JPS6022315A - 三次元構造薄膜製造装置 - Google Patents
三次元構造薄膜製造装置Info
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- JPS6022315A JPS6022315A JP12952283A JP12952283A JPS6022315A JP S6022315 A JPS6022315 A JP S6022315A JP 12952283 A JP12952283 A JP 12952283A JP 12952283 A JP12952283 A JP 12952283A JP S6022315 A JPS6022315 A JP S6022315A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D19/00—Casting in, on, or around objects which form part of the product
- B22D19/08—Casting in, on, or around objects which form part of the product for building-up linings or coverings, e.g. of anti-frictional metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、薄膜作製とその微細加工を全て高真空中で連
続的にくシ返すことによシ、表面を全く汚染することな
く、また作製工程数を大巾に簡略化して、三次元構造薄
膜を作製すること力;可會ヒな装置に関するものである
。
続的にくシ返すことによシ、表面を全く汚染することな
く、また作製工程数を大巾に簡略化して、三次元構造薄
膜を作製すること力;可會ヒな装置に関するものである
。
(従来技術)
従来゛、・微細加工を用いた多層構造薄膜素子は、次の
ような工程で作製された。1ず、基板を薄膜形成高真空
装置内に設置し、被加工膜を形成する。
ような工程で作製された。1ず、基板を薄膜形成高真空
装置内に設置し、被加工膜を形成する。
次に大気中に取シ出し、この上にレジストを塗布ベーキ
ングし、紫外線あるいは電子a% X線等の高エネルギ
ー線で露光した後、レジストを現像しこのようにして得
たレジストパタンをマスクに被加工膜を加工する。従っ
て微細加工を行った薄膜は、大気中に出されたシ、レジ
スト塗布、除去工程を通過するため、表面に酸化層や不
純物による汚染層が形成される。このために加工層の上
にさらに高品質の薄膜を堆積させる際は、第二層の薄膜
形成前にスパッタクリーニングなどの汚染層除去工程が
必要な場合が多い。従来技術では、以上の工程をくシ返
し、多層構造にすることにより、多層構造素子を作製す
るため、工程数を非常に多く必要とし、大気中から高真
空に真空排気する工程が多く、真空排気をする時間も長
時間必要であつた。また加工を施した表面層をスパッタ
クリーニングすると、分子線エピタキシー等で形成した
結晶性の薄膜はその結晶性が著しく損なわれる。
ングし、紫外線あるいは電子a% X線等の高エネルギ
ー線で露光した後、レジストを現像しこのようにして得
たレジストパタンをマスクに被加工膜を加工する。従っ
て微細加工を行った薄膜は、大気中に出されたシ、レジ
スト塗布、除去工程を通過するため、表面に酸化層や不
純物による汚染層が形成される。このために加工層の上
にさらに高品質の薄膜を堆積させる際は、第二層の薄膜
形成前にスパッタクリーニングなどの汚染層除去工程が
必要な場合が多い。従来技術では、以上の工程をくシ返
し、多層構造にすることにより、多層構造素子を作製す
るため、工程数を非常に多く必要とし、大気中から高真
空に真空排気する工程が多く、真空排気をする時間も長
時間必要であつた。また加工を施した表面層をスパッタ
クリーニングすると、分子線エピタキシー等で形成した
結晶性の薄膜はその結晶性が著しく損なわれる。
このため、この表面層を基に更にエピタキシー成長によ
って単結晶性薄膜を成長させても、その品質が低下する
。近年レジストを使わずに微細加工する手段として、集
束したイオンビームをパターン状に照射することによシ
、イオンエツチングあるいはイオンドーピングするイオ
ンビームリソグラフィの研究が進められている。この方
法では、レジスト処理プロセスが不要なため、清浄な薄
膜基板のまま加工ができる利点はあるものの、大気中に
試料をとシ出すことに起因する表面層の酸化、水分の吸
着まで避けることは不可能であった。
って単結晶性薄膜を成長させても、その品質が低下する
。近年レジストを使わずに微細加工する手段として、集
束したイオンビームをパターン状に照射することによシ
、イオンエツチングあるいはイオンドーピングするイオ
ンビームリソグラフィの研究が進められている。この方
法では、レジスト処理プロセスが不要なため、清浄な薄
膜基板のまま加工ができる利点はあるものの、大気中に
試料をとシ出すことに起因する表面層の酸化、水分の吸
着まで避けることは不可能であった。
(発明の目的)
本発明は、これらの欠点を除去するため、極所的なイオ
ンドーピングや極所的なイオンエツチングが可能な集束
イオンビーム照射系と、高品質薄膜形成系を高真空下で
直結し、試料を大気にふれさせることなく、薄膜形成と
微細加工をくシ返し行なえることを特徴とするもので、
その目的は試料を大気にさらすことなく薄膜形成と微細
加工をくシ返すことによシ三次元構造の薄膜を容易に作
製することにある。
ンドーピングや極所的なイオンエツチングが可能な集束
イオンビーム照射系と、高品質薄膜形成系を高真空下で
直結し、試料を大気にふれさせることなく、薄膜形成と
微細加工をくシ返し行なえることを特徴とするもので、
その目的は試料を大気にさらすことなく薄膜形成と微細
加工をくシ返すことによシ三次元構造の薄膜を容易に作
製することにある。
(発明の構成)
上記の目的を達成するため、本発明は高真空下で基板上
に薄膜を形成する機能を有する高真空薄膜作成糸と、基
板上に集束したイオンビームで任意のパターン状にイオ
ンエツチングあるいはイオンドーピングする機能を有す
る集中イオンビーム照射系と、高真空を破ることなく基
板を前記の高真空薄膜作成系より集中イオンビーム照射
系に移動せしめる手段と、逆に前記の集中イオンビーム
照射系よシ前記の高真空fv膜作成系に試料を移動せし
める手段とを備えることを特徴とする三次元構造薄膜製
造装置を発明の要旨とするものである。
に薄膜を形成する機能を有する高真空薄膜作成糸と、基
板上に集束したイオンビームで任意のパターン状にイオ
ンエツチングあるいはイオンドーピングする機能を有す
る集中イオンビーム照射系と、高真空を破ることなく基
板を前記の高真空薄膜作成系より集中イオンビーム照射
系に移動せしめる手段と、逆に前記の集中イオンビーム
照射系よシ前記の高真空fv膜作成系に試料を移動せし
める手段とを備えることを特徴とする三次元構造薄膜製
造装置を発明の要旨とするものである。
次に本発明の実施例を添附図面について説明する。なお
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは云
うまでもない。
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは云
うまでもない。
本発明の装置を以下図面によシ説明する。第1図は本発
明の実施例であって、図においてAは集束イオンビーム
照射系、Bは高真空薄膜作成糸で、集束イオンビーム照
射系Aは次の部材よシ構成されている。すなわちイオン
源1の下方にマスフィルタ2が設けられ、該マスフィル
タの下方に集束レンズ3が設けられ、該集束レンズ3の
下方にブランキング4が設けられ、該ブランキング4の
下方に偏光レンズ5が設けられ、該偏光レンズ5の下方
に基板移動機構付きステージ6が設けられている。7は
試料、10は基板移動機構を示す。9は高真空排気ポン
プで、8はゲートパルプを示す。
明の実施例であって、図においてAは集束イオンビーム
照射系、Bは高真空薄膜作成糸で、集束イオンビーム照
射系Aは次の部材よシ構成されている。すなわちイオン
源1の下方にマスフィルタ2が設けられ、該マスフィル
タの下方に集束レンズ3が設けられ、該集束レンズ3の
下方にブランキング4が設けられ、該ブランキング4の
下方に偏光レンズ5が設けられ、該偏光レンズ5の下方
に基板移動機構付きステージ6が設けられている。7は
試料、10は基板移動機構を示す。9は高真空排気ポン
プで、8はゲートパルプを示す。
高真空薄膜作成系Bは次の部材よシ構成されている。1
2は高真空排気ポンプ、13はゲートパルプ、14.1
5は電子線加熱またはクリーニングなどの蒸着用セル、
17は基板ホルダであシ、16は大気中と真空装置内と
の間に基板を出し入れするパルプである。尚ゲートパル
プ18により集束イオンビーム照射糸Aと高真空薄膜作
成系Bとが分離あるいは連結される。
2は高真空排気ポンプ、13はゲートパルプ、14.1
5は電子線加熱またはクリーニングなどの蒸着用セル、
17は基板ホルダであシ、16は大気中と真空装置内と
の間に基板を出し入れするパルプである。尚ゲートパル
プ18により集束イオンビーム照射糸Aと高真空薄膜作
成系Bとが分離あるいは連結される。
イオン源としては、各種の液体金属を用いることができ
、又共晶系の材料を用いることによ92種以上のイオン
を取シ出すことができ、又マスフィルタを用いてイオン
種の選択を行うものである。
、又共晶系の材料を用いることによ92種以上のイオン
を取シ出すことができ、又マスフィルタを用いてイオン
種の選択を行うものである。
試料7を集束イオンビーム照射系Aと、高真空薄膜作成
系Bとの間で移動させる場合は、ゲートパルプ18を開
くことによって行う。この場合、集束イオン照射系Aと
高真空薄膜作成系Bの圧力が異なると、集束イオン照射
系Aのガスの一部が高真空薄膜作成系Bに、あるいは^
真を薄膜作成系Bのガスの一部が集束イオン照射系Aに
混入するおそれがある。
系Bとの間で移動させる場合は、ゲートパルプ18を開
くことによって行う。この場合、集束イオン照射系Aと
高真空薄膜作成系Bの圧力が異なると、集束イオン照射
系Aのガスの一部が高真空薄膜作成系Bに、あるいは^
真を薄膜作成系Bのガスの一部が集束イオン照射系Aに
混入するおそれがある。
一般に高真空薄膜作製系Bでは、10”−” Torr
以下の高真空を、また集束イオンビーム照射系Aは10
= Torr以下の高真空を維持することが必要である
。しかし、集束イオンビーム照射系A及び高真空薄膜作
成系Bを12と9の真空排気ポンプで独立に真空排気を
行う場合、集束イオンビーム照射系A、高真空薄膜作成
系Bの圧力を同一にすること紘、きわめて困難であ多、
上記の要請から高真全薄膜作成系Bの方が集束イオンビ
ーム照射系Aより高真空である場合の方が多い。
以下の高真空を、また集束イオンビーム照射系Aは10
= Torr以下の高真空を維持することが必要である
。しかし、集束イオンビーム照射系A及び高真空薄膜作
成系Bを12と9の真空排気ポンプで独立に真空排気を
行う場合、集束イオンビーム照射系A、高真空薄膜作成
系Bの圧力を同一にすること紘、きわめて困難であ多、
上記の要請から高真全薄膜作成系Bの方が集束イオンビ
ーム照射系Aより高真空である場合の方が多い。
また集束イオンビーム照射系Aと高真空薄膜作成系Bの
間で試料を移動する場合、ゲートパルプ18を開ける必
要があシ、このとき高真空薄膜作成系Bの方が集束イオ
ンビーム照射系Aよシ圧力が低いと、集束イオンビーム
照射系A内の残留ガスが高真空薄膜作成系Bに流入する
。これは高真空薄膜作成系B内に不純物ガスを混入させ
、その不純物ガスが高真空薄膜作成系Bチャンバ内の壁
面に吸着され、ゲートバルブ18を閉じた後も、高真空
薄膜作成系B内に留まる可能性を持ち、薄膜作製に悪影
響を与える。しかし、第1図に示すように排気系を集束
イオンビーム照射系A、高真空薄膜作成系Bチャンバの
中間に配置すると、集束イオンビーム照射系Aから高真
空薄膜作成系Bに残留ガスが流入するとき、高真空薄膜
作成系Bのチャンバ手前の排気系で排気することができ
、高真空薄膜作成系Bのチャンバ内へ残留不純物ガスが
混入することが防ぐことができるという利点を生じる。
間で試料を移動する場合、ゲートパルプ18を開ける必
要があシ、このとき高真空薄膜作成系Bの方が集束イオ
ンビーム照射系Aよシ圧力が低いと、集束イオンビーム
照射系A内の残留ガスが高真空薄膜作成系Bに流入する
。これは高真空薄膜作成系B内に不純物ガスを混入させ
、その不純物ガスが高真空薄膜作成系Bチャンバ内の壁
面に吸着され、ゲートバルブ18を閉じた後も、高真空
薄膜作成系B内に留まる可能性を持ち、薄膜作製に悪影
響を与える。しかし、第1図に示すように排気系を集束
イオンビーム照射系A、高真空薄膜作成系Bチャンバの
中間に配置すると、集束イオンビーム照射系Aから高真
空薄膜作成系Bに残留ガスが流入するとき、高真空薄膜
作成系Bのチャンバ手前の排気系で排気することができ
、高真空薄膜作成系Bのチャンバ内へ残留不純物ガスが
混入することが防ぐことができるという利点を生じる。
次に本発明装置を用いて作製した三次元構造素子の具体
例を示す。
例を示す。
第2図は集中定数型ジョセフソン接合を2つに分岐させ
たものの等価回路であり、これは、磁束を情報単体とし
た論理素子として用いることができることが知られてい
る。19.20はジョセフソン接合であ)、21は超伝
導体薄膜である。イオン源としてはAu−8i系共晶合
金を装備した本発明装置を用いて作製した第2図に示し
たと同様の機能を持つ三次元構造素子を第3図に示す。
たものの等価回路であり、これは、磁束を情報単体とし
た論理素子として用いることができることが知られてい
る。19.20はジョセフソン接合であ)、21は超伝
導体薄膜である。イオン源としてはAu−8i系共晶合
金を装備した本発明装置を用いて作製した第2図に示し
たと同様の機能を持つ三次元構造素子を第3図に示す。
基板22を高真空薄膜形成系に入れ、超伝導体Nb23
を電子線蒸着によシ形成し、続いて、蒸着法によシ絶縁
層S’1024を蒸着する。次に集束イオンビーム照射
系Aに基板を移動し、ピンホール型ジョセフソン接合部
25のピンホール(直径1μm〜0.05μm)と電極
バット部のための穴をレジストを用いず、Auイオンビ
ームを100Rvで加速してエツチング加工によシ開け
る。次に、基板を高真空薄膜作成系Bに移し、Nb蒸着
を行い、ジョセフソン接合部25と超伝導薄膜26を形
成する。
を電子線蒸着によシ形成し、続いて、蒸着法によシ絶縁
層S’1024を蒸着する。次に集束イオンビーム照射
系Aに基板を移動し、ピンホール型ジョセフソン接合部
25のピンホール(直径1μm〜0.05μm)と電極
バット部のための穴をレジストを用いず、Auイオンビ
ームを100Rvで加速してエツチング加工によシ開け
る。次に、基板を高真空薄膜作成系Bに移し、Nb蒸着
を行い、ジョセフソン接合部25と超伝導薄膜26を形
成する。
このとき、基板は一度も大気中に取勺出していないため
、超伝導体薄膜層23とピンホール型ジョセフソン接合
部25の境界面が汚染されることなく良好にコンタクト
できる。次に、基板を集束イオンビーム照射系Aに移動
し、分岐部の穴27を100 KVのAuの集束イオン
ビームを照射して開ける。次に基板を高真を薄膜作成系
Bに移動し、SiO絶縁体層28を蒸着により形成する
。以上のように1高真鉋薄膜作成系での超伝導体及び絶
縁体の蒸着と集束イオンビーム系でのレジストを用いな
いイオンビーム加工をくシ返すことによシ、第3図に示
した三次元構造集中定数型ジョセフソン線路用論理素子
の作製が可能である。本発明によシ、従来のレジスト塗
付工程を用いた素子作製に比べ、工程数は極端に減少し
、しかも、不純物混入の少ないジョセフソン接合の形成
が可能となる。高真空薄膜形成系の薄膜形成法としては
、蒸着法に限らず、スパッタリング法、イオンビーム蒸
着法などを用いてもよい。
、超伝導体薄膜層23とピンホール型ジョセフソン接合
部25の境界面が汚染されることなく良好にコンタクト
できる。次に、基板を集束イオンビーム照射系Aに移動
し、分岐部の穴27を100 KVのAuの集束イオン
ビームを照射して開ける。次に基板を高真を薄膜作成系
Bに移動し、SiO絶縁体層28を蒸着により形成する
。以上のように1高真鉋薄膜作成系での超伝導体及び絶
縁体の蒸着と集束イオンビーム系でのレジストを用いな
いイオンビーム加工をくシ返すことによシ、第3図に示
した三次元構造集中定数型ジョセフソン線路用論理素子
の作製が可能である。本発明によシ、従来のレジスト塗
付工程を用いた素子作製に比べ、工程数は極端に減少し
、しかも、不純物混入の少ないジョセフソン接合の形成
が可能となる。高真空薄膜形成系の薄膜形成法としては
、蒸着法に限らず、スパッタリング法、イオンビーム蒸
着法などを用いてもよい。
第4図は、本装置を用いて3次元構造パリスティックト
ランジスタを作製した例である。イオン源としてはAu
−8iを用いる。
ランジスタを作製した例である。イオン源としてはAu
−8iを用いる。
高繭度にSlが注入されたGaAe基板29を高真空薄
膜作成系Bに入れ、基板29の上に高純度GaAs30
を0.2pm程度エピタキシャルに形成し、その上に金
などの金属線31を0.1μm程度蒸着によりたい積さ
せる。次にこの基板を集束イオンビーム照射系Aに移し
100 KVのAuの集束イオンビームによるエツチン
グにより金属線31の加工を行う。次に基板を高真空薄
膜作成系Bに移し、GaAo層32全323μm程度エ
ピタキシャルに形成し、再びこの基板を集束イオンビー
ム照射系に移し、50KVの集束S1イオンビームによ
p、GaAsの表面から0.1μm程度までSlをドー
ピングして、n型GaAe層33を形成する。本装置を
用いると特に高純度GaAs 30と32の界面が不純
物の汚染がないため、高純度()aAs 30の上に高
純度GIIAθ 32をエピタキシャルに成長させやす
く、また工程数を大幅に減少できる。
膜作成系Bに入れ、基板29の上に高純度GaAs30
を0.2pm程度エピタキシャルに形成し、その上に金
などの金属線31を0.1μm程度蒸着によりたい積さ
せる。次にこの基板を集束イオンビーム照射系Aに移し
100 KVのAuの集束イオンビームによるエツチン
グにより金属線31の加工を行う。次に基板を高真空薄
膜作成系Bに移し、GaAo層32全323μm程度エ
ピタキシャルに形成し、再びこの基板を集束イオンビー
ム照射系に移し、50KVの集束S1イオンビームによ
p、GaAsの表面から0.1μm程度までSlをドー
ピングして、n型GaAe層33を形成する。本装置を
用いると特に高純度GaAs 30と32の界面が不純
物の汚染がないため、高純度()aAs 30の上に高
純度GIIAθ 32をエピタキシャルに成長させやす
く、また工程数を大幅に減少できる。
第5図は三次元超格子構造を示す。基板上に81または
、化合物半導体を高真空薄膜作成糸でエピタキシャル成
長させる。次に集束イオンビーム照射糸Aに基板を移し
、Bθ、 Sb 、 B 、 As等の不純物イオンの
注入を集束イオンビームを用いて行ない、第5図の81
または化合物半導体薄#[34゜イオンドーピングした
Sl−または化合物半導体35のようなイオン江入層と
イオン注入をしていない層が交互になる層を形成する。
、化合物半導体を高真空薄膜作成糸でエピタキシャル成
長させる。次に集束イオンビーム照射糸Aに基板を移し
、Bθ、 Sb 、 B 、 As等の不純物イオンの
注入を集束イオンビームを用いて行ない、第5図の81
または化合物半導体薄#[34゜イオンドーピングした
Sl−または化合物半導体35のようなイオン江入層と
イオン注入をしていない層が交互になる層を形成する。
次に基板を高真空薄膜作成糸Bに移し、Siまたは化合
物半導体をエピタキシャルに成長させ、再び集束イオン
ビーム照射糸Aに移し、こんどは前と直角の方向に集束
イオンビームでイオンドーピングを行い、第5図の34
〜37の構造を形成することが可能となる。この工程を
くシ返すことによシ、任意の積層数を持つ三次元超格子
構造薄膜の作製が可能である。
物半導体をエピタキシャルに成長させ、再び集束イオン
ビーム照射糸Aに移し、こんどは前と直角の方向に集束
イオンビームでイオンドーピングを行い、第5図の34
〜37の構造を形成することが可能となる。この工程を
くシ返すことによシ、任意の積層数を持つ三次元超格子
構造薄膜の作製が可能である。
(発明の効果)
上記三次元構造デバイスの作製において、本装置を用い
ることKよシ、工程数が減少することはもちろんである
が、薄膜積層において下地層が大気中あるいはレジスト
、レジスト溶剤で汚染されていな、いため、下地層と上
部層界面が理想的に接続されるという利点がある。
ることKよシ、工程数が減少することはもちろんである
が、薄膜積層において下地層が大気中あるいはレジスト
、レジスト溶剤で汚染されていな、いため、下地層と上
部層界面が理想的に接続されるという利点がある。
第1図は本発明装置の一実施例の概略図、第2図は集中
定数型ジョセフソン線路を用いた論理回路の等価回路、
第3図は第2図の等価回路を本発明装置によ多素子化し
た三次元構造集中定数型ジョセフソン線路の製作例、第
4図は本発明装置によシ作製した三次元構造パリスティ
ックトランジスタの製作例、第5図は本発明装置によシ
作製した三次元超格子構造の製作例を示す。 1・・・イオン源、2・・・マスフィルタ、3・・・集
束レンズ、4・・・ブランキング、5・・・偏光コイル
レンズ、6・・・基板移動機構付きステージ、79.基
板、81.。 ゲートパルプ、9・・高真空排気ポンプ、10・・・基
板移動機構、11・・・プンキング、偏光コイル、試料
ステージを制御するコンピュータ、12・・高真空排気
ポンプ、13・・・ゲートパルプ、14・・蒸着用セル
、15・・・蒸着用セル、16・・・ノくルプ、17・
・・基板ホルダ、18・・ゲートノ(ルプ、19・・ジ
ョセフソン、接合、20・・・ジョセフソン接合、21
・・超伝導体薄膜、22・・基板、23・・・超伝導体
薄膜、24・・・絶縁体層、25・・・ピンホール型ジ
ョセフソン接合部、26・・・超伝導体薄膜、27・・
・穴、28・・絶縁体層、29・・・高濃度S1 ドー
プGaAe基板、30・・・高純度()aAe 、31
・・金属線、32・・°高純度GaAs 133−・高
濃度S1 ドープGaAe、34・・・Slまたは化合
物半導体薄膜、35・・・イオンド−ピングしたSlま
たは化合物半導体、36・・・Slまたは化合物半導体
、37・・・イオンドーピングしたSlまたは化合物半
導体 特許出願人 第1図 第2図 第3図 第5図
定数型ジョセフソン線路を用いた論理回路の等価回路、
第3図は第2図の等価回路を本発明装置によ多素子化し
た三次元構造集中定数型ジョセフソン線路の製作例、第
4図は本発明装置によシ作製した三次元構造パリスティ
ックトランジスタの製作例、第5図は本発明装置によシ
作製した三次元超格子構造の製作例を示す。 1・・・イオン源、2・・・マスフィルタ、3・・・集
束レンズ、4・・・ブランキング、5・・・偏光コイル
レンズ、6・・・基板移動機構付きステージ、79.基
板、81.。 ゲートパルプ、9・・高真空排気ポンプ、10・・・基
板移動機構、11・・・プンキング、偏光コイル、試料
ステージを制御するコンピュータ、12・・高真空排気
ポンプ、13・・・ゲートパルプ、14・・蒸着用セル
、15・・・蒸着用セル、16・・・ノくルプ、17・
・・基板ホルダ、18・・ゲートノ(ルプ、19・・ジ
ョセフソン、接合、20・・・ジョセフソン接合、21
・・超伝導体薄膜、22・・基板、23・・・超伝導体
薄膜、24・・・絶縁体層、25・・・ピンホール型ジ
ョセフソン接合部、26・・・超伝導体薄膜、27・・
・穴、28・・絶縁体層、29・・・高濃度S1 ドー
プGaAe基板、30・・・高純度()aAe 、31
・・金属線、32・・°高純度GaAs 133−・高
濃度S1 ドープGaAe、34・・・Slまたは化合
物半導体薄膜、35・・・イオンド−ピングしたSlま
たは化合物半導体、36・・・Slまたは化合物半導体
、37・・・イオンドーピングしたSlまたは化合物半
導体 特許出願人 第1図 第2図 第3図 第5図
Claims (1)
- 高真空下で基板上に薄膜を形成する機能を有する高真空
薄膜作成系と、基板上に集束したイオンビームで任意の
パターン状にイオンエツチングあるいはイオンドーピン
グする機能を有する集中イオンビーム照射系と、高真空
を破ることなく基板を前記の高真空薄膜作成系よシ集中
イオンビーム照射系に移動せしめる手段と、逆に前記の
集中イオンビーム照射系より前記の高真望薄膜作成系に
試料を移動せしめる手段とを備えることを特徴とする三
次元構造薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12952283A JPS6022315A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 三次元構造薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12952283A JPS6022315A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 三次元構造薄膜製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6022315A true JPS6022315A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15011581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12952283A Pending JPS6022315A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 三次元構造薄膜製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6022315A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11264923A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-09-28 | Alcatel Cit | 少なくとも一本の光導体及び水素吸収物質を含む実質的に気密の金属管をもつケ―ブル |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP12952283A patent/JPS6022315A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11264923A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-09-28 | Alcatel Cit | 少なくとも一本の光導体及び水素吸収物質を含む実質的に気密の金属管をもつケ―ブル |
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