JPS60225399A - エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPS60225399A JPS60225399A JP59082158A JP8215884A JPS60225399A JP S60225399 A JPS60225399 A JP S60225399A JP 59082158 A JP59082158 A JP 59082158A JP 8215884 A JP8215884 A JP 8215884A JP S60225399 A JPS60225399 A JP S60225399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor powder
- brightness
- organic binder
- present
- electrolunescent
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、大面積、省電力のディスプレイに適した、エ
レクトロルミネセンス(以下、ELと略記する)素子に
関する。
レクトロルミネセンス(以下、ELと略記する)素子に
関する。
従来例の構成とその問題点
従来よりKL素子の高輝度化のために、螢光体粉末をな
るべく高誘電率の誘電体中に分散させるこ七が知られて
いる。それらの誘電体としては、ボリフ、/化ビニリデ
ン(ε=8 、 I KHzにおいて)フッ素ゴム(フ
ッ化ビニリデン系3元共重合体。
るべく高誘電率の誘電体中に分散させるこ七が知られて
いる。それらの誘電体としては、ボリフ、/化ビニリデ
ン(ε=8 、 I KHzにおいて)フッ素ゴム(フ
ッ化ビニリデン系3元共重合体。
ε=13.8)、フッ化ビニリデン−トリフッ化エチレ
ン共重合体(ε=15)、ンアノエチルセルロース(ε
−15)などが用いられてきた。
ン共重合体(ε=15)、ンアノエチルセルロース(ε
−15)などが用いられてきた。
しかしながら、それらのいずれにおいても、螢光体粉末
混入時の作業性、薄膜形成の困難さ、フレキシビリティ
、耐電圧、輝度等の諸々の問題の他に、実用上特に問題
となる寿命の点で十分なものが得られていないのが実状
である。
混入時の作業性、薄膜形成の困難さ、フレキシビリティ
、耐電圧、輝度等の諸々の問題の他に、実用上特に問題
となる寿命の点で十分なものが得られていないのが実状
である。
また、最近、比較曲折しい高誘電率プラスチックとして
、シアンエチルプルランが開発され、1!−L素子への
適用が検討され始めているが、これまで高輝度で長寿命
を実現した例はまだない。
、シアンエチルプルランが開発され、1!−L素子への
適用が検討され始めているが、これまで高輝度で長寿命
を実現した例はまだない。
発明の目的
本発明は、高輝度、長寿命で低電圧駆動の分散形KL素
子を得ることを目的とする。
子を得ることを目的とする。
発明の構成
そのだめの構成として本発明は、1@fiの陽イオンと
なる元素を10〜1000ppHl添加し分散したシア
ノエチルプルランに5〜e o Voe、%の螢光体粉
末を混入したものを一対の電極間に介在させてEL素子
を介在させたものである。
なる元素を10〜1000ppHl添加し分散したシア
ノエチルプルランに5〜e o Voe、%の螢光体粉
末を混入したものを一対の電極間に介在させてEL素子
を介在させたものである。
本発明に用いる高誘電率有機バインダは、容易にある種
の溶剤に溶けるため、大量に螢光体粉末を混入すること
が容易であり、しかも低粘度の溶液とすることができる
ため、これをコーティングして超薄層形、大面積のEL
素子を得ることができ、低電圧駆動が可能となる。
の溶剤に溶けるため、大量に螢光体粉末を混入すること
が容易であり、しかも低粘度の溶液とすることができる
ため、これをコーティングして超薄層形、大面積のEL
素子を得ることができ、低電圧駆動が可能となる。
シカも、この有機バインダは、無色透明テ、フレキンプ
ルであり、ガラス、プラスチック、金属。
ルであり、ガラス、プラスチック、金属。
磁器などへの接着性が特に優れ、特性の安定した分散形
EL素子を提供する。特に、基板にプラスチックを用い
れば、大面積のフレキシブルELパネルの作成に適する
。
EL素子を提供する。特に、基板にプラスチックを用い
れば、大面積のフレキシブルELパネルの作成に適する
。
実施例の説明
本発明は、Li 、 Cu 、 Ag 、 Cs 、
Rb 、 K 、 Naなどの1価の陽イオンとなりう
る元素を1o〜100010001)p加したシアノエ
チルプルランヲ有機バインダとして用い、6〜e o
Voe、%の螢光体粉末を混入したKL素子で、その概
略を第1図に示す。図において、1はガラス等の基板、
2はIn2O3,5n02 等のネサ膜(電極)、3は
有機バインダ、4はZnS : Cu 、 Br等の螢
光体粉末、5はCu 、 Li 、 Ag等の1価の陽
イオンとなる元素、6けAff 、 Zn 、 Au
、 Ti 、 Mo 、 Ag等の金属蒸着電極である
。またシアノエチルプルラン(以下、CYEPLと略記
する)の構造式を次に示す。
Rb 、 K 、 Naなどの1価の陽イオンとなりう
る元素を1o〜100010001)p加したシアノエ
チルプルランヲ有機バインダとして用い、6〜e o
Voe、%の螢光体粉末を混入したKL素子で、その概
略を第1図に示す。図において、1はガラス等の基板、
2はIn2O3,5n02 等のネサ膜(電極)、3は
有機バインダ、4はZnS : Cu 、 Br等の螢
光体粉末、5はCu 、 Li 、 Ag等の1価の陽
イオンとなる元素、6けAff 、 Zn 、 Au
、 Ti 、 Mo 、 Ag等の金属蒸着電極である
。またシアノエチルプルラン(以下、CYEPLと略記
する)の構造式を次に示す。
上記において、Rは水素原子またはシアンエチル基を示
す。
す。
次に、螢光体粉末の作成の一例を示すと、次のようにな
る。十分純粋な白色粉末のZnS (純度99.999
9%以上)に対し、活性剤Gu (純度99.9%)お
よび溶剤としてN1ce (純度99.99%)をそれ
ぞれZnS (7)1 fjに対し0.001gおよび
O,oa、17ぐらいの割合で加え、約900、°Cで
約30分間加熱焼成してから、その試料の入った容器を
取り出し、外気にて放冷する。その後、十分に水洗して
余分の溶剤を取り除き十分に乾燥して螢光体粉末を得る
。
る。十分純粋な白色粉末のZnS (純度99.999
9%以上)に対し、活性剤Gu (純度99.9%)お
よび溶剤としてN1ce (純度99.99%)をそれ
ぞれZnS (7)1 fjに対し0.001gおよび
O,oa、17ぐらいの割合で加え、約900、°Cで
約30分間加熱焼成してから、その試料の入った容器を
取り出し、外気にて放冷する。その後、十分に水洗して
余分の溶剤を取り除き十分に乾燥して螢光体粉末を得る
。
したがって、本発明では、同時に焼成されて螢光体粉末
中に含まれるCu などの活性剤とは別に、1価の陽イ
オンとなる元素が極少量有機バインダ中に分散している
系となっている。
中に含まれるCu などの活性剤とは別に、1価の陽イ
オンとなる元素が極少量有機バインダ中に分散している
系となっている。
この有機バインダ(CYKPL )中に分散した元素は
、課電時にイオンなどの状態で動き回り、螢光体粉末粒
子と会合した場合に一種の活性剤として働くため輝度が
上がる。その様子ヲCu 元素が含有した場合を例にと
って示すと、第2図のようになる。但し、1価の陽イオ
ンの含量を11000ppを超える値にすると、有機バ
インダ(CYEPI、 )のtanδや、絶縁抵抗が急
激に悪化するためか、輝度半減寿命が短くなるため、1
0〜11000ppが最適となる。
、課電時にイオンなどの状態で動き回り、螢光体粉末粒
子と会合した場合に一種の活性剤として働くため輝度が
上がる。その様子ヲCu 元素が含有した場合を例にと
って示すと、第2図のようになる。但し、1価の陽イオ
ンの含量を11000ppを超える値にすると、有機バ
インダ(CYEPI、 )のtanδや、絶縁抵抗が急
激に悪化するためか、輝度半減寿命が短くなるため、1
0〜11000ppが最適となる。
輝度および寿命を総合的に評価すると、Li。
Cu 、ムg 、 Cs 、 Rb 、 Na 、 K
(7)順で効果が太きい。
(7)順で効果が太きい。
またCYICPLのシアノエチル基置換度は、2.4〜
3.0が好ましい。置換度が2.4より小さいと、CY
KPLの誘電率が小さくなり、XI、素子の輝度が低下
するとともに、耐湿特性が悪くなるため寿命が劣化する
。一方、最大限置換した置換度が3.Qであり、高誘電
率が得られ、高輝度のEL素子となる。
3.0が好ましい。置換度が2.4より小さいと、CY
KPLの誘電率が小さくなり、XI、素子の輝度が低下
するとともに、耐湿特性が悪くなるため寿命が劣化する
。一方、最大限置換した置換度が3.Qであり、高誘電
率が得られ、高輝度のEL素子となる。
螢光体粉末を6Vo(10%より少なく混入すると十分
な輝度が得られなくなり、一方、6ovo40%より多
く混入するとICL素子の耐電圧が低下するため好まし
くない。螢光体粉末の粒径は、0.1〜301i m程
度のものが用いられるが、特に粒度分布のピークが1.
0〜20.0μmのものが好ましい。
な輝度が得られなくなり、一方、6ovo40%より多
く混入するとICL素子の耐電圧が低下するため好まし
くない。螢光体粉末の粒径は、0.1〜301i m程
度のものが用いられるが、特に粒度分布のピークが1.
0〜20.0μmのものが好ましい。
以下、具体的な実施例を用いて説明する。
次の表に示すような種々の有機バインダを用いて特性を
測定した。
測定した。
(以 下金 白)
GY’B’PLはシアンエチル基置換度が2.78(ε
=19)と2゜eso(ε−17)のもの全周いた。
=19)と2゜eso(ε−17)のもの全周いた。
ジメチルホルムアミド(DMF)の溶剤にCYICPL
を溶解し、少量のLie e とzns系の螢光体粉末
を十分分散した。これをネサガラスの上にコーティング
して十分乾燥した。その後、Aeの上部電極を真空蒸着
により形成した(面積1゜cm x 1oCnI)。
を溶解し、少量のLie e とzns系の螢光体粉末
を十分分散した。これをネサガラスの上にコーティング
して十分乾燥した。その後、Aeの上部電極を真空蒸着
により形成した(面積1゜cm x 1oCnI)。
シアンエチルセルロースに関しても同様の手順に従った
。この場合、高含有量の膜は膜質が不十分で、測定でき
なかった。
。この場合、高含有量の膜は膜質が不十分で、測定でき
なかった。
PvF2 に関しては、混練法によった。
測定は30’C,20%RHで行った。
本発明のCYKPLを用いることにより、低電圧駆動で
高輝度、長寿命が実現されることがわかる。
高輝度、長寿命が実現されることがわかる。
なお、上記実施例では、螢光体粉末としてZnS糸のも
のを用いて示したが、本発明はこの材料に限らず、Cd
S糸、 Zn5e 系などにおいても十分な効果が認め
られている。
のを用いて示したが、本発明はこの材料に限らず、Cd
S糸、 Zn5e 系などにおいても十分な効果が認め
られている。
発明の効果
以上のように本発明により、低電圧駆動で高輝度、長寿
命のKL素子が実現でき、大面積またはフレキシブルな
KLパネルなどに応用できて、低電力で表示する各種表
示装置に使用でき、応用の極めて広いものである。
命のKL素子が実現でき、大面積またはフレキシブルな
KLパネルなどに応用できて、低電力で表示する各種表
示装置に使用でき、応用の極めて広いものである。
第1図は本発明における分散形のKL素子の断面図、第
2図はCu 含量に対する初期輝度と輝度半減寿命の特
性図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・ネサ膜(電極)、
3・・・・・有機バインダ、4・・・・螢光体粉末、5
・・・・・・1価の陽イオンとなる元素、6・・・・・
・金属蒸着電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 CL@′量 (PPrn )
2図はCu 含量に対する初期輝度と輝度半減寿命の特
性図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・ネサ膜(電極)、
3・・・・・有機バインダ、4・・・・螢光体粉末、5
・・・・・・1価の陽イオンとなる元素、6・・・・・
・金属蒸着電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 CL@′量 (PPrn )
Claims (1)
- 1価の陽イオンとなる元素を10〜11000pp添加
し分散したシアノエチルプルランに6〜6o Vol、
、%の螢光体粉末を混入したものを一対の電極間に介在
させたエレクトロルミネセンスffi子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59082158A JPS60225399A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59082158A JPS60225399A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60225399A true JPS60225399A (ja) | 1985-11-09 |
JPH0533517B2 JPH0533517B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=13766623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59082158A Granted JPS60225399A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60225399A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63112795U (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | ||
JPH038295A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | エレクトロルミネッセンスランプ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148475U (ja) * | 1978-04-06 | 1979-10-16 |
-
1984
- 1984-04-24 JP JP59082158A patent/JPS60225399A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148475U (ja) * | 1978-04-06 | 1979-10-16 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63112795U (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | ||
JPH0526720Y2 (ja) * | 1987-01-16 | 1993-07-06 | ||
JPH038295A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | エレクトロルミネッセンスランプ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0533517B2 (ja) | 1993-05-19 |
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