JPS60232618A

JPS60232618A - 絶縁体

Info

Publication number: JPS60232618A
Application number: JP59088718A
Authority: JP
Inventors: 渡邊　達昭; 卓司中村; 森山　雄一; 敬次長田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1984-05-02
Filing date: 1984-05-02
Publication date: 1985-11-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は真空方式の画像表示装置に使用される絶縁構造
体、スペーサ、さらに、中、高温で樹脂による絶縁が不
可能な分野で利用される絶縁体に関する。

間ａ！、。

従来例の構成とその嵩柑亦弊一般に絶縁体は真空中で使用するためには、ガス発生の
極めて少ない材料であることと、真空容器封止、および
ガス出しのため３００〜６００℃の温度サイクルにも耐
えることが必要である。

したがって従来の真空中における絶縁体は、プラスチッ
クが使用できないため、大別して、セラミックを加工し
て使用するか、金属に溶射によりセラミック層をコーテ
ィングするか、低融ガラスフリットを印刷して焼成する
等の方法がとられてきた。それらの問題点について以下
に説明する。

（１）　セラミックを加工して使用する場合は、セラミ
ック自体が極めて硬いため加工が困難であり、加工が容
易なセラミックは、材料コストが高く、コスト面でもセ
ラミックの使用は制限される。

（２）溶射によるセラミック層のコーティング法は、前
処理工程で金属面とセラミック層の接着強度向上のため
、金属面をサンドブラスト等により荒している。この工
程で薄板金属は変形が大きく精度が悪くなる。また、溶
射による膜厚は、絶縁の信ｉ性を上げるためには、０．
０６〜０．１咽以上は必要になり、精度が高い部品は後
加工が多く必要になる。

（３）低融ガラスフリット印刷法は、工数が多くかかり
、精度も出しにくい。また、割れ、クラックの問題によ
り後加工も困難である。

発明の目的本発明は上記問題点を解決するものであり、高精度の絶
縁体を安価に提供するものである。

発明の構成本発明は、形状構成となる金属部品の表面にケミカル・
ペエイパー・ディポジション（以下ＣＶＤと略す。）、
フィジカル・ベエイパー・ディポジション（ＰＶＤと略
す。）法により設けられたセラミックの薄膜を形成し、
高精度の絶縁体を安価に提供できるという効果を有する
。

実施例の説明以下本発明の一実施例を図により説明する。

１は絶縁スペーサであり、母材金属２の表面全体に、Ｃ
ＶＤ法によりセラミック（Ａｌ２Ｏ２等）の薄膜３より
構成されている。この薄膜３の厚みは５〜１０μｍであ
り、母材金属２の形状、厚み精度を維持して絶縁できる
。これにより従来例の（３）で述べた方法に比べ電極間
の間隔を高精度で保つことが可能になった。また、（２
）による方法は、母材金属２が薄い（１＋ｏ＋以下の）
ため前処理で変形するため使用できない。

ただし、本構成の場合、絶縁膜２の厚が小さいため大電
圧間の絶縁ができず１００〜２００Ｖまでの耐電圧にな
る。それ以上の耐電圧が必要な場合、または、膜強度が
必要な部分は、第２図に示す構成を用いている。

第２図は、電子ビーム発生源のカソード７を複数本設け
、電子ビーム収束電極１ｏの上に設けた部分の図である
。溝９は、カソード７の位置決め用のもので、バネ８は
、カン−ドアにテンションを与えて架張するものである
。収束電極１０にある孔１１は、電子ビーム通過のだめ
のものである。

カソード７・バネ８と、カソード−ｙ／　、バネ８′と
は絶縁されている必要があり、また、それらと収束電極
１ｏの間°にも絶縁が必要な部分である。

金属母材４には、バネ８，８′位置決め用の切込みを設
け、その表面上には薄膜絶縁層５と、カソード７．７′
の位置決め部分には、厚膜絶縁層６を０．２〜０．３罵
設けその厚膜絶縁層θ上に後加工により溝９を設けてい
る。このような構成によれば、金属母材４の精度により
、高精度の絶縁体形状が可能である。まだ、厚膜絶縁層
６は、下地に同材質の絶縁層６があるため、従来例（２
）で述べた前処理が不要になり、前工程での変形が防げ
る。

金属母材４と薄膜絶縁層６の間には、実用上は、金属母
材４の膨張率と薄膜絶縁層５の膨張率の差を調整するた
めに中間層を設けている。

また、絶縁膜形成をマスキング、または、後加工により
選択的に行うことができる。これにより金属母材の導電
性を利用して構造体でかこまれた部分の配線に利用する
ことも可能である。

を明の効果以上、本発明によれば、金属部品にＣＶＤまたはＰＶＤ
法によって成形されたセラミックの薄膜により構成され
ているため高精度の真空、高温用の絶縁体を容易（安価
）に提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは絶縁スペーサの斜視図、第１図すは同部分断
面図、第２図はカソード及び収束電極部の部分斜視図で
ある。１・・・・・・絶縁スペーサ、２・・・・・・スペーサ
金属母材、３・・・・・・薄膜絶縁層、４・・・・・・
金属母材、５・・・・・・薄膜絶縁層、６・・・・・・
厚膜絶縁層、７・・・・・・カソード、８・・・・・・
バネ、９・・・・・・カソード位置決め溝、１ｏ・・・
・・・収束電極、１１・・・・・・ビーム通過孔。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空容器内で使用する絶縁体であって、金属部品
の表面に、ケミカル・ペエイパーーディポジション捷た
はフィジカル・ベエイバーディポジション法によって成
形されたセラミックの薄膜により構成された絶縁体。
（２）　セラミックの薄膜に、溶射によるセラミック厚
膜を形成した特許請求の範囲第１項記載の絶縁体。