JPS60193341A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS60193341A JPS60193341A JP5160984A JP5160984A JPS60193341A JP S60193341 A JPS60193341 A JP S60193341A JP 5160984 A JP5160984 A JP 5160984A JP 5160984 A JP5160984 A JP 5160984A JP S60193341 A JPS60193341 A JP S60193341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- ion beam
- scanning
- groove
- depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は集束イオンビームによって基板をエツチング
する方法の改良に関するものである。
する方法の改良に関するものである。
近年、１μｍ以下に集束した細いイオンビーム（Ｆｏｃ
ｕｅｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ ：以下「ＦＩＢＪと略省
する。）によって直接基板をエツチングする方法が提案
されている。この方法を用いれば、従来の半導体製造工
程における写真製版工程とエツチング工程との２工程を
１工程ですませることができ、しかも、０．１μｍ以下
の非常に微細なＦＩＢを用いることによって、従来では
不可能であった超微細加工が可能となり、超高速の半導
体デバイス等の実現に寄与するものと考えられている０ 第１図はとのＦＩＢを用いて基板をエツチングする従来
の方法を示す斜視図で、（１）は被エツチング基板で、
ここではヒ化ガリウム（ＧａＡｅ）基板を例に挙げて説
明す′る。たとえば１ｏｏｋｅＶのガリウムＦＩＢで、
ＧａＡｓ基板を２μｍの深さまでエツチングするには１
０１８／Ｃｍ２程度のＦＩＢ照射量を必要とする０さて
、所要幅のエツチング溝を基板（１）Ｋ形成する場合を
第１図に従って説明する０まず、第１図Ａに示すように
ＦＩＢ（５）を矢印θの方向に線走査してに順次線走査
して、１０本、２０本および５０本線走査してエツチン
グ溝（３ｂ）、（３ａ）および（３ｄ）を得た状態をそ
れぞれ第１図Ｂ、ＯおよびＤＫ示す。
ｕｅｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ ：以下「ＦＩＢＪと略省
する。）によって直接基板をエツチングする方法が提案
されている。この方法を用いれば、従来の半導体製造工
程における写真製版工程とエツチング工程との２工程を
１工程ですませることができ、しかも、０．１μｍ以下
の非常に微細なＦＩＢを用いることによって、従来では
不可能であった超微細加工が可能となり、超高速の半導
体デバイス等の実現に寄与するものと考えられている０ 第１図はとのＦＩＢを用いて基板をエツチングする従来
の方法を示す斜視図で、（１）は被エツチング基板で、
ここではヒ化ガリウム（ＧａＡｅ）基板を例に挙げて説
明す′る。たとえば１ｏｏｋｅＶのガリウムＦＩＢで、
ＧａＡｓ基板を２μｍの深さまでエツチングするには１
０１８／Ｃｍ２程度のＦＩＢ照射量を必要とする０さて
、所要幅のエツチング溝を基板（１）Ｋ形成する場合を
第１図に従って説明する０まず、第１図Ａに示すように
ＦＩＢ（５）を矢印θの方向に線走査してに順次線走査
して、１０本、２０本および５０本線走査してエツチン
グ溝（３ｂ）、（３ａ）および（３ｄ）を得た状態をそ
れぞれ第１図Ｂ、ＯおよびＤＫ示す。
すなわち、ＦＩＢによる１回の面走査で所要のエツチン
グ溝を得ようとするものであった。
グ溝を得ようとするものであった。
ところが、この従来の方法では線走査の回数が進むＫつ
れて、エツチング除去された基板物質が、すてＫ ＦＩ
Ｂ線走査を行なったｇＫＳ第１図Ｂ。
れて、エツチング除去された基板物質が、すてＫ ＦＩ
Ｂ線走査を行なったｇＫＳ第１図Ｂ。
ＣおよびＤにそれぞれ（４ｂ）、（４ｃ）および（４ｄ
）として示したように堆積して、所望の均−深さのエツ
チング溝が得られないことが判明した。
）として示したように堆積して、所望の均−深さのエツ
チング溝が得られないことが判明した。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、Ｆ
ＩＢの１回の面走査で形成される溝の深さを浅くして、
この面走査を複数回繰返して所要深さのエツチング溝が
得られるようにすることＫよって、均一の深さのエツチ
ングが可能な方法を提供するものである。
ＩＢの１回の面走査で形成される溝の深さを浅くして、
この面走査を複数回繰返して所要深さのエツチング溝が
得られるようにすることＫよって、均一の深さのエツチ
ングが可能な方法を提供するものである。
前述の場合と同様に１００ ｋｅｖのガリウムＦＩＢで
２μｍの深さにＧａＡｓ基板をエツチングする場合につ
いて述べる。第２図はこの発明の一実施例を示す斜視図
で、この実施例では、従来のように１０１８／Ｃｍ２の
Ｆ’ＩＢ照射量で一挙に２μｍの深さにエツチングする
のではなくて、１０１６／ｄｍ２のＦＩＢ照射量で１回
の面走査をして目的とする形状ではあるが、浅いエツチ
ング溝を形成する。この状態を第２図人に示す。すなわ
ちＦＩＢ（５）による矢印８方向の線走査を破線矢印ｐ
方向にずらせながら５０回行って１回の面走査を終えて
エツチング溝（６ａ）を得る。（７ａ）はこのときの再
付着物質堆積層である。このような面走査を５０回およ
び１００回行ってエツチング溝（６ｂ）および（６ｃ）
を得た状態をそれぞれ第２図ＢおよびＣに示す。これら
各段階における再付着物質堆積層はそれぞれ（７ｂ）お
よび（７ｃ）に示すように従来方法の場合と比して大幅
に減少し、均一な深さのエツチングが可能である。
２μｍの深さにＧａＡｓ基板をエツチングする場合につ
いて述べる。第２図はこの発明の一実施例を示す斜視図
で、この実施例では、従来のように１０１８／Ｃｍ２の
Ｆ’ＩＢ照射量で一挙に２μｍの深さにエツチングする
のではなくて、１０１６／ｄｍ２のＦＩＢ照射量で１回
の面走査をして目的とする形状ではあるが、浅いエツチ
ング溝を形成する。この状態を第２図人に示す。すなわ
ちＦＩＢ（５）による矢印８方向の線走査を破線矢印ｐ
方向にずらせながら５０回行って１回の面走査を終えて
エツチング溝（６ａ）を得る。（７ａ）はこのときの再
付着物質堆積層である。このような面走査を５０回およ
び１００回行ってエツチング溝（６ｂ）および（６ｃ）
を得た状態をそれぞれ第２図ＢおよびＣに示す。これら
各段階における再付着物質堆積層はそれぞれ（７ｂ）お
よび（７ｃ）に示すように従来方法の場合と比して大幅
に減少し、均一な深さのエツチングが可能である。
第３図はこの発明の他の実施例を示す斜視図で、第２図
人に示したようＫＦＩＢ（５）の６方向の線走査をｐ方
向に順次ずらせて５０回行う１回の面走査を行った後に
、第３図人に示すようＫＦＩＢ（５）の８方向の線走査
を前回のｐ方向とは逆の破線矢印ｑ方向に順次ずらせて
５０回行う１回の面走査を行うとエツチング溝（８ａ）
が得られる０このようにすると、このエツチング溝（８
ａ）には図示のように再付着物質堆積層は殆んど形成さ
れない０第２図人に示した面走査と第３図人に示した面
走査とを交互に各５０回計上００回行うと第３図ＢＫ示
すように再付着物質堆積層の殆んどない所要深さのエツ
チング溝（８ｂ）が得られる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明では少い照射密度のＦＩ
Ｂでエツチングすべき領域を面走査して浅いエツチング
を施す作業を複数回繰返して所要エツチング深さを得る
ようにしたので再付着物質堆積層の極めて少い所望の断
面形状にエツチングすることができる０
人に示したようＫＦＩＢ（５）の６方向の線走査をｐ方
向に順次ずらせて５０回行う１回の面走査を行った後に
、第３図人に示すようＫＦＩＢ（５）の８方向の線走査
を前回のｐ方向とは逆の破線矢印ｑ方向に順次ずらせて
５０回行う１回の面走査を行うとエツチング溝（８ａ）
が得られる０このようにすると、このエツチング溝（８
ａ）には図示のように再付着物質堆積層は殆んど形成さ
れない０第２図人に示した面走査と第３図人に示した面
走査とを交互に各５０回計上００回行うと第３図ＢＫ示
すように再付着物質堆積層の殆んどない所要深さのエツ
チング溝（８ｂ）が得られる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明では少い照射密度のＦＩ
Ｂでエツチングすべき領域を面走査して浅いエツチング
を施す作業を複数回繰返して所要エツチング深さを得る
ようにしたので再付着物質堆積層の極めて少い所望の断
面形状にエツチングすることができる０
第１図は従来のエツチング方法を示す斜視図、第２図は
このを明の一実施例を示す斜視図、第３図はこの発明の
他の実施例を示す斜視図である０図において、（１）は
基板、（５）はＦ Ｉ Ｂ 、（６ａ ） 、（６ｂ）
。 （６Ｃ）はエツチング溝、（ｑａ）、（’７ｂ）、（７
ｃ）は再付着物質堆積層、（ｓａ）、（ｓｂ）はエツチ
ング溝、ｅは線走査方向、Ｔ’ −ｑは面走査方向であ
る０なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 大岩増雄 第１図 第２１２１ 第３１′４
このを明の一実施例を示す斜視図、第３図はこの発明の
他の実施例を示す斜視図である０図において、（１）は
基板、（５）はＦ Ｉ Ｂ 、（６ａ ） 、（６ｂ）
。 （６Ｃ）はエツチング溝、（ｑａ）、（’７ｂ）、（７
ｃ）は再付着物質堆積層、（ｓａ）、（ｓｂ）はエツチ
ング溝、ｅは線走査方向、Ｔ’ −ｑは面走査方向であ
る０なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 大岩増雄 第１図 第２１２１ 第３１′４
Claims (1)
- （１）集束イオンビームを用いて基板忙所要面パターン
の所要深さのエツチングを施すに際して、上記所要深さ
のエツチングが可能な上記集束イオンビームの照射密度
に比して低い照射密度の上記集束イオンビームを用いた
上記所要面パターンの面走査を複数回繰返して上記所要
深さのエツチングを完了することを特徴とするエツチン
グ方法０（２）複数回の面走査を構成する各回の面走査
の走査方向を順次逆方向とすることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のエツチング方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160984A JPS60193341A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160984A JPS60193341A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193341A true JPS60193341A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0457093B2 JPH0457093B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=12891642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160984A Granted JPS60193341A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193341A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121150A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-06-02 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 紙幣供給装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163505A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Hitachi Ltd | 微細溝の寸法測定方法および装置 |
| JPS60136315A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | マイクロイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP5160984A patent/JPS60193341A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163505A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Hitachi Ltd | 微細溝の寸法測定方法および装置 |
| JPS60136315A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | マイクロイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121150A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-06-02 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 紙幣供給装置 |
| JPH0545493B2 (ja) * | 1985-11-18 | 1993-07-09 | Ibm |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0457093B2 (ja) | 1992-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3753022A (en) | Miniature, directed, electron-beam source | |
| JPH0258328A (ja) | イオンビーム加工方法 | |
| US5683595A (en) | Fine pattern forming method and fine pattern device | |
| JPS60193341A (ja) | エツチング方法 | |
| JPH03296284A (ja) | 超伝導素子の製造方法 | |
| JP2000150407A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0669605A (ja) | 回折格子の形成方法 | |
| JPS59132142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5397743A (en) | Method of making a semiconductor device | |
| JP3367878B2 (ja) | 酸化物超電導体素子の製造方法 | |
| JP2600805B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及び方法 | |
| JP2725663B2 (ja) | 微細構造形成方法 | |
| JPS6049626A (ja) | 荷電ビ−ム偏向器の製造方法 | |
| JP3110250B2 (ja) | 磁性体含有層の製造方法 | |
| JP2578808B2 (ja) | 溝堀り型キャパシタの製造方法 | |
| JPH03259528A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2012090C1 (ru) | Способ формирования межсоединений в матрице трехмерных полупроводниковых элементов | |
| JP2677577B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0554704B2 (ja) | ||
| JPS60160125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07114197B2 (ja) | イオンビームによるエッチング方法 | |
| JPS60145612A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61177720A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0682640B2 (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS61137327A (ja) | 層間絶縁膜のエツチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |