JPS6018929A - 探針位置検査装置 - Google Patents
探針位置検査装置Info
- Publication number
- JPS6018929A JPS6018929A JP12671083A JP12671083A JPS6018929A JP S6018929 A JPS6018929 A JP S6018929A JP 12671083 A JP12671083 A JP 12671083A JP 12671083 A JP12671083 A JP 12671083A JP S6018929 A JPS6018929 A JP S6018929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- inspection
- information
- section
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路装置等の半導体装置がペレットごと
に形成しであるウェハーの試験において。
に形成しであるウェハーの試験において。
その半導体装置の電極に試験信号を供給したり電極の出
力を取り出すのに用いるプローブカードの探針の位置を
検査する探針位置検査装置に関する。
力を取り出すのに用いるプローブカードの探針の位置を
検査する探針位置検査装置に関する。
半導体基板上に形成された半導体装置（電子回路は形成
しであるが、容器には収容してないペレット状のもの）
の電気的特性試験は、その半導体装置上に形成された電
極に、プローブカードに設置された探針を接触せしめ、
その探針に接続しであるケーブルを介してその電極を特
性チェック用テスターへ接続して行っている。この際探
針が電極に確実にｎ度よく接触することが重要である。
しであるが、容器には収容してないペレット状のもの）
の電気的特性試験は、その半導体装置上に形成された電
極に、プローブカードに設置された探針を接触せしめ、
その探針に接続しであるケーブルを介してその電極を特
性チェック用テスターへ接続して行っている。この際探
針が電極に確実にｎ度よく接触することが重要である。
しかし、電極は通常約１００μｍ角の大きさであり、か
つ半導体装置の機能向上により電極の数は増大する一途
であるから、探針を精度よく電極に接触させることは容
易でない。又、精度よく接触している場合でも多数の半
導体装置の電気的特性試験を繰り返しているうちに複数
の探針の配列が変化しその精度は保証できなくなる。従
って、プローブ・カードの探針の配列位置は、半導体装
置の電気的特性試験の前又は電気的特性試験の回数に応
じて充分に検査しておかなくてはならなＧ）。なぜなら
ば、半導体装置の電極にプローブ・カードの探針が精度
よく接触できていなければ、半導体装置の電気的特性試
験が正しく行なわれず１本来良品の半導体装置を不良品
と判断してしまうからである。
つ半導体装置の機能向上により電極の数は増大する一途
であるから、探針を精度よく電極に接触させることは容
易でない。又、精度よく接触している場合でも多数の半
導体装置の電気的特性試験を繰り返しているうちに複数
の探針の配列が変化しその精度は保証できなくなる。従
って、プローブ・カードの探針の配列位置は、半導体装
置の電気的特性試験の前又は電気的特性試験の回数に応
じて充分に検査しておかなくてはならなＧ）。なぜなら
ば、半導体装置の電極にプローブ・カードの探針が精度
よく接触できていなければ、半導体装置の電気的特性試
験が正しく行なわれず１本来良品の半導体装置を不良品
と判断してしまうからである。
探針検査の項目には、高さ、先端部の接触抵抗。
配列位置があるが、本願は後針の位置検査に関する内容
であるから、この点についてのみ説明をする。従来の探
針位置検査は、半導体装置の電極の適正な配列と同じパ
ターンに電極位置を表わしたガラス板又はフィルム等に
プローブ・カードの探針を接触させ１両者の位置が一致
するかどうかを肉眼により照合して行っていた。もし、
半導体装置の電極位置と探針とが一致しないにもかかわ
らず半導体装置の電気的特性試験が行なわれると。
であるから、この点についてのみ説明をする。従来の探
針位置検査は、半導体装置の電極の適正な配列と同じパ
ターンに電極位置を表わしたガラス板又はフィルム等に
プローブ・カードの探針を接触させ１両者の位置が一致
するかどうかを肉眼により照合して行っていた。もし、
半導体装置の電極位置と探針とが一致しないにもかかわ
らず半導体装置の電気的特性試験が行なわれると。
前に説明したように良品が不良品と誤って判定されるた
けではなく、半導体装置の回路素子と探針とが接触し回
路素子が破壊され最悪の場合は半導体基板上の全半導体
装置が破壊され不良品にしてしまうこともある。ところ
が、前記従来の探針位置検査方式では、位置検査の精度
が肉眼に依存すがら、検査精度が低く、不均一で、しか
も検査に時間がかかった。
けではなく、半導体装置の回路素子と探針とが接触し回
路素子が破壊され最悪の場合は半導体基板上の全半導体
装置が破壊され不良品にしてしまうこともある。ところ
が、前記従来の探針位置検査方式では、位置検査の精度
が肉眼に依存すがら、検査精度が低く、不均一で、しか
も検査に時間がかかった。
本発明の目的は、検査精匿が高く均一で、しかも検査が
迅速に行える探針位置検査装置の提供にある。
迅速に行える探針位置検査装置の提供にある。
本発明の構成は、プローブカードの複数の探針の配列位
置を検査する探針位置検査装置におＧ）て、前記探針に
接触する電荷結合素子と、前記探針に光を照射して前記
電荷結合素子に前記探針の配列位置の像を形成する光源
と、前記探針の適正配列位置の情報を予め記憶しておく
記憶手段と、前記配列位置の像が表す前記探針の配列位
置情報と前記適正配列位置情報とを比較して画情報が一
致しているか否かを検出する回路とを備えることを特徴
とする。
置を検査する探針位置検査装置におＧ）て、前記探針に
接触する電荷結合素子と、前記探針に光を照射して前記
電荷結合素子に前記探針の配列位置の像を形成する光源
と、前記探針の適正配列位置の情報を予め記憶しておく
記憶手段と、前記配列位置の像が表す前記探針の配列位
置情報と前記適正配列位置情報とを比較して画情報が一
致しているか否かを検出する回路とを備えることを特徴
とする。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例が取付けであるブローμの模
式的正面図、第２図はウニ／Ｘ−を’１１（ｔ’た第１
図の試料台の上面図である。これらの図で。
式的正面図、第２図はウニ／Ｘ−を’１１（ｔ’た第１
図の試料台の上面図である。これらの図で。
４は半導体装置のペレットが多数形成しであるウェハー
（検査試料）、７はプローブカード、６はこのプローブ
カード７に取付けである探針、３はウェハー４が載せで
ある試料台、ｌＩはこの試料台を移動させて検査対象の
半導体装置を順次探針６の下に位置さぜる資料台駆動部
、９は光源、５は試料台３に埋設しであるＣ０Ｄ（電荷
結合素子）。
（検査試料）、７はプローブカード、６はこのプローブ
カード７に取付けである探針、３はウェハー４が載せで
ある試料台、ｌＩはこの試料台を移動させて検査対象の
半導体装置を順次探針６の下に位置さぜる資料台駆動部
、９は光源、５は試料台３に埋設しであるＣ０Ｄ（電荷
結合素子）。
１はＣＣＤ制側１部、２はブローμ制御部、１０はＩＣ
テスターである。
テスターである。
この実施例において、ＣＣＤ５の上面とウェハー４の上
面とは同一平面にしである。このような構造にしである
のは、探針６の位置検査をする際に、半導体装置（ウェ
ハー４内の各ペレット）の電気的特性を試験をする条件
と同じくする必要があるからである。つまり、半導体装
置の電極と探針６の接触抵抗を特定の規定以内にするた
めには。
面とは同一平面にしである。このような構造にしである
のは、探針６の位置検査をする際に、半導体装置（ウェ
ハー４内の各ペレット）の電気的特性を試験をする条件
と同じくする必要があるからである。つまり、半導体装
置の電極と探針６の接触抵抗を特定の規定以内にするた
めには。
半導体装置の電極に探針６を押え付ける力が必要であり
、この力を−フ役にオーバードライブと呼んでおり、オ
ーバードライブを加える前と後では探針６の位置が半導
体装置の電極中心位置より約５〜３０μｍ位違ってくる
。このため探針６の位置検査では、オーバードライブを
加えた後の探針６位置が半導体装置の電極の中心になっ
ていることを確認しなければならない。前記でＣＣＤ５
とウェハー４の高さを同じくしたのはこのためである。
、この力を−フ役にオーバードライブと呼んでおり、オ
ーバードライブを加える前と後では探針６の位置が半導
体装置の電極中心位置より約５〜３０μｍ位違ってくる
。このため探針６の位置検査では、オーバードライブを
加えた後の探針６位置が半導体装置の電極の中心になっ
ていることを確認しなければならない。前記でＣＣＤ５
とウェハー４の高さを同じくしたのはこのためである。
このＣＣＤ５の表面に探針６のオーバードライブが加え
られた時にＣＣＤ５内の素子が破壊されないように、Ｃ
ＣＤ５表面の透明絶縁体は通常よりも厚くするか又は、
ＣＣＤ５の上に透明絶縁体を設置することが望しい。又
、ＣＣＤ５以外の試料台３の縁部３′の高さを同じくし
たのは、ウエノへ−４の中心位置と試料台３中心位置と
が太きくずれると半導体装置の電極と探針６の位置合せ
が困難であるので、前記のウェハー４のずれを小さくし
位置合せを容易にするためである。
られた時にＣＣＤ５内の素子が破壊されないように、Ｃ
ＣＤ５表面の透明絶縁体は通常よりも厚くするか又は、
ＣＣＤ５の上に透明絶縁体を設置することが望しい。又
、ＣＣＤ５以外の試料台３の縁部３′の高さを同じくし
たのは、ウエノへ−４の中心位置と試料台３中心位置と
が太きくずれると半導体装置の電極と探針６の位置合せ
が困難であるので、前記のウェハー４のずれを小さくし
位置合せを容易にするためである。
探針６の位置検査においては、あらかじめ半導体装置の
各電極中心位置をＣＣＤ制御部１に情報として入力し記
憶しておく。そして、ＣＣＤ５に向けて探針６にオーバ
ードライブを加えてから、光源９から平行光線８を照射
する。その時にＣＣＤ５に照射された部分と照射されな
い部分の情報から探針６の先端部に位置する平行光線８
の照射されない暗部の情報と、ＣＣＤＣＣ制御部入力し
ておいた情報とを比較し、探針６の位置ずれをＣＣＤ制
御部１で判定する。探針６の位置検奔は一気的特性試験
がウェハー４の半導体装置について行われている途中で
あっても、その電気的特性試験を中断して試料台３の端
のＣＣＤ５に探針６を接触させれば容易に行なえる。半
導体装置の電極と探針６との接触状態により特性が異な
る電気的特性試験において、たとえば、２０回連続して
不良になった場合、ＩＣテスター１０によりブローμ制
御部２に信号を送り、ブローバ側で自動的に前記探針６
の確認を行ない、探針６の位置がずれているような場合
はＩＣテスター１０及びブローμのテストンステム全体
が停止するようにＣＣＤ制御部１から信号を送出するよ
うにすることにより、探針位置ずれにより本来良品であ
る半導体装置を不良と判定′することがな（なる。
各電極中心位置をＣＣＤ制御部１に情報として入力し記
憶しておく。そして、ＣＣＤ５に向けて探針６にオーバ
ードライブを加えてから、光源９から平行光線８を照射
する。その時にＣＣＤ５に照射された部分と照射されな
い部分の情報から探針６の先端部に位置する平行光線８
の照射されない暗部の情報と、ＣＣＤＣＣ制御部入力し
ておいた情報とを比較し、探針６の位置ずれをＣＣＤ制
御部１で判定する。探針６の位置検奔は一気的特性試験
がウェハー４の半導体装置について行われている途中で
あっても、その電気的特性試験を中断して試料台３の端
のＣＣＤ５に探針６を接触させれば容易に行なえる。半
導体装置の電極と探針６との接触状態により特性が異な
る電気的特性試験において、たとえば、２０回連続して
不良になった場合、ＩＣテスター１０によりブローμ制
御部２に信号を送り、ブローバ側で自動的に前記探針６
の確認を行ない、探針６の位置がずれているような場合
はＩＣテスター１０及びブローμのテストンステム全体
が停止するようにＣＣＤ制御部１から信号を送出するよ
うにすることにより、探針位置ずれにより本来良品であ
る半導体装置を不良と判定′することがな（なる。
以上説明したように１本発明によれば、検査精度が均一
で高く、しかも検査が迅速に行える探針位置検食装誼が
提供できる。
で高く、しかも検査が迅速に行える探針位置検食装誼が
提供できる。
第１図は本発明の一実施例が取付けであるブローμの模
式的正面図、第２図はウェハーを置いた第１図の試料台
の上面図である。 １・・・・・・ＣＣＤ制御部、２・・・・・・ブローバ
制イａ１部、３・・・・・・試料台、４・・・・・・ウ
ェハー、５・・・・・・ＣＣＤ、６・・・・・・探針、
７・・・・・・プローブカード、８・・・・・・平行光
線、９・・・・・・光源、ｌＯ・・・・・・ＩＣテスタ
ー、１１・・・・・・試料台駆動部。 代理人 弁理士 内 原 １ ′”“ “い、゛
式的正面図、第２図はウェハーを置いた第１図の試料台
の上面図である。 １・・・・・・ＣＣＤ制御部、２・・・・・・ブローバ
制イａ１部、３・・・・・・試料台、４・・・・・・ウ
ェハー、５・・・・・・ＣＣＤ、６・・・・・・探針、
７・・・・・・プローブカード、８・・・・・・平行光
線、９・・・・・・光源、ｌＯ・・・・・・ＩＣテスタ
ー、１１・・・・・・試料台駆動部。 代理人 弁理士 内 原 １ ′”“ “い、゛
Claims (1)
- プローブカードの複数の探針の配列位置を検査する探針
位置検査装置において、前記探針に接触する電荷結合素
子と、前記探針に光を照射して前記電荷結合素子に前記
探針の配列位置の像を形成する光源と、前記探針の適正
配列位置の情報を予め記憶しておく記憶手段と、前記配
列位置の像が表す前記探針の配列位置情報と前記適正配
列位置情報とを比較して画情報が一致しているか否かを
検出する回路とを備えることを特徴とする探針位置検査
装置Ｖイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12671083A JPS6018929A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 探針位置検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12671083A JPS6018929A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 探針位置検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018929A true JPS6018929A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14941938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12671083A Pending JPS6018929A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 探針位置検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018929A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622250U (ja) * | 1985-06-20 | 1987-01-08 | ||
| JPH0322453A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Corp | ウェーハ検査装置 |
| JPH0463640U (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-29 | ||
| JP2017195239A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | プローブ位置検査装置および半導体評価装置ならびにプローブ位置検査方法 |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12671083A patent/JPS6018929A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622250U (ja) * | 1985-06-20 | 1987-01-08 | ||
| JPH0322453A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Corp | ウェーハ検査装置 |
| JPH0463640U (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-29 | ||
| JP2017195239A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | プローブ位置検査装置および半導体評価装置ならびにプローブ位置検査方法 |
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