JPS60208828A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS60208828A JPS60208828A JP59063172A JP6317284A JPS60208828A JP S60208828 A JPS60208828 A JP S60208828A JP 59063172 A JP59063172 A JP 59063172A JP 6317284 A JP6317284 A JP 6317284A JP S60208828 A JPS60208828 A JP S60208828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- solar slit
- ray
- rays
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、Ｘ線露光装置に関し、特にＸ線を平行化する
ソーラスリットを備えたＸ線露光装置に関するものであ
る。
ソーラスリットを備えたＸ線露光装置に関するものであ
る。
（発明の背景）
従来のＸ線露光装置において、Ｘ線源とウェハの間にソ
ーラスリットを介在させることによりウェハに入射する
Ｘ線束に平行性をもたせ転写精度を向上させる提案があ
った。
ーラスリットを介在させることによりウェハに入射する
Ｘ線束に平行性をもたせ転写精度を向上させる提案があ
った。
第１図は、このようなソーラスリットの構造を示す。同
図のソーラスリット４は、図示しないＸ線源から発生す
る放射状Ｘ線の内、平行な成分のみを取り出すコリメー
タとしての作用を有する。
図のソーラスリット４は、図示しないＸ線源から発生す
る放射状Ｘ線の内、平行な成分のみを取り出すコリメー
タとしての作用を有する。
ところで、このソーラスリット４は、入射Ｘ線３に対し
て透明な開口部分１と不透明な隔壁部分２で構成されて
おり、露光に寄与するのは、開口部分１を通過したほぼ
平行化されたＸ線束８のみである。従って、このような
ソーラスリットを備えた従来のＸ線露光装置は、露光の
際、ソーラスリット４の不透明隔壁部分２の影響により
ウェハ上に不均一なＸ線強度分布が生じるので露光ムラ
が生じるという不都合があった。
て透明な開口部分１と不透明な隔壁部分２で構成されて
おり、露光に寄与するのは、開口部分１を通過したほぼ
平行化されたＸ線束８のみである。従って、このような
ソーラスリットを備えた従来のＸ線露光装置は、露光の
際、ソーラスリット４の不透明隔壁部分２の影響により
ウェハ上に不均一なＸ線強度分布が生じるので露光ムラ
が生じるという不都合があった。
（発明の目的）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、実効的に不
均一なＸ線強度分布を解消しようとするものである。
均一なＸ線強度分布を解消しようとするものである。
（発明の構成）
上記目的を達成するた−め本発明では、被写体に入射す
るＸ線を平行化するためのソーラスリットを備えたＸ線
露光装置において、露光詩、前記ソーラスリットと前記
被写体とを平行を保ちつつ相対的に振動もしくは揺動さ
せることを特徴とする。
るＸ線を平行化するためのソーラスリットを備えたＸ線
露光装置において、露光詩、前記ソーラスリットと前記
被写体とを平行を保ちつつ相対的に振動もしくは揺動さ
せることを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の概略
の構成を示す。同図の装置は、前述の従来装置に対し、
ソーラスリット４をそれぞれＸ方向およびＹ方向に振動
さける例えば圧電素子などの振動子９および１０を付加
したものである。同図において、Ｘ線源５より放射され
たＸ線３は、ソーラスリット４を通過することにより平
行性を有するＸ線束８となり、パターンを描いたＸ線マ
スク６を通過し、パターンをウェハ７上に転写する。
の構成を示す。同図の装置は、前述の従来装置に対し、
ソーラスリット４をそれぞれＸ方向およびＹ方向に振動
さける例えば圧電素子などの振動子９および１０を付加
したものである。同図において、Ｘ線源５より放射され
たＸ線３は、ソーラスリット４を通過することにより平
行性を有するＸ線束８となり、パターンを描いたＸ線マ
スク６を通過し、パターンをウェハ７上に転写する。
この際、前記ソーラスリット４に結合させた振動子９お
よび１０を駆動することにより、ソーラスリット４をウ
ェハ７に対し平行に保たせながら、矢印で示Ｊ如＜Ｘ−
Ｙ平面内で互いに直角なる２方向に微小振動を行なわせ
る。その結果、ウェハ７上の各領域がソーラスリット４
の隔壁部分２と開口部分１の下に交互に位置されるので
、露光時間中にウェハ７上の各部に入射されるｘｍωが
均一となる。すなわちウェハ上のＸ線強度分布が実効的
に均一となる。
よび１０を駆動することにより、ソーラスリット４をウ
ェハ７に対し平行に保たせながら、矢印で示Ｊ如＜Ｘ−
Ｙ平面内で互いに直角なる２方向に微小振動を行なわせ
る。その結果、ウェハ７上の各領域がソーラスリット４
の隔壁部分２と開口部分１の下に交互に位置されるので
、露光時間中にウェハ７上の各部に入射されるｘｍωが
均一となる。すなわちウェハ上のＸ線強度分布が実効的
に均一となる。
（発明の適用範囲）
なお、上述の実施例においては、ソーラスリット４をｘ
−Ｙ平面的の互に直角なる２方向に振動させているが、
２方向を合成した１方向だけでもよく、また露光時間中
の前半を１方向、後半を他の方向としてもよい。要は露
光時間中にウェハ上に入射されるＸ線量がなるべく均一
になるように、振動方向および振幅を設定すればよい。
−Ｙ平面的の互に直角なる２方向に振動させているが、
２方向を合成した１方向だけでもよく、また露光時間中
の前半を１方向、後半を他の方向としてもよい。要は露
光時間中にウェハ上に入射されるＸ線量がなるべく均一
になるように、振動方向および振幅を設定すればよい。
また、ウェハ７とマスク６が一体となって、ソーラスリ
ット４下を走行する露光方法においては、ソーラスリッ
ト４はウェハに対し平行を保ちながらウェハ７の走行方
向に対し所定の角度例えば直角で交叉する一方向にのみ
振動させるだけでよい。また、ソーラスリット４を振動
させる代りに、被露光体すなわちウェハおよびマスクを
、ウェハとマスクとの相対的位置関係を保ったまま振動
させるようにしてもよく、あるいはソーラスリット４と
被露光体との双方を振動させるようにしてもよ（１゜こ
の双方を振動させる場合、ソーラスリット４と被露光体
とをたがいに直角方向に振動させるのが好ましい。さら
に、ソーラスリットまたは被露光体の移動方向は、ソー
ラスリットと被露光体とを実質的に平行に保てる限り、
Ｘ、Ｙ、Ｚの各軸に対して直線的である必要はない。例
えばソーラスリッ１〜をＺ軸上の１点を支点として円弧
状に揺動させてもよく、ＸＹ平面に対し傾斜方向に振動
させてもよく、あるいはＸＹ平面内で任意の曲線または
折れ線上を移動させてもよい。
ット４下を走行する露光方法においては、ソーラスリッ
ト４はウェハに対し平行を保ちながらウェハ７の走行方
向に対し所定の角度例えば直角で交叉する一方向にのみ
振動させるだけでよい。また、ソーラスリット４を振動
させる代りに、被露光体すなわちウェハおよびマスクを
、ウェハとマスクとの相対的位置関係を保ったまま振動
させるようにしてもよく、あるいはソーラスリット４と
被露光体との双方を振動させるようにしてもよ（１゜こ
の双方を振動させる場合、ソーラスリット４と被露光体
とをたがいに直角方向に振動させるのが好ましい。さら
に、ソーラスリットまたは被露光体の移動方向は、ソー
ラスリットと被露光体とを実質的に平行に保てる限り、
Ｘ、Ｙ、Ｚの各軸に対して直線的である必要はない。例
えばソーラスリッ１〜をＺ軸上の１点を支点として円弧
状に揺動させてもよく、ＸＹ平面に対し傾斜方向に振動
させてもよく、あるいはＸＹ平面内で任意の曲線または
折れ線上を移動させてもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によると、ソーラスリット
と被露光体との平行に保った状態でこれらのソーラスリ
ットと被露光体との相対的位置が変動するように、スリ
ットを微小振動させているため、Ｘ線束に平行性にもた
せたままＸ線強度の不均一をなくすることができ、サブ
ミクロンオーダーの線幅を有する微細パターンを露光む
らなく転写することが出来る。
と被露光体との平行に保った状態でこれらのソーラスリ
ットと被露光体との相対的位置が変動するように、スリ
ットを微小振動させているため、Ｘ線束に平行性にもた
せたままＸ線強度の不均一をなくすることができ、サブ
ミクロンオーダーの線幅を有する微細パターンを露光む
らなく転写することが出来る。
第１図はソーラスリットの模式図で、（ａ）は平面図（
ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断面図、第２図は本発明の１実
施例に係るＸ線露光装置の概略の構成図である。 １・・・開口部分 ２・・・隔壁部分 ３・・・入射Ｘ線 ４・・・ソーラスリット５・・・Ｘ
ｌｉ！ＩＩＩ ６・・・マスク７・・・ウェハ ８・・
・平行化Ｘ線 ９・・・振動子 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 第１園 第２図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第６３１７２号２、発明の名
称 Ｘ線露光装置 ３゜補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称（１００
）キャノン株式会社 代表者 賀来龍三部 ４、代理人 〒１０５ 住 所 東京都港区虎ノ門二丁目８番１号虎ノ門電気ビ
ル 電話（５０１）９３７０６、補正の対象 明細書中、「図面の簡単な説明の欄」 ７、補正の内容 明細書第６頁第６〜７行の゛第１図はソーラスリットの
模式図で、（ａ）は平面図（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断
面図、″を、「第１図はソーラスリットの模式図、」に
訂正する。
ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断面図、第２図は本発明の１実
施例に係るＸ線露光装置の概略の構成図である。 １・・・開口部分 ２・・・隔壁部分 ３・・・入射Ｘ線 ４・・・ソーラスリット５・・・Ｘ
ｌｉ！ＩＩＩ ６・・・マスク７・・・ウェハ ８・・
・平行化Ｘ線 ９・・・振動子 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 第１園 第２図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第６３１７２号２、発明の名
称 Ｘ線露光装置 ３゜補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称（１００
）キャノン株式会社 代表者 賀来龍三部 ４、代理人 〒１０５ 住 所 東京都港区虎ノ門二丁目８番１号虎ノ門電気ビ
ル 電話（５０１）９３７０６、補正の対象 明細書中、「図面の簡単な説明の欄」 ７、補正の内容 明細書第６頁第６〜７行の゛第１図はソーラスリットの
模式図で、（ａ）は平面図（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断
面図、″を、「第１図はソーラスリットの模式図、」に
訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被写体に入射するＸ線を平行化するためのソーラス
リットを備えたＸ線露光装置において、露光詩、前記ソ
ーラスリットと前記被写体とを平行を保ちつつ相対的に
振動させることを特徴とするＸ線露光装置。 ２、前記被写体が固定し、前記ソーラスリットが振動子
に係合して振動する前記特許請求の範囲第１項記載のＸ
線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063172A JPS60208828A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063172A JPS60208828A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208828A true JPS60208828A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13221571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59063172A Pending JPS60208828A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208828A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238416A2 (en) * | 1986-03-18 | 1987-09-23 | Fujitsu Limited | X-ray lithography system |
| EP0387038A2 (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting device and pattern transfer apparatus using the same |
| US5322589A (en) * | 1989-02-09 | 1994-06-21 | Fujitsu Limited | Process and apparatus for recrystallization of semiconductor layer |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59063172A patent/JPS60208828A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238416A2 (en) * | 1986-03-18 | 1987-09-23 | Fujitsu Limited | X-ray lithography system |
| US5322589A (en) * | 1989-02-09 | 1994-06-21 | Fujitsu Limited | Process and apparatus for recrystallization of semiconductor layer |
| EP0387038A2 (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting device and pattern transfer apparatus using the same |
| US5150151A (en) * | 1989-03-09 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting device and pattern transfer apparatus using the same |
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