JPS60224073A - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
- Publication number
- JPS60224073A JPS60224073A JP8055784A JP8055784A JPS60224073A JP S60224073 A JPS60224073 A JP S60224073A JP 8055784 A JP8055784 A JP 8055784A JP 8055784 A JP8055784 A JP 8055784A JP S60224073 A JPS60224073 A JP S60224073A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- output
- semiconductor element
- voltage drop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は出力回路に逆流阻止用半導体素子を具える充
電回路等の回路出力を検出するため上記半導体素子の入
力側に設けられる電圧検出装置の検出精度の向上に関す
る。
電回路等の回路出力を検出するため上記半導体素子の入
力側に設けられる電圧検出装置の検出精度の向上に関す
る。
従来この種の電圧検出装置としては第１図に示すものが
あった。同図において、１は交流電源、２は充電回路で
あって、整流回路３、逆流阻止用半導体素子であるダイ
オード４及び電圧検出回路５を具えており、交流電力を
直流電力に電力変換して蓄電池６を充電すると同時に直
流負荷７に給電する。この電圧検出回路５は整流回路２
の直流側端子間に挿入されており、その電圧検出信号は
図示しない充電電圧制御装置に供給される。
あった。同図において、１は交流電源、２は充電回路で
あって、整流回路３、逆流阻止用半導体素子であるダイ
オード４及び電圧検出回路５を具えており、交流電力を
直流電力に電力変換して蓄電池６を充電すると同時に直
流負荷７に給電する。この電圧検出回路５は整流回路２
の直流側端子間に挿入されており、その電圧検出信号は
図示しない充電電圧制御装置に供給される。
この構成においては、充電回路２は整流器回路３の出力
をダイオード４を通して蓄電池６及び直流負荷７に給電
し、電圧検出回路５はダイオード４の入力側に挿入され
ているため、該電圧検出回路５は充電回路出力電圧より
ダイオード４の順電圧降下骨Ｅｄだけ高の電圧を検出す
る。
をダイオード４を通して蓄電池６及び直流負荷７に給電
し、電圧検出回路５はダイオード４の入力側に挿入され
ているため、該電圧検出回路５は充電回路出力電圧より
ダイオード４の順電圧降下骨Ｅｄだけ高の電圧を検出す
る。
しかるに、このダイオード４の順電圧降下分Ｅｄは通電
電流値によって変化するので、電圧検出回路５の電圧検
出値Ｅは充電回路２の出力電圧Ｅｏｕｔを正確に反映せ
ず、このため、第１図の従来の装置は、負荷変動に対す
る規制が上記順方向電圧降下分を無視し得ない程度に厳
しい場合には実用に供し得ないと云う欠点があった。
電流値によって変化するので、電圧検出回路５の電圧検
出値Ｅは充電回路２の出力電圧Ｅｏｕｔを正確に反映せ
ず、このため、第１図の従来の装置は、負荷変動に対す
る規制が上記順方向電圧降下分を無視し得ない程度に厳
しい場合には実用に供し得ないと云う欠点があった。
この発明は、上記した従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、半導体素子の順電圧降下分を模擬出
力する補償電圧出力回路を設け、該回路の出力により電
圧検出回路の出力を補償する構成とすることにより、従
来に比して検出精度を高めることができる電圧検出装置
を提案するものである。
になされたもので、半導体素子の順電圧降下分を模擬出
力する補償電圧出力回路を設け、該回路の出力により電
圧検出回路の出力を補償する構成とすることにより、従
来に比して検出精度を高めることができる電圧検出装置
を提案するものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図にいって説明する。
第２図において、８は電流検回路であって、ダイオード
４の入力側に該ダイオード４と直列に挿入されており、
半導体素子９と共に補償電圧出力回路を構成する。半導
体素子９としては電流検出回路８の検出出力の還流によ
る順電圧降下特性が逆流阻止用ダイオード４の順電圧降
下特性と同一かほぼ同じである模擬用のダイオードが用
いられ、その順電圧降下分が上記補償電圧出力回路から
取出される。１０は加算回路であって、電圧検出回路δ
の電圧検出値Ｅと上記補償電圧出力回路の出力とを合成
し、前記した充電電圧制御装置に供給する。他の構成は
第１図のものと同じでなるので同一符号を付しである。
４の入力側に該ダイオード４と直列に挿入されており、
半導体素子９と共に補償電圧出力回路を構成する。半導
体素子９としては電流検出回路８の検出出力の還流によ
る順電圧降下特性が逆流阻止用ダイオード４の順電圧降
下特性と同一かほぼ同じである模擬用のダイオードが用
いられ、その順電圧降下分が上記補償電圧出力回路から
取出される。１０は加算回路であって、電圧検出回路δ
の電圧検出値Ｅと上記補償電圧出力回路の出力とを合成
し、前記した充電電圧制御装置に供給する。他の構成は
第１図のものと同じでなるので同一符号を付しである。
この構成においては、電圧検出回路５は従来の場合と同
じく充電回路２の出力電圧Ｅｏｕｔよりダイオード４の
順電圧降下分Ｅｄだけ高い電圧Ｅを検出し、この検出電
圧は加算回路１０に入力されるが、この時、同時に上記
補償電圧出力回路の半導体素子９の両端には順電圧降下
分Ｅｄに相当する補償電圧が現れ、該補償電圧は加算回
路１０に入力される。従って、加算回路１０は上記検出
電圧Ｅと上記補償電圧を合成した電圧、即ち、実質上、
（Ｅ−補償電圧）＝Ｅｏｕｔを出力する。
じく充電回路２の出力電圧Ｅｏｕｔよりダイオード４の
順電圧降下分Ｅｄだけ高い電圧Ｅを検出し、この検出電
圧は加算回路１０に入力されるが、この時、同時に上記
補償電圧出力回路の半導体素子９の両端には順電圧降下
分Ｅｄに相当する補償電圧が現れ、該補償電圧は加算回
路１０に入力される。従って、加算回路１０は上記検出
電圧Ｅと上記補償電圧を合成した電圧、即ち、実質上、
（Ｅ−補償電圧）＝Ｅｏｕｔを出力する。
この実施例では、模擬用半導体素子９を設け、その順電
圧降下分により、主回路電流が通流される半導体素子の
順電圧降下分を補償するものであるから、回路構成は簡
単で済む。
圧降下分により、主回路電流が通流される半導体素子の
順電圧降下分を補償するものであるから、回路構成は簡
単で済む。
この実施例では充電回路の出力電圧を検出する場合につ
いて説明したが、この発明は半導体素子を通して回路出
力が取出される回路であれば実施して同様の効果を得る
ことができる。
いて説明したが、この発明は半導体素子を通して回路出
力が取出される回路であれば実施して同様の効果を得る
ことができる。
この発明は以上説明した通り、主回路電流を通流する半
導体素子の順電圧降下分を模擬出力する補償電圧出力回
路を設け、該回路の出力により上記半導体素子入力側に
設ける電圧検出回路の出力を補償する構成とすることに
より、上記半導体素子を通して取出される回路出力を上
記半導体素子の入力側において従来に比し高精度に検出
することができる。
導体素子の順電圧降下分を模擬出力する補償電圧出力回
路を設け、該回路の出力により上記半導体素子入力側に
設ける電圧検出回路の出力を補償する構成とすることに
より、上記半導体素子を通して取出される回路出力を上
記半導体素子の入力側において従来に比し高精度に検出
することができる。
第１図は従来の電圧検出装置を示す回路図、第２図はこ
の発明の一実施例を示す回路図である。 図において、３−ダイオード、５−電圧検出回路、８−
・・電流検出回路、９−模擬用半導体素子、１０−・加
算回路。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
の発明の一実施例を示す回路図である。 図において、３−ダイオード、５−電圧検出回路、８−
・・電流検出回路、９−模擬用半導体素子、１０−・加
算回路。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (3)
- （１）半導体素子を通して取出される回路出力を検出す
るため上記半導体素子の入力側に設けられる電圧検出装
置において、該電圧検出装置が電圧検出回路と上記半導
体素子の順電圧降下分を模擬出力する補償電圧出力回路
及び両回路の出力を合成する加算回路を有することを特
徴とする電圧検出装置。 - （２）補償電圧出力回路が、半導体素子の入力電流を検
出する電流検出回路と該電流検出回路の出力が通流され
る他の半導体素子とを有し、該他の半導体素子の順電圧
降下分を模擬出力値とする特許請求の範囲第１項記載の
電圧検出装置。 - （３）半導体素子を介して取出される回路出力が充電回
路の出力であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の電圧検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8055784A JPS60224073A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8055784A JPS60224073A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 電圧検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224073A true JPS60224073A (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=13721638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8055784A Pending JPS60224073A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567200U (ja) * | 1992-01-31 | 1993-09-03 | 西芝電機株式会社 | ディジタル制御自動電圧調整器の端子電圧検出装置 |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP8055784A patent/JPS60224073A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567200U (ja) * | 1992-01-31 | 1993-09-03 | 西芝電機株式会社 | ディジタル制御自動電圧調整器の端子電圧検出装置 |
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