JPS6022825A - High speed semiconductor device - Google Patents

High speed semiconductor device

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Publication number
JPS6022825A
JPS6022825A JP58131303A JP13130383A JPS6022825A JP S6022825 A JPS6022825 A JP S6022825A JP 58131303 A JP58131303 A JP 58131303A JP 13130383 A JP13130383 A JP 13130383A JP S6022825 A JPS6022825 A JP S6022825A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
flip
slave
flop
inverted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58131303A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomihiro Suzuki
富博 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP58131303A priority Critical patent/JPS6022825A/en
Publication of JPS6022825A publication Critical patent/JPS6022825A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/3562Bistable circuits of the master-slave type

Abstract

PURPOSE:To obtain a master-slave SR flip-flop where number of gates to be inverted at operation is decreased and higher speed operation is attained by constituting a gate circuit as 2-level. CONSTITUTION:The gate circuit system for the master-slave SR flip-flop circuit is the BFL system which is used frequently in the normally-on type GaAs integrated circuit, and a positive potential is given to positive power supply inputs VDD1-VDD8 and a negative potential is given to negative power inputs VSS1- VSS4 at the operation. Further, the number of gates to be inverted at the operation is less than that of the circuit of all NOR constitution and the high speed operation is attained. Moreover, the single phase clock operation is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、GaAslCで賞月されているノーマリオン
ロジックの特長を生かした単相クロック動作の高速マス
タースレーブSRフリノプフロノフ回路に関するもので
ある。GaAslCはSiICでは実現出来ない高速性
能と低消費電力を兼ね備えているため、今後幅広い分野
で応用が見込まれている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a high-speed master-slave SR Flyno-Pufronov circuit with single-phase clock operation that takes advantage of the normally-on logic features that have been praised in GaAslC. GaAslC combines high-speed performance and low power consumption that cannot be achieved with SiIC, so it is expected to be applied in a wide range of fields in the future.

GaAsICが実用ICとしてその高性能を発揮するた
めには、論理ゲートの改良とともシて各種の基本的なモ
ジ−、−ル回路の回路上の工夫が望まれている。特にフ
リップフロップ回路は実際の論理ICの中で非常に多用
される最も基本的なコンポーネントであるため、高性能
なフリップフロップ回路の開発はGaAslCの最終的
な1で1:能面」二に直接につながったきわめて重要な
課題である。、 GaAs ICのコンポーネントとし
てのフリップフロップ回路については使い良さの点で■
単相クロック動作、6)安定動作及び性能、特に■高速
性を兼ね(+i!iえている事が望まれる。
In order for GaAs ICs to exhibit their high performance as practical ICs, in addition to improving logic gates, it is necessary to improve the circuitry of various basic module circuits. In particular, since the flip-flop circuit is the most basic component that is used very often in actual logic ICs, the development of high-performance flip-flop circuits is directly related to GaAslC's final 1: Noh mask. These are extremely important and connected issues. , Flip-flop circuits as components of GaAs ICs are not easy to use.
Single-phase clock operation, 6) stable operation and performance, especially ■ high speed (+i!i) is desirable.

第1図は従来のエツジトリガ形Dフリップフロップの回
路図である。図中端子C,D、 Q、φはそれぞれクロ
ック人ツバデータ入力、出力反転出力である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional edge trigger type D flip-flop. In the figure, terminals C, D, Q, and φ are a clock data input and an inverted output, respectively.

この回路は、単相クロックで安定に動作するが、動作時
に反転すべきゲートの数が多いため速度が遅く、機能も
遅延動作に限られる欠点を有する。
Although this circuit operates stably with a single-phase clock, it has the disadvantage that its speed is slow due to the large number of gates that must be inverted during operation, and its function is limited to delay operation.

第2図は、従来のマスク−スレーブSRフリップフロッ
プの回路図である。図中C1こ、 S、 R,Q。
FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional mask-slave SR flip-flop. In the figure, C1, S, R, Q.

Qはそれぞれクロック入力、逆相クロック人プハセット
入ツバ リセット入ツバ出Jハ反転出力である。
Q is a clock input, reverse phase clock, set input, reset input and output J are inverted outputs, respectively.

での回路はオールN ORlil’i成であるため後述
の回路にくらべて動作++Hに反転すべきデーl−数が
多く速度が遅い。また2相クロツクが必要である。
Since the circuit shown in FIG. 1 is an all-N ORliil'i configuration, the number of data l- to be inverted to ++H is large and the speed is slow compared to the circuit described later. Also, a two-phase clock is required.

第3図は従来のマスタースレーブSRフリップフロップ
の別のタイプの回路図である。図中娼1子C,C,S、
 R,Q、φはそれぞれクロック入ツバ逆相クロック入
力、セント入力、リセット入力、出力反転出力である。
FIG. 3 is a circuit diagram of another type of conventional master-slave SR flip-flop. In the diagram, the 1st child C, C, S,
R, Q, and φ are clock inputs, reverse phase clock inputs, cent inputs, reset inputs, and inverted outputs, respectively.

この回路は、2レベルのゲート構成によりゲート数が減
少し前述の回路に比べて約2倍程度高連である。しかし
ながらこの回路を確実に動f′1さぜるためには、高精
度の2相クロツクを必要とし、もしC1Cが同時にロー
レベルになるとテーク破壊が起こり、また同時にハイレ
ベルになると容易に自己発振する。高速動作するGaA
s1Cに対して上述の条件を満たず高精度の2相クロツ
クを供給することは非常に困難である。
This circuit has a two-level gate configuration, which reduces the number of gates, and has about twice the number of gates as compared to the above-mentioned circuit. However, in order to reliably operate this circuit, a high-precision two-phase clock is required, and if C1C goes low at the same time, take damage will occur, and if it goes high at the same time, it will easily self-oscillate. do. GaA that operates at high speed
It is extremely difficult to supply a highly accurate two-phase clock to s1C without satisfying the above conditions.

r発明の開示〕 21.′− 4’□子本発明は上記の従来回路の欠点を解決する新/
、ニなマスタースレーブSRフリノプフロノフIll 
路全提起するものである。
rDisclosure of the invention] 21. '-4'
, Nina Master Slave SR Frino Pfronov Ill
This is what I would like to suggest.

本発明のマスタースレーブSRフリップフロップ回路は
、第4図または第5図に示すvllぎものである。ゲー
トの回路方式はノーマリオ、ン形GaΔS集積回路にお
いて賞月されている。BFL方式であり、動作時にはV
 D 1月〜VDD8に正の電位及びvSS1〜VSS
4・に負の電位を与える。図中c、 i::、 s。
The master-slave SR flip-flop circuit of the present invention is of the type shown in FIG. 4 or FIG. The gate circuit system has been widely used in normally-on type GaΔS integrated circuits. It is a BFL method, and V during operation.
D January to positive potential to VDD8 and vSS1 to VSS
Apply a negative potential to 4. In the figure, c, i::, s.

R,Q、◇はそれぞれクロ、夕人力、逆相クロック入力
、セント入力、リセット入力と出方、反転出力である。
R, Q, and ◇ are respectively black, evening force, reverse phase clock input, cent input, reset input and output, and inverted output.

本発明の回路においては、ゲート回路を2レベル構成に
した事で動作時に反転すべきゲート数がすでに述べたオ
ールNOR格成の第1図、第2図の回路に比べて少なく
、したがってより高速動作が達成出来る。また、この回
路は単相クロックで動作する。さらに第3図の回路に見
られる様なデ〔産業上の利用可能性〕 本発明は単相クロックで安定かつ高速に動作するノーマ
リオン形Ga As集積回路に最適なマスタースレーブ
SRフリップフロップに関するものである。Ga As
デジタルICの基本コンポーネントとして広く利用する
事が出来るため、産業的価値は非常に大きなものがある
In the circuit of the present invention, since the gate circuit has a two-level configuration, the number of gates to be inverted during operation is smaller than that of the all-NOR circuit shown in FIGS. The action can be achieved. Additionally, this circuit operates with a single-phase clock. [Industrial Applicability] The present invention relates to a master-slave SR flip-flop that is suitable for a normally-on GaAs integrated circuit that operates stably and at high speed with a single-phase clock. It is. GaAs
Since it can be widely used as a basic component of digital ICs, it has great industrial value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

NS 1図は、従来のエンジトリガDフリップフロップ
回路の図、第2図及び第3図は従来のマスク−スレーブ
S Rフリップフロップ回路の1ズIである。 第4・図及び第5図は本発明のマスタースレーブSRフ
リップフロップ回fll↑の説明のための1.〈1てン
(する。 図中 C・・・・・クロック入力 C・・・・・逆相クロック入力 D・・・・・ データ入力 Q・・・・・出 力 ◇・・・・・・・・反転出力 S・・・・・・セノ)・入力 R−・・ リセット入力 VDD l 、 VDD 2 、 VDD3 、 VD
D4 、 VDD 5. Vl)D n 。 VDD7. VDD8−−・−・正電源入力VSSi、
 VSS2. VSS3. VSS4.− 負電源人力
4・’1i11+
NS1 is a diagram of a conventional engine trigger D flip-flop circuit, and FIGS. 2 and 3 are diagrams of a conventional mask-slave S R flip-flop circuit. 4 and 5 are 1. for explaining the master-slave SR flip-flop circuit fll↑ of the present invention. <1. In the diagram C... Clock input C... Reverse phase clock input D... Data input Q... Output ◇...・・Inverted output S・・・Input R−・・Reset input VDD l, VDD 2, VDD3, VD
D4, VDD5. Vl) D n . VDD7. VDD8−−・−・Positive power supply input VSSi,
VSS2. VSS3. VSS4. - Negative power supply 4・'1i11+

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (])ショットキゲート (MESFET)及びショットキダイオードより構成さ
れるノーマリオン形Ga As集積回路において、ソー
スを共通接地しドレインを並列接続した第1、第2、第
3のドライバーMESFET及び該ドライバーMESF
ETのドレインに直列に接続された第4,のドライバー
M E S F E i”並びに負荷、レベルシフト回
路より成るインパーク回路2ケの交差結線により(1.
1成されるフリップフロップ回路をマスク−又はスレー
ブとし、直列接続された第5、第6のドライバーME 
S F ETと該ドライバーに並列に接続された第7の
ドライバーME S F ET及び負荷、レベルシフト
回路より成るインパーク回路2ケの交差結線により横J
戊される。フリップフロップ回路をスレーブ又はマスク
−として組合せたことを特徴とする高速半導体装置。
[Claims] (]) In a normally-on GaAs integrated circuit composed of a Schottky gate (MESFET) and a Schottky diode, first, second, and third drivers whose sources are commonly grounded and whose drains are connected in parallel MESFET and its driver MESF
By cross-connecting two impark circuits consisting of a fourth driver MESF E i'' connected in series to the drain of the ET, a load, and a level shift circuit (1.
The fifth and sixth drivers ME connected in series, with the flip-flop circuit constructed as a mask or slave.
The horizontal J is
be decapitated. A high-speed semiconductor device characterized by combining a flip-flop circuit as a slave or a mask.
JP58131303A 1983-07-18 1983-07-18 High speed semiconductor device Pending JPS6022825A (en)

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JPS6022825A true JPS6022825A (en) 1985-02-05

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ID=15054801

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270253A (en) * 2007-04-16 2008-11-06 Hitachi Aic Inc Chip-type solid-state electrolytic capacitor and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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