JPS60219748A - Pattern formation by dry etching - Google Patents
Pattern formation by dry etchingInfo
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- JPS60219748A JPS60219748A JP7702384A JP7702384A JPS60219748A JP S60219748 A JPS60219748 A JP S60219748A JP 7702384 A JP7702384 A JP 7702384A JP 7702384 A JP7702384 A JP 7702384A JP S60219748 A JPS60219748 A JP S60219748A
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体集積回路装置（ＩＣ）などの半導体基
板またはフォトマスク用基板の主面上に形成された金属
膜などの被エツチング膜のパターンをドライエツチング
によって形成する方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a pattern of a film to be etched such as a metal film formed on the main surface of a semiconductor substrate such as a semiconductor integrated circuit device (IC) or a substrate for a photomask. This relates to a method of forming by dry etching.
ＩＣなどの半導体装置やフォトマスクを製造する際に、
これらの基板の主面上に形成された金属膜などの被エツ
チング膜の微細パターンを形成するためには、写真製版
技術は不可欠である。最近、電子ビーム露光装置またＶ
ｉｘ＃ｉ！露光装置とりアクティブイオンエツチング（
Ｒ工Ｅ）装置などのドライエツチング装置とを用いる写
真製版技術が研究され実用化されている。When manufacturing semiconductor devices such as ICs and photomasks,
Photolithography is indispensable in order to form fine patterns in etched films such as metal films formed on the main surfaces of these substrates. Recently, electron beam exposure equipment and V
ix#i! Active ion etching using exposure equipment (
Photolithography techniques using dry etching equipment such as R (E) equipment have been researched and put into practical use.
以下、フォトマスクを製造する方法を例にとり説明する
。Hereinafter, a method for manufacturing a photomask will be explained as an example.
第１図（Ａｌ−（（２）はフォトマスクの従来の製造方
法の一例の主要段階における状態を示す断面図である。FIG. 1 (Al-(2) is a sectional view showing the main stages of an example of a conventional method for manufacturing a photomask.
オす、第１図囚に示すように、ガラス基板（］）の主面
上に蒸着装置を用いて６００膜程度の膜厚を有する金属
クロム（Ｏｒ）膜（２）を形成し、このＣｒ膜（２）の
表面上にスピンナーなとの塗布装置を用いて４００ＯＡ
程度の膜厚を有する電子ビーム用のレジスト０ＥＢＲ−
１００（東京応化社商品名）膜（３）を形成し、しかる
のち１７０″Ｃ程度の温度で約２０分間のベーキングを
行う。As shown in FIG. 400OA was applied onto the surface of the film (2) using a coating device such as a spinner.
Electron beam resist 0EBR- with a film thickness of
100 (Tokyo Ohka Co., Ltd. trade name) film (3) is formed, and then baked at a temperature of about 170''C for about 20 minutes.
次に、第１図（Ｂ） Ｋ示すように、Ｃｒ膜（２）の所
定パターンに形成される部分に対応するレジスト０ＫＢ
Ｒ−１００膜（３）の部分に電子ビーム露光装置を用い
て図示矢印の方向から５ Ｘ １０ ’クーロン（０）
／ ｃｍ”程度のドーズ慮の電子ビームを照射する。Next, as shown in FIG.
The R-100 film (3) was exposed to 5 x 10' coulombs (0) from the direction of the arrow using an electron beam exposure device.
irradiate with an electron beam with a dose of approximately 1/cm".
次に、第１図（Ｃ）Ｋ示すように、メチルエチルケト７
（ＭＤＫ） ａ量に対してエタノール１量の割合で混
合した現像液を用いてレジスト０ＥＢＲ−１００膜（３
）シスト０ＫＢＲ−１００膜（３ａ） ’に残す。次い
で、レジスト０ＫＢＲ−１００膜（３ａ）をリンスし乾
燥する。Next, as shown in FIG. 1(C)K, methyl ethyl keto 7
(MDK) Resist 0EBR-100 film (3
) Leave the cyst 0KBR-100 membrane (3a)'. Next, the resist 0KBR-100 film (3a) is rinsed and dried.
次に、第１図（Ｄ）に示すように、レジス） ０ＥＢＲ
−１００膜（３ａ） ｆ−ｒスフとして、Ｃｒ膜（２）
にＲＩＥ装置などのドライエツチング装置を用いて酸素
（０２）と四塩化炭素（ＣＣム）との混合ガスのプラズ
マによるエラチングラ織してレジスト０ＢＢＲ−１００
膜（３ａ）の下に上記所定パターンを有するＣｒ膜（２
ａ）を形成する。このとき、０２およびＣＣムの混合ガ
スの圧力は０．２Ｔｏｒｒ程度に設定さねており、ガラ
ス基板（１）の温度は２σＣ程度に設定されている。Next, as shown in FIG. 1(D), 0EBR
-100 film (3a) Cr film (2) as f-r fabric
Using a dry etching device such as an RIE device, the resist 0BBR-100 was etched using a plasma of a mixed gas of oxygen (02) and carbon tetrachloride (CCM).
A Cr film (2) having the above-mentioned predetermined pattern is placed under the film (3a).
Form a). At this time, the pressure of the mixed gas of 02 and CC is set to about 0.2 Torr, and the temperature of the glass substrate (1) is set to about 2σC.
このｏ２およびＯ（’ｔ４の混合ガスのプラズマによる
Ｃｒ膜（２）へのエツチングの機構は、この混合ガスの
プラズマ中に生成する酸素ラジカル（０傘）および塩素
ラジカル＜ｃｔつとＣｒ膜（２）との闇に、下記反応式
の反応が生ずることによるものと考えられている。The mechanism of etching the Cr film (2) by the plasma of this mixed gas of o2 and O('t4) is that oxygen radicals (0 umbrella) and chlorine radicals (<ct) generated in the plasma of this mixed gas and the Cr film (2) ), it is thought that this is due to the reaction of the following reaction formula occurring.
Ｏｒ＋２・Ｏ°＋ ２−ＯＬ” −＋ Ｃｒ０ａ Ｃ１
２↑この０２およびＣＣ１ａの混合ガスのプラズマによ
るＣｒ膜（２）へのエツチング速度け、０２とＣ！ Ｃ
１４との混合比（体積比）が１９（Ｏａ） ： ５（０
０ｔ４）であるときに最大になり、ガラス基板（１）す
なわちＣｒ膜（２）の温度が２０℃である場合には３Ｏ
Ａ／Ｔｏｉｎ、程度である。従って、６００膜程度の膜
厚を有するＣｒ膜（２）ヲエッチングするに必要な時間
は約２０分である。Or+2・O°+ 2-OL” −+ Cr0a C1
2↑The etching rate of the Cr film (2) by the plasma of this mixed gas of 02 and CC1a, 02 and C! C
The mixing ratio (volume ratio) with 14 is 19 (Oa): 5 (0
0t4), and when the temperature of the glass substrate (1), that is, the Cr film (2) is 20°C, 3O
A/Toin. Therefore, the time required to etch the Cr film (2) having a thickness of approximately 600 mm is approximately 20 minutes.
最後に、第１図（Ｂ）に示すように、レジスト０ＦＪＲ
−１００膜（３ａ） ’ｉ除去すると、ガラス基板＋Ｉ
＋の主面ＬＫ ｉ配所定パターンを有するＣｒ膜（急）
が形成されたこの従来例の方法になるフォトマスクが得
られる。Finally, as shown in FIG. 1(B), resist 0FJR
-100 film (3a) 'i removed, glass substrate + I
+ main surface LK i Cr film with predetermined pattern (steep)
A photomask is obtained by this conventional method in which a is formed.
ところで、この従来例の方法では、レジスト０ＫＢＲ−
１００Ｍ （３ａ）が０２および０Ｃ１ａの混合ガスの
プラズマに対する耐性が悪いので、レジスト０ＫＢＲ−
１００膜（３ａ）の膜べりが大きく、微細パターンのＣ
ｒ膜（２ａ）を精度よく形成することが容易でけないと
いう欠点があった。また、Ｃｒ膜（２）へのエツチング
時間が約２０分であるので、バッチ処理が容易なウェッ
トエツチングに比べて生産性が悪いという欠点もあった
・
〔発明の概要〕 。By the way, in this conventional method, the resist 0KBR-
Since 100M (3a) has poor resistance to plasma of mixed gas of 02 and 0C1a, resist 0KBR-
100 film (3a) has large film wear and fine pattern C.
There was a drawback that it was not easy to form the r film (2a) with high precision. In addition, since the etching time for the Cr film (2) is approximately 20 minutes, there is also the drawback that productivity is lower than that of wet etching, which is easier to process in batches. [Summary of the Invention]
この発明は、Ｌ述の欠点を除去する目的でなされたもの
で、基板の主面上に形成され酸素ラジカルおよび塩素ラ
ジカルとの反応によってエツチング可能な材料からなる
被エツチング膜の所定パターンの部分の長面上にレジス
ト膜全形成し、このレジスト膜をマスクとして被エツチ
ング膜に酸素ぶよび有機塩素系ハロカーボンの混合ガス
のプラズマ中におけるエツチングを施し、上記所定パタ
ーンを有する被エツチング膜を形成する方法において、
酸素および有機塩素系ハロカーボンの混合ガスに所定蓋
の有機フッ素系ハロカーボンを添加することによって、
微細パターンの被エツチング膜を精度よく形成すること
ができ、しかも生産性のよいドライエツチングによるパ
ターンの形成方法を提供するものである。This invention has been made for the purpose of eliminating the drawbacks mentioned in L above, and is aimed at removing a predetermined pattern of a portion of a film to be etched, which is formed on the main surface of a substrate and is made of a material that can be etched by reaction with oxygen radicals and chlorine radicals. A resist film is entirely formed on the long surface, and using this resist film as a mask, the film to be etched is etched in a plasma of a mixed gas of oxygen and organic chlorine-based halocarbon to form a film to be etched having the above-mentioned predetermined pattern. In the method,
By adding a specified amount of organic fluorine-based halocarbon to a mixed gas of oxygen and organic chlorine-based halocarbon,
It is an object of the present invention to provide a method of forming a pattern by dry etching, which can form a finely patterned film to be etched with high precision and has good productivity.
第２図（Ａ）〜（Ｅ）Ｖｉフォトマスクの製造に適用し
たこの発明の一実鉋例の主要段階における状態を示す断
面図である。FIGS. 2(A) to 2(E) are cross-sectional views showing the main stages of an example of the present invention applied to the manufacture of a Vi photomask.
図において、第１図に示した符号と同一符号は同等部分
を示す。In the figure, the same symbols as those shown in FIG. 1 indicate equivalent parts.
１ず、第２図（Ａ）に示すように、従来例の第１図（Ａ
）Ｋ示した段階と同様に、ガラス基板（１）の主面上に
この実施例での被エツチング膜であるＣｒ膜（２）およ
びこの実施例でのレジスト膜であるレジスト０ＫＢＲ−
１００膜（３）を順次形成したのちに、ベーキングを行
う。1. As shown in FIG. 2(A), the conventional example shown in FIG.
)KSimilarly to the stage shown, a Cr film (2), which is the film to be etched in this example, and a resist 0KBR-, which is the resist film in this example, are deposited on the main surface of the glass substrate (1).
After 100 films (3) are sequentially formed, baking is performed.
次Ｋ、第２図（Ｂ） Ｋ示すように、従来例の第１図（
Ｂ）に示した段階と同様に、Ｃｒｌ［ｔｚ＋の所定パタ
ーンに形成される部分に対応するレジス） ０ＫＢＲ−
１００膜（３）の部分に図示矢印の方向から５ Ｘ ｌ
ｏ’−’ ｃ／Ｃｍ ”程度のドーズ量の電子ビームを
照射する。Next K, Fig. 2 (B) As shown in K, Fig. 1 of the conventional example (
Similarly to the step shown in B), Crl [regs corresponding to the portion formed in the predetermined pattern of tz+) 0KBR-
100 membrane (3) from the direction of the arrow shown in the figure.
The electron beam is irradiated with a dose of about o'-'c/Cm''.
次Ｋ、第２図（０） Ｋ示すように、従来例の第１図（
ＣりＫ示した段階と同様に、ＭＥＫ ａ量に対してエタ
ノール１量の割合で混合した現俸液を用いてレジス）
０ＢＢＲ−１００膜（３）の電子ビームが照射されてい
ない部分を除去してＣｒ膜（２）の表面上に上記所定パ
ターンを有するレジストＯ］ＩｃＢＲ−１００膜（３ａ
） を残す。次いで、レジスト０ＫＢＲ−１００１［（
３ａ）をリンスし乾燥する。Next K, Fig. 2 (0) As shown in K, Fig. 1 of the conventional example (
Similar to the stage shown above, register using the current solution mixed at a ratio of 1 part of ethanol to the amount of MEK a)
The part of the 0BBR-100 film (3) that is not irradiated with the electron beam is removed to form a resist having the above-mentioned predetermined pattern on the surface of the Cr film (2).
). Next, resist 0KBR-1001 [(
3a) Rinse and dry.
次に、第２図（ｌに示すように、レジス） ０ＥＢＲ−
１００膜（３ａ）をマスクとして、Ｏａ、この実施例で
の有機塩素系ハロカーボンであるＣＣＬおよびこの実施
例での有機フッ素系ハロカーボンである四フッ化炭素（
ＣＦ４）を体積比１９（０２） ： ５（ＣＩＣム）：
３（ＯＦ４）で混合した混合ガスのプラズマによるエツ
チングをＣｒ膜（２１に施してレジストＯＦ：ＢＲ−１
００膜（３ａ）の下に上記所定パターンを有するＣｒ膜
（２ａ）全形成する。このとき、このＯｎ、 ＣＣＬｔ
４およびＣＦ４の混合ガスの圧力は０．２Ｔｏｒｒ程度
に設定されており、ガラス基板（１）の温度は２０℃程
度に設定されている。Then, in Fig. 2 (as shown in l, Regis) 0EBR-
100 film (3a) as a mask, Oa, CCL, which is an organic chlorine-based halocarbon in this example, and carbon tetrafluoride (which is an organic fluorine-based halocarbon in this example)
CF4) at a volume ratio of 19 (02): 5 (CIC):
3 (OF4), the Cr film (21) was etched by the plasma of the mixed gas to form a resist OF: BR-1.
A Cr film (2a) having the above-mentioned predetermined pattern is entirely formed under the 00 film (3a). At this time, this On, CCLt
The pressure of the mixed gas of CF4 and CF4 is set to about 0.2 Torr, and the temperature of the glass substrate (1) is set to about 20°C.
このようなＯｓ、 ００ムお↓びＯＦａの体積比１９：
５：３の混欲ガスのプラズマによるＣｒ膜（２）へのエ
ツチング速度け、従来例における０２詔よびＣＣＬ４の
体積比１９：５の混合ガスのプラズマによるエツチング
速度より大きいことが発明者らの研究によって判明した
。The volume ratio of such Os, 00m↓ and OFa is 19:
The inventors' research has shown that the etching speed of the Cr film (2) by the plasma of a mixed gas of 5:3 is higher than the etching speed of the plasma of a mixed gas of 19:5 by volume of 02 edict and CCL4 in the conventional example. It was revealed by.
第３図は発明者らの研究による０２およびＣＣＬの体積
比１９：５の混合ガスにＯＦ４ ｆ添加した場合におけ
るＣｒ膜へのエツチング速度とＣＦ４の添加量との関係
の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of the relationship between the etching rate of a Cr film and the amount of CF4 added when OF4 f is added to a mixed gas of 02 and CCL at a volume ratio of 19:5, based on research conducted by the inventors. .
図において、縦軸Ｖｉｏｒ膜（２）へのエツチング速度
（単位、Ａ／ｍｉｎ、）を示し、横軸はＣＦ′４の添加
量（ＣＦ４／（０＋＋＋ＯＣム＋ａｐｔ）） （単位％
）を示す。なお、０２、 ＣＣＬ＜およびＯＦ４の混合
ガスの圧力Ｖｉ０．２Ｔｏｒｒに設定され、ガラス基板
ｔｌ＋の温度１’ｊ ２０℃に設定さねている。In the figure, the vertical axis shows the etching rate (unit: A/min) to the Vior film (2), and the horizontal axis shows the amount of CF'4 added (CF4/(0+++OC+apt)) (unit: %).
) is shown. Note that the pressure of the mixed gas of 02, CCL< and OF4 is set to 0.2 Torr, and the temperature of the glass substrate tl+ is set to 1'j of 20°C.
第３図に示すようＫ、従来例における０２およびＣＣ４
ｎの体積比１９： ５の混合ガスの場合ＫＶｉＣｒ膜（
２）へのエツチング速度が３０Ｖｍｉｎ、程度であるが
、この混合ガスＫ ｘｏ％程度のＯＦ＜を添加した場合
、すなわちＯｎ、 ＣＣＬおよびＣＦ４の体積比１９：
５：３の混合ガスの場合にはＣｒ膜（２）へのエツチン
グ速度が５０Ｖｍｉｎ、の最大値になり、ＯＦ４の添加
量が１０チ程度以上になる場合に：ＶｉＯｒ膜（２）へ
のエツチング速度が急激に低下する。As shown in Fig. 3, K, 02 and CC4 in the conventional example.
In the case of a mixed gas with a volume ratio of n of 19:5, KViCr film (
2), the etching rate is about 30Vmin, but when this mixed gas K xo% of OF< is added, that is, the volume ratio of CCL and CF4 is 19:
In the case of a 5:3 mixed gas, the etching rate for the Cr film (2) reaches a maximum value of 50 Vmin, and when the amount of OF4 added is approximately 10 Vmin or more: the etching rate for the ViOr film (2) increases. Speed drops rapidly.
このような現象け、０２． ＣＣＬおよびＣＦ４の混合
ガスのフ”ラズマ中にたける酸素ラジカル０°および塩
素ラジカルｃ１ｍの生成が、ＯＦ’４の添加量が１０チ
程度以内ではＣＦ＜の添加によって増長さね、ＣＦ４の
添加量が１０チ程度以上では逆にＣＦ４の添加によって
妨害されることＫよって生ずるものと考えられる。Such a phenomenon, 02. The generation of oxygen radicals 0° and chlorine radicals c1m in the plasma of a mixed gas of CCL and CF4 increases with the addition of CF< when the amount of OF'4 added is less than about 10°. It is thought that this is caused by the fact that K is hindered by the addition of CF4 when it is about 10 cm or more.
また、ガラス基板（１）の温度が２ｃｆｃから６異に上
昇すれば、Ｃｒ膜（２）へのエツチング速度の最大値が
５０Ｖｍｉｎ、から７０Ｖｍｉｎ、に向上することも判
明した。It has also been found that if the temperature of the glass substrate (1) increases by 6 degrees from 2 cfc, the maximum etching rate of the Cr film (2) increases from 50 Vmin to 70 Vmin.
このように、Ｃｒ膜（２１へのエツチング速度が従来例
における３０Ｊ／Ｄｉｎ 、から５ＯＡ／ｍｉｎ、に向
上することによって、６００膜程度の膜厚を有するＣｒ
膜（２）をエツチングするに要する時間が従来例におけ
る２０分から１２分に減少し、レジストＣＩＫＢＲ−１
００膜（３ａ）の膜べりが５００膜程度のわずかなもの
となる。In this way, by improving the etching rate for the Cr film (21) from 30 J/Din in the conventional example to 5 OA/min, the Cr film (21) having a film thickness of about 600
The time required to etch the film (2) was reduced from 20 minutes in the conventional example to 12 minutes, and the resist CIKBR-1
The film loss of the 00 film (3a) is as small as about 500 films.
最後に、第２図（Ｋ）に示すように、従来例の第１図（
Ｆ、ｌＫ示した段階と同様に、レジスト０Ｈ３Ｒ−１０
０膜（３ａ）を除去すると、ガラス基板（１）の主面上
に上記所定パターンを有するＣｒ膜（２ａ）が形成され
たこの実施例の方法になるフォトマスクが得られる。Finally, as shown in Figure 2 (K), the conventional example shown in Figure 1 (
F, lK Similar to the stage shown, resist 0H3R-10
When the 0 film (3a) is removed, a photomask according to the method of this embodiment is obtained in which the Cr film (2a) having the above-mentioned predetermined pattern is formed on the main surface of the glass substrate (1).
以上のようＫ、この実施例の方法では、０２゜ＣＣムお
よびＣＦ４の体積比１９ ： ５ ： ３の混合ガスの
プラズマによるＣｒ膜（２）へのエツチング速度が従来
例における０ａｉ（よびＣＣｌ２の体積比１９：５の混
合ガスのプラズマによるＣｒ膜（２）へのエツチング速
度より大きいので、Ｃｒ膜（２）へのエツチング時間が
従来例におけるＣｒ膜（２）へのエツチング時間より短
かくなる。従って、レジスト０ＦｉＢＲ−１００膜（３
ａ）の膜べりが従来例におけるレジスト０ＥｉＢＲ−１
００膜（３ａ）の膜べりより少なくなり、微細パターン
のＣｒ膜（２ａ） １に精度よく形成することができ、
しかも生産性の向丘を図ることができる。As described above, in the method of this embodiment, the etching rate of the Cr film (2) by the plasma of a mixed gas of 02° CCM and CF4 in a volume ratio of 19:5:3 is lower than that of the conventional example (0ai and CCl2). Since the etching speed of the Cr film (2) is higher than that of the plasma of a mixed gas with a volume ratio of 19:5, the etching time of the Cr film (2) is shorter than the etching time of the Cr film (2) in the conventional example. Therefore, resist 0FiBR-100 film (3
a) Film flaking is 0EiBR-1 in the conventional example.
The film loss is smaller than that of the 00 film (3a), and a fine pattern can be formed on the Cr film (2a) 1 with high precision.
Moreover, it is possible to improve productivity.
この実施例では、ガラス基板ｆｌ＋の主面上に形成さね
たＣｒ膜（２）Ｋついて述べたが、これに限らず、半導
体基板などのその他の基板の主面上に形成され酸素ラジ
カルおよび塩素ラジカルとの反応によってエツチング可
能な材料からなる被エツチング膜についてもこの実施例
と同様の効果がある。In this example, the Cr film (2)K formed on the main surface of the glass substrate fl+ was described, but the Cr film (2)K is not limited to this, and may be formed on the main surface of other substrates such as semiconductor substrates to generate oxygen radicals and The same effects as in this embodiment can be obtained for the film to be etched made of a material that can be etched by reaction with chlorine radicals.
また、この実施例では、レジスト０ＫＢＲ−１００膜（
３ａ）を用いる場合について述べたが、これに限らず、
フォトレジスト膜などのその他のレジスト膜を用いる場
合でもこの実施例と同様の効果がある。In addition, in this example, the resist 0KBR-100 film (
Although the case where 3a) is used has been described, the case is not limited to this.
Even when using other resist films such as photoresist films, the same effects as in this embodiment can be obtained.
な詔、この実施例でけ、０２およびＯｃｚａの混合ガス
にＣＦ４の所定量を添加する場合について述べたが、こ
の発明けこれに限らず、０２とＣＣ４＊Ｆ２゜００ｔ３
Ｆ、 （Ｃ２Ｆ４などの有機塩素系ハロカーボンとの混
合ガスにＣ！２２Ｐａ、 ＣＩＩＦａ、 ０ＨＦａ、
０ＢｒＦ３などの有機フッ素系ハロカーボンの所定ｉｔ
ヲ添加する場合にも適用することができる。Although this embodiment describes the case where a predetermined amount of CF4 is added to the mixed gas of 02 and Ocza, this invention is not limited to this.
F, (C!22Pa, CIIFa, 0HFa, in mixed gas with organic chlorine halocarbon such as C2F4)
Specified it of organic fluorine-based halocarbon such as 0BrF3
It can also be applied when adding .
以上、説明したように、この発明のドライエツチングに
よるパターンの形成方法では、基板の主面上に形成され
ｒＲ累ジラジカルよび塩素ラジカルシスト膜を形成し、
このレジスト膜をマスクとして被エツチング膜に１１！
素および有機塩素系ハロカーボンの混合ガスのプラズマ
中におけるエツチングを絶し、Ｌ配所定パターンを有す
る被エツチング膜を形成する方法において、酸＠および
有機塩素系ハロカーボンの混合ガスに所定量の有機フッ
素系ハロカーボンを添加するので、所定量の有機フッ素
系ハロカーボンを添加した酸素および有機塩素系ハロカ
ーボンの混合ガスのプラズマによる被エツチング膜への
エツチング速度が有機フッ素系ハロカーボンを添加しな
い酸素および有機塩素系ハロカーボンの混合ガスのプラ
ズマによる被エツチング膜へのエツチング速度より大き
くなる。As explained above, in the method for forming a pattern by dry etching of the present invention, an rR diradical and chlorine radical cyst film is formed on the main surface of a substrate,
Using this resist film as a mask, 11!
In a method of forming a film to be etched having a predetermined L distribution pattern by eliminating etching in a plasma of a mixed gas of an acid and an organic chlorine halocarbon, a predetermined amount of an organic Since fluorine-based halocarbons are added, the etching rate of the film to be etched by plasma of a mixed gas of oxygen and organochlorine-based halocarbons to which a predetermined amount of organic fluorine-based halocarbons has been added is lower than that of oxygen to which organic fluorine-based halocarbons are not added. The etching speed of the film to be etched by the plasma of the organic chlorine halocarbon mixture gas is higher than that of the etching target film.
従って、有機フッ素系ハロカーボンを添加した酸素およ
び有機塩素系ハロカーボンの混合ガスのプラズマによる
被エツチング膜へのエツチング時間が有機フッ素系ハロ
カーボンを添加しない酸素および有機塩素系ハロカーボ
ンの混合ガスのプラズマによる被エツチング膜へのエツ
チング時間より短かくなるので、レジスト膜の膜べりが
少なくなり、微細パターンの被エツチング膜を精度よく
形成することができ、しかも生産性の向上を図ることが
できる。Therefore, the etching time for the film to be etched by the plasma of the mixed gas of oxygen and organochlorine halocarbon to which organofluorine halocarbon is added is longer than that of the mixed gas of oxygen and organochlorine halocarbon to which organofluorine halocarbon is not added. Since the time required for etching the film to be etched is shorter than that required for etching the film to be etched by plasma, the film loss of the resist film is reduced, a fine pattern of the film to be etched can be formed with high accuracy, and productivity can be improved.
第１図はフォトマスクの従来の製造方法の一例の主要段
階における状態を順次示す断面図、第２図はフォトマス
クの製造に適用したこの発明の一実癩例の主要段階にお
ける状態を順次示す断面図、第３図は発明者らの研究に
よるｏ２および（！Ｏ６４の体積比１９：５の混合ガス
にＣＦａを添加し友場合におけるＣｒ膜へのエツチング
速度とＣＦ４の添加量との関係の一例を示す図である。
図において、（ｌ）はガラス基板（基板）１２１はＣｒ
膜（被エツチング膜）、（２ａ）はＣｒ膜（２）へのエ
ツチングによって形成され所定パターンを有するＣｒ膜
（被エツチング膜へのエツチングによって形成され所定
バク−７を有する被エツチング膜）、（３ａ）ｉｊ所定
パターンを有するレジスト０ＥＢＲ−１００膜（所定バ
ター／を有するレジスト膜）である。
なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
第１図 第２図
第３図
！ ｔＯｔ６ ２ｏ ２５（７，）
ＣＦ４／）法、加重
特許庁長官殿
１、事件の表示 特願昭５９−０７７０２３号２、発明
の名称 ドライエツチングによるパターンの形成方法
；３ 補１１−をする者
／１−−
５、補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄
６、補正の内容
（１） 明細書の第３頁第１７行にｒクーロンＣＣ’Ｊ
／ｄ」とあるのを「クーロンＱ侃」と訂正する。
（２） 同、ｇａ頁第１９行〜第２０行に「メチルエチ
ルケトン（ＭＤＩ） Ｊとあるのを「メチルエチルケト
７ （ＭＩＸ） Ｊと訂正する。 。
以上FIG. 1 is a sectional view sequentially showing the state at the main stages of an example of a conventional method for manufacturing a photomask, and FIG. The cross-sectional view and Figure 3 show the relationship between the etching rate of the Cr film and the amount of CF4 added when CFa is added to a mixed gas of O2 and (!O64 at a volume ratio of 19:5) based on research conducted by the inventors. It is a figure showing an example. In the figure, (l) is a glass substrate (substrate) 121 made of Cr.
The film (film to be etched), (2a) is a Cr film formed by etching the Cr film (2) and having a predetermined pattern (film to be etched, formed by etching the film to be etched and having a predetermined pattern), ( 3a) ij is a resist 0EBR-100 film having a predetermined pattern (resist film having a predetermined butter). Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts. Figure 1 Figure 2 Figure 3! tOt6 2o 25(7,) CF4/) Law, Aggravated Director General of the Japan Patent Office 1, Indication of the case Japanese Patent Application No. 59-077023 2, Title of the invention Method of forming a pattern by dry etching; 3 Supplement 11- Person who does the 1-- 5. Detailed explanation of the invention in the specification subject to amendment 6, Contents of amendment (1) r Coulomb CC'J on page 3, line 17 of the specification
/d” is corrected to “Coulomb Q 侃”. (2) On page ga, lines 19 and 20, "Methyl ethyl ketone (MDI) J" is corrected to "Methyl ethyl ketone 7 (MIX) J."
Claims (2)
素ラジカルとの反応によってエツチング可能な材料から
なる被エツチング膜の所定パターンの部分の表面上にレ
ジス）Ｉｉｌ’を形成し、このレジスト膜をマスクとし
て上記被エツチング膜に酸素および有機塩素系ハロカー
ボンの混合ガスのプラズマ中におけるエツチングを織し
、上記所定パターンを有する被エツチング膜を形成する
方法において、上記酸素および有機塩素系ハロカーボン
の混合ガスに所定量の有機フッ素系ハロカーボンを添加
することを特徴とするドライエツチングによるパターン
の形成方法。(1) A resist (Iil') is formed on the surface of a predetermined pattern of a film to be etched, which is formed on the main surface of a substrate and is made of a material that can be etched by reaction with oxygen radicals and chlorine radicals, and this resist film is In the method of forming the film to be etched having the predetermined pattern by etching the film to be etched in a plasma of a mixed gas of oxygen and organic chlorine halocarbon as a mask, the mixture of oxygen and organic chlorine halocarbon A method for forming a pattern by dry etching, characterized by adding a predetermined amount of organic fluorine-based halocarbon to a gas.
機フッ素系ハロカーボンが四フッ化炭素であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエツチング
にｘ７．パターンの＋ＦＪＦ＃ｉ汁−（３） 被エツチ
ング膜が金属クロム膜であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項またＶ１ｇ２項記載のドライエツチングに
よるパターンの形成方法。(2) The dry etching according to claim 1, wherein the organic chlorine halocarbon is carbon tetrachloride and the organic fluorine halocarbon is carbon tetrafluoride.x7. +FJF#i juice of pattern - (3) A method for forming a pattern by dry etching according to claim 1 or claim V1g2, characterized in that the film to be etched is a metal chromium film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7702384A JPS60219748A (en) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | Pattern formation by dry etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7702384A JPS60219748A (en) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | Pattern formation by dry etching |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219748A true JPS60219748A (en) | 1985-11-02 |
| JPH0343777B2 JPH0343777B2 (en) | 1991-07-03 |
Family
ID=13622153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7702384A Granted JPS60219748A (en) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | Pattern formation by dry etching |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219748A (en) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0343777B2 (en) | 1991-07-03 |
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