JPS60208870A - カラ−センサ - Google Patents
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- JPS60208870A JPS60208870A JP59066890A JP6689084A JPS60208870A JP S60208870 A JPS60208870 A JP S60208870A JP 59066890 A JP59066890 A JP 59066890A JP 6689084 A JP6689084 A JP 6689084A JP S60208870 A JPS60208870 A JP S60208870A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明はカラーセンサに関するものであって、特に、
大きな光電流出力が得られかつ高分解能を有するカラー
センサに関する。
大きな光電流出力が得られかつ高分解能を有するカラー
センサに関する。
［従来技術］
第１図は、従来の力、ラーセンサの平面図である。
図において、２は１つのセグメントを示す。ガラスなど
の絶縁体からなる基板１上にＱｒなとの導電性を有する
蒸Ｓ薄膜からなる共通電極３が形成されている。共通電
極３上に水素化アモルファス・シリコンからなる光導電
体薄膜４が形成されている。光導電体薄膜４上にＩＴＯ
などからなる青色、緑色、赤色センサ部透明電極５，６
．７が互いに間隔を隔てて形成されており、これらの上
にはそれぞれ青、緑、赤色フィルタ膜８．９．１０が被
覆されている。実際には、このセグメント２が基板１上
に多数配列されているが、この図では、説明の便宜上そ
の１つだけを示している。青色。
の絶縁体からなる基板１上にＱｒなとの導電性を有する
蒸Ｓ薄膜からなる共通電極３が形成されている。共通電
極３上に水素化アモルファス・シリコンからなる光導電
体薄膜４が形成されている。光導電体薄膜４上にＩＴＯ
などからなる青色、緑色、赤色センサ部透明電極５，６
．７が互いに間隔を隔てて形成されており、これらの上
にはそれぞれ青、緑、赤色フィルタ膜８．９．１０が被
覆されている。実際には、このセグメント２が基板１上
に多数配列されているが、この図では、説明の便宜上そ
の１つだけを示している。青色。
緑色、赤色センサ部透明電極５，６．７のそれぞれの一
方の端は、基板１等の上でこれに平行に延びてセグメン
ト２の外部に引出され、他のセグメント（図示せず）と
相互接続される。この青、緑。
方の端は、基板１等の上でこれに平行に延びてセグメン
ト２の外部に引出され、他のセグメント（図示せず）と
相互接続される。この青、緑。
赤色フィルタ膜８，９．１０で覆われた領域は、それぞ
れ青、緑、赤色の光に感度を持つ光センサとなる。すな
わち、責合、緑色、赤色センサ部透明電極５．６．７お
よび共通電極３間の抵抗は、それぞれ青、緑、赤色の色
成分の光強度に応じて変化するので、これらの端子間に
電圧を印加し、流れる光電流を検出することによって、
このセグメント２の部分に入射した可視光成分中の青、
緑。
れ青、緑、赤色の光に感度を持つ光センサとなる。すな
わち、責合、緑色、赤色センサ部透明電極５．６．７お
よび共通電極３間の抵抗は、それぞれ青、緑、赤色の色
成分の光強度に応じて変化するので、これらの端子間に
電圧を印加し、流れる光電流を検出することによって、
このセグメント２の部分に入射した可視光成分中の青、
緑。
赤色の色成分の光強度を電気信号として取出すことがで
きる。
きる。
ところで、このような構造を有するカラーセンサは、セ
グメント２を少なくとも３領域に分割するため、１領域
の光センサ部面積がセグメント２の１／３１Ｘ下となり
、光電流が小さくなる。そこで、この光電流を増すため
に、セグメント２の面積を拡げると分解能が下がってし
まう。さらに、青、緑、赤色フィルタ膜８，９．１０は
それぞれ化学的に組成の異なる材料が必要であるから、
光センサ以外に３種類の材料の成ｌＩおよび写真製版が
必要となるなどの欠点があった。
グメント２を少なくとも３領域に分割するため、１領域
の光センサ部面積がセグメント２の１／３１Ｘ下となり
、光電流が小さくなる。そこで、この光電流を増すため
に、セグメント２の面積を拡げると分解能が下がってし
まう。さらに、青、緑、赤色フィルタ膜８，９．１０は
それぞれ化学的に組成の異なる材料が必要であるから、
光センサ以外に３種類の材料の成ｌＩおよび写真製版が
必要となるなどの欠点があった。
［発明の概要］
それゆえに、この発明の主たる目的は、大きな光電流出
力が得られかつ高分解能を有するカラーセンサを提供す
ること家ある。
力が得られかつ高分解能を有するカラーセンサを提供す
ること家ある。
この発明を要約すれば、青、緑、赤色の光センサのそれ
ぞれの面積をほぼセグメントの面積に一致させる構造と
し、カラーフィルタ用の材料を用いずに、光センサに用
いる材料自体の光学吸収特性を利用して、多色に感度の
ピークを持つ光センサ出力を得ることができるようにし
たカラーセンサである。
ぞれの面積をほぼセグメントの面積に一致させる構造と
し、カラーフィルタ用の材料を用いずに、光センサに用
いる材料自体の光学吸収特性を利用して、多色に感度の
ピークを持つ光センサ出力を得ることができるようにし
たカラーセンサである。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は、図
面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかと
なろう。
面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかと
なろう。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を第２図および第３図によって
説明する。
説明する。
第２図は、この発明の実施例であるカラーセンサの断面
図である。第３図は、この発明の実施例であるカラーセ
ンサの平面図である。これらの図において、２は１つの
セグメントを示す。ガラスなどの絶縁体からなる基板１
上にＣｒなどの導電性を有するＪ？！肴薄膜薄膜なる共
通電極３が形成されている。共通電極３上に、たとえば
、水素化アモルファス・シリコン・ゲルマニウム（Ｇｅ
原子を約４０％含む低エネルギーギャップ光導電材料）
からなる厚み約５０００Ａの第１の光導電体薄膜４１が
形成されている。この薄膜は赤色の光に対して光吸収係
数が大きく、赤色の光を吸収する。
図である。第３図は、この発明の実施例であるカラーセ
ンサの平面図である。これらの図において、２は１つの
セグメントを示す。ガラスなどの絶縁体からなる基板１
上にＣｒなどの導電性を有するＪ？！肴薄膜薄膜なる共
通電極３が形成されている。共通電極３上に、たとえば
、水素化アモルファス・シリコン・ゲルマニウム（Ｇｅ
原子を約４０％含む低エネルギーギャップ光導電材料）
からなる厚み約５０００Ａの第１の光導電体薄膜４１が
形成されている。この薄膜は赤色の光に対して光吸収係
数が大きく、赤色の光を吸収する。
第１の光導電体薄膜４１上にＩＴＯまたはＳｎＯ２（Ｓ
ｂ添加）などの透明導電膜からなる赤色センサ部透明電
極７が形成されており、その一方の端は基板１上でこれ
に平行に延びてセグメント２の外部に引出され、他のセ
グ、メント（図示せず）と相互に接続される。赤色セン
サ部透明電極７と第１の光導電体薄膜４１と共通電極３
は赤色の光に対する光センサを構成する。第１の光導電
体薄膜４１上の一部および赤色センサ部透明電極７上に
、水素化アモルファス・シリコン（高エネルギーギャッ
プ光導電材料）からなる厚み約４００ＯＡの第２の光導
電体薄１！４２が形成されている。
ｂ添加）などの透明導電膜からなる赤色センサ部透明電
極７が形成されており、その一方の端は基板１上でこれ
に平行に延びてセグメント２の外部に引出され、他のセ
グ、メント（図示せず）と相互に接続される。赤色セン
サ部透明電極７と第１の光導電体薄膜４１と共通電極３
は赤色の光に対する光センサを構成する。第１の光導電
体薄膜４１上の一部および赤色センサ部透明電極７上に
、水素化アモルファス・シリコン（高エネルギーギャッ
プ光導電材料）からなる厚み約４００ＯＡの第２の光導
電体薄１！４２が形成されている。
この薄膜は緑色の光に対して光吸収係数が大きく、緑色
の光を吸収する。第２の光導電体薄膜４２上にＩＴＯま
たはＳｎ０．２（８ｂ添加）などの透明導電膜からなる
緑色センサ部透明電極６が形成されており、その一方の
端は基板１上でこれに平行に延びてセグメント２の外部
に引出され、他のセグメント（図示せず）と相互に接続
される。緑色センサ部透明電極６と第２の光導電体薄膜
４２と赤色センサ部透明電極７は緑色の光に対する光セ
ンサを構成する。第２の光導電体薄１！４２上の一部お
よび緑色センサ部透明電極６上に水素化アモルファス・
シリコン（高エネルギーギャップ光導電材料）からなる
厚み約５ｏｏ′Ａの第３の光導電体薄膜４３が形成され
ている。この薄膜は青色の光に対して光吸収係数が大き
く、青色の光を吸収する。第３の光導電体薄膜４３上の
両側部、赤色センサ部透明電極７上の一部、緑色センサ
部透明電極６上の一部、基板１上に、たとえば、ポリイ
ミドなどの真分子フィルムからなる絶縁１１１１１が形
成されている。第３の光導電体薄膜４３上の中央部およ
び絶縁膜１１上にＩＴＯまたはＳｎ ０２（Ｓｂ添加）
などの透明導電膜からなる青色センサ部透明電極５が形
成されており、その両端は絶縁膜１１上で基板１に平行
に延びてセグメント２の外部に引出され、他のセグメン
ト（図示せず）と相互に接続される。青色センサ部透明
電極５と第３の光導電体ＩＷＡ４３と緑色センサ部透明
電極６は青色の光に対する光センサを構成する。絶縁膜
１１は共通電極３および青、緑、赤色センサ部透明電極
５，６．７相互間を絶縁する。第２および第３の光導電
体１１１４２．．４３の水素化アモルファス・シリコン
および第１の光導電体薄１！４１の水素化アモルファス
・シリコン・ゲルマニウムは、周知の技術で形成でき、
たとえば、Ｓｉ ＠ ４ガスまたは５Ｉ８４とＧｅＨ＋
の混合ガスをグロー放雪中で分解し、堆積せしめること
ができる。
の光を吸収する。第２の光導電体薄膜４２上にＩＴＯま
たはＳｎ０．２（８ｂ添加）などの透明導電膜からなる
緑色センサ部透明電極６が形成されており、その一方の
端は基板１上でこれに平行に延びてセグメント２の外部
に引出され、他のセグメント（図示せず）と相互に接続
される。緑色センサ部透明電極６と第２の光導電体薄膜
４２と赤色センサ部透明電極７は緑色の光に対する光セ
ンサを構成する。第２の光導電体薄１！４２上の一部お
よび緑色センサ部透明電極６上に水素化アモルファス・
シリコン（高エネルギーギャップ光導電材料）からなる
厚み約５ｏｏ′Ａの第３の光導電体薄膜４３が形成され
ている。この薄膜は青色の光に対して光吸収係数が大き
く、青色の光を吸収する。第３の光導電体薄膜４３上の
両側部、赤色センサ部透明電極７上の一部、緑色センサ
部透明電極６上の一部、基板１上に、たとえば、ポリイ
ミドなどの真分子フィルムからなる絶縁１１１１１が形
成されている。第３の光導電体薄膜４３上の中央部およ
び絶縁膜１１上にＩＴＯまたはＳｎ ０２（Ｓｂ添加）
などの透明導電膜からなる青色センサ部透明電極５が形
成されており、その両端は絶縁膜１１上で基板１に平行
に延びてセグメント２の外部に引出され、他のセグメン
ト（図示せず）と相互に接続される。青色センサ部透明
電極５と第３の光導電体ＩＷＡ４３と緑色センサ部透明
電極６は青色の光に対する光センサを構成する。絶縁膜
１１は共通電極３および青、緑、赤色センサ部透明電極
５，６．７相互間を絶縁する。第２および第３の光導電
体１１１４２．．４３の水素化アモルファス・シリコン
および第１の光導電体薄１！４１の水素化アモルファス
・シリコン・ゲルマニウムは、周知の技術で形成でき、
たとえば、Ｓｉ ＠ ４ガスまたは５Ｉ８４とＧｅＨ＋
の混合ガスをグロー放雪中で分解し、堆積せしめること
ができる。
また、青、緑、赤色センサ部透明電極５，６．７の１Ｔ
ＯまたはＳｎ ０２の透明導電膜は、たとえば、電子ビ
ーム蒸着などによって形成することができる。
ＯまたはＳｎ ０２の透明導電膜は、たとえば、電子ビ
ーム蒸着などによって形成することができる。
この発明のカラーセンサは以上のような構造をしている
ので、青、緑、赤色の光導電センサの受光面積は３つと
も概略、セグメント２に近い面積とすることができる。
ので、青、緑、赤色の光導電センサの受光面積は３つと
も概略、セグメント２に近い面積とすることができる。
すなわち、第３．第２．第１の光導電体薄膜４３．４２
．４１がそれぞれの色の光センサの一部となる。このた
め、青、緑、赤色の光に対して大きな光電流出力と高分
解能を得ることができる。
．４１がそれぞれの色の光センサの一部となる。このた
め、青、緑、赤色の光に対して大きな光電流出力と高分
解能を得ることができる。
次に、このカラーセンサの動作を説明する。光は第２図
の矢印で示すように入射する。この例で用いた水素化ア
モルファス・シリコンのような光導電材料は一般に短い
波長の光に対して光の吸収係数が大で、波長が長くなる
ほど小さくなる。したがって、青色の光は表面に近い第
３の光導電体１１４３でほとんど吸収されて光電流に寄
与する。
の矢印で示すように入射する。この例で用いた水素化ア
モルファス・シリコンのような光導電材料は一般に短い
波長の光に対して光の吸収係数が大で、波長が長くなる
ほど小さくなる。したがって、青色の光は表面に近い第
３の光導電体１１４３でほとんど吸収されて光電流に寄
与する。
一方、緑色から赤色にかけての長波長光は、第３の光導
電体薄膜４３”ではわずかに吸収されるのみで第２の光
導電体薄膜４２に入射する。第２の光導電体簿膜４２で
は緑色の光が吸収されるが、赤色の光はわずかに吸収さ
れるのみで透過し、第１の光導電体薄膜４１に達する。
電体薄膜４３”ではわずかに吸収されるのみで第２の光
導電体薄膜４２に入射する。第２の光導電体簿膜４２で
は緑色の光が吸収されるが、赤色の光はわずかに吸収さ
れるのみで透過し、第１の光導電体薄膜４１に達する。
第１の光導電体薄膜４１には１．６ｅＶよりも光学的エ
ネルギーギャップの小さな光導電材料が好適である。こ
の例では、シリコンのような１．６ ｅＶよりも光学的
エネルギーギャップの大きな材料より一般に光の吸収係
数が大きい。したがって、水素化アモルファス・シリコ
ンでは十分に吸収し尽（せない赤色の光を吸収し、光電
流を得るのに好適な材料であるる。このようにして青色
の光の信号は青色、緑色センサ部透明電極５．６間に、
緑色の光の信号は緑色、赤色センサ部透明電極６．７間
に、また赤色の光の信号は赤色センサ部透明電極７．共
通電極３間に光電流として取出すことができる。ここで
は光導電体薄膜である水素化アモルファス・シリコン自
体が短波長カットフィルタの役目も兼ね、赤色の光に感
度の高い（吸収の大きい）水素化アモルファス・シリコ
ン・ゲルマニウムの助けも得て、特に色フィルタ膜を必
要とせずに青、緑。
ネルギーギャップの小さな光導電材料が好適である。こ
の例では、シリコンのような１．６ ｅＶよりも光学的
エネルギーギャップの大きな材料より一般に光の吸収係
数が大きい。したがって、水素化アモルファス・シリコ
ンでは十分に吸収し尽（せない赤色の光を吸収し、光電
流を得るのに好適な材料であるる。このようにして青色
の光の信号は青色、緑色センサ部透明電極５．６間に、
緑色の光の信号は緑色、赤色センサ部透明電極６．７間
に、また赤色の光の信号は赤色センサ部透明電極７．共
通電極３間に光電流として取出すことができる。ここで
は光導電体薄膜である水素化アモルファス・シリコン自
体が短波長カットフィルタの役目も兼ね、赤色の光に感
度の高い（吸収の大きい）水素化アモルファス・シリコ
ン・ゲルマニウムの助けも得て、特に色フィルタ膜を必
要とせずに青、緑。
赤色の３色に感度ピークを持つ光センサ出力が得られる
。
。
上記実施例では、光の吸収による導電率の変化を利用し
た光センサについて説明したが、他の実施例として、第
１．第２．第３の光導電体ｉｌｌ！ｌＩ４１．４２．４
３のそれぞれをｐｌｎ接合からなるフォトダイオードと
することも可能である。この際、接合面は基板１と平行
になるように形成する。ｐ型およびｎ型水素化アモルフ
ァス・シリコン（水素化アモルファス・シリコン・ゲル
マニウム）をそれぞれ、シラン（Ｓｉ Ｈ，）ガスグロ
ー放雪中にジボラン（Ｂ２ Ｈｓ ）ガス、ホスフィン
（ＰＨ６）ガスを混合することによって得るのは周知の
技術である。このような構成をとれば、青、緑。
た光センサについて説明したが、他の実施例として、第
１．第２．第３の光導電体ｉｌｌ！ｌＩ４１．４２．４
３のそれぞれをｐｌｎ接合からなるフォトダイオードと
することも可能である。この際、接合面は基板１と平行
になるように形成する。ｐ型およびｎ型水素化アモルフ
ァス・シリコン（水素化アモルファス・シリコン・ゲル
マニウム）をそれぞれ、シラン（Ｓｉ Ｈ，）ガスグロ
ー放雪中にジボラン（Ｂ２ Ｈｓ ）ガス、ホスフィン
（ＰＨ６）ガスを混合することによって得るのは周知の
技術である。このような構成をとれば、青、緑。
赤色の各色に有感なフォトダイオード３個からなるカラ
ーセンサが得られる。この際、ｐ型、ｎ型接合のために
必要な層は約１０ＯＡの厚さでよく、先にドープしてい
ない（ｉ層）層だけで得られた光導電センサの持つ分光
感度特性にはほとんど影響を与えない。
ーセンサが得られる。この際、ｐ型、ｎ型接合のために
必要な層は約１０ＯＡの厚さでよく、先にドープしてい
ない（ｉ層）層だけで得られた光導電センサの持つ分光
感度特性にはほとんど影響を与えない。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、第１の透明電極と第１
の光導電体ｌＩ膜と共通電極を積層して予め定める第１
の波長領域の光に対して感度ピークを持つ第１の光セン
サを構成し、第２の透明電極と第２の光導電体薄膜と第
１の透明電極を積層して予め定める第２の波長領域の光
に対して感度ピークを持つ第２の光センサを構成し、こ
れらの光センサを基板上に同じ領域で重ねて構成するよ
うにしたので、各色の光センサの有効面積を最大、すな
わち、概略セグメントの面積に一致させることができ、
このため各色に対して大きな光電流出力が得られかつ高
分解能を有する多色のカラーセンサを得ることができる
。
の光導電体ｌＩ膜と共通電極を積層して予め定める第１
の波長領域の光に対して感度ピークを持つ第１の光セン
サを構成し、第２の透明電極と第２の光導電体薄膜と第
１の透明電極を積層して予め定める第２の波長領域の光
に対して感度ピークを持つ第２の光センサを構成し、こ
れらの光センサを基板上に同じ領域で重ねて構成するよ
うにしたので、各色の光センサの有効面積を最大、すな
わち、概略セグメントの面積に一致させることができ、
このため各色に対して大きな光電流出力が得られかつ高
分解能を有する多色のカラーセンサを得ることができる
。
また、材料面においても、従来必要であったカラーフィ
ルタは必要ではなく、光導電材料そのものの光学吸収お
よび透過特性を利用してカラーフィルタを用いたのと等
価な効果が得られるため、カラーセンサの製造プロセス
の簡単化、低コスト化が図られる。
ルタは必要ではなく、光導電材料そのものの光学吸収お
よび透過特性を利用してカラーフィルタを用いたのと等
価な効果が得られるため、カラーセンサの製造プロセス
の簡単化、低コスト化が図られる。
第１図は、従来のカラーセンサの平面図である。
第２図は、この発明の実施例であるカラーセンサの断面
図である。 第３図は、この発明や実施例であるカラーセンサの平面
図である。 図において、１は基板、２はセグメント、３は共通電極
、４は光導電体薄膜、４１は第１の光導電体Ｓ膜、４２
は第２の光導電体薄膜、４３は第３の光導電体薄膜、５
は青色センサ部透明電極、６は緑色センサ部透明電極、
７は赤色センサ部透明電極、８は青色フィルタ族、９は
緑色フィルタ族、１０は赤色フィルタ族、１１は絶縁膜
である。 なお各図中同一符号は同４／または相当部分を示すもの
とする。 代理人 大 岩 増 雄 萬１ 閏 第２図 第３図 ２、発明の名称 力２−センサ ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明ＩＢ書第１０頁第１行の「では、シリコンのような」
ヲ［に用いた水素化アモルファス・シリコン・ゲルマニ
ウム（１，６６Ｖ以下の光学的エネルギーギャップをも
つ）は、水素化アモルファス・シリコンのような」に訂
正する。 以上
図である。 第３図は、この発明や実施例であるカラーセンサの平面
図である。 図において、１は基板、２はセグメント、３は共通電極
、４は光導電体薄膜、４１は第１の光導電体Ｓ膜、４２
は第２の光導電体薄膜、４３は第３の光導電体薄膜、５
は青色センサ部透明電極、６は緑色センサ部透明電極、
７は赤色センサ部透明電極、８は青色フィルタ族、９は
緑色フィルタ族、１０は赤色フィルタ族、１１は絶縁膜
である。 なお各図中同一符号は同４／または相当部分を示すもの
とする。 代理人 大 岩 増 雄 萬１ 閏 第２図 第３図 ２、発明の名称 力２−センサ ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明ＩＢ書第１０頁第１行の「では、シリコンのような」
ヲ［に用いた水素化アモルファス・シリコン・ゲルマニ
ウム（１，６６Ｖ以下の光学的エネルギーギャップをも
つ）は、水素化アモルファス・シリコンのような」に訂
正する。 以上
Claims (2)
- （１） 基板と、 前記基板上に形成される共通電極と、 前記共通電極上に形成され、予め定める第１の波長領域
の光に対して光吸収係数が大きい光導電材料からなる第
１の光導電体薄膜と、 前記第１の光導電体薄膜上に形成される第１の透明電極
とを備え、 前記第１の透明電極と前記第１の光導電体薄膜と前記共
通電極は第１の光センサを構成し、前記第１の透明電極
上に形成され、予め定める第２の波長領域の光に対して
光吸収係数が大きい光導電材料からなる第２の光導電体
薄膜と、前記第２の光導電体薄膜上に形成される第２の
透明電極とを備え、 前記第２の透明電極と前記第２の光導電体薄膜と前記第
１の透明電極は第２の光センサを構成し、前記各電極相
互間を絶縁する絶縁膜とを備えたことを特徴とするカラ
ーセンサ。 - （２） さらに前記第２の透明電極上に形成され、予め
定める第３の波長領域の光に対して光吸収係数が大きい
光導電材料からなる第３の光導電体薄膜と、 前記第３の光導電体薄膜上に形成される第３の透明電極
とを備え、 前記第３の透明電極と第３の光導電体薄膜と前記第２の
透明電極は第３の光センサを構成し、前記絶縁膜は前記
第３の透明電極に関しても絶縁するように構成される特
許請求の範囲第１項記載のカラーセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066890A JPS60208870A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | カラ−センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066890A JPS60208870A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | カラ−センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208870A true JPS60208870A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13328954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066890A Pending JPS60208870A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | カラ−センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804833A (en) * | 1985-09-06 | 1989-02-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Color sensing method and device therefor |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59066890A patent/JPS60208870A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804833A (en) * | 1985-09-06 | 1989-02-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Color sensing method and device therefor |
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