JPS60198876A - 圧電性高分子材料の製造方法 - Google Patents
圧電性高分子材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS60198876A JPS60198876A JP59056614A JP5661484A JPS60198876A JP S60198876 A JPS60198876 A JP S60198876A JP 59056614 A JP59056614 A JP 59056614A JP 5661484 A JP5661484 A JP 5661484A JP S60198876 A JPS60198876 A JP S60198876A
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- electrostatic latent
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/098—Forming organic materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スピーカやマイクロホンの振動板として、あ
るいは、圧電キーボードなどに使用されている圧電性高
分子材料を作製するための製造方法に関するものである
。
るいは、圧電キーボードなどに使用されている圧電性高
分子材料を作製するための製造方法に関するものである
。
従来例の構成とその問題点
圧電性高分子薄膜は１通常、ロール法や溶媒法により作
製される。ロール法は、高分子の軟化点近くの温度でロ
ールによりシート状に成形するものである。また、溶媒
法は高分子材料を溶媒に溶植１１− ガラス齋μでフＪ
ルム分子十入東のずゑスこれらの成形法により得られる
成形体は、殆どがシート状のものでアわ、これを各種用
途に合わせて切断や打抜き金行って使用するため、シー
トの無駄が発生する。また、打抜き形状の変更に伴なっ
て打抜き金型が必要となり、金型作製の日数、農作コス
トなどの関係上、容易に形状変更は行えないのが現状で
ある。
製される。ロール法は、高分子の軟化点近くの温度でロ
ールによりシート状に成形するものである。また、溶媒
法は高分子材料を溶媒に溶植１１− ガラス齋μでフＪ
ルム分子十入東のずゑスこれらの成形法により得られる
成形体は、殆どがシート状のものでアわ、これを各種用
途に合わせて切断や打抜き金行って使用するため、シー
トの無駄が発生する。また、打抜き形状の変更に伴なっ
て打抜き金型が必要となり、金型作製の日数、農作コス
トなどの関係上、容易に形状変更は行えないのが現状で
ある。
発明の目的
本発明は、スピーカやブザーなどの種々の用途に応じた
圧電性高分子膜を製造するにあたり、前記製造上の問題
点を解決するために、任意形状の圧電性高分子膜の製造
を可能とする方法を提供するものである。
圧電性高分子膜を製造するにあたり、前記製造上の問題
点を解決するために、任意形状の圧電性高分子膜の製造
を可能とする方法を提供するものである。
発明の構成
即ち、本発明は、静電潜像を顕像化するための帯電性を
付与した樹脂を主成分とする現像剤において、樹脂とし
て圧電性高分子を用いた現像剤を作製し、これを静電写
真プロセスを用いて任意形状の圧電性高分子膜を容易に
量産性良く作製するものであシ、圧電体デバイスとして
組立てる場合にもシートを切断加工する必要がなく、従
って切枝金型の作製も不要で、圧電膜の形状変更も極め
て容易となり、製造コストの低減を可能ならしめるもの
である。
付与した樹脂を主成分とする現像剤において、樹脂とし
て圧電性高分子を用いた現像剤を作製し、これを静電写
真プロセスを用いて任意形状の圧電性高分子膜を容易に
量産性良く作製するものであシ、圧電体デバイスとして
組立てる場合にもシートを切断加工する必要がなく、従
って切枝金型の作製も不要で、圧電膜の形状変更も極め
て容易となり、製造コストの低減を可能ならしめるもの
である。
静電写真プロセスを用いた、いわゆる電子写真法には、
カールソン法、光電導性トナー法、光起電力法、ＴＫＳ
Ｉ法（静電転写法）、永久内部光分極法（ＰＩＰ法）、
キャノンＮＰ法などかあシ、その中でもカールソン法が
最も代表的な方法である。本発明は、上記のような電子
写真技術を利用して、これに用いる静電潜像を顕像化す
るだめの現像剤に圧電性高分子を含有せしめることによ
り、圧電性高分子膜を作製するものであり、特に厚みの
薄い任意形状の圧電薄膜作製上、極めて有効な製造方法
となり得るものである。
カールソン法、光電導性トナー法、光起電力法、ＴＫＳ
Ｉ法（静電転写法）、永久内部光分極法（ＰＩＰ法）、
キャノンＮＰ法などかあシ、その中でもカールソン法が
最も代表的な方法である。本発明は、上記のような電子
写真技術を利用して、これに用いる静電潜像を顕像化す
るだめの現像剤に圧電性高分子を含有せしめることによ
り、圧電性高分子膜を作製するものであり、特に厚みの
薄い任意形状の圧電薄膜作製上、極めて有効な製造方法
となり得るものである。
実施例の説明
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
まず、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＦ２ ）＠９ｙ重量
部、電荷制御剤として塩素化ポリエステルを３重量部加
え、これらを溶融混練した後、微粉砕し。
部、電荷制御剤として塩素化ポリエステルを３重量部加
え、これらを溶融混練した後、微粉砕し。
１５０″Ｃの気流中で球状化し１粒径を１０〜２０μｍ
としたものに流動化剤として平均粒径１μｍ程度の疎水
性シリカを１重量部加えたものを荷電粒子として用いた
。該荷電粒子を、１三ば化鉄（Ｆｅ２Ｏ２）の安定な酸
化被膜を表面に形成した平均粒径７０μｍの鉄粉をキャ
リヤとして、第１図から第５図に示すカールソン法によ
る電子写真法を用いて、厚さ１５０μｍのマイラフィル
ム上に。
としたものに流動化剤として平均粒径１μｍ程度の疎水
性シリカを１重量部加えたものを荷電粒子として用いた
。該荷電粒子を、１三ば化鉄（Ｆｅ２Ｏ２）の安定な酸
化被膜を表面に形成した平均粒径７０μｍの鉄粉をキャ
リヤとして、第１図から第５図に示すカールソン法によ
る電子写真法を用いて、厚さ１５０μｍのマイラフィル
ム上に。
磁気ブラシ現像方式により印刷成形した。
第１図は帯電工程を示し、感光体１上に帯電器３を定食
させ、コロナ放電によって一様に帯電させた。感光体と
しては、暗抵抗が１０〜１０１４Ω・鑞 、光照射時の
抵抗が１０〜１０Ω・ぼの無定形セレンを用いた。なお
２は帯電器用電源である。第２図は露光工程を示し、レ
ンズ４（１１−通して感光体１上に２０ｎｕｍＸ８ｍｍ
の長方形パターンを露光し静電潜像５を形成する。第３
図は現像工程を示し、前記荷電粒子が磁気ブラシ現像法
によって静電潜像上に沈積され、静電潜像が顕在化され
る。
させ、コロナ放電によって一様に帯電させた。感光体と
しては、暗抵抗が１０〜１０１４Ω・鑞 、光照射時の
抵抗が１０〜１０Ω・ぼの無定形セレンを用いた。なお
２は帯電器用電源である。第２図は露光工程を示し、レ
ンズ４（１１−通して感光体１上に２０ｎｕｍＸ８ｍｍ
の長方形パターンを露光し静電潜像５を形成する。第３
図は現像工程を示し、前記荷電粒子が磁気ブラシ現像法
によって静電潜像上に沈積され、静電潜像が顕在化され
る。
６は現像器、７は現像バイアス用電源、８は前記荷電粒
子からなる現像剤である。現像後、第４図に示すように
現像された前記荷電粒子からなる現像剤をマイラフィル
ム１１上に転写させる。９は転写用コロナ帯電器、１０
は転写用コロナ帯電器用電源である。転写徒弟５図に示
すように転写された前記荷電粒子からなる現像剤を熱ロ
ーラ１２゜１３によって定着した。ここで熱ローラの温
度は１６５°Ｃであり、定着と同時にポリフッ化ビニリ
デンは延伸される。
子からなる現像剤である。現像後、第４図に示すように
現像された前記荷電粒子からなる現像剤をマイラフィル
ム１１上に転写させる。９は転写用コロナ帯電器、１０
は転写用コロナ帯電器用電源である。転写徒弟５図に示
すように転写された前記荷電粒子からなる現像剤を熱ロ
ーラ１２゜１３によって定着した。ここで熱ローラの温
度は１６５°Ｃであり、定着と同時にポリフッ化ビニリ
デンは延伸される。
上記工程により、２０ｍｍＸ８ｍｍの長方形で厚みが３
０μｍのフィルムを得た。フィルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着し、１００℃で１５０ ＫＶ／ｃｍの直流電圧
を３０分間印加し、そのまま室温まで徐冷した。このよ
うにして得られた圧電膜の圧電率を測定したところ、ｄ
５１＝１９５Ｘ１０’ｃｇｓｅｓｕ の値が得られ、従
来法によって得られた値（ｄ３１＝２００Ｘ１０ ０ｇ
Ｂｆ３Ｂ＋１ ）と同等の特性を有する圧電性高分子膜
が得られることを確認した。
０μｍのフィルムを得た。フィルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着し、１００℃で１５０ ＫＶ／ｃｍの直流電圧
を３０分間印加し、そのまま室温まで徐冷した。このよ
うにして得られた圧電膜の圧電率を測定したところ、ｄ
５１＝１９５Ｘ１０’ｃｇｓｅｓｕ の値が得られ、従
来法によって得られた値（ｄ３１＝２００Ｘ１０ ０ｇ
Ｂｆ３Ｂ＋１ ）と同等の特性を有する圧電性高分子膜
が得られることを確認した。
次に第２の実施例として、ポリ塩化ビニルを９８重量部
、電荷制御剤として塩素化ポリエステルを２重量部加え
た後、前記実施例と同様の方法で荷電粒子を作製し、該
荷電粒子を用いて、前記実施例と同じ電子写真法によ！
ｌ１２０ｍｍＸ８ｍｍの長方形で厚みが２０μｍの、ポ
リ塩化ビニルからなるフィルムを得た。該フィルムの両
面にアルミニウムを蒸着した後、前記実施例と同じ分極
条件で分極処理したフィルムについて、圧電率を測定し
たところ、ｄ３１＝１４Ｘ１０ ｃｇｓａｓｕ ノ値が
得られ、従来法によって得られた値（ｄ３ｊ＝１５ｘ１
ｏ ｃｇｓｅｓｕ ）と同等の特性を有するポリ塩化ビ
ニルの圧電膜が得られることを確認した。
、電荷制御剤として塩素化ポリエステルを２重量部加え
た後、前記実施例と同様の方法で荷電粒子を作製し、該
荷電粒子を用いて、前記実施例と同じ電子写真法によ！
ｌ１２０ｍｍＸ８ｍｍの長方形で厚みが２０μｍの、ポ
リ塩化ビニルからなるフィルムを得た。該フィルムの両
面にアルミニウムを蒸着した後、前記実施例と同じ分極
条件で分極処理したフィルムについて、圧電率を測定し
たところ、ｄ３１＝１４Ｘ１０ ｃｇｓａｓｕ ノ値が
得られ、従来法によって得られた値（ｄ３ｊ＝１５ｘ１
ｏ ｃｇｓｅｓｕ ）と同等の特性を有するポリ塩化ビ
ニルの圧電膜が得られることを確認した。
以上の実施例では、圧電性高分子材料として。
ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＦ２）と、ポリ塩化ビニル
を用いたが、これ以外の圧電性高分子を含んだ現像剤で
あっても、全く同様に任意形状の圧電性高分子膜が作製
できることは言うまでもない。
を用いたが、これ以外の圧電性高分子を含んだ現像剤で
あっても、全く同様に任意形状の圧電性高分子膜が作製
できることは言うまでもない。
また、印刷方法についても、実施例以外に静電潜像を現
像剤により顕像化する原理に基づくプロセスを含むもの
であれば、特に限定される必要のないことは明らかであ
る。
像剤により顕像化する原理に基づくプロセスを含むもの
であれば、特に限定される必要のないことは明らかであ
る。
発明の効果
以上のように本発明による圧電性高分子膜の製造方法を
用いることにより、種々の形状および厚みを有する圧電
性高分子膜が容易に得られるため、シート状のものから
所定形状の試料を打抜〈従来法と比べて、原料無駄の軽
減や製造プロセスの合理化による大幅なコストダウンを
図ることができる。
用いることにより、種々の形状および厚みを有する圧電
性高分子膜が容易に得られるため、シート状のものから
所定形状の試料を打抜〈従来法と比べて、原料無駄の軽
減や製造プロセスの合理化による大幅なコストダウンを
図ることができる。
第１図〜第６図は、本発明の圧電性高分子を含む荷電粒
子を用いた圧電性フィルムの炸裂プロセスを説明するだ
めの工程図である。 １・・・・・・感光基体、２・・・・・・コロナ帯電器
用電源。 ３・・・・・・コロナ帯電器−４・・・・・・レンズ、
６・・・・・・静電潜像、６・・・・・・現像機、７・
・・・・・現像バイアス用電源。 ８・・・・・・現像剤、９・・・・・・転写用コロナ帯
電器、１０・・・・・・転写用コロナ帯電器用電源、１
１・・・・・・マイラフィルム、１２．１３・・・・・
・定着用ローラ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図
子を用いた圧電性フィルムの炸裂プロセスを説明するだ
めの工程図である。 １・・・・・・感光基体、２・・・・・・コロナ帯電器
用電源。 ３・・・・・・コロナ帯電器−４・・・・・・レンズ、
６・・・・・・静電潜像、６・・・・・・現像機、７・
・・・・・現像バイアス用電源。 ８・・・・・・現像剤、９・・・・・・転写用コロナ帯
電器、１０・・・・・・転写用コロナ帯電器用電源、１
１・・・・・・マイラフィルム、１２．１３・・・・・
・定着用ローラ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図
Claims (1)
- 圧電性高分子を含む荷電粒子を用いて、静電潜像を顕像
化せしめる印刷方法によシ、圧電性高分子薄膜を作製す
るととを特徴とする圧電性高分子材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056614A JPS60198876A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 圧電性高分子材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056614A JPS60198876A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 圧電性高分子材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198876A true JPS60198876A (ja) | 1985-10-08 |
| JPH0564476B2 JPH0564476B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=13032133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056614A Granted JPS60198876A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 圧電性高分子材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198876A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326995A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-13 | Daikin Ind Ltd | Highhmolecular piezooelectric material |
| JPS5528558A (en) * | 1978-08-19 | 1980-02-29 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57123603A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Kureha Chemical Ind Co Ltd | Piezoelectric pyroelectric unit made of vinylidene fluoride copolymer |
| JPS5940597A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | 松下電器産業株式会社 | 印刷配線回路基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59056614A patent/JPS60198876A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326995A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-13 | Daikin Ind Ltd | Highhmolecular piezooelectric material |
| JPS5528558A (en) * | 1978-08-19 | 1980-02-29 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57123603A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Kureha Chemical Ind Co Ltd | Piezoelectric pyroelectric unit made of vinylidene fluoride copolymer |
| JPS5940597A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | 松下電器産業株式会社 | 印刷配線回路基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564476B2 (ja) | 1993-09-14 |
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