JPS60229216A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS60229216A JPS60229216A JP8488084A JP8488084A JPS60229216A JP S60229216 A JPS60229216 A JP S60229216A JP 8488084 A JP8488084 A JP 8488084A JP 8488084 A JP8488084 A JP 8488084A JP S60229216 A JPS60229216 A JP S60229216A
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- insulating layer
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｉ８） 発明の技術分野
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に水平磁
気記録、或いは垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドのスラ
イダ面となるべき面と磁極先端面とを同一平面に精度良
く形成することを可能にした製造方法に関するものであ
る。
気記録、或いは垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドのスラ
イダ面となるべき面と磁極先端面とを同一平面に精度良
く形成することを可能にした製造方法に関するものであ
る。
（ｂｌ 技術の背景
近来、磁気ディスク装置等に用いられている磁気ヘッド
は、磁気ディスク記録媒体に対する高記録密度化及び高
速転送化が図られ、その形状は益々小型化されると共に
、高精度化され、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度な記録を可能とする小型な薄
膜磁気ヘッドが実用化されつつあり、既に種々のタイプ
のものが提案されている。
は、磁気ディスク記録媒体に対する高記録密度化及び高
速転送化が図られ、その形状は益々小型化されると共に
、高精度化され、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度な記録を可能とする小型な薄
膜磁気ヘッドが実用化されつつあり、既に種々のタイプ
のものが提案されている。
（Ｃ１従来技術と問題点
ところで上記した従来の薄膜磁気ヘッドは、第１図の上
面図及び第１図に示すｎ−ｎ ′切断線に沿った第２図
の要部断面図に示すように、例えばセラミック等からな
る基板１上にＡｇ２Ｏ３，または５ｉ０２からなる非磁
性絶縁層２を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）から
なる下部磁極層３をスパッタリング法等により被着し、
フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（図示せ
ず）に形成する。
面図及び第１図に示すｎ−ｎ ′切断線に沿った第２図
の要部断面図に示すように、例えばセラミック等からな
る基板１上にＡｇ２Ｏ３，または５ｉ０２からなる非磁
性絶縁層２を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）から
なる下部磁極層３をスパッタリング法等により被着し、
フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（図示せ
ず）に形成する。
次に該下部磁極層３上に５ｉ０２等からなるギャップ形
成層４を含む絶縁層５を被着形成し、その上面に銅（Ｃ
ｕ）等の導体をスパッタリング法などにより被着した後
、該導体をフォトリソグラフィ工程によって薄膜コイル
６に形成する。次に該薄膜コイル６を含む前記絶縁層５
上に絶縁層７及び上部磁極層８を、図示のように順に積
層形成し、更に該上部磁極層８をフォトリソグラフィ工
程によって所定パターン形状にパターニングする。
成層４を含む絶縁層５を被着形成し、その上面に銅（Ｃ
ｕ）等の導体をスパッタリング法などにより被着した後
、該導体をフォトリソグラフィ工程によって薄膜コイル
６に形成する。次に該薄膜コイル６を含む前記絶縁層５
上に絶縁層７及び上部磁極層８を、図示のように順に積
層形成し、更に該上部磁極層８をフォトリソグラフィ工
程によって所定パターン形状にパターニングする。
次にこの上部磁極層８を含む全基板上にＡ１□０，５ま
たは５ｉ０２からなる保護膜９を厚くスパッタリング法
等によって被覆した後、磁気記録媒体と対向するスライ
ダ面、即ち上、下部磁極層３．８の先端面が露出するス
ライダ面１０を平面状に研磨仕上げすることによって、
前記下部磁極層３と上部磁極層８とがギャップ形成層４
を介してＵ字形の磁気回路を構成してなる薄膜磁気ヘッ
ドを完成させている。
たは５ｉ０２からなる保護膜９を厚くスパッタリング法
等によって被覆した後、磁気記録媒体と対向するスライ
ダ面、即ち上、下部磁極層３．８の先端面が露出するス
ライダ面１０を平面状に研磨仕上げすることによって、
前記下部磁極層３と上部磁極層８とがギャップ形成層４
を介してＵ字形の磁気回路を構成してなる薄膜磁気ヘッ
ドを完成させている。
しかしながら、上記上、下部磁極層３．８の先端面が露
出するスライダ面１０を平面状に研磨仕上げする工程に
おいて、該スライダ面１０の一部を構成する非磁性絶縁
層２及び保護１１１！９の硬度がその他のスライダ面１
０を構成するセラミック等からなる基板１に比べて小さ
く、又研磨速度が大きいことに起因して第３図で示され
るように基板１面よりも非磁性絶縁層２及び保護膜９の
面が過度に研磨されて凹んだ形状に仕上がるといった欠
点があった。
出するスライダ面１０を平面状に研磨仕上げする工程に
おいて、該スライダ面１０の一部を構成する非磁性絶縁
層２及び保護１１１！９の硬度がその他のスライダ面１
０を構成するセラミック等からなる基板１に比べて小さ
く、又研磨速度が大きいことに起因して第３図で示され
るように基板１面よりも非磁性絶縁層２及び保護膜９の
面が過度に研磨されて凹んだ形状に仕上がるといった欠
点があった。
このような仕上がり現象は、取りも直さず非磁性絶縁層
２及び保護膜９に囲まれた上、下部磁極層３，８の先端
面も同様に凹んだ形状に仕上がることになり、かかる薄
膜磁気ヘッドを磁気ディスク媒体上に浮上動作させた場
合に、該磁気ヘッドの実効的な浮上量が増加し、記録・
再生特性の劣化を招来する不都合があった。
２及び保護膜９に囲まれた上、下部磁極層３，８の先端
面も同様に凹んだ形状に仕上がることになり、かかる薄
膜磁気ヘッドを磁気ディスク媒体上に浮上動作させた場
合に、該磁気ヘッドの実効的な浮上量が増加し、記録・
再生特性の劣化を招来する不都合があった。
（ｄｉ 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するため、薄膜磁気ヘッ
ドの基板側のスライダ面と上、下部磁極層を囲む形に設
ける非磁性絶縁層及び保護膜とを同一の耐摩耗性を有す
る非磁性絶縁材料、或いは同程度の耐摩耗性を有する非
磁性絶縁材料を用いて形成し、スライダ面研磨仕上げに
おいて材質の硬度の違いによるかたベリを排除して、ス
ライダ面の平面仕上げ精度の向上を図った新規な薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
ドの基板側のスライダ面と上、下部磁極層を囲む形に設
ける非磁性絶縁層及び保護膜とを同一の耐摩耗性を有す
る非磁性絶縁材料、或いは同程度の耐摩耗性を有する非
磁性絶縁材料を用いて形成し、スライダ面研磨仕上げに
おいて材質の硬度の違いによるかたベリを排除して、ス
ライダ面の平面仕上げ精度の向上を図った新規な薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
（ｅｌ 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、スライダ面となるべ
き面に耐摩耗性の第１の非磁性絶縁層を設けた基板を準
備する工程と、同一板平面関係の基板面及び非磁性絶縁
層面の面上に、前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、又
はそれと同程度の耐摩耗性を有する第２の非磁性絶縁層
を形成する工程と、該第２の非磁性絶縁層上に、前記第
１の非磁性絶縁層面と対応する位置に磁極先端部が位置
するように磁極、非磁性絶縁層及び薄膜コイルで構成さ
れる薄膜磁気へラド部を形成する工程と、該薄膜磁気ヘ
ッド上に前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、又は同程
度の耐摩耗性を有する非磁性絶縁材からなる保護膜を被
覆する工程と、磁気記録媒体と対向するスライダ面を平
面研磨仕上げする工程とを行って前記磁極先端面を含む
スライダ面を均一な平面に形成することを特徴とするＷ
Ｉｉ膜磁気ヘッドの製造方法を提供することによって達
成される。
き面に耐摩耗性の第１の非磁性絶縁層を設けた基板を準
備する工程と、同一板平面関係の基板面及び非磁性絶縁
層面の面上に、前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、又
はそれと同程度の耐摩耗性を有する第２の非磁性絶縁層
を形成する工程と、該第２の非磁性絶縁層上に、前記第
１の非磁性絶縁層面と対応する位置に磁極先端部が位置
するように磁極、非磁性絶縁層及び薄膜コイルで構成さ
れる薄膜磁気へラド部を形成する工程と、該薄膜磁気ヘ
ッド上に前記第１の非磁性絶縁層と同一材料、又は同程
度の耐摩耗性を有する非磁性絶縁材からなる保護膜を被
覆する工程と、磁気記録媒体と対向するスライダ面を平
面研磨仕上げする工程とを行って前記磁極先端面を含む
スライダ面を均一な平面に形成することを特徴とするＷ
Ｉｉ膜磁気ヘッドの製造方法を提供することによって達
成される。
（ｆｌ 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第４図乃至第６図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を工程順に示す工程図である。先ず第４
図の斜視図に示すように、例えばアルミナ・チタンカー
バイト （Ａｇ２Ｏ３・Ｔｉｃ）からなる基板ブロック
２１上の所定面に、Ｍ２Ｏ３からなる耐摩耗性のｊ＠ｌ
の非磁性絶縁層２２をスパッタリング法等により厚く被
着した後、スライシングマシンなどによって図示のよう
に所定の厚さに切断し、切断面を５１ｒＨ加工して基板
２３を形成する。
方法の一実施例を工程順に示す工程図である。先ず第４
図の斜視図に示すように、例えばアルミナ・チタンカー
バイト （Ａｇ２Ｏ３・Ｔｉｃ）からなる基板ブロック
２１上の所定面に、Ｍ２Ｏ３からなる耐摩耗性のｊ＠ｌ
の非磁性絶縁層２２をスパッタリング法等により厚く被
着した後、スライシングマシンなどによって図示のよう
に所定の厚さに切断し、切断面を５１ｒＨ加工して基板
２３を形成する。
次に第５図の要部断面図に示すように該基板２３の基板
２３面と第１の非磁性絶縁層２２面とか露出した面上に
、前記第１の非磁性絶縁層２２と同一材料のＡｌ２０．
からなる耐摩耗性を有する第２の非磁性絶縁層２４を被
着形成する。次に該第２の非磁性絶縁［２４上の前記第
１の非磁性絶縁層２２面と対応する位置に、磁掘先端部
が位置するようにパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ合金）等か
らなる下部磁極層２５をスパッタリング法等により被着
し、フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（図
示せず）に形成する。
２３面と第１の非磁性絶縁層２２面とか露出した面上に
、前記第１の非磁性絶縁層２２と同一材料のＡｌ２０．
からなる耐摩耗性を有する第２の非磁性絶縁層２４を被
着形成する。次に該第２の非磁性絶縁［２４上の前記第
１の非磁性絶縁層２２面と対応する位置に、磁掘先端部
が位置するようにパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ合金）等か
らなる下部磁極層２５をスパッタリング法等により被着
し、フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（図
示せず）に形成する。
次に該下部磁極層２５上に５１０２１又はＡｌ２Ｏ３等
からなるギャップ形成層２６を含む第３の非磁性絶縁層
２７を被着形成し、その上面に銅（Ｃｕ）等の導体をス
パッタリング法などにより被着した後、該導体をフォト
リソグラフィ工程によって薄膜コイル２８に形成する０
次に該薄膜コイル２８を含む前記絶縁層２７上に第４の
非磁性絶縁層２９及びパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等
からなる上部磁極層３０を図示のように順に積層形成し
、更に該上部磁極層３０をフォトリソグラフィ工程によ
って所定パターン形状にバターニングする。そしてこの
上部磁極層３０を含む全基板上に、前記第１の非磁性絶
縁１２２と同一材料のＡｌ２Ｏりからなる耐摩耗性を有
する保護膜３１を厚くスパッタリング法等によって被覆
する。
からなるギャップ形成層２６を含む第３の非磁性絶縁層
２７を被着形成し、その上面に銅（Ｃｕ）等の導体をス
パッタリング法などにより被着した後、該導体をフォト
リソグラフィ工程によって薄膜コイル２８に形成する０
次に該薄膜コイル２８を含む前記絶縁層２７上に第４の
非磁性絶縁層２９及びパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等
からなる上部磁極層３０を図示のように順に積層形成し
、更に該上部磁極層３０をフォトリソグラフィ工程によ
って所定パターン形状にバターニングする。そしてこの
上部磁極層３０を含む全基板上に、前記第１の非磁性絶
縁１２２と同一材料のＡｌ２Ｏりからなる耐摩耗性を有
する保護膜３１を厚くスパッタリング法等によって被覆
する。
しかる後、磁気記録媒体と対向するスライダ面と成るべ
き面、即ち前記上、下部磁極層３０．２５の先端面及び
第１、第２の非磁性絶縁層２２．２４、更に保護膜３１
等が露出する面を平面状に研磨仕上げしてスライダ面３
２を形成する。形成されたスライダ面３２は、第６図に
示すように前記上、下部磁極１’１ｉ３０．２５の先端
面を除き全てＡｌ２Ｏ３からなる耐摩耗性を有する非磁
性１１！１線材料で構成されているため、従来の如き材
質の硬度差、或いは研磨速度の違いによる過度な研磨凹
みを生じない。
き面、即ち前記上、下部磁極層３０．２５の先端面及び
第１、第２の非磁性絶縁層２２．２４、更に保護膜３１
等が露出する面を平面状に研磨仕上げしてスライダ面３
２を形成する。形成されたスライダ面３２は、第６図に
示すように前記上、下部磁極１’１ｉ３０．２５の先端
面を除き全てＡｌ２Ｏ３からなる耐摩耗性を有する非磁
性１１！１線材料で構成されているため、従来の如き材
質の硬度差、或いは研磨速度の違いによる過度な研磨凹
みを生じない。
従って、平面仕上げ精度の良いスライダ面３２を有する
薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となる。
薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となる。
更に第７図乃至第９図は本発明に基づく他の実施例を工
程順に示す工程図で有り、本実施例においては先ず第７
図に示すように、例えばアルミナ・チタンカーバイト
（Ａｌ２０３・Ｔｉｃ）からなる基板ブロック２１上の
所定面に、Ａｌ２Ｏ３からなる耐摩耗性の第１の非磁性
絶縁層２２をスパッタリング法等により厚く被着した後
、その上面に更に別に用意したアルミナ・チタンカーバ
イト ＣＡｌ２ｏ３・Ｔｉｃ）からなるブロック材４１
を接着剤４２により固着し、かかるブロック複合基材を
スライシングマシンなどによって図示のように所定の厚
さに切断し、切断面を研磨加工して複合基板４３を形成
する。
程順に示す工程図で有り、本実施例においては先ず第７
図に示すように、例えばアルミナ・チタンカーバイト
（Ａｌ２０３・Ｔｉｃ）からなる基板ブロック２１上の
所定面に、Ａｌ２Ｏ３からなる耐摩耗性の第１の非磁性
絶縁層２２をスパッタリング法等により厚く被着した後
、その上面に更に別に用意したアルミナ・チタンカーバ
イト ＣＡｌ２ｏ３・Ｔｉｃ）からなるブロック材４１
を接着剤４２により固着し、かかるブロック複合基材を
スライシングマシンなどによって図示のように所定の厚
さに切断し、切断面を研磨加工して複合基板４３を形成
する。
次に第８図の要部断面図に示すように該基板４３の第１
の非磁性絶縁層２２面が露出した所定面上に、前記第１
の非磁性絶縁Ｊｉｉ２２と同一材料のＮ２Ｏ３からなる
耐摩耗性を有する第２の非磁性絶縁層２４を被着形成す
る。次に該第２の非磁性絶縁層２４上の前記第１の非磁
性絶縁層２２面と対応する位置に、図示の如く磁極先端
部が位置するようにパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ合金）等
からなる下部磁極層２５をスパッタリング法等により被
着し、フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（
図示せず）に形成する。
の非磁性絶縁層２２面が露出した所定面上に、前記第１
の非磁性絶縁Ｊｉｉ２２と同一材料のＮ２Ｏ３からなる
耐摩耗性を有する第２の非磁性絶縁層２４を被着形成す
る。次に該第２の非磁性絶縁層２４上の前記第１の非磁
性絶縁層２２面と対応する位置に、図示の如く磁極先端
部が位置するようにパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ合金）等
からなる下部磁極層２５をスパッタリング法等により被
着し、フォトリソグラフィ工程によって所定パターン（
図示せず）に形成する。
次に該下部磁極層２５上に５１０２１又はＡｌ２Ｏ３等
からなるギャップ形成層２６を含む第３の非磁性絶縁１
９１２７を被着形成し、その上面にｌ１Ｉ（（：ｕ）等
の導体をスパッタリング法などにより被着した後、該導
体をフォトリソグラフィ工程によってｌｌｌココイル２
８形成する。
からなるギャップ形成層２６を含む第３の非磁性絶縁１
９１２７を被着形成し、その上面にｌ１Ｉ（（：ｕ）等
の導体をスパッタリング法などにより被着した後、該導
体をフォトリソグラフィ工程によってｌｌｌココイル２
８形成する。
次に該薄膜コイル２８を含む前記絶縁層２７上に第４の
非磁性絶縁層２９及びパーマロイ （Ｎｌ−Ｆｅ合金）
等からなる上部磁極層３０を図示のように順に積層形成
し、更に該上部磁極層３０をフォトリソグラフィ工程に
よって所定パターン形状にバターニングする。そしてこ
の上部磁極層３０を含む全基板上に前記第１の非磁性絶
縁層２２と同一材料のＡ７２０３からなる耐摩耗性を有
する保護膜３１を厚くスパッタリング法等によって被覆
する。
非磁性絶縁層２９及びパーマロイ （Ｎｌ−Ｆｅ合金）
等からなる上部磁極層３０を図示のように順に積層形成
し、更に該上部磁極層３０をフォトリソグラフィ工程に
よって所定パターン形状にバターニングする。そしてこ
の上部磁極層３０を含む全基板上に前記第１の非磁性絶
縁層２２と同一材料のＡ７２０３からなる耐摩耗性を有
する保護膜３１を厚くスパッタリング法等によって被覆
する。
しかる後、図中一点鎖線Ａで示す部位で切断して前記ブ
ロック材４１側を除去し、その切断面、即ち前記上、下
部磁極層３０．２５の先端面及び第１、第２の非磁性絶
縁層２２，２４ 、更に保護膜３１等が露出する面を平
面状に研磨仕上げしてスライダ面３２を形成することに
より、第９図に示すように該スライダ面３２が前記上、
下部磁極層３０．２５の先端面部分以外が全てＭ２Ｏ３
からなる耐摩耗性を有する非磁性絶縁材料で構成されて
いるため、前記第６図による実施例で説明したと同様に
平面仕上げ精度の良いスライダ面３２を有する薄膜磁気
ヘッドを得ることができる。
ロック材４１側を除去し、その切断面、即ち前記上、下
部磁極層３０．２５の先端面及び第１、第２の非磁性絶
縁層２２，２４ 、更に保護膜３１等が露出する面を平
面状に研磨仕上げしてスライダ面３２を形成することに
より、第９図に示すように該スライダ面３２が前記上、
下部磁極層３０．２５の先端面部分以外が全てＭ２Ｏ３
からなる耐摩耗性を有する非磁性絶縁材料で構成されて
いるため、前記第６図による実施例で説明したと同様に
平面仕上げ精度の良いスライダ面３２を有する薄膜磁気
ヘッドを得ることができる。
又、本実施例はブロック材４１を接着剤４２により固着
した構成の複合基板４３を用いているので該基板４３面
上の中央部に薄膜磁気ヘッド部が形成されることから、
膜厚精度のよい薄膜磁気ヘッド部を容易に形成すること
が可能となる。
した構成の複合基板４３を用いているので該基板４３面
上の中央部に薄膜磁気ヘッド部が形成されることから、
膜厚精度のよい薄膜磁気ヘッド部を容易に形成すること
が可能となる。
尚、以上の何れの実施例においても、基板にアルミナ・
チタンカーバイト （Ａｊ２０３・Ｔｉｃ）を用いた場
合の例について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えばフォトセラム等からなる基板を用
いた場合にも適用可能なことは云うまでもない。
チタンカーバイト （Ａｊ２０３・Ｔｉｃ）を用いた場
合の例について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えばフォトセラム等からなる基板を用
いた場合にも適用可能なことは云うまでもない。
又、第１、第２の非磁性絶縁層２２．２４及び保護ｙ！
３１についても、Ａｊ２０３からなる耐摩耗性を有する
非磁性絶縁材料に限定されるものではなく、例えば二酸
化珪７７： （Ｓｉ０２）等を用いた場合にも同様の効
果が得られる。
３１についても、Ａｊ２０３からなる耐摩耗性を有する
非磁性絶縁材料に限定されるものではなく、例えば二酸
化珪７７： （Ｓｉ０２）等を用いた場合にも同様の効
果が得られる。
（匍 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、スライダ面を形成すべき面
を、上、下部磁極層の先端面部分以外が全て同一の耐摩
耗性を有する非磁性絶縁材料で構成しているため、平面
研磨仕上げ後のスライダ面に従来の如き材質の硬度差、
或いは研磨速度の違いによる過度な研磨凹みが生じるこ
とが無くなり、平面仕上げ精度の良いスライダ面を有す
る薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能となる。
ヘッドの製造方法によれば、スライダ面を形成すべき面
を、上、下部磁極層の先端面部分以外が全て同一の耐摩
耗性を有する非磁性絶縁材料で構成しているため、平面
研磨仕上げ後のスライダ面に従来の如き材質の硬度差、
或いは研磨速度の違いによる過度な研磨凹みが生じるこ
とが無くなり、平面仕上げ精度の良いスライダ面を有す
る薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能となる。
従ってスライダ面の凹みに起因する記録・再生特性の劣
化が解消され、この種の薄膜磁気ヘッド、或いは既に本
発明者等が提案した特開昭５８−１９７１７号等の単磁
極ｌＩ膜磁気ヘッドなどの製造に適用して極めて有利で
ある。
化が解消され、この種の薄膜磁気ヘッド、或いは既に本
発明者等が提案した特開昭５８−１９７１７号等の単磁
極ｌＩ膜磁気ヘッドなどの製造に適用して極めて有利で
ある。
第１図は従来のｉｍ磁気ヘッドの製造方法を説明するた
めの上面図、第２図は第１図に示す■−■゛切断線に沿
った要部断面図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法における問題点を説明するための要部断面図、第４
Ｆ！！Ｊ乃至第６ＷＪは本発明に係るＷＩ襖磁気ヘッド
の製造方法の一実施例を工程順に示す工程図、第７図乃
至第９図は本発明に基づく他の実施例を工程順に示す工
程図である。 図面において、２１は基板ブロック、２２は第１の非磁
性゛絶縁層、２３は基板、２４は第２の非磁性絶縁層、
２５は下部磁極層、２６はギャップ形成層、２７は第３
の非磁性絶縁層、２８はｓｙＩコイル、２９は第４の非
磁性絶縁層、３０は上部磁極層、３１は保護膜、３２は
スライダ面、４１はブロック材、４２は接着材、４３は
複合基板を示す。 第１図 第２図 第４図 第５図 第８図 第９１！１
めの上面図、第２図は第１図に示す■−■゛切断線に沿
った要部断面図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法における問題点を説明するための要部断面図、第４
Ｆ！！Ｊ乃至第６ＷＪは本発明に係るＷＩ襖磁気ヘッド
の製造方法の一実施例を工程順に示す工程図、第７図乃
至第９図は本発明に基づく他の実施例を工程順に示す工
程図である。 図面において、２１は基板ブロック、２２は第１の非磁
性゛絶縁層、２３は基板、２４は第２の非磁性絶縁層、
２５は下部磁極層、２６はギャップ形成層、２７は第３
の非磁性絶縁層、２８はｓｙＩコイル、２９は第４の非
磁性絶縁層、３０は上部磁極層、３１は保護膜、３２は
スライダ面、４１はブロック材、４２は接着材、４３は
複合基板を示す。 第１図 第２図 第４図 第５図 第８図 第９１！１
Claims (1)
- スライダ面となるべき面に耐摩耗性の第１の非磁性絶縁
層を設けた基板を準備する工程と、同一板平面関係の基
板面及び非磁性絶縁層面の面上に、前記第１の非磁性絶
縁層と同一材料、又はそれと同程度の耐摩耗性を有する
第２の非磁性絶縁層を形成する工程と、該第２の非磁性
絶縁層上に、前記第１の非磁性絶縁層面と対応する位置
に磁極先端部が位置するように磁極、非磁性絶縁層及び
薄膜コイルで構成される薄膜磁気ヘッド部を形成する工
程と、該薄膜磁気ヘッド上に前記第１の非磁性絶縁層と
同一材料、又は同程度の耐摩耗性を有する非磁性絶縁材
からなる保護膜を被覆する工程と、磁気記録媒体と対向
するスライダ面を平面研磨仕上げする工程とを行って前
記磁極先端面を含むスライダ面を均一な平面に形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488084A JPS60229216A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488084A JPS60229216A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229216A true JPS60229216A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13843083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8488084A Pending JPS60229216A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214507A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8488084A patent/JPS60229216A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214507A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
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