JPS6020610A - 電圧利得可変増幅器 - Google Patents
電圧利得可変増幅器Info
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- JPS6020610A JPS6020610A JP12969783A JP12969783A JPS6020610A JP S6020610 A JPS6020610 A JP S6020610A JP 12969783 A JP12969783 A JP 12969783A JP 12969783 A JP12969783 A JP 12969783A JP S6020610 A JPS6020610 A JP S6020610A
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- Japan
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- resistance
- current
- gain
- constant current
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電圧利得可変増幅器に係り、特に、利得可変
範囲の設定が容易でその設定精度が高く、例えば電話通
話回線等に好適な電圧利得可変増幅器に関する。
範囲の設定が容易でその設定精度が高く、例えば電話通
話回線等に好適な電圧利得可変増幅器に関する。
第１図は従来の電圧利得可変増幅器を示している。即ち
、ダイオード接続されたトランジスタ２と、トランジス
タ４．６とはカレントミラー回路を構成し、トランジス
タ４．６の各ベース及びエミッタはそれぞれ共通に接続
されているとともに、コレクタには正電圧＋■を印加す
る電圧印加端子８が形成されている。トランジスタ２の
ベース・コレクタにはインピーダンス制御電流Ｉｃを通
流させる制御端子１０が形成され、トランジスタ６のコ
レクタにはインピーダンス可変素子としてのダイオード
１２．１４がコレクタ側をアノードにして接続されてい
る。また、トランジスタ４のコレクタにはダイオード接
続されたトランジスタ１６のベース・コレクタが接続さ
れ、前記ダイオード１２のカソードには入力電圧Ｖｉを
印加する入力端子１８が形成されているとともに、トラ
ンジスタ２０のコレクタが接続され、一方、ダイオード
１４のカソードには出力電圧■０を取出すための出力端
子２２が形成されているとともに、トランジスタ２４の
コレクタが接続されている。トランジスタ１６とトラン
ジスタ２０．２４とはカレントミラー回路を構成し、ト
ランジスタ２０．２４０ベースにはトランジスタ１６の
ベース・コレクタがそれぞれ共通に接続され、各トラン
ジスタ１６．２０．２４のエミッタには負電圧−■が印
加される電圧印加端子２６が形成されている。また、出
力端子２２と基準電位点との間には、負荷抵抗２８が接
続されている。
、ダイオード接続されたトランジスタ２と、トランジス
タ４．６とはカレントミラー回路を構成し、トランジス
タ４．６の各ベース及びエミッタはそれぞれ共通に接続
されているとともに、コレクタには正電圧＋■を印加す
る電圧印加端子８が形成されている。トランジスタ２の
ベース・コレクタにはインピーダンス制御電流Ｉｃを通
流させる制御端子１０が形成され、トランジスタ６のコ
レクタにはインピーダンス可変素子としてのダイオード
１２．１４がコレクタ側をアノードにして接続されてい
る。また、トランジスタ４のコレクタにはダイオード接
続されたトランジスタ１６のベース・コレクタが接続さ
れ、前記ダイオード１２のカソードには入力電圧Ｖｉを
印加する入力端子１８が形成されているとともに、トラ
ンジスタ２０のコレクタが接続され、一方、ダイオード
１４のカソードには出力電圧■０を取出すための出力端
子２２が形成されているとともに、トランジスタ２４の
コレクタが接続されている。トランジスタ１６とトラン
ジスタ２０．２４とはカレントミラー回路を構成し、ト
ランジスタ２０．２４０ベースにはトランジスタ１６の
ベース・コレクタがそれぞれ共通に接続され、各トラン
ジスタ１６．２０．２４のエミッタには負電圧−■が印
加される電圧印加端子２６が形成されている。また、出
力端子２２と基準電位点との間には、負荷抵抗２８が接
続されている。
このような電圧利得可変増幅器では制御端子１０に流す
制御電流１ｃの値を調整してダイオード１２．１４に流
れる電流Ｉｃを制御し、ダイオード１２．１４の微分抵
抗を可変することで、ダイオード１４と負荷抵抗２８の
分圧で減衰出力■０を得ている。
制御電流１ｃの値を調整してダイオード１２．１４に流
れる電流Ｉｃを制御し、ダイオード１２．１４の微分抵
抗を可変することで、ダイオード１４と負荷抵抗２８の
分圧で減衰出力■０を得ている。
一般にダイオードの電流Ｉｆと電圧Ｖｆとの関係は、
Ｖｆ−（ＫＴ／ｑ）ｌｎ （Ｉｆ／Ｉｓ）・・・ （１
） で与えられる。この式（１）において、Ｋ：ボルツマン
定数、Ｔ：温度（”ｃ）、ｑ：電子電気量、ＩＳ：ダイ
オードの飽和電流である。
） で与えられる。この式（１）において、Ｋ：ボルツマン
定数、Ｔ：温度（”ｃ）、ｑ：電子電気量、ＩＳ：ダイ
オードの飽和電流である。
ここで、電流微小変化に対する電圧変化である微分抵抗
ｒは、 ｒ−ΔＶｆ／Δｒ ｆ ＝ＫＴ／ｑ Ｉ ｆ・・・ （
２） となり、ダイオードに流れる電流Ｉｆに逆比例する。
ｒは、 ｒ−ΔＶｆ／Δｒ ｆ ＝ＫＴ／ｑ Ｉ ｆ・・・ （
２） となり、ダイオードに流れる電流Ｉｆに逆比例する。
前記増幅器では、ダイオード１２．１４のインピーダン
スが信号経路に直列に入り、負荷抵抗２８で分圧される
。負荷抵抗２８の抵抗値をＲとすると、この分圧比（Ｖ
ｏ／Ｖｉ）は、 Ｖｏ／Ｖｉ＝Ｒ／ （２ｒ＋Ｒ） ・・・ （３） となる。第２図はこの関係を示し、ダイオード電流Ｉｆ
に対する電圧利得２０ ｌｏｇ（Ｖｏ／Ｖｉ）を示して
いる。
スが信号経路に直列に入り、負荷抵抗２８で分圧される
。負荷抵抗２８の抵抗値をＲとすると、この分圧比（Ｖ
ｏ／Ｖｉ）は、 Ｖｏ／Ｖｉ＝Ｒ／ （２ｒ＋Ｒ） ・・・ （３） となる。第２図はこの関係を示し、ダイオード電流Ｉｆ
に対する電圧利得２０ ｌｏｇ（Ｖｏ／Ｖｉ）を示して
いる。
このようなダイオードの微分抵抗を利用する場合、ダイ
オードに信号電流を流すため、ダイオードのインピーダ
ンスを制御する制御電流Ｉｃに比較し、充分に小さい領
域しか使用できないばかりでなく、ネｎ度の高い電流比
率を持ったカレントミラー回路が要求され、その精度が
悪いと利得の切換え時にクリック音が発生し、特にダイ
オードの非線形性が無視できる数ｍＶないし数十ｍＶ程
度の信号以下に使用範囲が限定されるばかりでなく、こ
の程度の信号において、１ｍＶ程度のクリック音が発生
する等の不都合がある。さらに、前記のようなカレント
ミラー回路では、ｈｆｅのばらつき、出力アドミタンス
ｈｏｅの影響を受け易（、これらを補償する手段が必要
となる。
オードに信号電流を流すため、ダイオードのインピーダ
ンスを制御する制御電流Ｉｃに比較し、充分に小さい領
域しか使用できないばかりでなく、ネｎ度の高い電流比
率を持ったカレントミラー回路が要求され、その精度が
悪いと利得の切換え時にクリック音が発生し、特にダイ
オードの非線形性が無視できる数ｍＶないし数十ｍＶ程
度の信号以下に使用範囲が限定されるばかりでなく、こ
の程度の信号において、１ｍＶ程度のクリック音が発生
する等の不都合がある。さらに、前記のようなカレント
ミラー回路では、ｈｆｅのばらつき、出力アドミタンス
ｈｏｅの影響を受け易（、これらを補償する手段が必要
となる。
また、制御電流に対する減衰（増幅）特性が広範囲に制
御（数十ｄＢ）できる代りに、数ｄＢ程度の可変範囲を
正確に設定する場合にも正確な制御電圧の設定が要求さ
れ、回路自体を集積回路化することが困難である。
御（数十ｄＢ）できる代りに、数ｄＢ程度の可変範囲を
正確に設定する場合にも正確な制御電圧の設定が要求さ
れ、回路自体を集積回路化することが困難である。
また、従来の電圧利得可変増幅器では、制御電流１ｃの
可変によって２値の増幅率の設定が困難であるとともに
、制御電流１ｃのばらつきが増幅利得に直接影響を与え
る欠点がある。
可変によって２値の増幅率の設定が困難であるとともに
、制御電流１ｃのばらつきが増幅利得に直接影響を与え
る欠点がある。
この発明は、少な（とも２値の増幅率（減衰率）を正確
に設定することができるとともに、制御信号や出力電流
のばらつきによって利得は影響を受けることがなぐ、ダ
イオードの線形歪の影響を回避し、数百ｍＶ程度の高い
電圧まで扱うことができる電圧利得可変増幅器の提供を
目的とする。
に設定することができるとともに、制御信号や出力電流
のばらつきによって利得は影響を受けることがなぐ、ダ
イオードの線形歪の影響を回避し、数百ｍＶ程度の高い
電圧まで扱うことができる電圧利得可変増幅器の提供を
目的とする。
この発明は、定電流出力の値が可変可能にされた可変定
電流源と、この可変定電流源から定電流が供給され前記
定電流の値で電圧利得が設定される差動増幅器と、この
差動増幅器に負荷として接続されたダイオード及び直列
抵抗とから構成したことを特徴とする。
電流源と、この可変定電流源から定電流が供給され前記
定電流の値で電圧利得が設定される差動増幅器と、この
差動増幅器に負荷として接続されたダイオード及び直列
抵抗とから構成したことを特徴とする。
以下、この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第３図はこの発明の電圧利得可変増幅器の実施例を示し
ている。図において、トランジスタ３０．３２で差動増
幅器３４が構成されている。トランジスタ３０のコレク
タと電源供給端子３６との間には、差動増幅器３４の負
荷としてダイオード３８と抵抗４０が直列に接続され、
一方、トランジスタ３２のコレクタと電源供給端子３６
との間にも前記と同様にダイオード４２と抵抗４４が直
列に接続されている。この実施例では、電圧利得可変増
幅器は集積回路で構成し、各ダイオード３８．４２はト
ランジスタのベース・コレクタを共通化し、ダイオード
接続としたものである。
ている。図において、トランジスタ３０．３２で差動増
幅器３４が構成されている。トランジスタ３０のコレク
タと電源供給端子３６との間には、差動増幅器３４の負
荷としてダイオード３８と抵抗４０が直列に接続され、
一方、トランジスタ３２のコレクタと電源供給端子３６
との間にも前記と同様にダイオード４２と抵抗４４が直
列に接続されている。この実施例では、電圧利得可変増
幅器は集積回路で構成し、各ダイオード３８．４２はト
ランジスタのベース・コレクタを共通化し、ダイオード
接続としたものである。
各トランジスタ３０．３２のベース間にハ入力端子４６
．４８が形成され、そのコレクタ間には出力端子５０．
５２が形成されている。各トランジスタ３０．３２のエ
ミッタは抵抗５４．５６を介して共通に接続され、抵抗
５４．５６の接続点と基準電位端子５８との間には、定
電流出力が可変可能にされた可変定電流源６０が接続さ
れている。
．４８が形成され、そのコレクタ間には出力端子５０．
５２が形成されている。各トランジスタ３０．３２のエ
ミッタは抵抗５４．５６を介して共通に接続され、抵抗
５４．５６の接続点と基準電位端子５８との間には、定
電流出力が可変可能にされた可変定電流源６０が接続さ
れている。
以上の構成に基づき、その動作を説明する。今、抵抗４
０．４４の抵抗値をＲａ、抵抗５４．５６の抵抗値をＲ
ｂ、可変定電流源６０の出力定電流を１０とすると、ダ
イオード３８．４２の微分抵抗は式（２）からｒ＝２Ｋ
Ｔ／ｑｌＯであるから、分圧比（Ｖｔ／Ｖｏ）は、 Ｖ ｉ／Ｖｏ−（ｒ ＋Ｒａ）／ （ｒ ＋Ｒｂ）・
・ ・ （４） となる。ここで、Ｒａ及びＲｂがｒに比べ十分に大きい
場合、即ちＩｏ＝２ＫＴ／ｑｒ、ｉｏ＞＞２ＫＴ／ｑＲ
ａ、Ｉ ｏ）＞ ２ ＫＴ／ ｑ Ｒｂの場合では、ｖ
ｉ／■ｏ−Ｒａ／Ｒｂ ・・・ （５）となる。即ち、
この場合、抵抗比Ｒａ ／ Ｒｂで利得が設定される。
０．４４の抵抗値をＲａ、抵抗５４．５６の抵抗値をＲ
ｂ、可変定電流源６０の出力定電流を１０とすると、ダ
イオード３８．４２の微分抵抗は式（２）からｒ＝２Ｋ
Ｔ／ｑｌＯであるから、分圧比（Ｖｔ／Ｖｏ）は、 Ｖ ｉ／Ｖｏ−（ｒ ＋Ｒａ）／ （ｒ ＋Ｒｂ）・
・ ・ （４） となる。ここで、Ｒａ及びＲｂがｒに比べ十分に大きい
場合、即ちＩｏ＝２ＫＴ／ｑｒ、ｉｏ＞＞２ＫＴ／ｑＲ
ａ、Ｉ ｏ）＞ ２ ＫＴ／ ｑ Ｒｂの場合では、ｖ
ｉ／■ｏ−Ｒａ／Ｒｂ ・・・ （５）となる。即ち、
この場合、抵抗比Ｒａ ／ Ｒｂで利得が設定される。
この場合には定電流Ｉｏが大きいため、純抵抗４０．４
４．５４．５６が支配的になる。
４．５４．５６が支配的になる。
Ｒａ及びＲｂがｒに比べ十分に小さい場合、即ちＩｏ＜
＜２ＫＴ／ｑＲａ、Ｉｏ＜＜２ＫＴ／ｑＲｂの場合、 Ｖ ’ｉ ／ Ｖ ｏ ＝ ｒ ／ ｒ ＝ １ （一
定）・・・ （６） となる。この場合には定電流１ｏが小さいため、ダイオ
ード３８．４２及びトランジスタ３０．３２の微分抵抗
が支配的となる。
＜２ＫＴ／ｑＲａ、Ｉｏ＜＜２ＫＴ／ｑＲｂの場合、 Ｖ ’ｉ ／ Ｖ ｏ ＝ ｒ ／ ｒ ＝ １ （一
定）・・・ （６） となる。この場合には定電流１ｏが小さいため、ダイオ
ード３８．４２及びトランジスタ３０．３２の微分抵抗
が支配的となる。
即ち、定電流■０の値により利得は１よりＲａ／Ｒｂで
決まる値に変化させることができる。
決まる値に変化させることができる。
また、この利得が２値間を遷移する付近では定電流値で
決まる微分抵抗ｒ （−２ＫＴ／ ｑ Ｉ ｏ）がそれ
ぞれＲａ、Ｒｂと等しい値を取るとき変曲点となる。こ
の変曲点を決める定電流値をＪｏａ、Ｊｏｂとすると、
Ｒａ＞Ｒｂのとき、式（４）より利得は定電流値の増加
により増加する傾向を示し、 Ｉｏａ＝２ＫＴ／ｑＲａ １ｏｂ＝２ＫＴ／ｑＲｂ ・ ・ ・ （７）となる。
決まる微分抵抗ｒ （−２ＫＴ／ ｑ Ｉ ｏ）がそれ
ぞれＲａ、Ｒｂと等しい値を取るとき変曲点となる。こ
の変曲点を決める定電流値をＪｏａ、Ｊｏｂとすると、
Ｒａ＞Ｒｂのとき、式（４）より利得は定電流値の増加
により増加する傾向を示し、 Ｉｏａ＝２ＫＴ／ｑＲａ １ｏｂ＝２ＫＴ／ｑＲｂ ・ ・ ・ （７）となる。
また、Ｒａ＜Ｒｈのときは、同様に式（４）より利得は
定電流値の増加により減少する傾向を示し、 １’ｏａ＝２ＫＴ／ｑＲｂ ＩＯｂ−２ＫＴ／ｑＲａ ・ ・ ・ （８）となる。
定電流値の増加により減少する傾向を示し、 １’ｏａ＝２ＫＴ／ｑＲｂ ＩＯｂ−２ＫＴ／ｑＲａ ・ ・ ・ （８）となる。
以上の各式から明らかなように、抵抗値Ｒａ −。
Ｒｈ及び定電流１ｏを任意に設定することにより、第４
図に示すように、可変定電流源６０の定電流１ｏをＩｏ
ａ、Ｊｏｂにすることにより、利得ＧＯはＧａ又はＧｂ
の２値に切換えることが可能である。即ち、電流Ｉｏを
Ｉｏａより充分に小さい値に設定することにより、出力
利得は一定のＧＯに成るとともに、電流ＩｏをＩｏａか
らｒｏｂより大きい値に切換えることにより前記利得Ｇ
Ｏとは異なる利得Ｇａ又はＧｂを得ることができる。
図に示すように、可変定電流源６０の定電流１ｏをＩｏ
ａ、Ｊｏｂにすることにより、利得ＧＯはＧａ又はＧｂ
の２値に切換えることが可能である。即ち、電流Ｉｏを
Ｉｏａより充分に小さい値に設定することにより、出力
利得は一定のＧＯに成るとともに、電流ＩｏをＩｏａか
らｒｏｂより大きい値に切換えることにより前記利得Ｇ
Ｏとは異なる利得Ｇａ又はＧｂを得ることができる。
また、この利得設定において、抵抗値Ｒａ、Ｊｉｂ及び
定電流Ｉｏの変化量を任意に設定することで、利得Ｇｏ
−Ｇａ間、利得Ｇｏ＝Ｇｂ間の傾斜も任意に設定するこ
とができ、両者の際の出力精度を高めることができる。
定電流Ｉｏの変化量を任意に設定することで、利得Ｇｏ
−Ｇａ間、利得Ｇｏ＝Ｇｂ間の傾斜も任意に設定するこ
とができ、両者の際の出力精度を高めることができる。
このように差動増幅器３４の負荷抵抗としてダイオード
３８．４２の微分抵抗と純抵抗４０．４４を併用し、そ
の帰還抵抗としてトランジスタ３０．３２の微分抵抗と
純抵抗５４．５６を併用しているため、前記利得は相対
値で設定することができ、トランジスタ等の素子の絶対
値のばらつきに強い回路構成となる。
３８．４２の微分抵抗と純抵抗４０．４４を併用し、そ
の帰還抵抗としてトランジスタ３０．３２の微分抵抗と
純抵抗５４．５６を併用しているため、前記利得は相対
値で設定することができ、トランジスタ等の素子の絶対
値のばらつきに強い回路構成となる。
特に、第１図に示す回路のように、利得制御をかけた場
合、制御電流のばらつきにより利得の調節が非常に厳密
に成り、制御電流のばらつきが利得に影響を与える不都
合があった。これは従来のように外部調整端子が形成さ
れる場合には、このようなばらつきは許容できるが、外
部調整端子を省略してその調節設定を自動化する場合に
は、素子等のばらつきでＩＣ毎に利得が大きく変る可能
性があるので、極力このようなばらつきを抑制すること
が必要になる。この発明の電圧利得可変増幅器では、前
記のように利得を高精度に設定することができるので、
このような不都合は全くない。
合、制御電流のばらつきにより利得の調節が非常に厳密
に成り、制御電流のばらつきが利得に影響を与える不都
合があった。これは従来のように外部調整端子が形成さ
れる場合には、このようなばらつきは許容できるが、外
部調整端子を省略してその調節設定を自動化する場合に
は、素子等のばらつきでＩＣ毎に利得が大きく変る可能
性があるので、極力このようなばらつきを抑制すること
が必要になる。この発明の電圧利得可変増幅器では、前
記のように利得を高精度に設定することができるので、
このような不都合は全くない。
従来の増幅器では、利得は式（３）のようになるが、こ
の発明の実施例では式（′１）、（８）のように成り、
分母分子にｒ−、Ｒが入るため、素子のばらつきや温度
変化等で利得が影響を受けることが抑制される。従って
、このような電圧利得可変増幅器によれば、少なくとも
２値の増幅率（減衰率）を正確に設定することができ、
また、制御信号や出力電流のばらつきによって利得が影
響を受けることがなく、ダイオードの線形歪の影響を回
避して数百ｍ’Ｖ程度の高い電圧まで扱うことができる
ものである。
の発明の実施例では式（′１）、（８）のように成り、
分母分子にｒ−、Ｒが入るため、素子のばらつきや温度
変化等で利得が影響を受けることが抑制される。従って
、このような電圧利得可変増幅器によれば、少なくとも
２値の増幅率（減衰率）を正確に設定することができ、
また、制御信号や出力電流のばらつきによって利得が影
響を受けることがなく、ダイオードの線形歪の影響を回
避して数百ｍ’Ｖ程度の高い電圧まで扱うことができる
ものである。
第５図はこの発明の他の実施例を示し、前記実施（Ｊｌ
ｌ、と共通部分には同一符号が付しである。この実施例
でば、差動増＠器３４の出力を出力側に設置した差動増
幅器６２で受け、出力■０を取出すように構成したもの
である。即ち、前記可変定電流源６０ばトランジスタ６
４．６６、抵抗６８．７０．７エ及び定電圧が可変設定
可能な定電圧源７２で構成され、差動増幅器６２はトラ
ンジスタ７４．７６で構成されている。トランジスタ７
４．７６のエミッタは抵抗７８．８０を介して共通に接
続されるとともに、この抵抗７８．８０の接続点と基準
電位点との間には、前記トランジスタ６４とベースが共
通に接続されたトランジスタ８２と抵抗８４が直列に接
続されている。トランジスタ７６のコレクタと電源供給
端子３６との間には、トランジスタ８６．８８からなる
カレントミラー回路９０が設置され、トランジスタ８８
のコレクタと基準電位点との間に接続された抵抗９２の
電源側端子には出力端子９４が形成、され、この出力端
子９４から出力電圧ＶＯが取出されるように成っている
。
ｌ、と共通部分には同一符号が付しである。この実施例
でば、差動増＠器３４の出力を出力側に設置した差動増
幅器６２で受け、出力■０を取出すように構成したもの
である。即ち、前記可変定電流源６０ばトランジスタ６
４．６６、抵抗６８．７０．７エ及び定電圧が可変設定
可能な定電圧源７２で構成され、差動増幅器６２はトラ
ンジスタ７４．７６で構成されている。トランジスタ７
４．７６のエミッタは抵抗７８．８０を介して共通に接
続されるとともに、この抵抗７８．８０の接続点と基準
電位点との間には、前記トランジスタ６４とベースが共
通に接続されたトランジスタ８２と抵抗８４が直列に接
続されている。トランジスタ７６のコレクタと電源供給
端子３６との間には、トランジスタ８６．８８からなる
カレントミラー回路９０が設置され、トランジスタ８８
のコレクタと基準電位点との間に接続された抵抗９２の
電源側端子には出力端子９４が形成、され、この出力端
子９４から出力電圧ＶＯが取出されるように成っている
。
このように差動増幅器３４の出力を別に設置した差動増
幅器６２で受けて取出せば、定電流Ｔ。
幅器６２で受けて取出せば、定電流Ｔ。
を変化させることによる出力直流動作点の変動を防ぐこ
とができるので、シングルエンド出力を取ることができ
る。
とができるので、シングルエンド出力を取ることができ
る。
以上説明したようにこの発明によれば、少なくとも２値
の増幅率（減衰率）を正確に設定することができるとと
もに、制御信号や出力電流のばらつきによって利得が影
響を受けることがなく、ダイオードの線形歪の影響を回
避し、数百ｍＶ程度の高い電圧まで扱うことができる。
の増幅率（減衰率）を正確に設定することができるとと
もに、制御信号や出力電流のばらつきによって利得が影
響を受けることがなく、ダイオードの線形歪の影響を回
避し、数百ｍＶ程度の高い電圧まで扱うことができる。
第１図は従来の電圧利得可変増幅器を示す回路図、第２
図はその動作特性を示す説明図、第３図はこの発明の電
圧利得可変増幅器の実施例を示す回路図、第４図はその
動作特性を示す説明図、第５図はこの発明の他の実施例
を示す回路図である。 ３０．３２・・・トランジスタ、３４・・・差動増幅器
、３８．４２・・・ダイオード、４０．４４．５４．５
６・・・抵抗、６０・・・可変定電流源。 第１図 第２図 制 御 電 流 ＩＣ 第３図 電 流 １゜
図はその動作特性を示す説明図、第３図はこの発明の電
圧利得可変増幅器の実施例を示す回路図、第４図はその
動作特性を示す説明図、第５図はこの発明の他の実施例
を示す回路図である。 ３０．３２・・・トランジスタ、３４・・・差動増幅器
、３８．４２・・・ダイオード、４０．４４．５４．５
６・・・抵抗、６０・・・可変定電流源。 第１図 第２図 制 御 電 流 ＩＣ 第３図 電 流 １゜
Claims (2)
- （１）定電流出力の値が可変可能にされた可変定電流源
と、この可変定電流源から定電流が供給され前記定電流
の値で電圧利得が設定される差動増幅器と、この差動増
幅器に負荷として接続されたダイオード及び直列抵抗と
から構成したことを特徴とする電圧利得可変増幅器。 - （２） 前記差動増幅器は一対のトランジスタで構成し
、このトランジスタのエミッタ微分抵抗とこのトランジ
スタのエミッタに直列に接続した抵抗との比並びに前記
負荷として接続されたダイオードの微分抵抗と直列抵抗
との比がそれぞれ１に成る値を含むように前記可変定電
流源の可変範囲を設定したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電圧利得可変増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12969783A JPS6020610A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 電圧利得可変増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12969783A JPS6020610A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 電圧利得可変増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020610A true JPS6020610A (ja) | 1985-02-01 |
Family
ID=15015956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12969783A Pending JPS6020610A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 電圧利得可変増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020610A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210714A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Sony Corp | ゲインコントロ−ルアンプ |
| US6242981B1 (en) * | 1998-11-17 | 2001-06-05 | Sony Corporation | AGC circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816643A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-31 | Ajinomoto G F Purotein Kk | 脂身様食品素材およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP12969783A patent/JPS6020610A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816643A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-31 | Ajinomoto G F Purotein Kk | 脂身様食品素材およびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210714A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Sony Corp | ゲインコントロ−ルアンプ |
| JPH0630423B2 (ja) * | 1985-03-14 | 1994-04-20 | ソニー株式会社 | ゲインコントロ−ルアンプ |
| US6242981B1 (en) * | 1998-11-17 | 2001-06-05 | Sony Corporation | AGC circuit |
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