JPS60192953A

JPS60192953A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS60192953A
Application number: JP59048579A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-03-13
Filing date: 1984-03-13
Publication date: 1985-10-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

ｒｉｆ視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ピンカース硬度か高く、石会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原ｒを含む
非晶質材料（以後ｒＡ−ｓｉＪ　と略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１ＱＩ２ΩＣｌｌ１以りの暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子と
を特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
可成りの制限がある。

この設λ１」二のΔ′１容度を拡大出来る、詰り、ある
程度低１１ｒＳ抵抗であっても、その高光ｌｉ８度を有
効に利用出来る様にしたものとしては、例えば、特開昭
５１−１２１７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公
報、特開昭５７−４１７２号公報に記載されである様に
光受容層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層
構成として、光受容層内部に空乏層を形成したり、或い
は特開昭５７−５２１７８号、同５２１７９号、同５２
１８０号、同５８１５９号、同５８１６０号、同５８１
６１号の各公報に記載されである桟に支持体と光受容層
の間、又は／及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた
多層構造としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受
容部材が提案されている。

この様な提案によって、Ａ−９ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を（７１せた蕉味で「界面」と称す）より反
射して来る反射光の夫々か干渉を起す可能性かある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に隅調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＱと」二部界面１０２で反則した反射光Ｒ１
，下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をの層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、反則光は強め合は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００λ〜±１ｏｏｏｏＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイＩ・処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干？
＄縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポ・ントに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−Ｓｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生し、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−５ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のＡ−５ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光量１となる。透
過光量ｌは、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　、に２　、に３　・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って１反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１、支持体４．０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉し
て、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防
止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロット←こ於いても粗面度に不均一
があって、製造管理−（−具合が悪かった。加えて、比
較的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯
かる大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原
因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍ入また
は２　ｎ　ｄｌ　＝　（ｍ＋３４）入が成立ち、夫々明
部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層
の層厚ｄ（、ｄ２．ｄ３、な層厚の不均一性があるため
明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側より１１１０に設けられた多層構成
の光受容層を有する光受容部材に於いて、前記第１の層
中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が屑・厚方向に
不均一であると共に前記光受容層がショートレンジ内に
１対以」二の非平行な界面を有し、該非平行な界面が、
層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し
ている事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は１本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層ａ成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）文に入射した可干渉性光は、
該微小部分立に於て干渉を起し、微小なＴ渉縞模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入用光ＩＱに対する
反射光Ｒ１と出用光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非・１１
行な場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても一■−汗縞
模様の明暗の差が無視し得る程度に小さくなる。その結
果、微小部分の入射光量は平均イヒされる。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一　（ｄ７＼ｄ８）でも同様に云える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＱ　に
対して、反射光Ｒ１、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在す
る。

その為番々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、１１６．射光のスポット径をＬとすれば、文≦
しである。

メ５本発明の目的をより効果的に達成するムレこは微小
ＩＸ１；分文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄＢ　）は、！
ＩＱ身４光の１皮長を入とすると、ｄ５−ａ６≧　Ｔ（ｎ・第２層６０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分りの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれカニ２つの層界面が非・１・行な関係にある様に
各層の層厚が微小カラム内に於て１１ノ制御されるが、
この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれか２
つの層界面が一＋１行な関係にあっても良い・（ｊＪ、　ｌ、　、　・１行な層界面を形成する層は、
任意の２つの位置に於ける層厚の差が −さ−（ｎ：層の屈折率）ｎ以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺線描造を有する。逆Ｖ字形突起部の螺線
構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉帖線構造
とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の？！り即され
た不均一化と、支持体と該支持体１−に直接設けられる
層との間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保す
る為に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示され
る様に実質的に一１等辺三角形、直角三角形成いは不等
辺−二角形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊
に一゛等辺Ｅ角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を老成した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−Ｓ１層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表［ｒ１１状態
に応して層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ光受容層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

」−記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の四部のピンチは、好ましくは５層０ルｍ
〜０．３ｋｍ、より好ましくは２００　ｇｍ−１ｐｍ、
最適には５０ｇｍ〜５ｇｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇｍ〜５ルｍ
、より好ましくは０．３層ｍ〜３ｇｍ、最適には０．６
ｇｍ〜２壓ｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部（又
は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２
０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜】
０度とされるのが望ましい。

又、この様な★持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピンチ内で好ましくはＯ
，１ｇｍ〜２　ｐ、　ｍ　、より好ましくは０．１舊ｍ
〜１．５ｇｍ、最適には０．２層ｍ〜Ｉｇｍとされるの
が望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た＄１の層とシリコン族ｆ−を含む非晶質材料で構成さ
れ、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設け
られた多層構成となっており、前記第１の層中に於ける
ゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一どなっ
ているため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で１高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、浸度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、Ｈつ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全ｏｆ視光域に於いて光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１ｏｏｏは支持体１ｏｏｉ側よりゲルマニウム
原子を含有するａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）（以後ｒａ−３ｉ　
Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と略記する）で構成された第１
の層（Ｇ）１００２とａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、
光導電性を有する第２の層（Ｓ）１００３とが順に積層
された層構造を有する。

第１の層ＣＧ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体１００１の設けられである側と
は反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）の方
に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した状態
となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有される
。

本発明の光受容部材においては、第１の層ＣＧ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長連
の全領域の波長の光をこ対して光感度が優れている光受
容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、＄１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に於け
る親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於
いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくする
ことにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防止することが出来
る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分数されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例か示される。

層（Ｇ）の層厚を示し、ｔＢは支持体側の第１の層ＣＧ
）の端面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ
）の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有
される第１の層（Ｇ）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形
成がなされるう第１１図には、第１の４（Ｇ）　に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状ｆｆＪの第１の典型例が示
される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原−「−の含
有される第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層
（Ｇ）の表面とか接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布１農度ＣがＣ１なるー・
定の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の
層ＣＧ）に含有され、位置し１よりは濃度Ｃ２より界面
位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されている。界
面位置ｔ７においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
Ｃ２とされる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的の減少して位置ｔ７におい
て濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度イ、４Ｃ６と一定ｔ＝ｔとされ、位置ｔ２と位置ｔ７とハの間において、徐々に連続的の減少され、位置ｔ７にお
いて、分布濃度Ｃは実質的に零とされている（ここで実
質的に零とは検出限界量未満の場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位Ｂｔ日より位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され１位置計７において実質的に零とされ
ている。

Ｍ１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位Ｗ　’ｔ　３と位置ｔ３間においては、濃度
Ｃ９と一定値であり、位置ｔＴに於ては濃度ＣＩＯとさ
れる。位置ｔ３と位置ｔ７仄との間では、分布濃度Ｃは一暢関数的に位置ｔ３より位
置ｔ７に至るまで減少されている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一布状態とされてい
る。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ７に
至まで、ゲルマニウム原子の分布農仄度Ｃは濃度Ｃ１４より実質的に零に至る様に一喝関数的
に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至までは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、仄濃度Ｃ１５より濃度ＣＩ６まで一外関数的に減少され、
位置ｔ５と位置ｔＴとの間においては、ジ農度Ｃ１８の
一定値とされた例が示されている。

１１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１？であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１？より初めはゆっくりと
減少され、七〇の位置付近においては、急激に減少され
て位ｆｔ　ｔ　６では濃度ＣＩ８とされる。

位置計〇と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置計８において、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔ７との間において
は濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層層を構成＃律る第１の
層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の方にゲル
マニウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領域
（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域ｑＡ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよち
５終以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５ル厚までの全層領域ＣＬ　Ｔ　、）とされる場合
もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もあ
る。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
はｔｏｏ。

ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸ１０’ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層は、支持体側からの層厚で５月以内（ｔ’Ｂ
から５ＪＬ層の層領域に分布農度の最大値Ｃｍ　ａ　ｘ
が存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（’Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ＞の量又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｉ　
ｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には
５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは１
〜９．５Ｘ、１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｌｍ、より好ま
己くは１００〜８Ｘ１０”　ａｔ　ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
最適には５００−辷＝７Ｘ　１０５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ　
ｐ　ｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達が払われる必要がある
。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０人〜５０ル、より好ましくは、４０人〜４０ｐ
、最適には、５０人〜３０ルとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ｐＬ、より好ましくは１〜８０μ最適には２〜５０ｐ
Ｌとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）受特性との相互間の有機的関連性に基いて、光呑容米部材の層設針の際に所望に従って、適宜決定（ＴＢ十
Ｔ）の数値範囲としては、好ましくは１〜１００ル、よ
り好適には１〜８０川、最適には２〜５０ｐＬとされる
のが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ　／Ｔ≦１
なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値
が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは、ＴＢ　／Ｔ≦０．８．最適に
はＴＢ　／Ｔ≦０．８なる関係が満足・　される様に層
厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｉｘｔｏ５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては、
可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以下
、より好ましくは２５角以下、最適には２０ル以下とさ
れるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成され
る第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）
で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本的に
は、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供
給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態
で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布農度を所望の変化率曲線に
従って制御し乍らａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には１例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れたターゲットとＧｅて構成されたターケントの二枚を
使用して、又はＳｌとＧｅの１昆合されたターゲットを
使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素原ｒ
−（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ、　）導入用のガ
スをヌパ・ンクリング用の堆積室に導入してやれば良い
。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ
　、５ｉ４Ｈ１ｏ等のカス状態の又カス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２　Ｈ６、が好ましいもの
として挙げられる。

Ｇｅ供給用のが（料ガスと成すイクる物質としては、Ｇ
ｅＨ４、Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　。

Ｇ　ｅ４　ＨＩＯ，Ｇ　ｅ５　Ｈ１２，ＧｅＢ　ＨＨ，
Ｇ　ｅ７Ｈ１ｌ１３．ＧｅＢ　Ｈ１８，Ｇｅｇ　Ｈ２０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ
Ｈ４、Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢが好ましいものとし
て挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原お１
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のカス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子トを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、Ｃｌ３Ｆ。

ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３．ＩＦ３　。

Ｉ　Ｆ７　、　Ｉ　Ｃ１、Ｉ　Ｂ　ｒｈｆ、ノハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　ＦＢ　。

５ｉＣｕ４　、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好まし
いものとして挙げる事が出来る。

この様ハロゲン原子を含む硅素化合物を採用料カスと共
にＳｉを供給し得る原料ガスとしての水素化硅素カスを
使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン原子を含む
ａ−３ｉＧｅから成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放゛屯を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に、７３１の層（Ｇ）を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易に
なる様に計る為にこれ等のカスに更に水素カス又は水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独線のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

・圧反応スパッタリング法或いはイオンプレーΔ ティング法に依ってａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）から成
る第１の層（、Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリ
ング法の場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成
るターゲットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るター
ケントを使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中
でスパッタリングし、イオンブレーティング法の場合に
は、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結
晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々光発源
として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、
或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱
蒸発させ飛翔蒸発物を所望のカスプラズマ雰囲気中を通
過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロケン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料カス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のカス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料カスとし
て」−記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ。

ＨＣ文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉＨ２
Ｆ２　、Ｓ　ｉＨ２Ｉ２　、Ｓ　ｉＨ２Ｃ’１２゜５ｉ
ＨＣ１３，５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン
置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＦ２　Ｆ２　、
ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＦ２　Ｃ１２、ＧｅＨ３Ｃｕ、ＧｅＨＢｒ３゜Ｇｅ
Ｆ２　Ｂｒ２　、ＧｅＨ３Ｂｒ、ＧｅＨＩ３　。

ＧｅＦ２．Ｉ２　、Ｇｅ！Ｈ３Ｉ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物、ＧｅＦ４　、ＧｅＣｕ４　。

ＧｅＢ　丁　４　、　Ｇｅ　Ｉ４　、ＧｅＦ２　、　Ｇ
ｅＣ１２゜ＧｅＢ　ｒ２　、Ｇｅ　Ｉ２等のハロゲン化
ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物
質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質ととして挙
げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは充電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用のＪ！ｉ’　Ｉ１として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
ヒ記の他にＦ２．或いはＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３
ＨＢ　、５ｉ４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｅを供給する
為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、
ＧｅＨ４。

Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４　Ｈｌｏ、Ｇｅ
５ＨＩ２・Ｇｅ６　Ｈ１４，Ｇｅ７　ＨＩＩ３．Ｇｅ８
　Ｈ１８゜ｃｅ９）１２０等の水素化ゲルマニウムとＳ
ｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆
積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う小か出
来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（）（）
の量又は／＼ロゲン原子（Ｘ）の昂又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、グイましくはＯ，Ｏ１
〜４０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、より好適には０．
０５〜３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には０．１〜２５
ａｔｏｍｉｃ％とされるのか望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）
形成用の出発物質ＣＩ＋））を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆１１１法によって成される。

例えば、グロー放心法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料カスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原ｒ−＜ｘ）導入用の原料カスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）４人用のカスをスパッ
タリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　、Ａ
文、Ｃｒ　、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｒ　、Ｎｂ　。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成
るｔ４膜を設けることによって導電性が付与され、或い
はポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば
、ＮｉＣｒ、ＡＭ。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉ　ｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性が伺与される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例えば
、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用光受容部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とする受容光１部材として０工撓性が要求される場合には、支持体
としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限
り薄くされる。面乍ら、この様な場合支持体の製造上及
び取扱い玉、機械的強度等の点から、好ましくは１０−
以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例のす。

が密封されており、その−例してたとえば２゜０２は、
５ｆＨ４ガス（純度９９．９９９％。

以下ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２００３はＧｅＨ４ガス
（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４と略す）ボンベ、
２００４はＳ　ｉ　Ｆ４ガス（純度９９．９９％、以下
ＳｉＦ４と略す）ボンベ、２００５はＨｅガス（純度９
９．９９９％）ボンベ、２００６はＨ２ガス（純度９９
゜９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０１
．７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を
開いて反応室２００１．及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計２０３６の読みが約５Ｘ１０−６ｔ　ｏ　ｒ
　ｒになった時点で補助バルブ２０３２，２０３３、流
出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７」二に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンへ２００２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスボンベ２００３よりにｅＨ４ガス、２０
０６よりＨ２カスをバルブ２０２２．２０２３．２０２
６を開いて出１コ圧ゲージ２０２７．２０２８　。

２０３１（７）圧を１Ｋｇ／ｃｍ２に調整し、流入バル
ブ２０１２，２０１３．２０１６を徐々に開けて、マス
フロコントローラ２００７，２００８　、２０１１内に
夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２０１７，２０
１８，２０２１、補助／ヘルプ２０３２，２０３３を徐
々に開いて夫々のガスを反応室２００’　１に流入させ
る。このときのＳｉＨ４カス流量、Ｇ　ｅ　Ｈ４カス流
量とＨ２ガス流量の比が所望の値になるように流出／＜
／ｌ／ブ２０１７，２０１８．２０２１を調整し、また
、反応室２００１内の圧力が所望の値になるように真空
５１２０３６の読みを見ながらメインバルブ２０３４の
開口を調整する。そして、基体　２０３７の温度が加熱
ヒーター２０３８により５０〜４００°Ｃの範囲の温度
に設定されていることを確認された後、電源２０４０を
所望の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電を
生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従
ってＧｅＨ４ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ
等の方法によってバルブ２０１８の開口を漸次変化させ
る操作を行って形成される層中に含有されるゲルマニウ
ム原子の分布浸度を制御する。

Ｌ記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層ＣＧ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）Ｊ：：
にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（
Ｓ）を形成することが出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るためき基
体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転さ
せてやるのか望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１Ａ見支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ＝
深　さ）に示すように旋盤で加工した。（Ｎｏ、２０１
〜２０４）次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆
積装置で種々の操作手順に従ってａ−３ｉ：Ｈの電子写
真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、２０１−２０
４）なお、第１層のａ　−（Ｓｔ　；Ｇｅ）：Ｈ層は、Ｇｅ
Ｈ４およびＳｉＨ４の流星を第２２図のようになるよう
に、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントローラー
１２３６おヨヒ１２３２をコンピューター（ＨＰ９８４
５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表（試料Ｎｏ、２０１〜
２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径ａ　ｏ　抜ｍ）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。

Ｎｏ、、２０１〜２０４いずれの画像にも干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

じ雄側２Ａｌｌ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第３表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋盤で加工した。（試料Ｎｏ、３
０１〜３ｏ４）次に、第１表に示す条件で、第２０図の
膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−３ｉ：Ｈの電
子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、３０１〜
３０４）なお、第１層のａ−（Ｓ　ｉ；Ｇｅ）：Ｈ層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ４の流量を第２３図のようになるように
、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントローラー１
２３６および１２３２をコンピューター（ＨＰ９８４５
Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第３表（試料Ｎｏ、３０１〜
３０４）（７）結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、３０１〜３０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例３ＡＩ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第５表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加工した。（試料Ｎｏ、５０
１〜５０４）次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜
堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−３ｉ：Ｈの電子
写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、５０１〜５
０４）なお、第１７ｉｉｔノａ　−（Ｓ　ｉ　；　Ｇｅ）　：
　Ｈ層は、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第２４図の
ようになるように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロ
コントローラー１２３６おヨヒ１２３２をコンピュータ
ー（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第５表（試料Ｎｏ、５０１〜
５０４）（７）結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０１ｍ、スポッ
ト径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料Ｎｏ、５０１〜５０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例４ＡＭ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第６表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加］二した。（試料Ｎｏ、６
０１〜６０４）次に、第４表に示す条件で、第２０図の
膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−３ｉ：Ｈの電
子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、６０１〜
６０４）なお、第１層のａ−（Ｓｉ；Ｇｅ）：Ｈ層は、ＧｅＨ４
および５ｉＨ４（７）流量を第２５図のようになるよう
に、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマス２０コントローラー
１２３６おヨヒ１２３２をコンピューター（ＨＰ９８４
５Ｂ）により制御した。

こりようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表（試ＮＮｏ、６０１〜
６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径ｇｏｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料Ｎｏ、６０１〜６０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

第　１　表第２表第　３　表第４表第５表第　６　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場る場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）　（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持体
の表面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第２１図は、実施例で用いたＡ文支持体の表面状態の説
明図である。第２２図から第２５図までは、実施例における第２６図
は、実施例で使用した画像露光装置で△ ある。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層ｔｏｏｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａ９
．支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・
・第１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・
・・第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・
・・用光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第１霞イま【Ｊイ立　３１第６０Ｉθθ５Ｃル

Claims

【特許請求の範囲】（１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
側より順に設けられた多層構成の光受容層を有する光受
容部材に於いて、前記第１の層中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が層厚方向に不均一であると共に、前記
光受容層がショートレンジ内に１対以」二のＪＰ−’ｌ
ｉ行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な
面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴と
する光受容部材。（２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１ｘｎ
に記載の光受容部材。（３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。（４）前記ショートレンジが０．３〜５００ルである特
許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。（６）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。（７）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
部材。（８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
材。（８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
部材。（１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
項に記載の光受容部材。（ＩＩ）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
螺線描造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
容部材。（１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
範囲第１１項に記載の光受容部材。（１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
材。（１４）前記逆■字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
の光受容部材。（１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
項に記載の光受容部材。（１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
範囲第１５項に記載の光受容部材。（１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。