JPH0469985A - 超伝導素子 - Google Patents
超伝導素子Info
- Publication number
- JPH0469985A JPH0469985A JP2182106A JP18210690A JPH0469985A JP H0469985 A JPH0469985 A JP H0469985A JP 2182106 A JP2182106 A JP 2182106A JP 18210690 A JP18210690 A JP 18210690A JP H0469985 A JPH0469985 A JP H0469985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- superconducting
- deposited
- microfabrication
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超伝導素子に関する。
高集積化した超伝導素子を作製するためには半導体素子
と同様に必ずといってよいほど微細加工技術が必要とな
る。
と同様に必ずといってよいほど微細加工技術が必要とな
る。
従来の酸化物超伝導素子作製のための微細加工は、成膜
と微細加工が独立して行なわれている。
と微細加工が独立して行なわれている。
すなわち−層成膜するごとに成膜室から取り出して微細
加工している。例えば「電子情報通信学会技術研究報告
」、第８８巻 第１４６号、１９８８年 ４７〜５２頁
に記載されているような酸化物超伝導トランジスタの作
製では超伝導薄膜を形成し成膜室から取り出して微細加
工して、その上にソース及びドレイン電極形成のためＡ
ｇを蒸着し再び取り出して微細加工する。さらに、ゲー
ト電極形成のためＡ１を蒸着し取り出して微細加工して
いる。
加工している。例えば「電子情報通信学会技術研究報告
」、第８８巻 第１４６号、１９８８年 ４７〜５２頁
に記載されているような酸化物超伝導トランジスタの作
製では超伝導薄膜を形成し成膜室から取り出して微細加
工して、その上にソース及びドレイン電極形成のためＡ
ｇを蒸着し再び取り出して微細加工する。さらに、ゲー
ト電極形成のためＡ１を蒸着し取り出して微細加工して
いる。
また、酸化物超伝導薄膜−層の微細加工技術は超伝導薄
膜形成後成膜室から膜を外に取り出し、例えば「ＪＡＰ
ＡＮＥＳＥ ：ｒｏ［ＨｙｈＬＯＦ ＡＰＰＬ工ＥＤＰ
ＨＹＳＩＣｓＪ、第２６巻 第９号、１９８７年Ｌ１５
５５〜Ｌ１５５４頁に記載されているような燐酸ＣＨｓ
Ｐｏ＋＞溶液を用いたウェット・プロセス、あるいは「
、ＴＡＰＡＮＫＳＥ 、ＴＯＵＲＮＡＬ ０ＦＡＰＰＬ
工ＫＤ ＰＨＹＳ工Ｃ！ＳＪ、第２７巻 第８号、１９
８８年 Ｌ１５２１〜Ｌ１５２３頁に記載されているよ
うなイオンビームエッチンク（以下よりＥと略記する。
膜形成後成膜室から膜を外に取り出し、例えば「ＪＡＰ
ＡＮＥＳＥ ：ｒｏ［ＨｙｈＬＯＦ ＡＰＰＬ工ＥＤＰ
ＨＹＳＩＣｓＪ、第２６巻 第９号、１９８７年Ｌ１５
５５〜Ｌ１５５４頁に記載されているような燐酸ＣＨｓ
Ｐｏ＋＞溶液を用いたウェット・プロセス、あるいは「
、ＴＡＰＡＮＫＳＥ 、ＴＯＵＲＮＡＬ ０ＦＡＰＰＬ
工ＫＤ ＰＨＹＳ工Ｃ！ＳＪ、第２７巻 第８号、１９
８８年 Ｌ１５２１〜Ｌ１５２３頁に記載されているよ
うなイオンビームエッチンク（以下よりＥと略記する。
）によるドライプロセスにより微細加工されている。ウ
ェットプロセスではＨ５ｐｏ４の他に塩酸（ＨＯ工）、
硝酸（ＨＮＯ５）、硫酸（１（２３０４）溶液等が用い
られており、ドライプロセスではよりＥのほかにイオン
注入。
ェットプロセスではＨ５ｐｏ４の他に塩酸（ＨＯ工）、
硝酸（ＨＮＯ５）、硫酸（１（２３０４）溶液等が用い
られており、ドライプロセスではよりＥのほかにイオン
注入。
レーザーエツチング、反応性イオンエツチング（Ｒ工Ｅ
）、集束イオンビームエツチング（ＦよりＥ）等が用い
られている。
）、集束イオンビームエツチング（ＦよりＥ）等が用い
られている。
しかしながら前述のような従来の酸化物超伝導素子作製
のための微細加工は、−層ごと成膜しその度取り出して
行なうので工程が複雑になる。さらに大気にさらすこと
により膜の表面が汚染されると同時に、酸化物超伝導体
は水分に敏感でありわずかな水分によっても特性が劣化
してしまい、特に微細加工後は表面積も増大するのでそ
の影響は著しい。従って、再現性及び歩留まりが悪くな
るという問題点を有する。
のための微細加工は、−層ごと成膜しその度取り出して
行なうので工程が複雑になる。さらに大気にさらすこと
により膜の表面が汚染されると同時に、酸化物超伝導体
は水分に敏感でありわずかな水分によっても特性が劣化
してしまい、特に微細加工後は表面積も増大するのでそ
の影響は著しい。従って、再現性及び歩留まりが悪くな
るという問題点を有する。
酸化物超伝導薄膜の微細加工について見ると、イオン注
入及びＦよりＥは前述の他の方法と違℃・パターニング
・マスクを必要としないので、レジストによる膜表面へ
の汚染が無い点で有利であるまた、ＦよりＥ、イオン注
入においてはサブミクロンオーダーの微細化が可能であ
り、高集積化した素子を得ることが出来る。しかし、レ
ジストによる汚染が防げても成膜後大気にさらし微細加
工する場合、上述したように大気により表面が汚染され
水分により特性が劣化する恐れがある。従って安定した
再現性および歩留まりを得るという点で問題がある。
入及びＦよりＥは前述の他の方法と違℃・パターニング
・マスクを必要としないので、レジストによる膜表面へ
の汚染が無い点で有利であるまた、ＦよりＥ、イオン注
入においてはサブミクロンオーダーの微細化が可能であ
り、高集積化した素子を得ることが出来る。しかし、レ
ジストによる汚染が防げても成膜後大気にさらし微細加
工する場合、上述したように大気により表面が汚染され
水分により特性が劣化する恐れがある。従って安定した
再現性および歩留まりを得るという点で問題がある。
そこで本発明はこのような従来の問題点を解決するもの
で、その目的とするところは薄膜形成後膜を大気にさら
すことなく連続的にその場微細加工し、これを綴り返す
ことによって歩留まりを向上させさらに再現性のよい高
集積化した酸化物超伝導素子を提供することにある。
で、その目的とするところは薄膜形成後膜を大気にさら
すことなく連続的にその場微細加工し、これを綴り返す
ことによって歩留まりを向上させさらに再現性のよい高
集積化した酸化物超伝導素子を提供することにある。
本発明の超伝導素子は、酸化物超伝導薄膜を大気にさら
すことな（連続的にその場微細加工して作製する超伝導
素子において、その場微細加工は超高真空状態で行なう
イオン注入によることを特徴とする。
すことな（連続的にその場微細加工して作製する超伝導
素子において、その場微細加工は超高真空状態で行なう
イオン注入によることを特徴とする。
以下本発明の実施例について説明する。
第１図は、本発明の一実施例である薄膜作製装置と微細
加工装置を搬送路５０を介して複合化した装置を示す図
である。薄膜作製装置としては分子線エピタキシー（以
下ＭＢＫと略記する。）１を用い、微細加工装置として
はパターニング・マスク無しのイオン注入装置２を用い
る。これは、レジストを使用しない清浄なプロセスであ
るからＭＢＫのような高真空結晶成長技術との複合化が
容易である。また、各々の装置について真空ポンプ３が
備えられておりロードロック方式によりＭＢＥ装置とイ
オン注入装置を隔離し別々に真空引きすることができ、
搬送路も真空状態に保つことが出来る。
加工装置を搬送路５０を介して複合化した装置を示す図
である。薄膜作製装置としては分子線エピタキシー（以
下ＭＢＫと略記する。）１を用い、微細加工装置として
はパターニング・マスク無しのイオン注入装置２を用い
る。これは、レジストを使用しない清浄なプロセスであ
るからＭＢＫのような高真空結晶成長技術との複合化が
容易である。また、各々の装置について真空ポンプ３が
備えられておりロードロック方式によりＭＢＥ装置とイ
オン注入装置を隔離し別々に真空引きすることができ、
搬送路も真空状態に保つことが出来る。
第２図にこの装置を用いて作製した一実施例である酸化
物超伝導体を用いた近接効果ジョセフソン電界効果トラ
ンジスタ（以下ＪＯＦＥＴと略記する。）の断面図を示
す。第６図にその作製工程を示す。結晶基板１５として
酸化物超伝導体がエピタキシャル成長し易いＭｇＯ（１
０ｏ ）、Ｉ結晶基板を用いる。酸化物超伝導体として
は嘔結晶が得やすいＹＥａ２Ｃｕ３ｏ７を用いる。
物超伝導体を用いた近接効果ジョセフソン電界効果トラ
ンジスタ（以下ＪＯＦＥＴと略記する。）の断面図を示
す。第６図にその作製工程を示す。結晶基板１５として
酸化物超伝導体がエピタキシャル成長し易いＭｇＯ（１
０ｏ ）、Ｉ結晶基板を用いる。酸化物超伝導体として
は嘔結晶が得やすいＹＥａ２Ｃｕ３ｏ７を用いる。
まず第６図（ｃＬ）においてＭＢＥチャンバー中で超伝
導薄膜１６を形成する。この時、チャンバー中の初期真
空度は１０−”ＴＯｒｒ代である。蒸着物質としてイツ
トリウム（ｙ）１ｏ、バリウム（Ｂａ）１１．銅（Ｏｕ
）１２の金属をそれぞれ用いＫ −Ｏｅ １１により三
元同時蒸着する。チャンバー中は高真空状態であるから
効率よく膜中に酸素を入れるためＲＦプラズマ８により
活性な酸素を基板付近に供給する。この時、膜厚は１０
００又とする。得られる超伝導薄膜の表面は非常になめ
らかであり、Ｃ軸方向にエピタキシャル成長している。
導薄膜１６を形成する。この時、チャンバー中の初期真
空度は１０−”ＴＯｒｒ代である。蒸着物質としてイツ
トリウム（ｙ）１ｏ、バリウム（Ｂａ）１１．銅（Ｏｕ
）１２の金属をそれぞれ用いＫ −Ｏｅ １１により三
元同時蒸着する。チャンバー中は高真空状態であるから
効率よく膜中に酸素を入れるためＲＦプラズマ８により
活性な酸素を基板付近に供給する。この時、膜厚は１０
００又とする。得られる超伝導薄膜の表面は非常になめ
らかであり、Ｃ軸方向にエピタキシャル成長している。
なお、バルブ７によりＭＢＥとイオン注入装置は隔てら
れている。
れている。
続いてＭＢＫチャンバー中と同じくろいの圧力まで真空
引きしであるイオン注入装置中にバルブ７を開は超伝導
薄膜を移す。予め真空引きする事により、成膜と微細加
工を独立して行なう場合より時間が短縮できる。そして
第３図（ｂ）に示すようにイオン注入し絶縁部分１７を
形成する。移動は先端が基板ホルダーを挾めるような構
造にしである搬送用のバー３１を用い基板ホルダーごと
行なう。この時基板を基板ホルダーごと裏返す。
引きしであるイオン注入装置中にバルブ７を開は超伝導
薄膜を移す。予め真空引きする事により、成膜と微細加
工を独立して行なう場合より時間が短縮できる。そして
第３図（ｂ）に示すようにイオン注入し絶縁部分１７を
形成する。移動は先端が基板ホルダーを挾めるような構
造にしである搬送用のバー３１を用い基板ホルダーごと
行なう。この時基板を基板ホルダーごと裏返す。
基板ホルダーはＭＢＫ装置、イオン注入装置両方に共通
であり、かつ基板が挾み込めるような構造にし裏返して
も基板は落ちない。搬送後はバルブを閉じる。イオン注
入のイオン源としては酸素を用い、注入エネルギー１５
０にθ■、注入量２５＊ １０” ｉｏｎ ８／ｃｄｅ
ビーム電流２００ｎＡとする。イオンビーム径は、０１
μｍに絞る。微細イオンビームによる注入でも原子の散
乱のため注入部はビーム径より大きくなるので実際の絶
縁部分の幅は０．５μｍとなる。当然パターニング・マ
スクは用いない。超高真空中プロセスであるがら酸素イ
オンは安定に動作し従ってサブミクロンオーダーの微細
化が可能となる。絶縁部分を形成後再びバルブを開は基
板を裏返しＭＥＥ装置中に戻す。イオン注入は高真空中
で行なうので酸素プラズマ中で膜を充分酸化させる必要
がある。続いて第３図（Ｃ）に示すようにＡｇ１８を形
成し、２つの超伝導電極を結合させマイクロブリッジを
作る。まずメタルマスク２０を基板直下に導入し、Ｋ−
００１１を用いて、Ａｇ９を８００久程度蒸着する。マ
スクと基板の回転速度は同じにする。
であり、かつ基板が挾み込めるような構造にし裏返して
も基板は落ちない。搬送後はバルブを閉じる。イオン注
入のイオン源としては酸素を用い、注入エネルギー１５
０にθ■、注入量２５＊ １０” ｉｏｎ ８／ｃｄｅ
ビーム電流２００ｎＡとする。イオンビーム径は、０１
μｍに絞る。微細イオンビームによる注入でも原子の散
乱のため注入部はビーム径より大きくなるので実際の絶
縁部分の幅は０．５μｍとなる。当然パターニング・マ
スクは用いない。超高真空中プロセスであるがら酸素イ
オンは安定に動作し従ってサブミクロンオーダーの微細
化が可能となる。絶縁部分を形成後再びバルブを開は基
板を裏返しＭＥＥ装置中に戻す。イオン注入は高真空中
で行なうので酸素プラズマ中で膜を充分酸化させる必要
がある。続いて第３図（Ｃ）に示すようにＡｇ１８を形
成し、２つの超伝導電極を結合させマイクロブリッジを
作る。まずメタルマスク２０を基板直下に導入し、Ｋ−
００１１を用いて、Ａｇ９を８００久程度蒸着する。マ
スクと基板の回転速度は同じにする。
分子線は平行に飛ぶので他の部分への回り込みはほとん
ど無い。
ど無い。
上記の方法で作製した場合、従来の歩留りは５０％位で
あったのに対して８０％という高い歩留りで再現性よ（
、ＴＯＦＥＴを得ることができた。
あったのに対して８０％という高い歩留りで再現性よ（
、ＴＯＦＥＴを得ることができた。
この時、７７Ｋにおいて臨界電流ＩＣ＝ ＩＤＯμＡ
、常伝導抵抗Ｒｎ ” ０．８Ω、工ＣＲｎ＝８０μ■
の特性が得られている。Ｆ工ＥＫによる微細加工が積層
型素子に適しているのに対し、イオン注入による微細加
工はブレーナ（平面）型素子作製に適している。ここに
挙げた実施例はあくまでも一実施例に過ぎず、ＪＯＦＥ
Ｔの他ＳＱＵより、弱結合型ジョセフソン接合素子、超
伝導配線等に応用することもできる。
、常伝導抵抗Ｒｎ ” ０．８Ω、工ＣＲｎ＝８０μ■
の特性が得られている。Ｆ工ＥＫによる微細加工が積層
型素子に適しているのに対し、イオン注入による微細加
工はブレーナ（平面）型素子作製に適している。ここに
挙げた実施例はあくまでも一実施例に過ぎず、ＪＯＦＥ
Ｔの他ＳＱＵより、弱結合型ジョセフソン接合素子、超
伝導配線等に応用することもできる。
以上述べたように本発明によれば、薄膜形成後大気にさ
らすことな（連続的にその場微細加工することにより歩
留まりを向上させ再現性及び特性のよい酸化物超伝導素
子を提供することができるという効果を有する。また、
成膜と微細加工を独立して行な５場合より時間が短縮で
きる。
らすことな（連続的にその場微細加工することにより歩
留まりを向上させ再現性及び特性のよい酸化物超伝導素
子を提供することができるという効果を有する。また、
成膜と微細加工を独立して行な５場合より時間が短縮で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の超伝導素子を作製するための一実施
例である薄膜作製装置と微細加工装置を搬送路を介して
複合化した装置を示す図。 第２図は、本発明の一実施例である近接効果ジョセフソ
ン電界素子の断面図。 第５図は、第２図の近接効果ジョセフソン電界効果素子
の作製工程を示す図。 １・・・・・・・・・ＭＢＥ装置 ２・・・・・・・・・イオン注入装置 ３・・・・・・・−・真空ポンプ ４・・・・・・・・・結晶基板 ５・・・・・・・・・４タルマスク ６・・・・・・・・・シャッター ７・・・・・・・・・バルブ ８・・・・・・・・・Ｒｐプラズマ ９・・・・・・・・・ＡｇとＫ −Ｃｅ １１ｉ ｏ
−−−−−・・−ｙとに−Ｃｅｌ１１ ｔ −−−−−
−−＝ Ｅ ａとに−Ｃｅｌ１１２７−−−−−′ＯＬ
ｔとに−Ｃｅｌ１１４・・・・・・−・イオン源 １５・・・・・・・・・Ｍ ｇＯ基板 １６・・・・・・・・・酸化物超伝導薄膜１７・・・・
・・・・・絶縁部分 ８ ・・・・・・・・・ Ａｇ Ｏ・・・・・・・・・メタルマスク ０・・・・・・・・・搬送路 １・・・・・・・・・搬送用バー
例である薄膜作製装置と微細加工装置を搬送路を介して
複合化した装置を示す図。 第２図は、本発明の一実施例である近接効果ジョセフソ
ン電界素子の断面図。 第５図は、第２図の近接効果ジョセフソン電界効果素子
の作製工程を示す図。 １・・・・・・・・・ＭＢＥ装置 ２・・・・・・・・・イオン注入装置 ３・・・・・・・−・真空ポンプ ４・・・・・・・・・結晶基板 ５・・・・・・・・・４タルマスク ６・・・・・・・・・シャッター ７・・・・・・・・・バルブ ８・・・・・・・・・Ｒｐプラズマ ９・・・・・・・・・ＡｇとＫ −Ｃｅ １１ｉ ｏ
−−−−−・・−ｙとに−Ｃｅｌ１１ ｔ −−−−−
−−＝ Ｅ ａとに−Ｃｅｌ１１２７−−−−−′ＯＬ
ｔとに−Ｃｅｌ１１４・・・・・・−・イオン源 １５・・・・・・・・・Ｍ ｇＯ基板 １６・・・・・・・・・酸化物超伝導薄膜１７・・・・
・・・・・絶縁部分 ８ ・・・・・・・・・ Ａｇ Ｏ・・・・・・・・・メタルマスク ０・・・・・・・・・搬送路 １・・・・・・・・・搬送用バー
Claims (1)
- 酸化物超伝導薄膜を大気にさらすことなく成膜から連
続的にその場微細加工して作製する超伝導素子において
、その場微細加工は超高真空状態で行なうイオン注入に
よることを特徴とする超伝導素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182106A JPH0469985A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 超伝導素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182106A JPH0469985A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 超伝導素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469985A true JPH0469985A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16112445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182106A Pending JPH0469985A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 超伝導素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090275924A1 (en) * | 2006-04-26 | 2009-11-05 | Eastern Virginia Medical School | Systems and Methods for Monitoring and Controlling Internal Pressure of an Eye or Body Part |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2182106A patent/JPH0469985A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090275924A1 (en) * | 2006-04-26 | 2009-11-05 | Eastern Virginia Medical School | Systems and Methods for Monitoring and Controlling Internal Pressure of an Eye or Body Part |
| US9381301B2 (en) * | 2006-04-26 | 2016-07-05 | Eastern Virginia Medical School | Systems and methods for monitoring and controlling internal pressure of an eye or body part |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5322526A (en) | Method for manufacturing a superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material | |
| US5434127A (en) | Method for manufacturing superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer | |
| JPH104222A (ja) | 酸化物超電導体素子及びその製造方法 | |
| EP0484253A2 (en) | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same | |
| JPH01161881A (ja) | ジョセフソン素子およびその製造方法 | |
| JP2963614B2 (ja) | 酸化物超電導体接合素子の製造方法 | |
| US5854493A (en) | Superconduting device having an extremely short superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same | |
| JPH0469985A (ja) | 超伝導素子 | |
| US5714767A (en) | Method for manufacturing superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer and superconducting device manufactured thereby | |
| JP2662908B2 (ja) | 酸化物超伝導装置の作製方法 | |
| JPH04275470A (ja) | 超電導体／絶縁体層構造からなる製品、およびその製品の製造方法 | |
| JP2680949B2 (ja) | 超電導電界効果型素子の作製方法 | |
| JPH0469984A (ja) | 超伝導素子 | |
| JP3216089B2 (ja) | 超電導デバイスの製造方法並びにそれを用いた超電導トランジスタ | |
| JP2641971B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 | |
| JPS5979585A (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 | |
| JP2517081B2 (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JP2969068B2 (ja) | 超伝導素子の製造方法 | |
| JPS6257260A (ja) | 超電導トランジスタ | |
| JP2641976B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 | |
| JPH01205481A (ja) | Ｄｃ−ｓｑｕｉｄの製造方法 | |
| JPH0335571A (ja) | トンネル素子 | |
| JPH039579A (ja) | 酸化物超伝導パターン | |
| JPH06132577A (ja) | 酸化物超伝導ジョセフソン素子の作製方法 | |
| JPH0469983A (ja) | 超伝導素子 |