JPS60198872A - Led駆動用mos集積回路 - Google Patents
Led駆動用mos集積回路Info
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- JPS60198872A JPS60198872A JP59055733A JP5573384A JPS60198872A JP S60198872 A JPS60198872 A JP S60198872A JP 59055733 A JP59055733 A JP 59055733A JP 5573384 A JP5573384 A JP 5573384A JP S60198872 A JPS60198872 A JP S60198872A
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- Japan
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- voltage
- current
- circuit
- driving
- light emitting
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/395—Linear regulators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
- H05B45/14—Controlling the intensity of the light using electrical feedback from LEDs or from LED modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLIDを一足の輝度にて駆動することができる
ようにした、特に、LEDブリ/り用のIID駆動用集
積回路として好適なLPID駆動用MO8集積回路に関
する。
ようにした、特に、LEDブリ/り用のIID駆動用集
積回路として好適なLPID駆動用MO8集積回路に関
する。
例えば、LH!D素子を発光諒として用いたLBDプリ
ンタにあっては、多数個配設さnているLFID’(z
選択的に点灯し、且つ点灯時におけるLPIDの輝度は
所定の一定値に保たnる必要がある。
ンタにあっては、多数個配設さnているLFID’(z
選択的に点灯し、且つ点灯時におけるLPIDの輝度は
所定の一定値に保たnる必要がある。
しかしながら、従来から用いらしてきているこの種のI
、I!1Dill動回路においては、MO8出力トラン
ジスタのオン抵抗が温度によって変化すると共にL]i
i、D素子自体の温度特性により、温度の上昇に従って
L:BIDの輝度が低下するという問題点を有していた
。更に、MOS)ランジスタt−駆動するための電圧の
変動に左右さ才りることも勿論でおる。
、I!1Dill動回路においては、MO8出力トラン
ジスタのオン抵抗が温度によって変化すると共にL]i
i、D素子自体の温度特性により、温度の上昇に従って
L:BIDの輝度が低下するという問題点を有していた
。更に、MOS)ランジスタt−駆動するための電圧の
変動に左右さ才りることも勿論でおる。
本発明の目的は、従って、複雑な回路構成を用いること
なしに、電源電圧及び周囲温度の変化があってもL1!
!Dを一足輝度で駆動することができるようにしたLI
lID駆動用MO8集積回路を提供することにある。
なしに、電源電圧及び周囲温度の変化があってもL1!
!Dを一足輝度で駆動することができるようにしたLI
lID駆動用MO8集積回路を提供することにある。
本発明の構成は、直流電源により発光ダイオードを駆動
するための111! D IX動用MO8集積回路にお
いて、上記直流電源から111UDに流nる電流を制御
するためLEDと直列に接続さnた電流制御素子と、L
BDに流nる電流の大きさを検出するためLF!Dと直
列に接続されている検出素子と、上記直流電源から電力
の供給を受け上記直流電源の電圧レベル変動に拘らず所
定レベルの基準電圧を出力する回路と、上記検出素子か
らの検出電圧と上記基準電圧とに応答して作動し上記L
]iDに流nる駆動電流が所定値に維持さnるよう上記
電流制限素子を、駆動する回路とを備え、こnによりL
EDが定電流駆動さnるようにした点に特徴を有する。
するための111! D IX動用MO8集積回路にお
いて、上記直流電源から111UDに流nる電流を制御
するためLEDと直列に接続さnた電流制御素子と、L
BDに流nる電流の大きさを検出するためLF!Dと直
列に接続されている検出素子と、上記直流電源から電力
の供給を受け上記直流電源の電圧レベル変動に拘らず所
定レベルの基準電圧を出力する回路と、上記検出素子か
らの検出電圧と上記基準電圧とに応答して作動し上記L
]iDに流nる駆動電流が所定値に維持さnるよう上記
電流制限素子を、駆動する回路とを備え、こnによりL
EDが定電流駆動さnるようにした点に特徴を有する。
多数のLFIDft駆動する場合にあっては、基準電圧
を出力する回路は1つでよく、電流制御素子、検出素子
及び電流制限素子を駆動する回路は、”LrHD毎に設
けら牡る。
を出力する回路は1つでよく、電流制御素子、検出素子
及び電流制限素子を駆動する回路は、”LrHD毎に設
けら牡る。
以下、図示の実施例により、本発明の詳細な説明する。
第1図には、本発明によるLI!1Dffi動用MO8
集積回路の一実施例が示さnている。LED駆動用MO
8集積回路1は、直流電源2によって駆動さnる発光ダ
イオード3(以下、IJEDという〕に供給さnる電力
を、その輝度が所定値を保つように制御するだめの回路
であり、単一の基板上に集積回路として形成されている
。
集積回路の一実施例が示さnている。LED駆動用MO
8集積回路1は、直流電源2によって駆動さnる発光ダ
イオード3(以下、IJEDという〕に供給さnる電力
を、その輝度が所定値を保つように制御するだめの回路
であり、単一の基板上に集積回路として形成されている
。
この集積回路1は、Ll!lD3に流牡る電流値を制限
する目的で、LBD3と直列に接続さnるMOE!)う
/ラスタ4が電流制限素子として設けら牡ており、MO
S)ランジスタ4は更に抵抗器5を介して直流電源2の
正極に接続さnている。従って、MO日トランジスタ4
によって制限さn九所要のLED駆動電流は、抵抗器5
を介して流n、抵抗器5の両端には、LFiD3に流n
る駆動電流の大きさに従ったレベルの検出電圧゛V、が
生じる。検出電圧v1は、電圧比較器6の十入力端子に
印刀口さnている。
する目的で、LBD3と直列に接続さnるMOE!)う
/ラスタ4が電流制限素子として設けら牡ており、MO
S)ランジスタ4は更に抵抗器5を介して直流電源2の
正極に接続さnている。従って、MO日トランジスタ4
によって制限さn九所要のLED駆動電流は、抵抗器5
を介して流n、抵抗器5の両端には、LFiD3に流n
る駆動電流の大きさに従ったレベルの検出電圧゛V、が
生じる。検出電圧v1は、電圧比較器6の十入力端子に
印刀口さnている。
直流電源2の端子電圧v0のレベルに拘らず所要の一足
レベルの基準電圧を取出すため、ゲート電極がソース、
電極に共通接続さnているデプレッション型MO8)ラ
ンジスタフのドレイン電極が抵抗器8を介して直流電源
2の正極に接続さnている。
レベルの基準電圧を取出すため、ゲート電極がソース、
電極に共通接続さnているデプレッション型MO8)ラ
ンジスタフのドレイン電極が抵抗器8を介して直流電源
2の正極に接続さnている。
従って、MO日トランジスタ7に流nるドレイン電流I
Dは、MO日トランジスタ7のドレインに印刀口される
電圧vDに対して、第2図に示す如く変化することにな
る。即ち、ドレイ/電流よりの値は、電圧v1の値が所
定値以上であnば、電圧vDの値にはほとんど依存せず
、ドレイン電流よりは、温度の変化に伴なうMOS )
う/ジスタフのスレッシールド電圧の変化−a:、MO
S):iryジスタフのチャネル移動度の変化とのため
に変化するだけである。
Dは、MO日トランジスタ7のドレインに印刀口される
電圧vDに対して、第2図に示す如く変化することにな
る。即ち、ドレイ/電流よりの値は、電圧v1の値が所
定値以上であnば、電圧vDの値にはほとんど依存せず
、ドレイン電流よりは、温度の変化に伴なうMOS )
う/ジスタフのスレッシールド電圧の変化−a:、MO
S):iryジスタフのチャネル移動度の変化とのため
に変化するだけである。
即ち、ドレイン電流よりは直流電源2の端子電圧voの
変動によっては影響さnず、温度変化によって変動する
。MOS)ランジスタを流詐る電流の温反係数は公知の
ごとくスレッショールド電圧の設足により決まる。そn
ゆえ、ドレイン電流Inの温度特性を、即ち、温度の上
昇に対してドレイン電流工pを増大するようにMOS)
う/1ジスタフのスレッショールド電圧を設足すること
ができる。
変動によっては影響さnず、温度変化によって変動する
。MOS)ランジスタを流詐る電流の温反係数は公知の
ごとくスレッショールド電圧の設足により決まる。そn
ゆえ、ドレイン電流Inの温度特性を、即ち、温度の上
昇に対してドレイン電流工pを増大するようにMOS)
う/1ジスタフのスレッショールド電圧を設足すること
ができる。
ドレイン電流よりが抵抗器8を流nることによって抵抗
器8の両端に生じる電圧vrは、電圧比較器6の一入力
端子に印加されている。
器8の両端に生じる電圧vrは、電圧比較器6の一入力
端子に印加されている。
従って、電圧比較器6の出力からは、検出電圧v1 と
基準電圧vrとの差分に応じた出力電圧Veが出力さn
lこの出力電圧V、によってトランジスタ4の導通度が
制御さnる。この結果、vl<vrとなると、出力電圧
V、が正の方向に増大してトランジスタ4のドレイン電
流が増大し、抵抗器5における電圧降下が増大する。即
ち検出電圧v1の値が増大する。逆に、V、)V rと
なると、出力電圧V、が負の方向に増大してトランジス
タ4のドレイ/電流が減少するので、抵抗器5にかける
電圧降下が減少する。即ち検出電圧v1が減少する。こ
のようにして、v、=vrとなるようにトランジスタ4
の導通度が制御さnlこの結果、基準′は圧Vデのレベ
ルに応じた電流がトランジスタ4t−介してLl[tD
3に流nz ”” ” 3は尼電流駆動される。
基準電圧vrとの差分に応じた出力電圧Veが出力さn
lこの出力電圧V、によってトランジスタ4の導通度が
制御さnる。この結果、vl<vrとなると、出力電圧
V、が正の方向に増大してトランジスタ4のドレイン電
流が増大し、抵抗器5における電圧降下が増大する。即
ち検出電圧v1の値が増大する。逆に、V、)V rと
なると、出力電圧V、が負の方向に増大してトランジス
タ4のドレイ/電流が減少するので、抵抗器5にかける
電圧降下が減少する。即ち検出電圧v1が減少する。こ
のようにして、v、=vrとなるようにトランジスタ4
の導通度が制御さnlこの結果、基準′は圧Vデのレベ
ルに応じた電流がトランジスタ4t−介してLl[tD
3に流nz ”” ” 3は尼電流駆動される。
従って、抵抗器5.8の値を適宜に設定して、所要の駆
動電流がLllfD3に供給されるようにすnば、LI
llD!−i直流電源2の電圧voの変動に拘らず常に
一定の電流で駆動さ牡、所定の輝度を維持することがで
きる。
動電流がLllfD3に供給されるようにすnば、LI
llD!−i直流電源2の電圧voの変動に拘らず常に
一定の電流で駆動さ牡、所定の輝度を維持することがで
きる。
その上、温度が上昇する゛と、第2図を用いて説明した
ように基準電圧vrも上昇し、温度上昇により低下する
LFID3の発光効率の変化を補正する。一方、温度が
低下すると、基準電圧vrも低下し、この場合にも温度
変化による発光効率の変化を補正することができる。
ように基準電圧vrも上昇し、温度上昇により低下する
LFID3の発光効率の変化を補正する。一方、温度が
低下すると、基準電圧vrも低下し、この場合にも温度
変化による発光効率の変化を補正することができる。
本実施例において、抵抗器5,8は、例えば拡散抵抗又
はポリシリコン抵抗とじて同時に形成さnるため、抵抗
器5,8の抵抗比を所望の値に設定することが比較的容
易であ!l、LFiD3の駆動電流を所定の設定値に比
較的正確に設定することができる。
はポリシリコン抵抗とじて同時に形成さnるため、抵抗
器5,8の抵抗比を所望の値に設定することが比較的容
易であ!l、LFiD3の駆動電流を所定の設定値に比
較的正確に設定することができる。
第3図には、多数の’Ll!!D3□ e3!*3as
、、を選択的に点滅させることができるようにした本発
明の他の実施例が示さしている。第3図に示すLll!
D駆動用MOE+集積回路は、例えばLmDプリンタに
好適である。このLID駆動用MO日集積回路11にお
いては、第1図に示した各部に対応する部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。
、、を選択的に点滅させることができるようにした本発
明の他の実施例が示さしている。第3図に示すLll!
D駆動用MOE+集積回路は、例えばLmDプリンタに
好適である。このLID駆動用MO日集積回路11にお
いては、第1図に示した各部に対応する部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。
第3図の実施例では、各Lll!D3□ e2e3.6
.を選択的に点滅することができる。よう、トランジス
タ4の各ゲートと了−スとの間にスイッチングトランジ
スタ121 * 121 、12m 、。、が設けらn
ており、別途設けらrtた制御回路13からの制御信号
’s e O* e Cs a e *により、各スイ
ッチングトランジスタ121 g 121 g 12g
$ 6 mがオン、オフさnlこnにより各LEDの
点滅を制御する構成となっている。
.を選択的に点滅することができる。よう、トランジス
タ4の各ゲートと了−スとの間にスイッチングトランジ
スタ121 * 121 、12m 、。、が設けらn
ており、別途設けらrtた制御回路13からの制御信号
’s e O* e Cs a e *により、各スイ
ッチングトランジスタ121 g 121 g 12g
$ 6 mがオン、オフさnlこnにより各LEDの
点滅を制御する構成となっている。
各”D81 m 8m’ e 8a * e eを駆動
する回路は、基準電圧を発生する回路が共通になってい
る点を除けば第1図の場合と全く同様である。
する回路は、基準電圧を発生する回路が共通になってい
る点を除けば第1図の場合と全く同様である。
本発明によnば、上述の如(、LIIIDを足電流駆動
とする構成としたので、電源電圧の変動によりLF!D
の輝度が影響を受けることがなく、極めて安定した駆動
を行なうことができ、また、LmDの温度特性の補正を
も比較的簡単に行なえる等の利点を有している。
とする構成としたので、電源電圧の変動によりLF!D
の輝度が影響を受けることがなく、極めて安定した駆動
を行なうことができ、また、LmDの温度特性の補正を
も比較的簡単に行なえる等の利点を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるL1111駆動用MO8集積回路
の一実施例を示す回路図、第2図は第1図に示した装置
の作動を説明するための特性図)第8図は木う−ら明に
よるLED駆動用MO8集積回路の他の実施例を示す回
路図である。 1.11゜、LP!D駆動用MO日集積回路2、。直流
電源 8.8s −8* −am −−発洋ダイオード(Ll
lfD) 、 40.トランジスタ 5.8.、抵抗器 7、、MOI3)ランク2り 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
の一実施例を示す回路図、第2図は第1図に示した装置
の作動を説明するための特性図)第8図は木う−ら明に
よるLED駆動用MO8集積回路の他の実施例を示す回
路図である。 1.11゜、LP!D駆動用MO日集積回路2、。直流
電源 8.8s −8* −am −−発洋ダイオード(Ll
lfD) 、 40.トランジスタ 5.8.、抵抗器 7、、MOI3)ランク2り 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、直流電源により発光ダイオードを駆動するためのL
ED駆動用MO8集積回路において、前記直流電源から
前記発光ダイオードに流れる電流を制御するため前記発
光ダイオードと直列に接続さnた電流制御素子と、 前記発光ダイオードに流れる電流の大きさを検出するた
め前記発光ダイオードを直列に接続さしている検出素子
と、 III記直流電源から電力の供給を受け前記直流電源の
電圧レベル変動に拘らず所定レベルの基準電圧を出力す
るためMOS)ランジスタを含んで構成さした基単電圧
発生回路と、 前記検出素子からの検出電圧と前記基準電圧とに応答し
て作動し前記発光素子に流れる駆動電流が所定値に維持
されるよう前記電流制限素子を駆動する回路と、 を偏見たことを特徴とするLFtD駆動用MOE+集積
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59055733A JPS60198872A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | Led駆動用mos集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59055733A JPS60198872A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | Led駆動用mos集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60198872A true JPS60198872A (ja) | 1985-10-08 |
JPH0576792B2 JPH0576792B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=13007055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59055733A Granted JPS60198872A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | Led駆動用mos集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60198872A (ja) |
Cited By (12)
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---|---|---|---|---|
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CN101976668A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-02-16 | 复旦大学 | 一种硅基mos管控制发光二极管的器件、阵列及制造方法 |
ITCS20110016A1 (it) * | 2011-06-17 | 2012-12-18 | E D P Srl | Sistema elettronico di alimentazione e regolazione della corrente per lampade a led |
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-
1984
- 1984-03-23 JP JP59055733A patent/JPS60198872A/ja active Granted
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US8063895B2 (en) | 2000-10-27 | 2011-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0576792B2 (ja) | 1993-10-25 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |