電極１２ａに例えば数ボルトの負電
圧を印加する。そのため放電電極９，９′間に印加した
高電圧で、対向した放電電極９，９′間の生成用ガスは
グロー放電して分解し両放電電極９．９′間に位置しそ
いる基板Ｐの表面にＰ型半導体層を生成させる。このと
き、ガスが分解された残渣はガス室２の内壁面にも付着
する。一方、グロー放電により発生したイオンＮは接地
されて零電圧である金属製のガス室内壁面に向って突進
するが、内壁面の手前に配設されて負電圧が印加されて
いるイオン抑制電極１２の電界の影普をうけて、イオン
Ｎはイオン抑制電極１２に引き寄せられて大地に血れ、
ガス室２の内壁面には到達しない。つまり、発生したイ
オンＮがガス室２の内壁面に付着している残渣に衝突し
て残渣を叩たき出すことがないため、ガス室２内のガス
の成分比率はガス供給源６がら送給された生成用ガスの
所定の成分比率に保持でき、生成されたｐｚ半導体層は
極めて特性の良いものとなる。そして、基板Ｐに半導体
層を生成させた後は、放電電極９，９′に対する電圧の
印加を停止してガス室２内の生成用ガスを排出して真空
状態にする。その後、シャッタ３ｂを開くとともにガス
室２及び３内の図示しない基板搬送手段を駆動して基板
Ｐをガス室３西に搬送して、シャッタ３ｂを閉じる。続
いてガス室３内にガス供給源７からＩ型半導体層を生成
させるための所定成分比率の生成用ガスを送給し、放電
電極１０ 、１０’に筒亀圧ヲＥｌ］ 加して前記同様
に生成用ガスをグロー放電させて、基板ＰのＰ型半導体
層の表面にＩｆｉ半導半導体化成させる。この場合にも
グロー放電によるガス分解で発生したイオンＮはイオン
抑制電極１２′に引寄せられて、ガス室３の内壁面には
到達せず内壁面に付名している残渣を叩たき出すことが
ない。そのため、このガス室３内においては、送給され
た生成用ガスに残渣から出た成分の一部が混入すること
がなく、特性の極めて良いｌｑ半導体層が生成される。
を開くとともに予熱室１及びガス室２内の基板搬送手段
を駆動して基板Ｐをガス室２内に搬送し、シャッタ２ｂ
を閉じる。その後、ガス室２内にガス供給源６からＰ型
半導体層を生成させるための所定成分比率の生成用ガス
を送給し、また放電電極９，９′間に放電用電源１３に
より高電圧を印加するとともに、イオン抑制用電源１４
Ｈによりイオン抑制電極１２ａに例えば数ボルトの負電
圧を印加する。そのため放電電極９，９′間に印加した
高電圧で、対向した放電電極９，９′間の生成用ガスは
グロー放電して分解し両放電電極９．９′間に位置しそ
いる基板Ｐの表面にＰ型半導体層を生成させる。このと
き、ガスが分解された残渣はガス室２の内壁面にも付着
する。一方、グロー放電により発生したイオンＮは接地
されて零電圧である金属製のガス室内壁面に向って突進
するが、内壁面の手前に配設されて負電圧が印加されて
いるイオン抑制電極１２の電界の影普をうけて、イオン
Ｎはイオン抑制電極１２に引き寄せられて大地に血れ、
ガス室２の内壁面には到達しない。つまり、発生したイ
オンＮがガス室２の内壁面に付着している残渣に衝突し
て残渣を叩たき出すことがないため、ガス室２内のガス
の成分比率はガス供給源６がら送給された生成用ガスの
所定の成分比率に保持でき、生成されたｐｚ半導体層は
極めて特性の良いものとなる。そして、基板Ｐに半導体
層を生成させた後は、放電電極９，９′に対する電圧の
印加を停止してガス室２内の生成用ガスを排出して真空
状態にする。その後、シャッタ３ｂを開くとともにガス
室２及び３内の図示しない基板搬送手段を駆動して基板
Ｐをガス室３西に搬送して、シャッタ３ｂを閉じる。続
いてガス室３内にガス供給源７からＩ型半導体層を生成
させるための所定成分比率の生成用ガスを送給し、放電
電極１０ 、１０’に筒亀圧ヲＥｌ］ 加して前記同様
に生成用ガスをグロー放電させて、基板ＰのＰ型半導体
層の表面にＩｆｉ半導半導体化成させる。この場合にも
グロー放電によるガス分解で発生したイオンＮはイオン
抑制電極１２′に引寄せられて、ガス室３の内壁面には
到達せず内壁面に付名している残渣を叩たき出すことが
ない。そのため、このガス室３内においては、送給され
た生成用ガスに残渣から出た成分の一部が混入すること
がなく、特性の極めて良いｌｑ半導体層が生成される。
その後は、１０記同械にしてガス室３内を真空にした後
シャッタ４ｂを開いて、ガス室３門の基板Ｐをガス室４
内に搬送し、シャッタ４ｂを閉じてガス供給に８からＮ
型半導体層を生成させる生成用ガスをガス室４内に送給
して、基板ＰのＩ型半導体層の表面にＮｐ半導体層を生
成させる。この場合も、発生したイオンＮはガス室４の
内壁面には到達せず、ガスの成分比率に変化を来たさな
いので特性が極めて良いＮ型半導体層が生成される。こ
のようにしてＮ型半導体層を生成させた後は、ガス室４
内を真空にしてシャッタ５ｂを開いて、ガス室４及び冷
却室５内の基板搬送手段を駆動させて、ガス室４内の基
板Ｐを冷却室５に搬送し、冷却室５内で基板Ｐを所定温
度にした後、シャッタ５ｂ′を開くとともに冷却室５門
の基板搬送手段を駆動して基板Ｐを基板搬出口５ａ′を
通して冷却室５から搬出させる。
シャッタ４ｂを開いて、ガス室３門の基板Ｐをガス室４
内に搬送し、シャッタ４ｂを閉じてガス供給に８からＮ
型半導体層を生成させる生成用ガスをガス室４内に送給
して、基板ＰのＩ型半導体層の表面にＮｐ半導体層を生
成させる。この場合も、発生したイオンＮはガス室４の
内壁面には到達せず、ガスの成分比率に変化を来たさな
いので特性が極めて良いＮ型半導体層が生成される。こ
のようにしてＮ型半導体層を生成させた後は、ガス室４
内を真空にしてシャッタ５ｂを開いて、ガス室４及び冷
却室５内の基板搬送手段を駆動させて、ガス室４内の基
板Ｐを冷却室５に搬送し、冷却室５内で基板Ｐを所定温
度にした後、シャッタ５ｂ′を開くとともに冷却室５門
の基板搬送手段を駆動して基板Ｐを基板搬出口５ａ′を
通して冷却室５から搬出させる。
これにより、基板Ｐの表面にはｐ＞、Ｉ型、Ｎ埜の各半
導体層が順次積層された状態となって光起電力素子が完
成する。そして前記各半導体〜Ｐ。
導体層が順次積層された状態となって光起電力素子が完
成する。そして前記各半導体〜Ｐ。
Ｉ、Ｎは隔絶されたガス室内で成分比率が一定した生成
用ガスにより生成されたものであるため、夫々の半導体
層は極めて純度が高く成分も安定したものとなって、完
成した光起電力素子は光電変換効率の極めて高いものと
なる。
用ガスにより生成されたものであるため、夫々の半導体
層は極めて純度が高く成分も安定したものとなって、完
成した光起電力素子は光電変換効率の極めて高いものと
なる。
なお、本実施例では、１枚の基板Ｐを予熱室１から冷却
室５までの間を間歇的に搬送させ、且つ各ガス室には成
券の異なる生成用ガスを送給させた光起電力素子を製造
する工程を説明したが、搬送される基板Ｐの枚数は適宜
である。また生成用ガスの成分についても適宜であって
、それらに何ら限定されるものではない。更にイオン抑
制電極は導電体を渦巻円筒状で形成したが、金網を円筒
状に形成してもよい。この場合、基板搬送位置に対向す
る位置には所定形状の基板挿通口を形成することにより
同様に使用できる。更にまた、本実施例では説明上、１
枚の基板を予熱室からガス室を経て冷却室まで間歇的に
搬送することにより薄膜を順次積層する製造工程を示し
たが、先行の基板に引き続いて新らたな基板を予熱室に
収容し、各室に基板を収容した状態で光起電力素子を連
続的に製造する場合でも同様の効果が得られることは勿
論である。なお、各ガス室を隔絶するシャッタを、ガス
カーテンに代えて区画してもよい。
室５までの間を間歇的に搬送させ、且つ各ガス室には成
券の異なる生成用ガスを送給させた光起電力素子を製造
する工程を説明したが、搬送される基板Ｐの枚数は適宜
である。また生成用ガスの成分についても適宜であって
、それらに何ら限定されるものではない。更にイオン抑
制電極は導電体を渦巻円筒状で形成したが、金網を円筒
状に形成してもよい。この場合、基板搬送位置に対向す
る位置には所定形状の基板挿通口を形成することにより
同様に使用できる。更にまた、本実施例では説明上、１
枚の基板を予熱室からガス室を経て冷却室まで間歇的に
搬送することにより薄膜を順次積層する製造工程を示し
たが、先行の基板に引き続いて新らたな基板を予熱室に
収容し、各室に基板を収容した状態で光起電力素子を連
続的に製造する場合でも同様の効果が得られることは勿
論である。なお、各ガス室を隔絶するシャッタを、ガス
カーテンに代えて区画してもよい。
以上詳述したように、本発明に係る光起電力素子の製造
方法によれば、夫々のガ′ス室内で発生するイオンをイ
オン抑制電極の作用により夫々のガス室の内壁面に衝突
させないように抑制したので、内壁面に付着した分解ガ
スの残渣を叩たき出すことがない。従ってガス室に送給
された生成用ガスの成分比率を変化させることがなく、
基板には成分比率が一定した生成用ガスによる良質で特
性が極めて良い半導体層を生成させ得て、光電変換効率
の高い光起電力素子を製造することができる。
方法によれば、夫々のガ′ス室内で発生するイオンをイ
オン抑制電極の作用により夫々のガス室の内壁面に衝突
させないように抑制したので、内壁面に付着した分解ガ
スの残渣を叩たき出すことがない。従ってガス室に送給
された生成用ガスの成分比率を変化させることがなく、
基板には成分比率が一定した生成用ガスによる良質で特
性が極めて良い半導体層を生成させ得て、光電変換効率
の高い光起電力素子を製造することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、区画できる複数の金属製ガス室からなる分離炉の前
記ガス室の夫々に、半導体薄膜を生成させるための生成
用ガスを送給してグロー放電させ、前記ガス室に基板を
順次収容して該基板の表面に半導体薄膜を生成させる光
起電力素子の製造方法において、前記ガス室内の生成用
ガスのグロー放電により発生したイオンを、ガス室の内
壁面に対する衝突を抑制して半導体薄膜を生成させる光
起電力素子の製造方法。 ２、区画できて連接されている複数の金属製ガス室から
なる分離炉と、前記ガス室内に設けられて該ガス室内に
送給された半導体薄膜を生成型において、前記放電電極
の放電間隙の側方にグロー放電により発生したイオンが
前記ガス室の内壁面に対する衝突を抑制するためのイオ
ン抑制電極を設けた光起電力素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089876A JPH0715883B2 (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 光起電力素子の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089876A JPH0715883B2 (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 光起電力素子の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233817A true JPS60233817A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0715883B2 JPH0715883B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=13982965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59089876A Expired - Lifetime JPH0715883B2 (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 光起電力素子の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715883B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0661760A3 (en) * | 1993-12-28 | 1996-05-15 | Canon Kk | Method and apparatus for forming deposited layers. |
| WO2010010956A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 株式会社 アルバック | 薄膜太陽電池の製造装置および製造方法、ならびに薄膜太陽電池 |
-
1984
- 1984-05-04 JP JP59089876A patent/JPH0715883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0661760A3 (en) * | 1993-12-28 | 1996-05-15 | Canon Kk | Method and apparatus for forming deposited layers. |
| WO2010010956A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 株式会社 アルバック | 薄膜太陽電池の製造装置および製造方法、ならびに薄膜太陽電池 |
| JPWO2010010956A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-01-05 | 株式会社アルバック | 薄膜太陽電池の製造装置および製造方法、ならびに薄膜太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715883B2 (ja) | 1995-02-22 |
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