JPS60202958A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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Publication number
JPS60202958A
JPS60202958A JP5980184A JP5980184A JPS60202958A JP S60202958 A JPS60202958 A JP S60202958A JP 5980184 A JP5980184 A JP 5980184A JP 5980184 A JP5980184 A JP 5980184A JP S60202958 A JPS60202958 A JP S60202958A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
lead terminal
insulating substrate
terminal
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP5980184A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Matsumae
松前　義昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP5980184A priority Critical patent/JPS60202958A/ja
Publication of JPS60202958A publication Critical patent/JPS60202958A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3405—Edge mounted components, e.g. terminals

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技餉分野） 本発明は、高出力用の放熱板付混成集積回路装置の外部
取シ出し用リード端子部の構造に関するものである。
一般に高出力用の放熱板付混成集積回路装置（以下、混
成パワーＩＣと呼ぶ）の放熱板と回路が構成される絶縁
基板とは、半田等の合金ソルダーによって接着されてい
る。放熱板には金楓等の放熱伝専の良い材料が選ばれ、
絶縁基板には回路の集積度を高めるために、セラミック
等の筒肪を率基板が選はれる。また絶縁基板の表面には
、混成集積回路が構成され、裏向は放熱板との接層およ
び扁周波特性や放熱性を考慮して全面に金ｈ４層が形成
される。
（従来技術） 第１図は、従来の混成パワーＩＣの断面図を示したもの
である。第１図に示すように、絶縁基板１０良向には、
電気的特性および放熱性を得るために放熱板２が接着さ
れ、絶縁基板１の表面には回路構成部６があシ、回路構
成部６のリード端子接続部５と外部堆シ出し用リード４
が１．気的に接続されている。また、絶縁基板１の表面
は樹脂容器３によって保睦されている。
第１図に示すような混成パワーＩＣでは、外部取シ出し
用リード４は回路構成部６のリード端子接続部５と亀、
気的に接続される際、半田付、ロー付等の方法が用いら
れるため、接続工数が必要であシ、さらに、外部取り出
し°用リード４が増えると、接続工数も増える欠点があ
った。
また、外部取り出し用リード４のリード端子接続部５の
接続面積に制限があるため、リード強度にも限界があっ
た。
（発明の目的） 本発明の目的は、混成パワーｌＣの外部取り付は用リー
ドの接続工数を低減し、リードの接続強度を向上するこ
とで、低コストおよび一品質の混成パワーＩＣを提供す
ることにある。
（発明の構成） 本発明によれは、電気的回路が形成された回路基板の板
曲に放熱板を有し、回路基板からの電極爪シ出しはエッ
チクリップ型のリード端子でなされている混成集積回路
装置を得る。
（発明の実施例） 次に図面を参照して、本発明をよシ詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例による混成パワーＩＣの断面
図を示したものである。
第２図に示すように、絶縁基板１の裏面には、−気的特
性および放熱性を得るための放熱板２が選択的に接続さ
れ、絶Ｍ基板１の表面には回路構成部６があシ、回路構
成部６のリード端子接続部５および絶縁基板１の裏面に
形成された端子接続ｍ　ｓ　／と外部取シ出し用エッチ
クリップ型のリード端子７が電気的に接続されている。
また、絶縁基板１の表面に形成された端子接続部５′は
、放熱板２とは電気的に接続されていない。さらに絶縁
基板１の表面は樹脂容器３によって保賎さｎている。
第２図に示すような混成パワーＩＣでは、外部取シ出し
用リードにエッチクリップ低のリード端子７を使用して
いるため、リード端子７の絶縁基板１のリード端子接続
部５．５′への接続は、絶縁基板１が放熱板２に接層さ
れる以前において、押入され、半田ティ、プ等の方法に
ょシ、電気的接続が可能となるため、従来の接続工数に
比べて、２／１以下に低減することができる。また複数
個のリード端子７の接続においては、リード端子の数に
関係なく同じ工数で接続することが可能である。さらに
、リード端子接続部の接続面積が約２倍となるため、リ
ード強度が従来に比べ強くなる。
以上述べたように外部取シ出し用リード端子にエッチク
リップ型のリード端子を用いた本発明による混成パワー
ＩＣによれば、リード端子取り付は工数を低減した低コ
ストで、リード強度の点において高品質の放熱板付混成
集積回路装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術を説明するための断面図、第２図は本
発明の一実施例を示すだめの断面図である０ １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・放熱板、３・
・・・・・樹脂ケース、４・・・・・・外部取シ出し用
リード端子、５．５’・・・・・・リード端子接続部、
６・・・・・・回路構成部、７・・・・・・エッヂクリ
ップ型外部取り出し用リード端子。 ？ Ｋｙ　図 ？ ２２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回路素子が設置された絶縁基板の下向を良熱伝棉性の放
    熱板に密着させ、さらに前記絶縁基板上に、外装容器を
    取り付けてなる混成集積回路装置において、８１ｊ記絶
    縁基板上に形成された回路素子が形成する電気回路に接
    続され、外部圧取り出されるリード端子にエッチクリッ
    プ型のリード端子が使われていることを特徴とする混成
    集積回路装置。
JP5980184A 1984-03-28 1984-03-28 混成集積回路装置 Pending JPS60202958A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2678773A1 (fr) * 1991-07-05 1993-01-08 Thomson Csf Procede de cablage entre des sorties de boitier et des elements d'hybride.
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