JPS6021177A - 半田付装置 - Google Patents
半田付装置Info
- Publication number
- JPS6021177A JPS6021177A JP13043583A JP13043583A JPS6021177A JP S6021177 A JPS6021177 A JP S6021177A JP 13043583 A JP13043583 A JP 13043583A JP 13043583 A JP13043583 A JP 13043583A JP S6021177 A JPS6021177 A JP S6021177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- solder
- soldered
- nozzle
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/012—Soldering with the use of hot gas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度混成集積回路基板上の微細な導体ラン
ドにリードワイア等を非接触で半田付することを可能に
した半田１τ１装置に関するものである。
ドにリードワイア等を非接触で半田付することを可能に
した半田１τ１装置に関するものである。
従来、混成膜集積回路を組立てる際に、膜回路基板上の
所定の導体ランドと、チップコンデンサ、ミニモールド
トランジスタ等の外付部品との半田付は、半田ペースト
を前記導体ランドに印刷し、外付部品を基板に搭載し該
基板を加熱したり、或いはあらかじめ導体ランドに半田
付した後外Ｎ部品を搭載し、前記半田をリフローし、半
田ゴテを用いないで行なうのが一般的となっている。こ
の半田は方法は、半田の量と半田は後の半田の形状とを
一定の良好な状態に保つことが容易にでき、。
所定の導体ランドと、チップコンデンサ、ミニモールド
トランジスタ等の外付部品との半田付は、半田ペースト
を前記導体ランドに印刷し、外付部品を基板に搭載し該
基板を加熱したり、或いはあらかじめ導体ランドに半田
付した後外Ｎ部品を搭載し、前記半田をリフローし、半
田ゴテを用いないで行なうのが一般的となっている。こ
の半田は方法は、半田の量と半田は後の半田の形状とを
一定の良好な状態に保つことが容易にでき、。
信頼度が高い。ところが、上述の如き半田はプロセスを
用いることのできる混成集積回路においても、例えばコ
イル、トランス等の如き、非定形のり一ドワイアを有す
る外は部品を、膜回路基板上の導体ランドに半田付する
には、半田ゴテを利用して半田けするしか他に方法がな
いのが現状である。
用いることのできる混成集積回路においても、例えばコ
イル、トランス等の如き、非定形のり一ドワイアを有す
る外は部品を、膜回路基板上の導体ランドに半田付する
には、半田ゴテを利用して半田けするしか他に方法がな
いのが現状である。
高密度の混成膜集積回路の組立において、膜回路基板上
の微細な（例えば０．５〜０．８ ｍ、角の大きさの）
導体ランドに、外は部品を半田けするとき、上述の如き
半田ゴテを用いる方法は、半田ゴテの先端の半田のぬれ
状態を一定に保つことが回能なこともあって、半田を適
量に保つことが非常に困難であるだめ、半田の量が少な
すぎて半田は不良を起しメ乙り、半田の量や、形状を適
当にしようとして半田が多すぎて、近接する例えば半田
はランドから０．３〜０．５順離れた他の配線ランドと
半田ブリッジがかかり、混成集積回路を不良にしたりし
て組立歩留を低下させることがしばしばであった。
の微細な（例えば０．５〜０．８ ｍ、角の大きさの）
導体ランドに、外は部品を半田けするとき、上述の如き
半田ゴテを用いる方法は、半田ゴテの先端の半田のぬれ
状態を一定に保つことが回能なこともあって、半田を適
量に保つことが非常に困難であるだめ、半田の量が少な
すぎて半田は不良を起しメ乙り、半田の量や、形状を適
当にしようとして半田が多すぎて、近接する例えば半田
はランドから０．３〜０．５順離れた他の配線ランドと
半田ブリッジがかかり、混成集積回路を不良にしたりし
て組立歩留を低下させることがしばしばであった。
そのため、高密度混成集積回路の組立てに際して、膜回
路基板上の微細な導体ランドと外付部品とを半田ゴテを
用いて半田Ｈする方法は、作業に熟練を要するばか夛で
なく、作業能率も悪いので、工数もかかり、歩留も低く
、信頼性に欠けるという欠点があった。
路基板上の微細な導体ランドと外付部品とを半田ゴテを
用いて半田Ｈする方法は、作業に熟練を要するばか夛で
なく、作業能率も悪いので、工数もかかり、歩留も低く
、信頼性に欠けるという欠点があった。
本発明の目的は、混成膜集積回路の組立に際して、膜回
路基板上の導体ランドと一１非定形の端子ＩＪ−ドを有
する外Ｎ部品とを半田は接続することを半田Ｎ工程にお
いて、非接触で半田付するようにした半田げ装置を提供
することにある。
路基板上の導体ランドと一１非定形の端子ＩＪ−ドを有
する外Ｎ部品とを半田は接続することを半田Ｎ工程にお
いて、非接触で半田付するようにした半田げ装置を提供
することにある。
即ち、本発明の半田付袋Ｎは、膜回路基板を加熱させる
加熱台と、該加熱台上にセットされた膜回路基板の微細
な導体ランドに局部的に半田溶融用高温ガスを噴射させ
るノズルとを備え、前記ｊＪＩＩ熱台上に置いた膜回路
基板上の微細な半田げランドに、前記ノズルから出る加
熱されたガスを噴射することにょシコイル等のリードワ
イアを非接触で、半田けするようにしたことを特徴とす
るものである。
加熱台と、該加熱台上にセットされた膜回路基板の微細
な導体ランドに局部的に半田溶融用高温ガスを噴射させ
るノズルとを備え、前記ｊＪＩＩ熱台上に置いた膜回路
基板上の微細な半田げランドに、前記ノズルから出る加
熱されたガスを噴射することにょシコイル等のリードワ
イアを非接触で、半田けするようにしたことを特徴とす
るものである。
以下に本発明の実施例を図により具体的に説明する。
図は本発明の半田げ装置の一実施例である。同図におい
て、１ｏは加熱台、１１は加熱台１０に埋め込まれたカ
ートリッジヒーター、１２は加熱台１ｏの表面を窒素等
のガスで覆うだめのガスカバー、１３（はガスカバー１
２内にガスを導入するだめのガス導入口、１４は加熱台
１ｏを支える支持棒、１５は加熱台１゜の支持棒■４を
Ｘ、Ｙ方向（水平方向）に移動させるだめの可動装置を
それぞれ示す。一方、２ｏは加熱されたガスを加熱台１
ｏの表面に噴射するだめのノズル、２１はノズル２ｏと
接続されたガスパイプ、２２はガスパイプ２１にガスを
導入するだめのガス導入口、２３はガスパイプ２１に導
入されたガスを加熱するだめのガス加熱部、２４はガス
パイプ２１、従ってノズル２０を固定するだめの固定支
持棒、２５は固定支持棒２４をＸ、Ｙ、Ｚ方向（水平及
び垂直方向）に移動させるための可動装置をそれぞれ示
す。また、３０は顕微鏡、３１はその対物レンズ部、３
２は接眼レンズ部、３３は前記ノズルの固定支持棒２４
に接続固定された顕微鏡支持棒、１は加熱台の可動装置
１５と、照射ノズル２０顕微鏡３０の可動装置２５とを
固定する台を示す。半田付装置の顕微鏡の対物レンズ部
３１はノズル２０の先端と同じＸ、Ｙ座標に向けられる
ようにあらかじめ顕微鏡３０と、ノズル２０との位置関
係を調整しておけば、上述の説明かられかるようにノズ
ル２０の固定支持棒２４を可動装置２５によって可動さ
せることにより、ノズル２０ヲ加熱台１０の表面上に移
動させたとき、常に顕微鏡の接眼レンズ部３３からノズ
ル２０の先端または、ノズル２０の先端が向けられてい
る加熱台１０の表面上をのぞき見ることができる。
て、１ｏは加熱台、１１は加熱台１０に埋め込まれたカ
ートリッジヒーター、１２は加熱台１ｏの表面を窒素等
のガスで覆うだめのガスカバー、１３（はガスカバー１
２内にガスを導入するだめのガス導入口、１４は加熱台
１ｏを支える支持棒、１５は加熱台１゜の支持棒■４を
Ｘ、Ｙ方向（水平方向）に移動させるだめの可動装置を
それぞれ示す。一方、２ｏは加熱されたガスを加熱台１
ｏの表面に噴射するだめのノズル、２１はノズル２ｏと
接続されたガスパイプ、２２はガスパイプ２１にガスを
導入するだめのガス導入口、２３はガスパイプ２１に導
入されたガスを加熱するだめのガス加熱部、２４はガス
パイプ２１、従ってノズル２０を固定するだめの固定支
持棒、２５は固定支持棒２４をＸ、Ｙ、Ｚ方向（水平及
び垂直方向）に移動させるための可動装置をそれぞれ示
す。また、３０は顕微鏡、３１はその対物レンズ部、３
２は接眼レンズ部、３３は前記ノズルの固定支持棒２４
に接続固定された顕微鏡支持棒、１は加熱台の可動装置
１５と、照射ノズル２０顕微鏡３０の可動装置２５とを
固定する台を示す。半田付装置の顕微鏡の対物レンズ部
３１はノズル２０の先端と同じＸ、Ｙ座標に向けられる
ようにあらかじめ顕微鏡３０と、ノズル２０との位置関
係を調整しておけば、上述の説明かられかるようにノズ
ル２０の固定支持棒２４を可動装置２５によって可動さ
せることにより、ノズル２０ヲ加熱台１０の表面上に移
動させたとき、常に顕微鏡の接眼レンズ部３３からノズ
ル２０の先端または、ノズル２０の先端が向けられてい
る加熱台１０の表面上をのぞき見ることができる。
次に本半田は装置を用いて混成集積回路を構成する膜回
路基板上の所定の半田付導体ランドに外付部品のリード
ワイア等を半田付する作業方法について説明する。
路基板上の所定の半田付導体ランドに外付部品のリード
ワイア等を半田付する作業方法について説明する。
はじめに膜回路基板の所定の半田付導体ランド（例えば
０．５〜１罷角の大きさ）に適量の例えば鉛錫の゛共晶
半田を半田付しておく。加熱台１０はヒーター１１によ
シ半田の溶融する温度より少し低い温度、例えば１５０
°Ｃに加熱しておく。また、空気を排除して加熱台１０
０表面を導入口１３から導入した非酸化性の窒素ガスで
覆う。次に導体ランドが適量半田付された膜回路基板４
ｏを加熱台１ｏの表面にのせる。顕微鏡３０の接眼レン
ズ３２をのぞきながら、可動装置２５を操作してノズル
２ｏの先端を、膜回路基板の所望の半田付導体ランド上
に位置合わせする。次に外付部品のリード端子を半田付
導体ランド上におき、ガス導入口２２から例えば窒素ガ
スをデスパイプ２１に導入する。導入された窒素ガスは
、ノズル２００手前のガスパイプ２１に設けたガス加熱
部２３で高温に加熱されてノズル２０を通って、膜回路
基板上の所望の半田付導体ランド上に局部的に噴射され
る・このとき、あらかじめノズル２０の内径を０．５〜
１關程度、半田伺導体ランドとノズル２０の先端までの
距離（ノズルの高さ）を１籠程度にして、ノズルから噴
射され、るガスの温度を２５０〜３００℃、ノズル２０
から吹き出る高熱ガスの流量を溶けた半田が飛び散らな
い程度に導入口２２に導入するガス圧を制限しておけば
、高熱窒素ガスを噴射してから数秒間以内に、半田付導
体ランド上の半田を２００〜２２０℃まで加熱してリフ
ローさせることができ、溶けた半田により、例えば直径
が０．１−ｏ 、 ２＋＋１ｍ程度のコイル等のリード
線の端子を導体ランド上に半田付接続することができる
。膜回路基板上の所望の導体ランドとコイル等のリード
端子との半田付接続が完了したときに窒素ガス導入口２
２から窒素ガスの導入を止める。
０．５〜１罷角の大きさ）に適量の例えば鉛錫の゛共晶
半田を半田付しておく。加熱台１０はヒーター１１によ
シ半田の溶融する温度より少し低い温度、例えば１５０
°Ｃに加熱しておく。また、空気を排除して加熱台１０
０表面を導入口１３から導入した非酸化性の窒素ガスで
覆う。次に導体ランドが適量半田付された膜回路基板４
ｏを加熱台１ｏの表面にのせる。顕微鏡３０の接眼レン
ズ３２をのぞきながら、可動装置２５を操作してノズル
２ｏの先端を、膜回路基板の所望の半田付導体ランド上
に位置合わせする。次に外付部品のリード端子を半田付
導体ランド上におき、ガス導入口２２から例えば窒素ガ
スをデスパイプ２１に導入する。導入された窒素ガスは
、ノズル２００手前のガスパイプ２１に設けたガス加熱
部２３で高温に加熱されてノズル２０を通って、膜回路
基板上の所望の半田付導体ランド上に局部的に噴射され
る・このとき、あらかじめノズル２０の内径を０．５〜
１關程度、半田伺導体ランドとノズル２０の先端までの
距離（ノズルの高さ）を１籠程度にして、ノズルから噴
射され、るガスの温度を２５０〜３００℃、ノズル２０
から吹き出る高熱ガスの流量を溶けた半田が飛び散らな
い程度に導入口２２に導入するガス圧を制限しておけば
、高熱窒素ガスを噴射してから数秒間以内に、半田付導
体ランド上の半田を２００〜２２０℃まで加熱してリフ
ローさせることができ、溶けた半田により、例えば直径
が０．１−ｏ 、 ２＋＋１ｍ程度のコイル等のリード
線の端子を導体ランド上に半田付接続することができる
。膜回路基板上の所望の導体ランドとコイル等のリード
端子との半田付接続が完了したときに窒素ガス導入口２
２から窒素ガスの導入を止める。
以上を膜回路基板の所望の半田付導体ランドに次々と繰
り返して外付部品のリード端子を半田付することができ
る。導入口２２から窒素ガスを導入したり、即座にガス
導入を遮断したり、あるいはガスの流量や圧力を一定に
するには、ガス導入口２２の＾１ｊにガス制御装置を設
は本発明の半田付装置の台１に制御スイッチ等を設けて
おけば良い。以上の説明では半田付は、導入口２２より
入る窒素カスをＯＮ 、 ＯＦＦすることによってノズ
ルより出る高温ガスをＯＮ、ＯＦＦして行う例を示しだ
が、窒素ガスは導入口２２より常時導入しておき、従っ
て常にノズル２０より高温窒素ガスが噴射されている状
態にしておき、非動作時はノズル２ｂの先端は加熱台上
の膜回路基板４００表面から数ｍｍ以上上げてはなして
おき、半田付するとき、ノズルのＸ、Ｙ方向の位置合わ
せが終了したときに可動装置２５を操作して、ノズル２
０をＺ方向にすなわち基板４０に向けて真下に降下させ
、ノズルの先端と、膜回路基板上の所望の半田付ランド
との距離を１羽程度に近づけて、半田付を行うようにし
ても良い。いずれの場合も、膜回路基板上の半田付は、
加熱台１０からの熱と、ノズル２０から出る熱により局
所的に２００°Ｃ以上に加熱され、所望の導体ランドが
外付部品のリード端子と半田付されることに変わりはな
い。
り返して外付部品のリード端子を半田付することができ
る。導入口２２から窒素ガスを導入したり、即座にガス
導入を遮断したり、あるいはガスの流量や圧力を一定に
するには、ガス導入口２２の＾１ｊにガス制御装置を設
は本発明の半田付装置の台１に制御スイッチ等を設けて
おけば良い。以上の説明では半田付は、導入口２２より
入る窒素カスをＯＮ 、 ＯＦＦすることによってノズ
ルより出る高温ガスをＯＮ、ＯＦＦして行う例を示しだ
が、窒素ガスは導入口２２より常時導入しておき、従っ
て常にノズル２０より高温窒素ガスが噴射されている状
態にしておき、非動作時はノズル２ｂの先端は加熱台上
の膜回路基板４００表面から数ｍｍ以上上げてはなして
おき、半田付するとき、ノズルのＸ、Ｙ方向の位置合わ
せが終了したときに可動装置２５を操作して、ノズル２
０をＺ方向にすなわち基板４０に向けて真下に降下させ
、ノズルの先端と、膜回路基板上の所望の半田付ランド
との距離を１羽程度に近づけて、半田付を行うようにし
ても良い。いずれの場合も、膜回路基板上の半田付は、
加熱台１０からの熱と、ノズル２０から出る熱により局
所的に２００°Ｃ以上に加熱され、所望の導体ランドが
外付部品のリード端子と半田付されることに変わりはな
い。
ノズルの先端から高熱ガスが噴射された部分の膜回路基
板上の表面温度の推移は、加熱台の温度、ノズル内径ノ
ズルより出るガスの温度、流量、ノズル先端と膜回路基
板表面との距離、ガス噴射時間等のパラメータに依存す
るので、これらのパラメータを適正な値に設定、制御す
る。
板上の表面温度の推移は、加熱台の温度、ノズル内径ノ
ズルより出るガスの温度、流量、ノズル先端と膜回路基
板表面との距離、ガス噴射時間等のパラメータに依存す
るので、これらのパラメータを適正な値に設定、制御す
る。
なお、実施例では半田付ランドにあらかじめ適量の半田
を半田付しておく場合について述べだが、ノズルから高
温ガスを噴射するとき、外付部品のリード端子と共に、
適量の半田を膜回路基板の所望の導体ランドに供給する
ようにしても良い。
を半田付しておく場合について述べだが、ノズルから高
温ガスを噴射するとき、外付部品のリード端子と共に、
適量の半田を膜回路基板の所望の導体ランドに供給する
ようにしても良い。
以上説明したように本発明によれば、混成集積回路等を
組立てる際、膜回路基板上の微細な導体ランド上に、コ
イル等のリード端子を半田けするとき、操作を簡単にし
て、熟練を要さず、半田ゴテを用いないで、誰でも信頼
性の良い半田付をすることができ、また半田付歩留を向
上させることができる。特に高密度の混成集積回路の微
細な導体ランドの半田付には半田ゴテによる半田量コン
トロールのむずかしさから解放することができる効果を
有す°る。
組立てる際、膜回路基板上の微細な導体ランド上に、コ
イル等のリード端子を半田けするとき、操作を簡単にし
て、熟練を要さず、半田ゴテを用いないで、誰でも信頼
性の良い半田付をすることができ、また半田付歩留を向
上させることができる。特に高密度の混成集積回路の微
細な導体ランドの半田付には半田ゴテによる半田量コン
トロールのむずかしさから解放することができる効果を
有す°る。
図は本発明の半田付装置の一実施例を示す構成図である
。 １・・・台、１０・・・加熱台、１１・・・カートリッ
ジヒーター、１２・・・ガスカバー、１３・・・ガス導
入口、１４・・・加熱台の支持棒、１５・・・加熱台を
Ｘ、Ｙ方向上移動させる可動装置、２０・・・ノズル、
２１・・・ガスパイプ、２２・・・ガス導入口、２３・
・・ガス加熱部、２４・・・固定支持棒、２５・・・ノ
ズルと顕微鏡とをｘ 、 ｙ 、 Ｚ方向に移動させる
可動装置、３０・・・顕微鏡、３１・・・対物レンズ部
、３２・・・接眼レンズ部、３３・・・顕微鏡支持棒、
４ｏ・・・膜回路基板 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 菅 野 中 、）
。 １・・・台、１０・・・加熱台、１１・・・カートリッ
ジヒーター、１２・・・ガスカバー、１３・・・ガス導
入口、１４・・・加熱台の支持棒、１５・・・加熱台を
Ｘ、Ｙ方向上移動させる可動装置、２０・・・ノズル、
２１・・・ガスパイプ、２２・・・ガス導入口、２３・
・・ガス加熱部、２４・・・固定支持棒、２５・・・ノ
ズルと顕微鏡とをｘ 、 ｙ 、 Ｚ方向に移動させる
可動装置、３０・・・顕微鏡、３１・・・対物レンズ部
、３２・・・接眼レンズ部、３３・・・顕微鏡支持棒、
４ｏ・・・膜回路基板 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 菅 野 中 、）
Claims (1)
- （１）膜回路基板を加熱させる加熱台と、該加熱台上に
セットされた膜回路基板の微細な導体ランドに局部的に
半田溶融用高温ガスを噴射させる細径のノズルとを備え
、前記ノズルから噴射される高温ガスで半田を溶融させ
て外は部品の非定形の端子リードを膜回路基板の半田付
導体ランドに非接触で半田けけするようにしたことを特
徴とする半田は装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13043583A JPS6021177A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半田付装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13043583A JPS6021177A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半田付装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021177A true JPS6021177A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=15034163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13043583A Pending JPS6021177A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半田付装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241772A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | フラツクスレスはんだ付け方法及び装置 |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP13043583A patent/JPS6021177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241772A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | フラツクスレスはんだ付け方法及び装置 |
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