JPS60189957A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS60189957A
JPS60189957A JP4681284A JP4681284A JPS60189957A JP S60189957 A JPS60189957 A JP S60189957A JP 4681284 A JP4681284 A JP 4681284A JP 4681284 A JP4681284 A JP 4681284A JP S60189957 A JPS60189957 A JP S60189957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
lead frame
lead
bed
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4681284A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaharu Tanaka
正治 田中
Takahiko Umehara
梅原　隆彦
Akinori Nakatsuru
中津留　彰典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP4681284A priority Critical patent/JPS60189957A/ja
Publication of JPS60189957A publication Critical patent/JPS60189957A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に金型から抜
き出した後のＩＣリードフレームの抜き歪を除去し、リ
ード部をベッド部から浮かせる方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、ＩＣリード？・、レームをプレス打抜き法で製造
すると、ｘｃ＋５．、−ドフ９レームに反りが生じたり
、リード部がベッド部から沈む状態になることか多かっ
た。前者はリード部をたたくことにより容易に修正する
ことができるものである。一方、後者については、リー
ド部がベッド部から少し浮いた状態が望ましい。しかし
ながら従来、リード部を浮いた状態にするには、当該フ
レームの反りの機能を利用して行っていたため、反りと
リード部の浮いた状態が同時に規格内に入ることは極め
て困難であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、ＩＣリードフレームのリード部を容易にベッド部から
浮かせることができ、製品の品質を向上させることがで
きる半導体装置の製造方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、ＩＣリードフレームの吊りピン部に裏面から
圧力を加えることにより、同ＩＣリードフレームのリー
ド部をベッド部から浮かせるものである。
〔発明の実施例〕゛ 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明スル。第
１図はプレス金型から抜き出した後のＩＣリードフレー
ム１１を示すものである。
第２図はこのＩＣリードフレーム１１０反りを修正する
と共に、リード部１２をベッド部１３から滓かせるため
の型１４を示すものである。
型１４は共に超硬合金で形成された上型１５及び下型１
６により構成されている。上型１５の下面部は平面とな
っている。一方、下型１６の上面部には、ＩＣリードフ
レーム１１のリード部１２に対向して複数の反り修正用
の凸部１７゜１７・・・が設けられると共に、吊りビン
部１８゜１８に対向して２０μ程度の高さの凸部１９　
ｒ１９が設けられている。
すなわち、この型１４においては、第３図に示すように
下型１６の所定の位置にＩ　ＣＩＪ−ドフレーム１１を
載置し、上型１５を押し下げることにより、ＩＣリード
フレーム１１の裏面からリード部１２及び吊りビン部１
８にそれぞれ圧力を加えるものである。従って、凸部１
７゜１７・・・によりリード部１２全体が押し上げられ
、その結果ＩＣリードフレーム１ノの反りが修正される
。さらに、凸部１９．１９により吊りビン部１８．１８
が押し上げられ、この結果ベッド部１３が沈んだ状態と
なる。すなわちリード部１２がベッド部１３より浮いた
状態となるものである。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、ＩＣリードフレームのリ
ード部をベッド部から容易に浮かせることができ、反り
の修正と共に十分規格を満足することができ、品質の向
上した製品が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図はＩ　ＣＩＪ−ドフレームの斜視図、第２図は本
発明の一実施例に係る型を示す斜視図、第３図は上記Ｉ
Ｃリードフレームの修正工程を示す側面図である。 １１・・・ＩＣリードフレーム、１２・・・リード部、
１３・・・ベッド部、１４・・・型、１５・・・上型、
１６・・・下型、１７・・・凸部、１８・・・吊りビン
部、１９・・・凸部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金型からＩＣリ−）＋フレームを抜き出す工程と、前記
    金型から抜き出したＩＣリードフレームの吊りビン部に
    裏面から圧力を加え、同ＩＣリードフレームのリード部
    をベッド部から浮かせる工程とを具備したことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
JP4681284A 1984-03-12 1984-03-12 半導体装置の製造方法 Pending JPS60189957A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766972A (en) * 1994-06-02 1998-06-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making resin encapsulated semiconductor device with bump electrodes

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5512764A (en) * 1978-07-13 1980-01-29 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device manufacturing method
JPS57210651A (en) * 1981-06-19 1982-12-24 Toshiba Corp Lead frame and manufacture thereof

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