JPS60200687A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS60200687A JPS60200687A JP59056048A JP5604884A JPS60200687A JP S60200687 A JPS60200687 A JP S60200687A JP 59056048 A JP59056048 A JP 59056048A JP 5604884 A JP5604884 A JP 5604884A JP S60200687 A JPS60200687 A JP S60200687A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に係り、特に高画質化に好適な固
体撮像装置に関する。
体撮像装置に関する。
従来、ビデオカメラにおいては、撮像装置として、ビジ
コンなどの撮像管が使用されてきたが、近年の半導体技
術を利用し、画素、走査部などを半導体基板に形成して
訣像信号を得ることができるようにした固体撮像装置が
実用化され、小型、軽量、低消費電力、焼付け、残像な
し、長寿命、安定性などの点で有利なことから固体撮像
装置を備えたビデオカメラが広く用いられるようになっ
てきた。
コンなどの撮像管が使用されてきたが、近年の半導体技
術を利用し、画素、走査部などを半導体基板に形成して
訣像信号を得ることができるようにした固体撮像装置が
実用化され、小型、軽量、低消費電力、焼付け、残像な
し、長寿命、安定性などの点で有利なことから固体撮像
装置を備えたビデオカメラが広く用いられるようになっ
てきた。
第１図は従来のＭＯ８形固体撮像装置の一例を示す等価
回路図であって、１はホトダイオード、２は垂直ＭＯＳ
スイッチ、３は垂直信号線、４は垂直走査回路、５は水
平ＭＯＳスイッチ、６は水平走査回路、７はプリアンプ
である。
回路図であって、１はホトダイオード、２は垂直ＭＯＳ
スイッチ、３は垂直信号線、４は垂直走査回路、５は水
平ＭＯＳスイッチ、６は水平走査回路、７はプリアンプ
である。
第１図において、ホトダイオード１と垂直ＭＯＳスイッ
チ２とで画素を構成している。画素は半導体基板に複数
個形成されており、水平方向と垂直方向に２次元的に配
列されている。
チ２とで画素を構成している。画素は半導体基板に複数
個形成されており、水平方向と垂直方向に２次元的に配
列されている。
ホトダイオード１は、照射された光の受光量に応じた信
号電荷を発生する。垂直ＭＯＳスイッチは、垂直走査回
路４によってオン状態となり、ホトダイオード１に生じ
た信号電荷を垂直信号線３に転送する。水平ＭＯＳスイ
ッチは水平走査回路６によってオン状態となり、垂直信
号Ｉｓ３の信号電荷をプリアンプ７に転送する。
号電荷を発生する。垂直ＭＯＳスイッチは、垂直走査回
路４によってオン状態となり、ホトダイオード１に生じ
た信号電荷を垂直信号線３に転送する。水平ＭＯＳスイ
ッチは水平走査回路６によってオン状態となり、垂直信
号Ｉｓ３の信号電荷をプリアンプ７に転送する。
従って水平ＭＯＳスイッチ５がオン状態になると、信号
電荷は垂直信号１ｍ乙に沿って垂直方向に転送され、ざ
らに水平ＭＯＳスイッチ５を通過して水平方向に転送さ
れる。
電荷は垂直信号１ｍ乙に沿って垂直方向に転送され、ざ
らに水平ＭＯＳスイッチ５を通過して水平方向に転送さ
れる。
次にこの固体撮像装置の動作を説明する。
各々のホトダイオード１には被写体からの光力照射され
、信号電荷が生じている。水平帰線期間、垂直走査回路
４によって、水平方向に配列された１行の垂直ＭＯＳス
イッチ２が同時にオン状態となり、これらの垂直ＭＯＳ
スイッチ２に接続されたホトダイオード１から、それぞ
れ対応する垂直信号線５に信号電荷が転送される。
、信号電荷が生じている。水平帰線期間、垂直走査回路
４によって、水平方向に配列された１行の垂直ＭＯＳス
イッチ２が同時にオン状態となり、これらの垂直ＭＯＳ
スイッチ２に接続されたホトダイオード１から、それぞ
れ対応する垂直信号線５に信号電荷が転送される。
水平帰線期間が終わって水平走査期間になると水平走査
回路乙により、水平ＭＯＳスイッチ５が図面左側から順
次一つずつオン状態となり、各垂直信号線３の信号電荷
が順次プリアンプ７に転送される。
回路乙により、水平ＭＯＳスイッチ５が図面左側から順
次一つずつオン状態となり、各垂直信号線３の信号電荷
が順次プリアンプ７に転送される。
水平走査回路乙による信号の転送は、−水平走査期間に
わたって行なわれ、プリアンプ７からは一水平走査期間
の映像信号が高力される。
わたって行なわれ、プリアンプ７からは一水平走査期間
の映像信号が高力される。
次の水平帰線期間になると、垂直走査回路４は次の一行
の垂直ＭＯＳスイッチ２をオン状態とし、これらの垂直
ＭＯＳスイッチ２に接続された、−行の画素の信号電荷
が、対応する垂直信号線３に転送され、上記した場合と
同様に、−水平走査期間の映像信号が得られる。
の垂直ＭＯＳスイッチ２をオン状態とし、これらの垂直
ＭＯＳスイッチ２に接続された、−行の画素の信号電荷
が、対応する垂直信号線３に転送され、上記した場合と
同様に、−水平走査期間の映像信号が得られる。
以下同様にして、垂直走査回路４による一行の画素毎の
信号電荷の転送と、水平走査回路６によるプリアンプ７
への信号電荷の転送を交互に行ない、所定の水平走査期
間、垂直走査期間に対応する映像信号を得る。
信号電荷の転送と、水平走査回路６によるプリアンプ７
への信号電荷の転送を交互に行ない、所定の水平走査期
間、垂直走査期間に対応する映像信号を得る。
第２図は、第１図の固体撮像装置が形成された半導体基
板の破線部分ａの断面図であって、１′はＮ＋型層、２
′はゲート、５′はＮ＋型層、８はＰ型シリコンウェル
、９はＮ型シリコン基板であり、第１図に対応する部分
には、同一符号を付けている。
板の破線部分ａの断面図であって、１′はＮ＋型層、２
′はゲート、５′はＮ＋型層、８はＰ型シリコンウェル
、９はＮ型シリコン基板であり、第１図に対応する部分
には、同一符号を付けている。
第２図において、半導体基板はＰ型シリコンウェル８と
ｎ型シリコン基板９とからなり、Ｐ型シリコンウェル８
にはｈ％Ｎ型シリコン基析９には■ｎの正のバイアス電
圧が印加されている。
ｎ型シリコン基板９とからなり、Ｐ型シリコンウェル８
にはｈ％Ｎ型シリコン基析９には■ｎの正のバイアス電
圧が印加されている。
Ｐ型シリコンウェル８の表面付近にはＮ＋型層１／、３
／が形成され、一方のＮ＋型層１′とＰ型シリコンウェ
ル８とのＰ−Ｎ接合によってホトダイオード１を形成し
ている。また、他方のＮ＋型層３１上には垂直信号線５
が形成されている。さらに、Ｎ＋形層１１ をソースと
し、Ｎ＋型層３′をドレインとし、これらソース、ドレ
インと、ゲート２′によりＭＯＳ）ランジスタを形成し
、このＭＯＳ）ランジスタを垂直ＭＯＳスイッチ２とし
ている。
／が形成され、一方のＮ＋型層１′とＰ型シリコンウェ
ル８とのＰ−Ｎ接合によってホトダイオード１を形成し
ている。また、他方のＮ＋型層３１上には垂直信号線５
が形成されている。さらに、Ｎ＋形層１１ をソースと
し、Ｎ＋型層３′をドレインとし、これらソース、ドレ
インと、ゲート２′によりＭＯＳ）ランジスタを形成し
、このＭＯＳ）ランジスタを垂直ＭＯＳスイッチ２とし
ている。
かかる構成の固体撮像装置は、ブルーミング、垂直スメ
ア等を防止することができる。
ア等を防止することができる。
ブルーミングとは、強度の光がホトダイオード１に照射
された場合、ホトダイオード１でその蓄積可能な量販上
の信号電荷が発生し、垂直ＭＯＳスイッチ２がオフ状態
にあるにもかかわラス、ホトダイオード１から垂直信号
線ろや、他の画素にあふれ出し、再生画面上で垂直の筋
や、光の当った部分のにじみなどが現われる現象であっ
て、画質を著しく低下させる。
された場合、ホトダイオード１でその蓄積可能な量販上
の信号電荷が発生し、垂直ＭＯＳスイッチ２がオフ状態
にあるにもかかわラス、ホトダイオード１から垂直信号
線ろや、他の画素にあふれ出し、再生画面上で垂直の筋
や、光の当った部分のにじみなどが現われる現象であっ
て、画質を著しく低下させる。
このブルーミングは、Ｎ＋型層１′、Ｐ型シリコンウニ
／Ｉ／８、Ｎ型シリコン基板９によりＮＰＮトランジス
タを形成させることにより抑圧する。
／Ｉ／８、Ｎ型シリコン基板９によりＮＰＮトランジス
タを形成させることにより抑圧する。
すなわち、ホトダイオード１で発生した過剰電荷は、Ｐ
型シ・リコンウエル８．Ｎｇシリコン基板９ ｋ： ＋
ｈ ソｈ 所定’） ’ＷＬ ＩＥ Ｖｐ −’ＶＮ
（ＶＮ ＞ ＶＰ ）を印加して逆バイアスすること
により、Ｎ型シリコン基板に流れ込む。このため、ホト
ダイオード１に発生した過剰電荷は近接した他の画素に
流れることはなく、ブルーミングは抑圧される。
型シ・リコンウエル８．Ｎｇシリコン基板９ ｋ： ＋
ｈ ソｈ 所定’） ’ＷＬ ＩＥ Ｖｐ −’ＶＮ
（ＶＮ ＞ ＶＰ ）を印加して逆バイアスすること
により、Ｎ型シリコン基板に流れ込む。このため、ホト
ダイオード１に発生した過剰電荷は近接した他の画素に
流れることはなく、ブルーミングは抑圧される。
また垂直スメアは、半導基板内に生じた不要な電荷が垂
直信号線に入り込み、再生画面に垂直な筋となって現わ
れる固体撮像装置特有の現象である。
直信号線に入り込み、再生画面に垂直な筋となって現わ
れる固体撮像装置特有の現象である。
この垂直スメアも、Ｐ型シリコンウェルのポテンシャル
障壁により、垂直スメアの原因となる基板深部で発生す
る電荷が隔離されるため、軽減することができる。
障壁により、垂直スメアの原因となる基板深部で発生す
る電荷が隔離されるため、軽減することができる。
しかし、以上の構成の固体撮像装置では、面ざらが発生
する欠点がある。面ざらは、各々のホトダイオードで生
じる暗電流のばらつきに帰因し、再生画面上で白点状と
なって現われ、画質を著しく劣化させる。また面ざらは
温度に依存し、特に高温時に顕著に現われる。
する欠点がある。面ざらは、各々のホトダイオードで生
じる暗電流のばらつきに帰因し、再生画面上で白点状と
なって現われ、画質を著しく劣化させる。また面ざらは
温度に依存し、特に高温時に顕著に現われる。
ホトダイオードで発生する暗電流ＩＤは、（１）式％式
％ （１） ここで、ａ、ｂは個体による定数、Ｔは絶対温度である
。（１）式から面ざらは温度上昇に対し指数関数的に増
加することがわかる。
％ （１） ここで、ａ、ｂは個体による定数、Ｔは絶対温度である
。（１）式から面ざらは温度上昇に対し指数関数的に増
加することがわかる。
面ざらを抑圧するため従来は、ホトダイオードのりセッ
ト電圧つまりビデオバイアスとウェル電圧の差（Ｖｖ
−Ｖｐ ）を小さくしていた。
ト電圧つまりビデオバイアスとウェル電圧の差（Ｖｖ
−Ｖｐ ）を小さくしていた。
ところがホトダイオードの逆方向リセット電圧を小さく
すると、ＭＯＳ形及びＣＰＤ型撮型袋像装置、垂直信号
線容量Ｃｖが大きくなるためにＣｖに帰因するランダム
雑音が増加し、ＣＣＤ形撮像装置では、ＣＣＤの容量が
増加することにより、残像が増加する欠点があった。
すると、ＭＯＳ形及びＣＰＤ型撮型袋像装置、垂直信号
線容量Ｃｖが大きくなるためにＣｖに帰因するランダム
雑音が増加し、ＣＣＤ形撮像装置では、ＣＣＤの容量が
増加することにより、残像が増加する欠点があった。
本発明の目的は、面ざら及びランダム雑音を抑圧し、良
好な画質を得る固体撮像装置を提供することにある。
好な画質を得る固体撮像装置を提供することにある。
本発明では、上記した目的を達成するため、高温におい
ては、支配的な雑音である面ざらを抑圧し、低温におい
ては、支配的な雑音であるランダム雑音を抑圧すべく、
ホトダイオードリセツ）１１圧を温度変化に応じて可変
できるように構成する。■ｖ−■Ｐを可変することによ
り、面ざら及びランダム雑音を温度変化に応じ適切に抑
圧できることを以下に説明する。
ては、支配的な雑音である面ざらを抑圧し、低温におい
ては、支配的な雑音であるランダム雑音を抑圧すべく、
ホトダイオードリセツ）１１圧を温度変化に応じて可変
できるように構成する。■ｖ−■Ｐを可変することによ
り、面ざら及びランダム雑音を温度変化に応じ適切に抑
圧できることを以下に説明する。
ＭＯ８形撮像装置では、水平ＭＯ８スイッチの熱雑音に
帰因するランダム雑音が発生し、ＭＯ８形撮像装置の問
題となっている。ランダム雑音の雑音電流Ｉｎは（１）
式のように、垂直信号線容量Ｃｖに依存する。
帰因するランダム雑音が発生し、ＭＯ８形撮像装置の問
題となっている。ランダム雑音の雑音電流Ｉｎは（１）
式のように、垂直信号線容量Ｃｖに依存する。
■ｎｏｃ丙腎で ・・・・・・・・・・・・・・・（１
）（１）式においてｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度
である。
）（１）式においてｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度
である。
一方垂直信号線容量ＣｖはビデオバイアスＶｖとＰ型シ
リコンウェル電圧■Ｐの差を小さくすれば垂直信号線容
量Ｃｖも減少する。これは垂直信号線容量の大部分がＮ
＋層５′とＰ型ウェル８の接合容量によるためである。
リコンウェル電圧■Ｐの差を小さくすれば垂直信号線容
量Ｃｖも減少する。これは垂直信号線容量の大部分がＮ
＋層５′とＰ型ウェル８の接合容量によるためである。
したがってランダム雑音を低減するためにはＶｖ −ｖ
Ｐを小さくすることが好ましい。
Ｐを小さくすることが好ましい。
また面ざらはランダム雑音に対し高温において支配的と
なる。面ざらは、ホトダイオードのＰＮ接合で発生する
暗電流のばらつきに起因し、暗電流はホトダイオードの
Ｐ Ｎ接合中の空乏層内で熱励起されたキャリアのため
に発生し、空乏層の深さに依存する。ホトダイオードに
印加する逆バイアスＶｖ −ＶＰを小ぎくすれば、ホト
ダイオード中の空乏層が浅くなり、暗電流は減少する。
なる。面ざらは、ホトダイオードのＰＮ接合で発生する
暗電流のばらつきに起因し、暗電流はホトダイオードの
Ｐ Ｎ接合中の空乏層内で熱励起されたキャリアのため
に発生し、空乏層の深さに依存する。ホトダイオードに
印加する逆バイアスＶｖ −ＶＰを小ぎくすれば、ホト
ダイオード中の空乏層が浅くなり、暗電流は減少する。
したがって面ざらを抑圧することができる。
ところで■ｖ−■Ｐを小さくすると、前記したようにラ
ンダム雑音が増加する。しかし、一定温度以上では面ざ
らがランダム雑音に比較して支配的となるため、■ｖ−
■Ｐを小さくし、面ざらを抑圧した方が、良好な画質を
得ることができる。また、一定温度以下ではランダム雑
音が面ざらに比較して支配的であるため、Ｖｖ−ＶＰを
大きくシ、ランダム雑音を抑圧することにより、良好な
画質が得られる。
ンダム雑音が増加する。しかし、一定温度以上では面ざ
らがランダム雑音に比較して支配的となるため、■ｖ−
■Ｐを小さくし、面ざらを抑圧した方が、良好な画質を
得ることができる。また、一定温度以下ではランダム雑
音が面ざらに比較して支配的であるため、Ｖｖ−ＶＰを
大きくシ、ランダム雑音を抑圧することにより、良好な
画質が得られる。
以下本発明の一実施例を第３図により説明する。
第３図は、本発明による固体撮像装置の、従来例を示す
第２図に対応する部分の断面図である。可変抵抗１０を
設けることにより、Ｐ型シリコンウェル層８に印加する
電圧■Ｐ′を可変とする。温度変化に応じて可変抵抗１
０によりホトダイオードリセット電圧■ｖ−ｖＰを調整
し、ランダム雑音、及び面ざらを抑圧する。
第２図に対応する部分の断面図である。可変抵抗１０を
設けることにより、Ｐ型シリコンウェル層８に印加する
電圧■Ｐ′を可変とする。温度変化に応じて可変抵抗１
０によりホトダイオードリセット電圧■ｖ−ｖＰを調整
し、ランダム雑音、及び面ざらを抑圧する。
また、温度変化に応じてｖＰ′を自動的に最適値に設定
することも可能である。第４図はｖＰ′を自動的に調整
する回路の一実施例である。第４図において、１１は抵
抗、１２はＰＮＰ ）ランジスタ、１６はコンパレータ
である。トランジスタ１２のコレクタ電圧Ｖｃは、（３
）式で与えられる。
することも可能である。第４図はｖＰ′を自動的に調整
する回路の一実施例である。第４図において、１１は抵
抗、１２はＰＮＰ ）ランジスタ、１６はコンパレータ
である。トランジスタ１２のコレクタ電圧Ｖｃは、（３
）式で与えられる。
Ｖｃ ：Ｒｃ ・α−ｅｘｐｃ（β（ＶＥ −ＶＢ）
−ｒ ）／ Ｔ）−−・（５）（３）式において、ｖＥ
はエミッタ電圧、ＶＢはベース電圧、ｋはコレクタ抵抗
、α、β、ｒはトランジスタによる定数、Ｔは絶対温度
である。
−ｒ ）／ Ｔ）−−・（５）（３）式において、ｖＥ
はエミッタ電圧、ＶＢはベース電圧、ｋはコレクタ抵抗
、α、β、ｒはトランジスタによる定数、Ｔは絶対温度
である。
ｖｃが指数関数的な温度特性を持つことを利用し、コン
パレータ１６の入力端子１３にＶｃを入力し、リファレ
ンス電圧■Ｒを適当に設定して入力電圧ＶＣと比較する
ことにより、温度変化に応じ自動的に出力電圧ｈ′を得
る。コンパレータ１６の出力端子１５をＰ型シリコンウ
ェルに接続することにより、面ざら、ランダム雑音を抑
圧することができる。
パレータ１６の入力端子１３にＶｃを入力し、リファレ
ンス電圧■Ｒを適当に設定して入力電圧ＶＣと比較する
ことにより、温度変化に応じ自動的に出力電圧ｈ′を得
る。コンパレータ１６の出力端子１５をＰ型シリコンウ
ェルに接続することにより、面ざら、ランダム雑音を抑
圧することができる。
以上の実施例では、Ｐ型シリコンウェルに印加する電圧
ｖＰ′を変えたか、ビデオバイアス■７を変えることに
より、ホトダイオードリセット電圧Ｖｖ −ｖＰを調整
することも可能である。
ｖＰ′を変えたか、ビデオバイアス■７を変えることに
より、ホトダイオードリセット電圧Ｖｖ −ｖＰを調整
することも可能である。
本発明によれば、温度変化に応じてランダム雑音及び面
ざらを抑圧できるので、温度変化に対し常に良好な画質
が得られる。
ざらを抑圧できるので、温度変化に対し常に良好な画質
が得られる。
第１図はＭＯ８形固体撮像装置の等価回路図、第２図は
第１図における一画素の断面図、第３図は本発明の一実
施例を示す一画素の断面図、第４図は同じく本発明の実
施例を示す回路図である。 １・・・ホトダイオード、２・・・垂直ＭＯｓスイッチ
、３・・・垂直信号線、 ４・・・垂直走査回路、５・
・・水平ＭＯＳスイッチ、 ６・・・水平走査回路、７・・・プリアンプ、８・・・
Ｐ型シリコンウェル、 ９・・・Ｎ型シリコン基板、１１・・・抵抗、１２・・
・ＰＮＰ）ランジスタ、 １６・・・入力端子、 １４・・・リファレンス箪圧端子、 １５・・・出力端子、 １６・・・フンパレータ。 第 ｌ 麿 第 ２ 旧 第 ３ 固 第 ４ 肥 ７３ ｔｂ
第１図における一画素の断面図、第３図は本発明の一実
施例を示す一画素の断面図、第４図は同じく本発明の実
施例を示す回路図である。 １・・・ホトダイオード、２・・・垂直ＭＯｓスイッチ
、３・・・垂直信号線、 ４・・・垂直走査回路、５・
・・水平ＭＯＳスイッチ、 ６・・・水平走査回路、７・・・プリアンプ、８・・・
Ｐ型シリコンウェル、 ９・・・Ｎ型シリコン基板、１１・・・抵抗、１２・・
・ＰＮＰ）ランジスタ、 １６・・・入力端子、 １４・・・リファレンス箪圧端子、 １５・・・出力端子、 １６・・・フンパレータ。 第 ｌ 麿 第 ２ 旧 第 ３ 固 第 ４ 肥 ７３ ｔｂ
Claims (1)
- １、 半導体基板上に複数個のホトダイオードを配列し
、該ホトダイオードで発生した信号電荷を垂直方向に転
送し、さらに該信号電荷を水平方向に転送して出力信号
を得るようにした固体撮像装置において、上記ホトダイ
オードに逆バイアスを可変に印加する手段を設けたこと
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056048A JPS60200687A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056048A JPS60200687A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200687A true JPS60200687A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13016197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056048A Pending JPS60200687A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892552A2 (en) * | 1997-07-18 | 1999-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| JP2006314025A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Sony Corp | 撮像装置と撮像装置用の電源供給方法 |
| JP2008042305A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Sony Corp | 撮像装置 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59056048A patent/JPS60200687A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892552A2 (en) * | 1997-07-18 | 1999-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| EP0892552A3 (en) * | 1997-07-18 | 2000-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| US6118115A (en) * | 1997-07-18 | 2000-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| JP2006314025A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Sony Corp | 撮像装置と撮像装置用の電源供給方法 |
| JP2008042305A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Sony Corp | 撮像装置 |
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