JPS6019108A - 光ガイドの製造方法 - Google Patents
光ガイドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6019108A JPS6019108A JP12859583A JP12859583A JPS6019108A JP S6019108 A JPS6019108 A JP S6019108A JP 12859583 A JP12859583 A JP 12859583A JP 12859583 A JP12859583 A JP 12859583A JP S6019108 A JPS6019108 A JP S6019108A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guide
- buffer layer
- groove
- layer
- substrate
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｔａ） 発明の技術分野
本説明は、光ガイドの製造方法に係り、とくに溝表面の
粗さを緩和させ、低損失の光ガイドの製造方法に関する
ものである。
粗さを緩和させ、低損失の光ガイドの製造方法に関する
ものである。
（ｂ） 従来技術の問題点
従来の光ガイドの製造方法は、半導体材料たとえばシリ
コン（Ｓｉ）等からなる基板に選択エツチングの手法に
より溝を形成する方法が知られている。このような従来
の光ガイドの製造方法を第１図に示し、（ａ）基板に溝
を形成した斜視図、（ｂ）は側断面図で、ｌは基板、２
はガイド溝、３はバッファ層、４はガイド層である。
コン（Ｓｉ）等からなる基板に選択エツチングの手法に
より溝を形成する方法が知られている。このような従来
の光ガイドの製造方法を第１図に示し、（ａ）基板に溝
を形成した斜視図、（ｂ）は側断面図で、ｌは基板、２
はガイド溝、３はバッファ層、４はガイド層である。
半導体たとえばシリコン（Ｓｉ）からなる基板１上に異
方性エツチングによりガイド溝２を形成し、該ガイド溝
２を形成した基板１上に熱酸化たとえば５ｉ０２等のバ
ッファＮ３を形成したるのち、該バッファ層３上にガイ
ド層４を被着している。ところが、この方法即ち異方性
エツチングによるガイド溝２の方向は結晶軸によって左
右され直線のガイド溝しか実現できず、ガイド溝２を無
理に曲げようとすれば溝の表面に凹凸が生じ、散乱損失
が増加して実用に供しえないという問題点があった。
方性エツチングによりガイド溝２を形成し、該ガイド溝
２を形成した基板１上に熱酸化たとえば５ｉ０２等のバ
ッファＮ３を形成したるのち、該バッファ層３上にガイ
ド層４を被着している。ところが、この方法即ち異方性
エツチングによるガイド溝２の方向は結晶軸によって左
右され直線のガイド溝しか実現できず、ガイド溝２を無
理に曲げようとすれば溝の表面に凹凸が生じ、散乱損失
が増加して実用に供しえないという問題点があった。
（Ｃ） 発明の目的
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、自由な形状のガイ
ドパターンが容易に形成でき、溝の表面粗さの影響を緩
和させた低損失の光ガイドの製造方法を提供することを
目的とするもきである。
ドパターンが容易に形成でき、溝の表面粗さの影響を緩
和させた低損失の光ガイドの製造方法を提供することを
目的とするもきである。
（ｄ） 発明の構成
前述の目的を達成するために本発明は、半導体または誘
電体等からなる基板に光ガイド溝を形成し、低い屈折率
のバッファ層を介して高屈折率のガイド層を形成してな
る光ガイドの作成において、前記バッファ層をスピンコ
ードやディッピング方式を用いて形成することによって
達成される。
電体等からなる基板に光ガイド溝を形成し、低い屈折率
のバッファ層を介して高屈折率のガイド層を形成してな
る光ガイドの作成において、前記バッファ層をスピンコ
ードやディッピング方式を用いて形成することによって
達成される。
（ｅｌ 発明の効果
以下図面を参照しながら本発明に係る光ガイドの製造方
法の実施例について詳細に説明する。
法の実施例について詳細に説明する。
第２図は、本説明の一実施例を説明するための（ａｌは
結晶方向と異なった溝の斜視図、（ｂ）はバッファ層を
形成した側面図、（Ｃ）は異方性エッチにる溝の断面の
４００ ＋＠Ｍｉｔ＆鏡写真であって、５はバッファ層
である。
結晶方向と異なった溝の斜視図、（ｂ）はバッファ層を
形成した側面図、（Ｃ）は異方性エッチにる溝の断面の
４００ ＋＠Ｍｉｔ＆鏡写真であって、５はバッファ層
である。
半導体たとえばＳｉ等からなる基板１を異方性エツチン
グでエツ、チングを行ない、ガイド溝２の方向と基板ｌ
の結晶軸方向をかえた場合、ガイド溝２を曲線パターン
とした場合あるいは等方向性エツチングとした場合等に
おいては、第２図（ａ）に示したように溝壁面に粗さが
生じる。この溝に例えばバッファ層５として低屈折率の
樹脂をスピンコードし、ベーキングをすると第２図１ｂ
ｌのようになる、このバッファ層５の膜厚は樹脂の粘度
、スピン速度でコントロールできる。このようにすると
前記樹脂の表面は表面張力によってなめらかな表面とな
りガイド溝２の粗さを吸収することになる。次に前記バ
ッファ層５の上に高い屈折率のガイド層をコートし、さ
らにバッファ層５をコートすれば、第２図ｔｃ＋に示す
ような光ガイドを形成することができる。なお、第２図
ｔｃ＋は異方性エッチによる溝であるが、等方性エッチ
や、イオンスパッタなどで溝を形成すれば断面はほぼＵ
形となり、ファイバとのマツチング性が良好となる。
グでエツ、チングを行ない、ガイド溝２の方向と基板ｌ
の結晶軸方向をかえた場合、ガイド溝２を曲線パターン
とした場合あるいは等方向性エツチングとした場合等に
おいては、第２図（ａ）に示したように溝壁面に粗さが
生じる。この溝に例えばバッファ層５として低屈折率の
樹脂をスピンコードし、ベーキングをすると第２図１ｂ
ｌのようになる、このバッファ層５の膜厚は樹脂の粘度
、スピン速度でコントロールできる。このようにすると
前記樹脂の表面は表面張力によってなめらかな表面とな
りガイド溝２の粗さを吸収することになる。次に前記バ
ッファ層５の上に高い屈折率のガイド層をコートし、さ
らにバッファ層５をコートすれば、第２図ｔｃ＋に示す
ような光ガイドを形成することができる。なお、第２図
ｔｃ＋は異方性エッチによる溝であるが、等方性エッチ
や、イオンスパッタなどで溝を形成すれば断面はほぼＵ
形となり、ファイバとのマツチング性が良好となる。
なお、バッファ層の材料は、コート時に液状であれば、
他の材料たとえば５ｉ０２を主成分とする有機金属化合
物を用いれば、焼成により５ｉ０２膜を得ることができ
る。
他の材料たとえば５ｉ０２を主成分とする有機金属化合
物を用いれば、焼成により５ｉ０２膜を得ることができ
る。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明殻明らかなように本発明に係る光ガイドの製
造方法によれば、従来の光ガイドの製造方法にくらべて
、バッファ層をスピンコード等の手法で形成したことに
より、バッファ層とコア層との界面が極めてスムーズな
ガイドとなり低伝播損失となるとともに、光ガイドの製
作が容易となる利点がある。
造方法によれば、従来の光ガイドの製造方法にくらべて
、バッファ層をスピンコード等の手法で形成したことに
より、バッファ層とコア層との界面が極めてスムーズな
ガイドとなり低伝播損失となるとともに、光ガイドの製
作が容易となる利点がある。
第１図は、従来の光ガイドの製造方法を説明するための
（ａ）基板に溝を形成した斜視図、（ｂ）は側断面図、
第２図は、本説明の一実施例を説明するための（ａ）は
結晶方向と異なった溝の斜視図、（ｂ）はバ・７フア層
を形成した側面図、（Ｃ）は異方性エッチにる溝の断面
の４００倍顕微鏡写真である。 図において、１は基板、２はガイド溝、３はバッファ層
、４はガイド層、５はバッファ層をそれぞれ示す。 第１図 第２図 第２図 （ｃ）
（ａ）基板に溝を形成した斜視図、（ｂ）は側断面図、
第２図は、本説明の一実施例を説明するための（ａ）は
結晶方向と異なった溝の斜視図、（ｂ）はバ・７フア層
を形成した側面図、（Ｃ）は異方性エッチにる溝の断面
の４００倍顕微鏡写真である。 図において、１は基板、２はガイド溝、３はバッファ層
、４はガイド層、５はバッファ層をそれぞれ示す。 第１図 第２図 第２図 （ｃ）
Claims (1)
- 半導体または誘電体等からなる基板に光ガイド溝を形成
し、低い屈折率のバッファ層を介して高屈折率のガイド
層を形成してなる光ガイドの作成において、前記バッフ
ァ層をスピンコードやディッピング方式を用いて形成す
ることを特徴とする光ガイドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12859583A JPS6019108A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 光ガイドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12859583A JPS6019108A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 光ガイドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6019108A true JPS6019108A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14988647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12859583A Pending JPS6019108A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 光ガイドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03182725A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 非線形光学素子及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12859583A patent/JPS6019108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03182725A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 非線形光学素子及びその製造方法 |
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