JPS60217619A - 硬質磁性膜の製造方法 - Google Patents
硬質磁性膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS60217619A JPS60217619A JP7453984A JP7453984A JPS60217619A JP S60217619 A JPS60217619 A JP S60217619A JP 7453984 A JP7453984 A JP 7453984A JP 7453984 A JP7453984 A JP 7453984A JP S60217619 A JPS60217619 A JP S60217619A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic film
- complex compound
- alcoxide
- chloride
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は希土類元素を含む硬質磁性膜の製造方法に関す
るものである。
るものである。
近年、保持力とエネルギー積が非常に高い希土類磁石が
出現したことに伴い、この材料を厚膜化して使用するこ
とにより磁気エンコーダの高分解能化やパルスモータの
小型化を計る研究が進んでいる。
出現したことに伴い、この材料を厚膜化して使用するこ
とにより磁気エンコーダの高分解能化やパルスモータの
小型化を計る研究が進んでいる。
硬質磁性膜の厚膜化の方法としてはスパッタ法、真空蒸
着法および溶射法があるが、これらの方法で作製した皮
膜の磁気特性はバルクの値に比べ大幅に低いため、その
性能を十分に発揮できなかった。例えばスパッタ法で作
製したＳｎ＋２ Ｃｏ１７膜の最大エネルギー積は１２
ＭＧＯｅであり、バルク材の２２ＭＧＯｅに比べ約半分
である。
着法および溶射法があるが、これらの方法で作製した皮
膜の磁気特性はバルクの値に比べ大幅に低いため、その
性能を十分に発揮できなかった。例えばスパッタ法で作
製したＳｎ＋２ Ｃｏ１７膜の最大エネルギー積は１２
ＭＧＯｅであり、バルク材の２２ＭＧＯｅに比べ約半分
である。
本発明は、バルクの磁気特性に略等しい希土類元素を含
む硬質磁性膜を得るための方法を提供することを目的と
するものである。
む硬質磁性膜を得るための方法を提供することを目的と
するものである。
本発明の硬質磁性膜の製造方法は、希土類元素を含む錯
化合物、アルコキシド、塩化物のうち１種又は２種以上
と、銅又は鉄族元素を含む錯化合物、アルコキシド、塩
化物のうち１種又は２種以上とを、減圧した水素を含む
雰囲気中において、３００℃〜９５０℃に加熱した基体
上で熱分解させることにより硬質磁性膜を形成すること
を特徴とするものである。
化合物、アルコキシド、塩化物のうち１種又は２種以上
と、銅又は鉄族元素を含む錯化合物、アルコキシド、塩
化物のうち１種又は２種以上とを、減圧した水素を含む
雰囲気中において、３００℃〜９５０℃に加熱した基体
上で熱分解させることにより硬質磁性膜を形成すること
を特徴とするものである。
以下、本発明を実施例に基いて具体的に説明する。
図面は本発明の方法を実施するのに用いたＣｖＤ （ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
装置である。図中（１）、 （２１はそれぞれサマリウ
ムアセチルアセトネート、コバルトアセチルアセトネー
トを収容する容器、（３）はＴｉ製の基体、（４）は真
空槽、（５）は排気系、（６１，＋６１’、（６１”
、 ＋６１””はそれぞれヒータ、（７１，（７１’は
それぞれ水素を容れたタンク、（８）は混合室、（９）
はノズルである。
ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
装置である。図中（１）、 （２１はそれぞれサマリウ
ムアセチルアセトネート、コバルトアセチルアセトネー
トを収容する容器、（３）はＴｉ製の基体、（４）は真
空槽、（５）は排気系、（６１，＋６１’、（６１”
、 ＋６１””はそれぞれヒータ、（７１，（７１’は
それぞれ水素を容れたタンク、（８）は混合室、（９）
はノズルである。
同装置による硬質磁性膜の成形手順は、まず、サマリウ
ムアセチルアセトネート（Ｓｍ（八Ａ）２ ） 。
ムアセチルアセトネート（Ｓｍ（八Ａ）２ ） 。
コバルトアセチルアセトネート（Ｃｏ（八Ａ）２ ）
、 Ｔｉ製基体（３）をセットしたのち、真空槽（４）
内および配管内を排気系（５）で５ Ｘｌ０−＋Ｔｏｒ
ｒ以下まで排気したあとヒータ（６）でＴｉ製基体（３
）を加熱する。ここでコバルトアセチルアセテート により３００℃に、サマリウムアセチルアセトネー）
Ｓ＋ａ （ＡＡ） ２はヒータ（６）”により３５０℃
に保持し、基体（３）についてはヒータ（６）により２
００〜１０００℃の範囲で条件を変えて行なう。
、 Ｔｉ製基体（３）をセットしたのち、真空槽（４）
内および配管内を排気系（５）で５ Ｘｌ０−＋Ｔｏｒ
ｒ以下まで排気したあとヒータ（６）でＴｉ製基体（３
）を加熱する。ここでコバルトアセチルアセテート により３００℃に、サマリウムアセチルアセトネー）
Ｓ＋ａ （ＡＡ） ２はヒータ（６）”により３５０℃
に保持し、基体（３）についてはヒータ（６）により２
００〜１０００℃の範囲で条件を変えて行なう。
昇温後、キャリヤーガスとしての水素をタンク（７）よ
り流し、混合室（８）とノズル（９）を通して、基体（
３）上にＳｍ−Ｃｏ磁性膜を析出させた。なお、磁性膜
の組成はキャリヤーガスの流量をかえることによりコン
トロールし、作製した試料の磁気測定は振動試料磁力計
を使って行なった。なお、（６）”は混合室（８）内を
加熱するためのヒータである。
り流し、混合室（８）とノズル（９）を通して、基体（
３）上にＳｍ−Ｃｏ磁性膜を析出させた。なお、磁性膜
の組成はキャリヤーガスの流量をかえることによりコン
トロールし、作製した試料の磁気測定は振動試料磁力計
を使って行なった。なお、（６）”は混合室（８）内を
加熱するためのヒータである。
同様の実験を希土類元素や鉄族元素、銅を含むアセチル
アセトネート、アルコキシド、塩化物について行なった
。その磁気測定結果を表に示す。
アセトネート、アルコキシド、塩化物について行なった
。その磁気測定結果を表に示す。
基体（３）の温度が１０００′Ｃでは皮膜が再熱宛によ
り形成されなかったので測定不能であり、基体（３）の
温度が２９０℃以下では熱分解が起こらないため１００
０℃の場合と同様に皮膜が形成されない。従って、皮膜
を形成可能な基体（３）の温度条件は３００〜９５０℃
の域である。
り形成されなかったので測定不能であり、基体（３）の
温度が２９０℃以下では熱分解が起こらないため１００
０℃の場合と同様に皮膜が形成されない。従って、皮膜
を形成可能な基体（３）の温度条件は３００〜９５０℃
の域である。
表から判るように、３００〜９５０℃に加熱した基体（
３）上に形成した皮膜の磁気特性は、最大エネルギ積の
欄で示すように従来のスパンタ法等に比べ特性が良い。
３）上に形成した皮膜の磁気特性は、最大エネルギ積の
欄で示すように従来のスパンタ法等に比べ特性が良い。
本発明の方法により厚さ５＋ａ＋＋＋，直径３１ＩＩＩ
Ｉ１１のアルミニウム合金板の外周部に４０μｍ厚のＳ
ｍ２ ＣＯ１７膜を付着した磁気ドラムをつくり、多極
着磁を行ない２万パルスの磁気エンコーダを作製した。
Ｉ１１のアルミニウム合金板の外周部に４０μｍ厚のＳ
ｍ２ ＣＯ１７膜を付着した磁気ドラムをつくり、多極
着磁を行ない２万パルスの磁気エンコーダを作製した。
その特性を従来のγーＦｅ２Ｏ３膜を使ったものと比較
したところ、Ｓ／Ｎ比が１０倍増加したことが確認され
た。
したところ、Ｓ／Ｎ比が１０倍増加したことが確認され
た。
なお、本実施例では基体の加熱源にヒータを用いたが、
皮膜形成速度を速くするためにレーザや赤外線を使って
も、良い結果を得た。
皮膜形成速度を速くするためにレーザや赤外線を使って
も、良い結果を得た。
以上のように本発明によればバルク材に略等しい特性の
硬質磁性膜が得られるため、磁気エンコーダの高性能化
はもちろん、パルスモータの小型化に寄与できるという
効果を奏する。
硬質磁性膜が得られるため、磁気エンコーダの高性能化
はもちろん、パルスモータの小型化に寄与できるという
効果を奏する。
図面は本発明の方法を実施するために使用したＣＶＤ装
置の概略図である。 （１）：サマリウムアセチルアセテート収容容器（２）
：コハルトアセチルアセテート収容容器（３）：基体 （４）：真空槽 （５）：排気系 （６）〜ｔａ＋Ｉ＋１．ヒータ （７１，１７１’ ：水素タンク （８）：混合室 （９）：ノズル
置の概略図である。 （１）：サマリウムアセチルアセテート収容容器（２）
：コハルトアセチルアセテート収容容器（３）：基体 （４）：真空槽 （５）：排気系 （６）〜ｔａ＋Ｉ＋１．ヒータ （７１，１７１’ ：水素タンク （８）：混合室 （９）：ノズル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、希土類元素を含む錯化合物、アルコキシド。 塩化物のうち１種又は２種以上と、銅又は鉄族元素を含
む錯化合物、アルコキシド、塩化物のうち１種又は２種
以上とを、減圧した水素を含む雰囲気中において３００
℃〜９５０℃に加熱した基体上で熱分解させることによ
り基体上に硬質磁性膜を形成することを特徴とする硬質
磁性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7453984A JPS60217619A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 硬質磁性膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7453984A JPS60217619A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 硬質磁性膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217619A true JPS60217619A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13550177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7453984A Pending JPS60217619A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 硬質磁性膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217619A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182279A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | Futaki Itsuo | 無機質被膜の形成方法とそのための溶液 |
| EP0265246A2 (en) * | 1986-10-21 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic iron oxide film and production thereof |
| JPH01301865A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜成長方法および薄膜成長装置 |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP7453984A patent/JPS60217619A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182279A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | Futaki Itsuo | 無機質被膜の形成方法とそのための溶液 |
| JPH0555600B2 (ja) * | 1986-02-05 | 1993-08-17 | Suzuki Yasuo | |
| EP0265246A2 (en) * | 1986-10-21 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic iron oxide film and production thereof |
| JPH01301865A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜成長方法および薄膜成長装置 |
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